「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

This gas diffusion layer is filled with a conductive agent including boron denaturation carbon black in a fiber porous base material and only having one peak in an Log differential pore volume distribution graph measured by a mercury intrusion method and that peak exists within a range of a pore diameters of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、繊維多孔質基材にホウ素変性カーボンブラックを含む導電剤が充填されているガス拡散層であり、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁

If second conductor powder for a wiring pattern layer 6 laminated and formed in a ceramic green sheet 5 is constituted of only metallic powder MP, it rapidly contracts at a baking temperature suitable for ceramic due to the diffusion of metallic particles and melting of the particles, thus causing warp or the like.例文帳に追加

セラミックグリーンシート５に積層形成する配線パターン層６用の第二導電体粉末は、金属粉末粒子ＭＰのみから構成されていると、セラミックに適合した焼成温度では、金属粒子間における拡散や粒子の溶融により収縮が急激に進行し、反り等を招くことにつながる。 - 特許庁

In this controlled potential elecrolytic gas sensor using an electrolyte comprising a sulfuric acid solution, is provided with a gas diffusion electrode formed with a gold sintered body layer obtained by sintering gold grains of 4-16 m^2/g in specific surface area, on one face of a gas permeable membrane.例文帳に追加

定電位電解式ガスセンサは、硫酸水溶液よりなる電解液を用いる定電位電解式ガスセンサにおいて、ガス透過膜の一面に、比表面積が４〜１６ｍ^^2 ／ｇの金粒子を焼結して得られる金焼結体層が形成されてなるガス拡散電極を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the lithographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process and having physical development nuclei between a surface-roughened and anodized aluminum support and a silver halide emulsion layer, the lithographic printing plate contains an oil dispersion of substituted 1-phenyl-3-pyrazolidone.例文帳に追加

粗面化され陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版において、該平版印刷版が置換された１−フェニル−３−ピラゾリドンのオイル分散物を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

An optical sheet 3 is constituted by joining a light shielding sheet 14 in which apertures 12 and light shading parts 13 are alternately arranged to a diffusion board 11 via an adhesive layer 15 and further joining a lens sheet 16 constituted of a lens part 18 where array-shaped lenses 18A are arranged on one surface and a lens sheet base material 17 to the light shielding sheet 14.例文帳に追加

光学シート３は、拡散板１１に接着層１５を介して開口部１２と遮光部１３を交互に配列した遮光シート１４を接合し、さらに遮光シート１４には、アレイ状のレンズ１８Ａが一方の面に配列されたレンズ部１８及びレンズシート基材１７からなるレンズシート１６を接合する。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

The guide roller in which flanges are installed on both ends is used, the gas diffusion layer base material impregnated with the water-repellent material containing liquid passes through the guide roller by hanging on the flanges of the guide roller at the end in the width direction, and a center section of a porous base material in the width direction does not come in contact with the guide roller.例文帳に追加

ガイドローラとしてその両端部にフランジが設けられたものを用い、撥水材含有液が含浸されたガス拡散層基材はその幅方向の端部で前記ガイドローラの前記フランジに掛けられて前記ガイドローラを通り、多孔質基材の幅方向の中央部は前記ガイドローラと接触しない。 - 特許庁

To synchronously and concurrently carry out work to laminate diffusion layers (second pattern 5) on a catalyst layer (first pattern 4) formed at a continuously sent electrolyte membrane of a web shape, and work to cut out a membrane electrode junction (joining pattern 1) formed by lamination, and improve the productivity of the membrane electrode junction 1.例文帳に追加

連続的に送られるウエブ状の電解質膜に形成された触媒層（第１パターン４）に拡散層（第２パターン５）を積層する作業と、積層によって形成された膜電極接合体（接合パターン１）を切り出す作業とを、同期して同時に行えるようにし、膜電極接合体１の生産性を向上させる。 - 特許庁

The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.例文帳に追加

前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resin composition suitable for production of biochips, with which a resin composition layer excellent in diffusion controllability of an acid generated by exposure can be formed and various kinds of polymers can be stably and accurately formed with high density on a substrate even when exposure amount is low, and to provide a method for producing biochips by using the composition.例文帳に追加

露光により発生した酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成でき、露光量が少ない場合であっても基板上に多種類の高分子を高密度、かつ安定して正確に形成できるバイオチップの製造に適した樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To provide a recording sheet for thermal printing which can endure a high temperature in a process of high-speed printing and enables attainment of a clear image and reduction of creases or warps of paper by reducing diffusion of heat from an image receiving layer and which is devised mainly for the high-speed printing.例文帳に追加

高速印刷する過程での高温に耐え得る感熱印刷用記録シートであって、受像層からの熱の拡散を抑制することによって鮮明な画像を得るともに、用紙のシワや反りの発生を抑制することが可能な、主として高速印刷のための感熱印刷用記録シート提供する。 - 特許庁

It is presumed that the magnesium is brought into reaction with nickel oxide in the surface of the nickel powder and is present as multiple oxide, and the multiple oxide of the magnesium oxide and nickel oxide is made dense compared to the surface layer of the nickel oxide only to prevent the diffusion of oxygen into the nickel powder and to suppress the oxidation of the nickel powder.例文帳に追加

本マグネシウムは、ニッケル粉表面で酸化ニッケルと反応し複合酸化物として存在していると推測され、この酸化マグネシウムと酸化ニッケルの複合酸化物は、酸化ニッケル単独の表面層にくらべ緻密になり、酸素のニッケル粉中への拡散を防止し、ニッケル粉の酸化を抑制する。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for a polymer electrolyte fuel cell with gas diffusion properties having a slanted distribution in a thickness or a film face direction against a polymer electrolyte membrane with mechanical strength maintained, and with a high effective utilization factor of catalyst, and to provide its manufacturing method and a polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

機械的強度を保ちつつ、高分子電解質膜に対して厚さ方向または膜面方向にガス拡散性が傾斜分布を持ち、触媒の有効利用率が高い固体高分子型燃料電池用電極触媒層、その製造方法および固体高分子型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

The method for plating the surface of a recessed space with a metal comprises immersing a workpiece 2 such as a printed wiring board having a recessed space in a plating liquid, and performing the plating while generating an MHD flow 4 by the Lorentz force and a micro-MHD flow 5 at the boundary area 3 of a diffusion layer by applying a magnetic filed 1 with an arbitrary intensity.例文帳に追加

凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 - 特許庁

Such stray light rays SL1, SL2 are scattered by the diffusion layer 7, therefore, can be prevented from being emitted as it is from the emission side of the polarization conversion device 1 through the prism body 10, and emission light EL emitted from the polarization conversion device 1 can be maintained in the state of a high degree of polarization containing S-polarization only.例文帳に追加

このような迷光ＳＬ１，ＳＬ２は、拡散層７によって散乱されるので、プリズム体１０を経て偏光変換装置１の射出側からそのまま射出されることを回避でき、偏光変換装置１から射出される射出光ＥＬをＳ偏光だけを含む高い偏光度の状態に維持することができる。 - 特許庁

A general peripheral circuit such as a sense amplifier using inner voltage having an absolute value smaller than external supply voltage as a main operating power supply is constituted of a (p) channel and (n) channel MOSFETs having a p+ gate and an n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the general peripheral circuit respectively and having comparatively thin oxide films.例文帳に追加

また、外部電源電圧より絶対値の小さな内部電圧を主たる動作電源とするセンスアンプ等の一般周辺回路を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的薄い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

On the other hand, when supply of hydrogen to the fuel gas passage 417 is stopped, the seal member 415 and the conductive elastic member 416 are deformed by the pressing force of the pressing mechanism, and the distance between the anode side gas diffusion layer 413a and the separator 42 is reduced to reduce the passage cross-sectional area of the fuel gas passage 417.例文帳に追加

一方、燃料ガス流路４１７への水素の供給が停止されたときには、押圧機構による押圧力によって、シール部材４１５、導電性弾性部材４１６が変形して、アノード側ガス拡散層４１３ａとセパレータ４２との間の距離が減少し、燃料ガス流路４１７の流路断面積が減少する。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁

This sweat-absorbing cover installed on the seat where an infant sits includes a water absorbent sheet 1 having a diffusion property for diffusing absorbed moisture, a water absorbent sheet 2 joined with the water absorbent sheet 1, and an attachment layer 3 (a hook-and-loop fastener) positioned on the outer surface of the water absorbent sheet 2 for detachably attaching it to the seat.例文帳に追加

幼児が着座する座席に装着する汗取カバーにおいて、吸収した水分を拡散させる拡散性を有する吸水シート１と、該吸水シート１に接合された防水シート２とを備え、該防水シート２の外側表面に、座席に対して分離自在に取り付けるための取付け層３（面ファスナー）を設けた。 - 特許庁

A gate oxide film 107 of the lateral high-dielectric-strength MOSFET100 of a 1st conductivity type is formed to such a thickness that an electric field value to the maximum operating voltage between the source and drain is ≤4 MV/cm and a drain diffusion layer 114 is so formed that its impurity total amount is ≥2×10^12/cm^2.例文帳に追加

第１導電型の横型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ100のゲート酸化膜107の膜厚を、ソース・ドレイン間の最大動作電圧に対する電界値が４ＭＶ／ｃｍ以下となる厚さに形成し、前記ドレイン拡散層114をその不純物総量が２×１０^12／ｃｍ^2以上となるよう形成する - 特許庁

Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.例文帳に追加

そして、Ｎ^+ 拡散層６２ｂに対する開口７１ａと多結晶Ｓｉ膜６６ｂに対する開口７１ｂとをＳｉＯ_2 膜６８に同時に形成し、ＭＩＳ容量素子８８及びＭＩＭ容量素子８９の夫々の容量誘電膜であるＳｉＮ膜７２ａ、７２ｂを開口７１ａ、７１ｂ上に同時に形成する。 - 特許庁

To provide a construction method for enclosing a contaminated soil and/or ground water isolating from the surrounding by constructing an impervious wall at a low cost and efficiently even when an impermeable or aquiclude layer is under the considerable depth whereby preventing the diffusion of the contaminant from the contaminated zone to the neighboring non-contaminated zone.例文帳に追加

不透水性または難透水性の地層が相当な深さに存在する場合でも、低コストで効率よく遮水壁を構築して、汚染土壌および／または汚染地下水を周囲から隔離して封じ込めることができ、これにより汚染区域から周辺の非汚染区域へ汚染物質の拡散を防止する。 - 特許庁

Further, it comprises a gate insulating film consisting of the laminated insulating film 2 formed on the silicon substrate 1 for discretely storing the charges, a gate electrode 4, and a pair of diffusion regions 5 for functioning as a source or a drain formed in the surface layer of the substrate 1 such that they seem to hold the gate electrode 4 between them.例文帳に追加

また、シリコン基板１上に形成された離散的に電荷を蓄積する積層絶縁膜２よりなるゲート絶縁膜と、ゲート電極４と、基板１の表面層にゲート電極４を挟持するように形成されたソース又はドレインとして機能する一対の拡散領域５とを有する。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

The second concept prevents anti-phase domains from growing due to the growth of a polar material on a non-polar material using an off-cut corner Si substrate, this solving the problem of the diffusion between dissimilar atoms during growing a usual ZnSe layer on the Si substrate.例文帳に追加

第２のコンセプトは、オフカット角Ｓｉ基板を用いた非極性材料上に極性材料を成長させることに起因する反位相領域が生じないようにすることであり、それによってＳｉ基板上に一般的なＺｎＳｅ層を成長している間に異種原子間の拡散の問題が解決される。 - 特許庁

To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.例文帳に追加

有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which has improved absorption of laser light, prevents diffusion of surplus laser light by absorption of the light in an undercoat layer, meets the need of reduction in diameter of writing light, and ensures the occurrence of few spot defects against charging potential in a wide range of a cylindrical support surface.例文帳に追加

電子写真感光体において、レーザー光の吸収を良くし、余剰となったレーザー光の吸収を下引き層に持たせて拡散を防止し、光書込み光径の小径化に対応し、円筒状支持体表面の広い範囲において、帯電電位に対して点欠陥の発生の少ない表面を提供する。 - 特許庁

This surface-mounted LED 10 (light emitting device) includes: an LED chip 1; a phosphor layer 19 converting the wavelength of light emitted from the LED chip 1; and a light diffusion part 6 that is structured to diffuse light at the center part on the upper side of the LED chip 1 relative to light in the other parts.例文帳に追加

この表面実装型ＬＥＤ１０（発光装置）は、ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１から出射された光の波長を変換する蛍光体層１９と、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部６とを備える。 - 特許庁

The horizontal transfer region 4 is tapered (both ends are tapered) so as to improve the charge detection sensitivity of a floating diffusion layer 3 which converts signal charge to voltage signals, and an overflow barrier 5 and the overflow drain 6 are provided adjacent to the final storage electrode 8a of the horizontal transfer region 4 along the shape of the horizontal transfer region 4.例文帳に追加

信号電荷を電圧信号に変換する浮遊拡散層３の電荷検出感度を上げるためにテーパ形状（両端先細り形状）となっている水平転送領域４の形状に沿って、オーバーフローバリア５とオーバーフロードレイン６が水平転送領域４の最終蓄積電極８ａ隣にまで設けられている。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including silver complex salt diffusion transfer development), and then treating the plate with a treating liquid containing a solvent for the silver halide, an organic compound having a mercapto group in the molecule and ≥0.2 mol phosphoric acid compound per 1 liter of the liquid.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、ハロゲン化銀溶剤、分子中にメルカプト基を有する有機化合物及び１リットルあたり０．２モル以上のリン酸化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

Or, an insulating thin film which transmits light of ≤2,000 nm in wavelength by ≥95% and contains elements given the same or different conductivity with the semiconductor substrate is provided on the photodetection surface side of the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

あるいは、半導体基板の受光面側に波長２０００ｎｍ以下の光を９５％以上透過させ、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む絶縁性薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁

By making hardness of the inner face higher than that of the outer face by forming a diffusion hardening layer on the inner face of the metal sheath, and by applying wire drawing by filling a MgB_2 superconductor, and as needed, improvement materials of the critical current density such as indium, copper, and tin into the sheath in the state, the superconducting wire rod is produced.例文帳に追加

金属シースの内面に拡散硬化層を形成して内面の硬さを外面の硬さよりも高くし、その状態でシース内にＭｇＢ_２超電導体、更に必要に応じてインジウム、銅、錫等の臨界密度向上物質を充填して伸線加工を施し、超電導線材を製造する。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

The liquid crystal display device 100 has: a backlight unit 10; the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of pixels (dots) arranged in a matrix shape having rows and columns; and the light diffusion layer 30a disposed on the viewer side of the liquid crystal display panel and having the stripe structure extending in the vertical direction.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１００は、バックライトユニット１０と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素（ドット）の配列パターン２２ａを有する液晶表示パネル２０ａと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層３０ａとを有する。 - 特許庁

Unnecessary fluff of the carbon fiber base material 7 is removed so that the carbon fiber base material 7 as a material of the diffusion layer is immersed into a water-repellent processing agent solution 2 filled into a vessel 1 and ultrasonic vibration 3 is given to the carbon fiber base material 7 immersed into the water-repellent processing agent solution 2.例文帳に追加

本発明に係る方法により、拡散層の材料となる炭素繊維基材７を、槽１内に満たされた撥水処理剤溶液２に浸漬し、この撥水処理剤溶液２に浸漬された炭素繊維基材７に超音波振動３を与え、不要な炭素繊維基材７の毛羽を除去することができる。 - 特許庁

The gas diffusion layer of an electrode for a fuel cell is made of textile fabrics into which a first fiber including a fiber with high stiffness made of a continuous fiber and a second fiber including a fiber with low stiffness are woven, where the fiber with low stiffness is arranged orthogonal to the fiber with high stiffness made of the continuous fiber.例文帳に追加

燃料電池用電極のガス拡散層が、長繊維からなる高剛性繊維を含む第１の繊維束と該長繊維からなる高剛性繊維に鉛直に配置された低剛性繊維を含む第２の繊維束とが織り込まれた織布からなることを特徴とする燃料電池用ガス拡散層。 - 特許庁