「element structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(178ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor module 2 incorporating a semiconductor element 21, an insulating material 3 arranged in contact with the semiconductor module 2, and a cooling pipe 4 arranged in contact with the insulating material 3 to clamp the insulating material 3 between the semiconductor module 2 and the cooling pipe 4, are arranged in pressure contact with each other in the semiconductor cooling structure 1.例文帳に追加

半導体素子２１を内蔵した半導体モジュール２と、半導体モジュール２に接触配置された絶縁材３と、半導体モジュール２との間に絶縁材３を挟むように絶縁材３に接触配置された冷却管４とが、互いに加圧密着してなる半導体冷却構造１。 - 特許庁

To provide an apparatus which can form a hole expansion part uniformly in a required shape easily and promptly even by a worker not skilled in particular in work for forming the hole expansion part in a required place in a hole constituting a joining structure not exposed to a surface for joining a building element such as wood.例文帳に追加

木材等の建築用構成部材を接合するための表面に露出しない接合構造を構成する孔の内部の所要箇所に孔拡張部を設ける作業において、特に熟練していない作業者でも、容易かつ迅速に孔拡張部を所要の形状に均一につくることができる装置を提供する。 - 特許庁

The structural element (1) for the solar cell panel including at least one dielectric layer (3) includes a conductive means (5) contacting with the dielectric layer (3), and an electric connection means (9) for connecting the conductive means (5) to a grounding part of the structure.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１つの誘電体層（３）を含む太陽電池パネルの構造要素（１）に関し、この構造要素は、上記誘電体層（３）に接触する導電手段（５）と、導電手段（５）を上記構造のアースに接続するための電気的接続手段（９）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of via holes which manufactures a via hole structure capable of attaining heat radiation improvement effect by increasing an embedding material to the interior while reducing the number of etching to a semiconductor substrate for via hole formation, and to provide a manufacturing method of a semiconductor element having the via holes.例文帳に追加

内部への埋め込み材料を増量させて放熱性向上効果を得ることが可能なビアホール構造を、ビアホール形成のための半導体基板へのエッチングの回数を少なくしつつ製造することのできるビアホールの製造方法およびビアホールを有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the organic luminous element which has at least a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, or plurality of layers composed of organic compound held between the above electrodes, at least one layer out of above layers composed of organic compounds contains a spiro-compound with the structure shown in the formula.例文帳に追加

陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された一または複数の有機化合物からなる層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物からなる層の少なくとも一層が下記式で示されるスピロ化合物を含有する有機発光素子。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

To provide an RFID tag mounted easily on a product and mounted surely, RFID tag mounting structure therefor, and an RFID tag mounted product, in particular, an RFID tag technique allowing easy and sure mounting on a groove part provided in an end plate portion of a cellular urethane of an automobile air filter element.例文帳に追加

製品に実装し易く、また確実に実装可能なＲＦＩＤタグおよびその実装構造ならびにＲＦＩＤタグ実装製品を提供すること、特に自動車用エアフィルタエレメントの発泡ウレタンのエンドプレート部分に設けた溝部に実装し易い、また、より確実に実装できるＲＦＩＤタグ技術を提供すること。 - 特許庁

The organic electroluminescence element having at least organic layers between a cathode and an anode is characterized in that at least one layer A of the organic layers contains an oligomer which has, as a repeating unit, a chemical structure represented by specific general formula and has a polymerization degree within a range of 2-20.例文帳に追加

陰極と陽極との間に、少なくとも有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも１つの層Ａが、特定一般式で表される化学構造を繰り返し単位として有する重合度が２〜２０の範囲内である低重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In a diffractive optical element where a plurality of diffraction gratings are laminated, an area where a phase change in the diffraction gratings of each layer is inconsistent occupies equal to or larger than 30% of the area of a unit period and also the phase change in the whole diffraction gratings is substantially consistent in a unit periodic structure.例文帳に追加

複数の回折格子を積層した回折格子であり、単位周期構造内において、各層の回折格子における位相変化が不整合である領域が少なくとも単位周期の３割以上の領域を占め、かつ回折格子全体としての位相変化は概整合していることを特徴とする回折光学素子。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor laser element comprises: a nitride semiconductor layer that is formed above an n-type GaN substrate 10 and includes an active layer 14; a stripe-shaped waveguide structure formed in the nitride semiconductor layer; and a p-side electrode 22 that is formed above the nitride semiconductor layer and has wire-bond regions 22a.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。 - 特許庁

To provide a configuration for achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

In this finishing structure of the floor 14 provided with floor heating formed by burying a heating element in concrete, a sheet 1 having a plurality of grooves 11a, 11b extended to an end side, on its rear face is laid on the concrete, and the base 12 provided with deaeration passages 12b, 12c communicating to the grooves is mounted on a wall rising part.例文帳に追加

発熱体をコンクリートで埋設した床暖房が設けられた床１４の仕上構造であって、端辺まで延びる複数の溝１１ａ，１１ｂが裏面に形成されたシート１１をコンクリート上に敷設し、溝に連通する脱気通路１２ｂ，１２ｃが設けられた巾木１２を壁立上り部分１３に設けた。 - 特許庁

The semiconductor device has a capacity element 10 comprising a lower electric electrode 2, a capacity insulating film 3, and an upper electrode 4; and the upper electric pole 4 having a polycrystal structure is constructed with a laminated film that is a laminate of different conductive films 4A, 4B and 4C which are constructed in shape of at least 2 layers or more crystal particles.例文帳に追加

下部電極２と容量絶縁膜３と上部電極４とを備えた容量素子１０を有し、上部電極４は多結晶構造を有して少なくとも２層以上の結晶粒形状の異なる導電膜４Ａ，４Ｂ，４Ｃを積層した積層膜から構成されている半導体装置を構成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element using the nitride system group III-V compound semiconductor having a structure in which an active layer having one or a plurality of well layers are sandwiched between a p-type clad layer and an n-type clad layer, the composition of at least one of the well layer of the active layer is modulated in a direction perpendicular to this well layer.例文帳に追加

ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との間に一つまたは複数の井戸層を有する活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層の少なくとも一つの井戸層の組成をこの井戸層に垂直な方向に変調する。 - 特許庁

A wavelength multiplexed optical transmission path structure 21 comprises a single light entrance portion 21a that allows beams at different wavelengths to enter, the beams from two or more light-emitting points 22-1, 22-2 close to each other of a surface-emitting element 22, and an optical transmission path body that multiplexes and transmits the incident beams at two or more different wavelengths.例文帳に追加

波長多重光伝送路構造２１は、面発光素子２２の近接した２以上の発光点２２−１、２２−２から異なる波長の光を入射する１つの光入射部２１ａと、入射した２以上の異なる波長の光を合波して伝送する光伝送路本体を有することを特徴とする。 - 特許庁

The optical element, used for the two-way optical communication module used for a two-way optical fiber communication of a wavelength multiplex system, has a diffraction grating of a binary structure formed by molding, wherein a releasing taper is formed at the part where the light made incident on the diffraction grating is shielded with the diffraction grating.例文帳に追加

波長多重方式による双方向光ファイバ通信に用いられる双方向光通信モジュールに用いられ、バイナリ構造の回折格子が成形により形成された光学素子において、回折格子に入射する光が回折格子により遮られる部位に抜きテーパが形成されている光学素子とする。 - 特許庁

First and second MR elements 11A, 11B includes a plurality of element patterns having a laminated structure of a free layer having a magnetization direction changing in response to an outside magnetic field, an intermediate layer without developing a specific magnetization direction and a fixing layer having magnetizations J51A, J51B fixed in a constant direction.例文帳に追加

第１および第２のＭＲ素子１１Ａ，１１Ｂは、外部磁界に応じて変化する磁化方向を有する自由層と、特定の磁化方向を発現しない中間層と、一定方向に固着された磁化Ｊ５１Ａ，Ｊ５１Ｂを有する固着層との積層構造を有する複数の素子パターンを備える。 - 特許庁

To provide a current detecting resistor for reducing a self inductance of a resistive element, and a structure for mounting the current detecting resistor which improves the measurement accuracy of a to-be-measured voltage to a high speed switching current when the current detecting resistor is mounted on a substrate formed with a current detecting circuit.例文帳に追加

抵抗体の自己インダクタンスを小さくした電流検出用抵抗器を提供し、さらに、当該電流検出用抵抗器を電流検出回路が形成された基板上へ実装したとき、高速スイッチング電流に対する被測定電圧の測定精度を高めた電流検出用抵抗器の実装構造を提供する。 - 特許庁

The discrete structure elements 202, 206 and 208 structurally connect a floor of the cooling cavities 130 to the ceiling of the cooling cavities 130, but can include an element not starting from an inner wall of the cooling cavities 130 or an outer edge part of the tip shroud 20, not terminating there, or not being connected there.例文帳に追加

離散構造要素（２０２、２０６、２０８）は、冷却空洞（１３０）の床を該冷却空洞（１３０）の天井に構造的に連結するが、該冷却空洞（１３０）の内部壁又は先端シュラウド（２０）の外縁部から始まることなく、そこで終端することなく、或いはそこに連結することがない要素を含むことができる。 - 特許庁

This hydrogen-permeable object comprises a Pd-REM alloy film containing at least one rare earth element, a porous supporter, a rock salt structure-type nitride film interposed between the Pd-REM alloy film and the porous supporter, and a Pd or Pd-Ag film formed on the surface side of the Pd-REM alloy film.例文帳に追加

希土類元素を含むＰｄ−ＲＥＭ合金膜を有する水素透過体において、該Ｐｄ−ＲＥＭ合金膜と多孔質支持体との間に岩塩構造型の窒化膜を有し、該Ｐｄ−ＲＥＭ合金膜の表面側にＰｄ膜またはＰｄ−Ａｇ合金膜を有する水素透過体およびその製造方法。 - 特許庁

On the major face 1A of the silicon substrate 1, a mask layer 2 is formed having apertures 3 formed so that this major face 1A is exposed, and in the aperture 3, an insular structural part of a hexagon head gimlet profile composed of primary nitride series semiconductor is formed, and the semiconductor element structure is manufactured.例文帳に追加

シリコン基板１の主面１Ａ上に、この主面１Ａが露出するようにして形成された開口部３を有するマスク層２を形成し、開口部３内において、第１の窒化物系半導体からなる六角錐形状の島状構造部を形成して、半導体素子構造を製造する。 - 特許庁

This epoxy resin composition for LOC structure comprises an epoxy resin, a phenol resin, a curing accelerator and inorganic filler having smaller maximum particle diameter than a thickness of LOC tape after joining a semiconductor element to a lead frame as main components, and compounding amount of the inorganic filler is 75-95 wt.% based on total resin composition.例文帳に追加

エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、半導体素子とリードフレームを接合した後のＬＯＣテープの厚みよりも最大粒径が小さな無機充填材を主成分とし、該無機充填材の配合量が全樹脂組成物中の７５〜９５重量％であることを特徴とするＬＯＣ構造用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric film element 1 comprises the steps of: forming a lower electrode 3 on a substrate 2; forming a piezoelectric film layer 4 of alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by formula (K_1-xNa_x)NbO_3 on the lower electrode 3; and wet-etching the piezoelectric film layer 4.例文帳に追加

圧電膜素子１の製造方法は、基板２上に下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜層４を形成する工程と、圧電膜層４にウェットエッチングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

In the element formation layers (104a and 104b), a mixer (30) that synthesizes respective oscillatory frequencies of multiple crystal oscillation circuits (10 and 20) is formed and arranged so as to be separated from the multiple crystal oscillation circuits (10 and 20)respectively through the trench structure (100).例文帳に追加

素子形成層（１０４ａ，１０４ｂ）には複数の水晶発振回路（１０，２０）それぞれの発振周波数を合成する混合器（３０）が形成されるとともに、混合器（３０）はトレンチ構造（１００）を介して複数の水晶発振回路（１０，２０）それぞれとは電気的に分離されるように配置されている。 - 特許庁

The light control element which has a substrate with electrooptic effect, and an optical waveguide and an electrode for modulation formed on the substrate having a ridge structure is characterized in that a DC drift preventive layer is provided on the substrate surface where the optical waveguide is formed and an annealing process is carried out after ridge machining.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と変調用電極とを備え、該基板がリッジ構造を有する光制御素子において、前記光導波路を形成する基板表面に、ＤＣドリフト防止層を設けると共に、リッジ加工後にアニール処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film adhesive that can mount even a semiconductor element composed of an ultrathin chip in a wire embedding structure without causing a void on a joining surface and has excellent heat resistance, moisture resistance and reflow resistance, an adhesive sheet and a semiconductor apparatus manufactured using the film adhesive.例文帳に追加

極薄チップからなる半導体素子であっても、接着面に空隙を生じさせることなくワイヤ埋込構造での実装を可能とし、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性に優れたフィルム状接着剤、接着シート、及び、上記フィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁

This ferromagnetic tunnel junction element has such a structure where a compound ferromagnetic layer 14 which contains N1 or a Ni alloy is arranged adjacent to a tunnel barrier layer 13, and a compound ferromagnetic layer 15 which contains Co or a Co alloy is arranged adjacent to Mn ordered alloy anti-ferromagnetic layer 16.例文帳に追加

トンネルバリア層１３と隣接するように、Ｎｉ、またはＮｉを含む合金、またはＮｉを含む化合物強磁性層１４を配置し、かつＭｎ系規則合金反強磁性層１６と隣接するようにＣｏ、またはＣｏを含む合金、またはＣｏを含む化合物強磁性層１５を配置する。 - 特許庁

This multilevel information storage element which stores multilevel information has a laminated dielectric structure constituted by laminating a first ferrorelectric layer 2 having a first coercive voltage and a second ferroelectric layer 3 having a second coercive voltage which is different from the first coercive voltage upon another, between two voltage adding sections 1 and 4.例文帳に追加

多値情報を記憶する多値情報記憶素子であって、２つの電圧付加部１，４の間に、第１の抗電圧を有する第１の強誘電体層２と、第１の抗電圧と異なる第２の抗電圧を有する第２の強誘電体層３とを積層した積層誘電体構造を有する。 - 特許庁

In a planer type bidirectional photothyristor element which has a thyristor of a PNPN structure constituted of a PNP transistor Tr1 and an NPN phototransistor Tr2 on an Si substrate 1, hFE of the NPN phototransistor Tr2 is increased by using an SiGe layer as a base region 3a of the NPN phototransistor Tr2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＰＮＰトランジスタＴｒ１とＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２とからなるＰＮＰＮ構造のサイリスタを有するプレーナ型双方向フォトサイリスタ素子において、ＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２のベース領域３ａにＳｉＧｅ層を用いてＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２のｈＦＥを高くする。 - 特許庁

In the organic light emitting element which has at least a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, or plurality of layers composed of organic compound held between the electrodes, at least one layer out of the layers composed of organic compounds contains a spiro-compound with the structure shown in the formula.例文帳に追加

陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された一または複数の有機化合物からなる層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物からなる層の少なくとも一層が下記式で示されるスピロ化合物を含有する有機発光素子。 - 特許庁

A great part of the noise introduced from a gate electrode 107 is propagated to the region 104 through the substrate 101 from the region 103 of the epitaxial film 102 and reaches an n" diffused region 109, by completely separating these regions 103 and 104 with a trench structure of element isolating region 105.例文帳に追加

これらの領域１０３，１０４を、トレンチ構造の素子分離膜１０５で完全に分離することにより、ゲート電極１０７から導入されたノイズの大部分は、エピタキシャル薄膜１０２の領域１０３から基板１０１を介して領域１０４に伝搬し、Ｎ^+ 拡散領域１０９に達する。 - 特許庁

In the formula (P), M is at least one kind of element selected from among a group of Bi and lanthanide elements, 0.05≤x≤0.4, 0<y≤0.7, where although the standard composition is such that δ=0 and z=3, these values may deviate from the reference values, so long as a perovskite structure can be obtained.例文帳に追加

（Ｐｂ_１−ｘ＋δＭ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） - 特許庁

The light guide structure of the solar cell includes a light receiving layer 210 for receiving an incident sunlight, an irregular reflecting layer 230 for irregularly reflecting the sunlight incident from the light receiving layer 210 as an irregularly reflected light; and a light guide layer 220 interposed between the light receiving layer 210 and the irregular reflecting layer 230 and guiding the irregularly reflected light to a solar cell element.例文帳に追加

太陽光が入射される受光層210と、受光層210から入射された太陽光を乱反射光として乱反射させる乱反射層230と、受光層210と乱反射層230との間に介在されて、乱反射光を太陽電池素子に導光する導光層220とを備える太陽電池の導光構造である。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

To realize a light emitting diode element having a high luminance in the wavelength band of yellow-green, in which the drop in the output strength used to be marked conventionally, by forming a window layer in a process in which the temperature is higher than before in order to improve the electric conductivity of the window layer and by changing the structure thereof to prevent the changes due to the process under high temperatures.例文帳に追加

窓層を従来よりも高温のプロセスで形成し、電気伝導度の改善された窓層とするが、高温プロセスによる変化がないようにその構造を変える事により、従来は出力強度の低下が著しかった黄緑色の波長帯域で、輝度の大きい発光ダイオード素子を実現する。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition hardly generating a scum, having excellent pattern resolution, and excellent in adhesiveness to an opposed substrate, in a functional element bonded with the two opposedly-arranged substrates via a structure obtained from the negative photosensitive resin composition.例文帳に追加

対向配置される２つの基板をネガ型感光性樹脂組成物から得られた構造体を介して接着させた機能素子において、残渣やスカムが発生しにくく、優れたパタ−ン解像性を有し、且つ対向基板との接着性にも優れたネガ型感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide with a simple structure reduction of power consumption in standby in a switching power supply device, which stabilizes the output voltage at a desired voltage by controlling switching of a main switching element Q switching DC voltage inputted according to output voltage information fed back from the secondary side by a control circuit 26.例文帳に追加

入力される直流電圧をスイッチングする主スイッチング素子Ｑのスイッチングを、制御回路２６が、２次側からフィードバックされる出力電圧情報に応じて制御することで、出力電圧を所望とする値に安定化するようにしたスイッチング電源装置において、簡易な構成で、待機時の省電力化を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving integration by attaining the structure of joining a wire such as a gold wire for performing wire bonding and an electrode pad without inviting the application of a pressure due to the excessive rise of a temperature or ultrasonic waves or the like, and enabling element formation on the lower side of the electrode pad as well.例文帳に追加

ワイヤボンディングするための金線などのワイヤと電極パッドとの接合を温度の過度な上昇や超音波などによる圧力の印加を招かないで行い得る構造とし、その電極パッドの下側にも素子形成を可能として、集積度を向上し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which reduces contaminants adhered to and deposited on a chip to increase the light emitting element's life and stabilize the operation, and which eliminates the need for a structure hermetically sealed or enables easy hermetic sealing without performing strict control.例文帳に追加

本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

This capacitive element is provided with a diffusion preventing layer 10a, a capacitive lower electrode 12 formed on the diffusion preventing layer 10a, a capacitive film 13 constituted of a ferroelectric having a bismuth layer-shaped structure formed on the capacitive lower electrode 12, and a capacitive upper electrode 14 formed on the capacitive film 13.例文帳に追加

容量素子は、拡散防止層１０ａと、拡散防止層１０ａの上に形成された容量下部電極１２と、容量下部電極１２の上に形成されたビスマス層状構造を有する強誘電体よりなる容量膜１３と、容量膜１３の上に形成された容量上部電極１４とを備える。 - 特許庁

In the fabrication process of a rewiring structure, electric connection of an element electrode 11bi for use in burn-in screening and a common interconnect line for use in burn-in screening is interrupted selectively only for a semiconductor chip 10b judged rejective in electrical characteristics inspection by using a negative photosensitive material.例文帳に追加

再配線構造の製造工程において、ネガ型の感光性材料を使用することにより、電気特性検査にて不良と判定された半導体チップ１０ｂについてのみ、バーンインスクリーニングで使用するための素子電極１１ｂｉとバーンインスクリーニングで使用する共通配線との電気的接続を選択的に遮断する。 - 特許庁

A wire grid element is used for the polarized light separation device 16_1, having a structure in which the wire longitudinal direction is parallel to the polarized surface, the ghost beam intensity ratio when the light beam LBb is incident is smaller than that when the light beam LBa is incident, and its value is ≤1%.例文帳に追加

そして、偏光分離デバイス１６_１として、ワイヤの長さ方向が偏向面に平行であり、光束ＬＢｂが入射されたときのゴースト光強度比が、光束ＬＢａが入射されたときのゴースト光強度比よりも小さく、かつその値が１％以下となるように、構造が設定されたワイヤーグリッド素子が用いられている。 - 特許庁

The aluminum electrolytic capacitor has a structure in which a capacitor element is housed in a case having a groove-like explosion-proof valve formed on the side surface and the outer side surface of the case is covered with a thermal shrinkable tube where the thermal shrinkable tube has a slit having a round or square end.例文帳に追加

本発明は、側面に溝状の防爆弁を設けたケースにコンデンサ素子を収納し、そのケースの外側面を熱収縮性チューブにより被覆したアルミニウム電解コンデンサにあって、前記熱収縮性チューブに、端部が丸または角形状のスリットを設けたことを特徴とするアルミニウム電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection with a shallow trench structure for element separation, an N-type region having sides and bottom surrounded by a P-type region contacting a drain region of the N-type MOS transistor for ESD protection, and receiving a signal from an external connection terminal, is formed.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域に接したＰ型の領域に側面および底面を囲まれた前記外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

A liquid crystal display element has a structure where a liquid crystal material is encapsulated between one pair of substrate that is provided with electrodes and in which a high molecular substance is formed as an alignment layer, and changes orientation of a surface layer part of the alignment layer and the liquid crystal material by temperature and voltage and displays an image.例文帳に追加

高分子物質を配向膜として形成した一対の電極付基板間に液晶材料が封入された構造を有し、温度及び電圧によって配向膜の表層部と液晶材料との配向を変化させて画像の表示を行うことを特徴とする液晶表示素子である。 - 特許庁