「element structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(175ページ目) - Weblio英語例文検索

The pressure-resistant light-emitting device 1 is of a structure in which a circuit board 10 with a light-emitting element 11 group two-dimensionally arrayed, a transparent front pressure-resistant plate 20 assigned for a surface of the circuit board 10, and a rear pressure-resistant plate 30 assigned for a rear face of the circuit board 10 are laminated.例文帳に追加

耐圧性発光装置１は、発光素子１１群が二次元配列された回路基板１０と、回路基板１０の表面に当てられる透明な表耐圧板２０と、回路基板１０の裏面に当てられる裏耐圧板３０とが、積層された構造である。 - 特許庁

The cooling structure of the power semiconductor element is equipped with a plurality of chips 31 loaded on a loading surface, a cooling water channel 26 formed facing the loading surface, and fins 41 provided projecting from the inner wall of the cooling water channel 26 into the cooling water channel 26.例文帳に追加

パワー半導体素子の冷却構造は、搭載面に搭載された複数のチップ３１と、搭載面に対向して形成された冷却水通路２６と、冷却水通路２６の内壁から冷却水通路２６内に突出するように設けられたフィン４１とを備える。 - 特許庁

To provide a tubular solid oxide fuel cell having high cell element density per a unit volume and requiring no complicated seal structure, capable of obtaining a high output by forming an electrolyte into a thin one, and also capable of easily and surely obtaining gas seal, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

単位体積当たりのセル要素密度が高く、電解質を薄く形成して高出力を得ることができると共に、容易かつ確実にガスシールすることができ、複雑なシール構造が不要なチューブ状固体酸化物型燃料電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure capable of generating stably vibrations including a frequency component to be detected, while a plurality of rolling elements 3, 3 constituting a rolling element row are moved revolutionarily, even when an axial load Fy working on a rolling bearing unit is zero or sufficiently small.例文帳に追加

転がり軸受ユニットに作用するアキシアル荷重Ｆｙが０若しくは十分に小さい場合でも、転動体列を構成する複数個の転動体３、３が公転運動する際に、検出すべき周波数成分を含む振動を安定して発生させられる構造を実現する。 - 特許庁

The employed photoelectric conversion element comprises a photonic crystal which is composed primarily of a photoelectric conversion substance and a light emitting dye contained in the photonic crystal, and the photonic crystal has a periodic structure which restrains light emission of the light emitting dye.例文帳に追加

少なくとも、光電変換物質を主成分とするフォトニック結晶と、当該フォトニック結晶内に含まれる発光色素とからなり、前記フォトニック結晶は前記発光色素の発光を抑制する周期構造を有することを特徴とする光電変換素子を採用した。 - 特許庁

In such a structure, each of the currents which are determined, depending on the output of light received by the photodiode 2, is injected to the wavelength control region and the amplifier 5, so as to keep the optical output of the semiconductor laser element 1 amplified by the amplifier 5 to be a constant level.例文帳に追加

このような構成において、増幅器５により増幅された半導体レーザ素子１の光出力を一定に保つように、フォトダイオード２により受光された光出力に応じて決定された電流をそれぞれ、波長制御領域および増幅器５に注入する。 - 特許庁

The element comprises a magnetic layer of spinel type crystal structure formed on a basic body through a titanium nitride layer, and another magnetic layer bonded to the spinel type magnetic layer through a nonmagnetic layer wherein the electric resistance between both magnetic layers is detected under control of an outer magnetic field.例文帳に追加

素子を、基体上に窒化チタニウム層を挟んで形成したスピネル型結晶構造の磁性層と、前記スピネル型磁性層に非磁性層を介して接合した他の磁性層とで構成し、両磁性層間を通過する電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。 - 特許庁

Since the local heater formed from a new semiconductor heating element is used, the structure of the cold weather clothing is simplified, miniaturized and lightened and the cold weather clothing are simply used for many hours without hindrance at all in routine work, etc.例文帳に追加

この防寒衣服によれば、新規な半導体発熱素子で形成した局所ヒータを使用するので構造の簡略化とともに小型軽量化を図ることができ、日常業務などにも全く支障なく長時間に亘って簡便に使用することができるものである。 - 特許庁

A bus structure for a mobile communication terminal comprises a controller, first and second elements connected to a common bus, and a bus switch which is positioned between the first and second elements for disconnecting a bus of the second element from the common bus in response to control due to the controller.例文帳に追加

制御部と、共通バスに連結された第１及び第２素子と、それら第１及び第２素子間に位置し、前記制御部の制御によって第２素子のバスを共通バスから分離させるバススイッチと、から構成されることを特徴とする移動通信端末機のバス構造。 - 特許庁

The present invention provides a scintillator having a garnet structure containing Ce as a luminescent element and comprising Gd, Al, Ga and O, wherein it further comprises Eu and Yb and has 1×10^-5 to 2×10^-3 mol% sum of contents of Eu and Yb.例文帳に追加

本発明は、Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、ＧａおよびＯを含んだガーネット構造のシンチレータであって、ユーロピウム（Ｅｕ）とイッテルビウム（Ｙｂ）を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が１×１０^−５〜２×１０^−３ｍｏｌ％であることを特徴とするシンチレータである。 - 特許庁

In this device, a rail supporting means is formed of a supporting structure 2 having a positioning element 3 which has a large resistance moment against the elongation and the bending in the longitudinal direction corresponding to the rail 1 and fixes the rail 1 and/or an attachable/ detachable tightening means 4.例文帳に追加

そのための装置は、レール支持手段が、レール１に相当する長手方向延び及び曲げに対する大きな抵抗モーメントを有しかつレール１を固定するための位置決め要素３及び／又は取外し可能な締付け手段４を有する支持構造２として形成されている。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element, the light emitting layer has an organic layer which contains a compound including: a transition metal complex (Ir complex or Pt complex as a representative) having a specified phenyl-imidazole-based or phenyl-pyrazole-based ligand; and a carbazole-based partial structure.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、特定のフェニルイミダゾール系またはフェニルピラゾール系配位子含有遷移金属錯体（代表的にはＩｒ、Ｐｔ錯体）、かつカルバゾール系部分構造を含む化合物を含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a method of controlling a wavelength-variable laser array element for improving wavelength stability, by suppressing a wavelength drift because of thermal fluctuation caused by a current change in a wavelength change, without adding any special structure, even if an interval of the wavelength-variable laser array is relatively wide.例文帳に追加

波長可変レーザアレイの間隔が比較的広い場合においても、特別な構造を付加することなく、波長切り替え時の電流変化に起因する熱変動による波長ドリフトを抑制し、波長安定性を高める波長可変レーザアレイ素子の制御方法を提供することにある。 - 特許庁

The quantum dot organic electroluminescent element includes: a substrate 100; a first electrode layer 110 on the substrate 100; a plurality of quantum dot structures 120 including an organic electroluminescent layer on the first electrode layer 110; and a second electrode layer 130 on the quantum dot structure 120.例文帳に追加

本発明の量子ドット有機電界発光素子は、基板１００と、基板１００上の第１電極層１１０と、第１電極層１１０上の有機発光層を含む複数の量子ドット構造１２０と、量子ドット構造１２０上の第２電極層１３０と、を含む。 - 特許庁

To achieve an electromagnetic cooker capable of effectively cooling a semiconductor switching element mounted on radiators by forming an air channel hardly leaking cooling wind from a cooling fan with the use of a pair of the radiators having a simple structure.例文帳に追加

本願発明は、簡便な構成を有する一対の放熱体を用いて、冷却ファンからの冷却風が漏れにくい風路を形成することにより、放熱体に取り付けられた半導体スイッチング素子を効率的に冷却できる電磁調理器を実現することを目的とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has at least an organic layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes, wherein the organic layer contains at least one kind of platinum complex compound of quadridentate ligand including a partial structure expressed by a general formula (I).例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を含む、四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。 - 特許庁

By this, structures of various organic multi-layered thin film materials such as a stainable organic multi-layered thin film, an unstainable organic multi-layered thin film, the organic multi-layered thin film containing a minute amount of metal element, and the organic multi-layered thin film having the same chemical structure but a difference in the density are analyzed.例文帳に追加

これにより、染色可能な有機多層薄膜，染色不可能な有機多層薄膜，極微量の金属元素が含有された有機多層薄膜，同じ化学構造を有するが密度差がある有機多層薄膜等、種々の有機多層薄膜材料の構造を解析することができる。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element comprises at least an n-type layer side clad layer 103, a light-emitting layer 104 having a multiquantum structure using an Al_xGa_1-xN(0<x<1) layer as a barrier layer 141 and a p-type layer side clad layer 106, each layer composed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

各層はIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層を障壁層１４１とする多重量子構造を有した発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

In the structure of a barrier rib formed above a substrate and a bottom electrode of the light emitting element provided in a partitioned area surrounded by the barrier rib, the size of the flat surface of a member to form the bottom electrode is designed to be equal to or smaller than that of the opening of the barrier rib.例文帳に追加

基板上に形成された隔壁と、隔壁に囲まれた区画領域内に設けられた発光素子の下部電極の構造において、下部電極を形成する部材平坦面の大きさが、前記隔壁の開口の大きさと同一か、それより小さく設計する。 - 特許庁

When an auxiliary pulse Vp_2 shown in Fig. 1(a) is impressed to an energy converting element of a liquid jet recorder, a residual pressure wave having a resonance frequency determined by a channel structure is overlapped with a pressure wave by suction of ink and observed within a channel as shown in Fig. 1(b).例文帳に追加

液体噴射記録装置のエネルギー変換素子に、最初、図１（ａ）に示す補助パルスＶｐ_2を印加すると、流路内には、図１（ｂ）に示すように、流路構造によって定まる共振周波数の残留圧力波がインクの吸い込みによる圧力波に上畳されて観察される。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a molded filter element having a predetermined shape and having a coarse and dense structure excellent in filtering capacity, using a simple operation process, the less number of man- hours and also comparatively simple equipment.例文帳に追加

簡単な作業工程と少ない作業工数で且つ比較的簡素な設備を使用して所定形状の成形濾過体を安定して製造し得ると共に、濾過性能の優れた粗密構造の成形濾過体を製造することができる成形濾過体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method.例文帳に追加

この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。 - 特許庁

By modelling a screw fastening part having a structure fastening a crankcase 1 and a cylinder block 2 together by screwing bolts 4 through which the cylinder block 2 is penetrated against female screws 3 formed in the crankcase 1, strength evaluation of the screw fastening part against external force is performed using a finite element method.例文帳に追加

クランクケース１に形成される雌ネジ３に対して、シリンダブロック２を貫通させたボルト４を螺挿してクランクケース１とシリンダブロック２とを互いに締結する構造を有するネジ締結部をモデル化し、有限要素法を用いて外力に対するネジ締結部の強度評価を行う。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element having a new structure capable of increasing light receiving efficiency and power generating efficiency per unit area as well as doing away with a substrate with a transparent conductive metal oxide coated, and being stably manufactured in a simple process at low cost.例文帳に追加

単位面積あたりの受光効率及び発電効率を増加させることができるとともに、透明導電性金属酸化物を塗布した基板を不要とし、低コスト化も図れ、さらには簡易な工程で安定して製造可能な、新しい構造を有する光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide an endoscope and an endoscope system for attempting to get a high brightness of an observation light source and high pixels of an imaging element by cooling the heating area of a distal end of the endoscope with a cooling structure having small restriction of a configuration space, and furthermore for making it possible to thin the diameter of the distal end of the endoscope.例文帳に追加

配置スペースの制約が少ない冷却構造によって内視鏡先端部の発熱領域を冷却して、観察光源の高輝度化、撮像素子の高画素化を図り、しかも内視鏡先端部の細径化を可能とする内視鏡および内視鏡システムを提供する。 - 特許庁

As the structure of a high-rise or a sky scraper building having a long and planar shape in the ridge direction, a pair of intermediate columns 13 are provided between beam directional peripheral frames, and a vibration control element such as steel damper 20 or the like is provided between the intermediate columns 13.例文帳に追加

桁行方向に長い平面形状をなす高層ないし超高層の板状の形態の集合住宅建物の構造として、桁行方向の外周架構の間に対の中間柱１３を設けてそれら中間柱１３の間に鋼材ダンパー２０等の制震要素を設ける。 - 特許庁

The organic light emitting diode element has a constitution, which is formed by at least a light emitting layer, fabricated on a substrate between an anode and a cathode, and uses a base material having a periodic uneven structure and being stuck on a support medium as the substrate.例文帳に追加

陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を形成した構成を基板上に作製する有機発光ダイオード素子であって、前記基板として周期的な凹凸構造を形成した基材を支持体に貼合したものを使用することを特徴とする有機発光ダイオード素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an element or particularly a transistor has excellent operating characteristics and reliability by forming a domain structure or a single crystal metal oxide insulating layer extremely strongly oriented in a normal direction to a board in the insulating layer on a silicon plane (001).例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）面上の金属酸化物絶縁層において、基板法線方向に極めて強く配向したドメイン構造あるいは単結晶の金属酸化物絶縁層を形成することにより素子、特にトランジスタの動作特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure wherein a silicon oxide film 3 is embedded within a first groove 2 as an element isolation region in a p-type silicon substrate 1, and an n-type polycrystalline silicon resistor 6 is embedded within a second groove 5 further formed in that silicon oxide film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ｐ型シリコン基板１に、素子分離領域となる第１の溝２の内部にシリコン酸化膜３が埋め込まれ、さらにその内部に形成された第２の溝５の内部にｎ型多結晶シリコン抵抗体６が埋め込まれた構造となっている。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 10 employing a ZnO single crystal substrate 12 has an active layer 15 constituted of a nitride semiconductor containing In, and a semiconductor layer formed by being laminated in a laser element structure on the substrate surface of the ZnO single crystal substrate 12, and the end surface of a resonator is (1_100).例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、ZnO単結晶基板１２を用いており、Inを含む窒化物半導体で構成された活性層１５を有し、ZnO単結晶基板１２の基板面上にレーザ素子構造に積層して形成された半導体層を備え、共振器端面が（１＿１００）になっている。 - 特許庁

A light-emitting layer is made by polymerization, after forming a membrane from a polymerizable composition comprising a polymerizable light-emitting compound which has a light-emitting structure, such as a metal complex emitting from an excited triplet state and a polymerizable functional group; and then the organic EL element and its manufacturing method are provided.例文帳に追加

励起三重項状態から発光する金属錯体構造などの発光性部分と重合性官能基とを有する重合性発光化合物を含む重合性組成物を膜状に形成した後、重合して発光層を作製する有機ＥＬ素子及びその製造方法。 - 特許庁

Even if a moisture permeates a resin case or a charged resin, this structure prevents a moisture from entering the capacitor element.例文帳に追加

樹脂外装を施している金属化フィルムコンデンサにおいて、水分を透過しないバリア性を要した防湿シートで、コンデンサ素子を覆うまたは、被覆する構造とし、樹脂ケースや充填樹脂を水分が透過しても、コンデンサ素子に水分が浸入するのを防止するため、耐湿性能を向上することができる。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a seal ring 6 formed on an outer circumference of an element forming region 50 when seen from the top in a multilayer interconnect structure 3 formed on a silicon layer 4, and dummy metal structures 30a to 30i formed on a further outer circumference of the seal ring 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン層４上に形成された多層配線構造３内で、平面視において素子形成領域５０の外周に形成されたシールリング６と、シールリング６のさらに外周に形成されたダミーメタル構造３０ａ〜ダミーメタル構造３０ｉを含む。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

At least a pinned layer 3 in a ferromagnetic tunnel junction element having a lamination structure consisting of a foundation layer 1/a 0 to 5 nm-thick antiferromagnetic layer 2/the pinned layer 3/an insulating layer 4/a free layer 5 is shaped so that magnetic anisotropy arises more than that in the shape of the free layer 5.例文帳に追加

下地層１／厚さが０〜５ｎｍの反強磁性層２／ピンド層３／絶縁層４／フリー層５からなる積層構造を有する強磁性トンネル接合素子における少なくともピンド層３の形状を上記フリー層５の形状より磁気異方性が現れる形状とする。 - 特許庁

The light condensing system includes a back light system equipped with a light source and a primary light condensing part (X) capable of condensing the light emitted from the light source within the extent of ±60° in the front direction and a light condensing film having no pattern structure as a secondary light condensing element (Y).例文帳に追加

光源および光源からの出射光を、正面方向に対して、±６０°以内に集光することができる一次集光部（Ｘ）を有するバックライトシステム、ならびに、パターン構造を有さない集光フィルムを二次集光素子（Ｙ）として含有することを特徴とする集光システム。 - 特許庁

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

The magnetic RAM using the Schottky diode includes a stacked structure of word lines, a resistance variation pattern, and bit lines and is characterized by that a resistance variation element pattern and the semiconductor layer pattern or the semiconductor layer pattern and bit lines form the Schottky diode.例文帳に追加

ワードライン、抵抗変化素子パターン、半導体層パターン及びビットラインの積層構造を含み、抵抗変化素子パターンと半導体層パターン又は半導体層パターンとビットラインはショットキーダイオードを形成することを特徴とするショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭである。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element having at least a light-emitting layer sandwitched between an anode and a cathode, the light-emitting layer includes at least one metal complex polymer compound having a partial structure represented by a specific general formula.例文帳に追加

陽極と陰極により挟まれた少なくとも発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が特定の一般式で表される部分構造を含む金属錯体高分子化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The electron element comprises a negative electrode with a nano-size graphene structure retained and emitting electrons in a quasi-vacuum, a positive electrode collecting the electrons emitted from the negative electrode, and a control electrode controlling flow of electrons flowing from the negative electrode to the positive electrode.例文帳に追加

本発明の電子素子は、ナノサイズのグラフェン構造体が担持され略真空中で電子を放出する陰極と、前記陰極から放出された電子を集める陽極と、前記陰極から前記陽極に流れる電子の流れを制御する制御電極とからなることを特徴とする。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element which has at least one layer of an organic compound layer including a luminous layer between a pair of electrodes, at least a layer of the organic compound layer contains at least one type of indole in a specific structure and a carbazole compound.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子において、該有機化合物層の少なくとも一層が、特定構造のインドール及びカルバゾール化合物の少なくとも一種を含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

This nonaqueous secondary battery of high energy density is provided by forming an electrochemical element from gel or solid containing at least an ion including an organic positive ion structure having quaternary nitrogen or its derivative, and a different positive ion as a coexisting ion by using an ion conductor.例文帳に追加

４級窒素を含む有機陽イオン構造を含むイオンまたはその誘導体と、これと異なる陽イオンを共存イオンとして少なくとも含むゲルまたは固体をイオン伝導体を用いて電気化学素子を構成することで高エネルギー密度の非水系二次電池が得られる。 - 特許庁

To provide a small-sized stable wavelength conversion laser by performing wavelength conversion and also realizing polarization control by using a nonlinear optical crystal having a cyclic polarization structure, and eliminating a polarizing element in a wavelength conversion laser resonator.例文帳に追加

本発明の目的は、周期分極構造を有する非線形光学結晶を用い、波長変換を行うとともに偏光制御をも実現し波長変換レーザ共振器中に偏光素子をなくすことにより小型で安定な波長変換レーザを提供することにある。 - 特許庁

The near-field optical element 100 is composed of a transparent sapphire substrate 1, the laminated structure 2 of a group 3 nitride compound semiconductor having the light emitting part formed on the surface, the light shielding film 3 formed on the back surface of the sapphire substrate 1 and the fine opening part 4 of the light shielding film 3.例文帳に追加

近接場光素子１００は、透明なサファイア基板１とその表面に形成された発光部を有する３族窒化物系化合物半導体の積層構造２、サファイア基板１の裏面に形成された光遮断膜３、光遮断膜３の微小開口部４から成る。 - 特許庁