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element structureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9525



例文

To secure an enough panel area for a plane light-emitting device by paying utmost attention in protecting a thin structure of the same as a whole, and also through simplifying of an outside wiring construction and through proper arrangement made in locating a unit individual light-emitting element reasonably close to those elements around it.例文帳に追加

面状発光装置全体の薄型構造を極力阻害しないように図る一方で外部の配線構成が簡素に済み、かつ、単位発光素子自身を周囲の単位発光素子と比較的密接な状態で配置し得て、面状発光装置としての発光パネル面積を十分に確保する。 - 特許庁

The ultrasonic wave vibrator is characterized in to adopt a structure wherein a piezoelectric element such as a piezoelectric ceramics is sandwiched between a front panel and a lining panel and to has an attracting mechanism utilizing a magnetic force on the front panel being a vibration emitting face so as to facilitate the attachment/detachment between the ultrasonic wave vibrator and the member to be vibrated.例文帳に追加

圧電セラミックス等の圧電素子を前面板と裏打板で挟み込む構造である超音波振動子において、振動放射面である前面板に磁力を利用した吸着機構を有し、超音波振動子と被振動部材との着脱を容易にすることを特徴とする超音波振動子。 - 特許庁

A side block integrally installed on the side of a bearing body 1 in the direction perpendicular to a bridge axis integrally with the lower structure side, an engagement element 31 is installed, through the side block, on the bearing body extendedly inward in the direction perpendicular to the bridge axis.例文帳に追加

支承本体1の橋軸直角方向の側面に、下部構造側に一体的に取り付けられるサイドブロックが配され、該サイドブロックを介して係合子31が支承本体の橋軸直角方向の内方に延設されるとともに該サイドブロックに取付けボルト32をもって脱着可能に取り付けられる。 - 特許庁

The sheet structure 2 includes a plurality of linear structures 1 formed with a carbon element, and a coating layer 3 covering sides of each of the plurality of linear structures 1 along a longitudinal direction, wherein the plurality of linear structures 1 are mutually bonded partially through the coating layer 3.例文帳に追加

シート状構造体2を、炭素元素によって形成された複数の線状構造体1と、複数の線状構造体1のそれぞれの長手方向に沿う側面を覆う被覆層3とを備え、複数の線状構造体1が被覆層3を介して互いに部分的に結合されているものとする。 - 特許庁

例文

In a rigid flexible substrate having a multilayer structure in which the flexible substrate and a hard substrate are superposed, an opening 1 is provided in the hard substrate 10 to expose part of the flexible substrate, and a semiconductor element 3 is mounted on the exposed part in the opening 1 by using a flip chip bonding method.例文帳に追加

フレキシブル基板と硬質基板とを重合した多層構造を有するリジットフレキシブル基板において、硬質基板10に開口1を設けてフレキシブル基板の一部を露出させ、上記開口1内の露出部に、半導体素子3をフリップチップボンディング法を用いて実装することを特徴とする。 - 特許庁


例文

To provide a technique for materializing a polycrystalline thin film having crystal structure capable of materializing high mobility as regards a positive hole carrier, by suppressing the grain boundary dispersion and lessening the surface irregularity in a cryogenic poly-Si thin film to serve as the element material of a thin film transistor, so as to materialize an image display of high performance and large area at low cost.例文帳に追加

高性能で大面積の画像表示装置を低コストで実現するため、薄膜トランジスタの素子材となる低温poly-Si薄膜において粒界散乱を抑制し、表面凹凸を小さくし、正孔キャリアについても高移動度が実現できる結晶構造を持つ多結晶薄膜を実現する技術を提供する。 - 特許庁

In addition, the element structure achieves increase of the laser gain and reduction of electrical resistance and thermal resistance by setting, in particular, in a partial or whole portion of the laser resonator waveguide, the lateral width of the waveguide to a wide value that tolerates multiple transverse modes, and setting the width and the laser resonator length to appropriate values.例文帳に追加

また、特にレーザ共振器導波路の一部または全ての部位において導波路横幅を横多モードを許容する幅広に設定し、その幅とレーザ共振器長とを適切な値射設定することにより、レーザ利得の向上、電気抵抗、熱抵抗の低減を図る素子構造を考案した。 - 特許庁

(1) The electrochemical sensor element has a field effect transistor structure with at least a gate insulating layer, a semiconductor layer structured so as to contact a solution and comprising an oxide film including indium, gallium and zinc, and source and drain electrodes sequentially stacked on a gate electrode.例文帳に追加

(1)ゲート電極上に、少なくともゲート絶縁層、半導体層、ソース及びドレイン電極を順に積層した電界効果型トランジスタ構造を有し、該半導体層が溶液と接する構造であり、かつ該半導体層が、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物薄膜からなることを特徴とする電気化学センサ素子。 - 特許庁

After a surface-reformed junction in which a barrier layer 5 is formed by changing the crystal structure of the junction interface of a high-temperature superconducting element and a superconducting circuit are completed, heat treatment is performed for a fixed period of time at the highest or higher temperature when manufacturing the junction by using a heating means 6.例文帳に追加

高温超伝導体電極の接合界面の結晶構造を変化させて障壁層5とした表面改質型接合および超伝導回路の完成後に、加熱手段6を用いて接合作製中における最高温度あるいはそれ以上の温度で決められた時間熱処理を行う。 - 特許庁

例文

Further, a structure where a bonding junction can be made directly to the current collection electrodes D1, D2 in the section 2 and to a bonding pad P1 formed on a control circuit section 3 is prepared, thereby to decrease the region, by reducing the pad region of element surroundings which is conventionally require, resulting in the reduction of the manufacturing cost.例文帳に追加

さらに、パワー素子部2においては直接集電電極D1,D2に、制御回路部3においては制御回路部3上に形成したボンディングパッドP1にボンディング接続できる構造とし、従来必要とした素子周辺部のパッド領域を削減して省面積化すると共に、製造経費を低減する。 - 特許庁

例文

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、p−InPクラッド層104の一部に量子井戸層5を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。 - 特許庁

This cleaning band structure for making a motor vehicle washing system brush includes: an elongated flat plate body coupled to a central support assembly of a rotary brush and made of comparatively hard or rigid flexible material; and a flexible element, which can be coupled to the free end of the flat plate body and is at least comparatively flexible.例文帳に追加

自動車両洗浄システムのブラシを製作するためのクリーニングバンド構造体は、回転式ブラシの中央支持組立体に結合できる、比較的固い、または剛性の可撓性材料で作られる細長平板体と、平板体の自由端部に結合できる少なくとも比較的柔軟な可撓性要素と、を備える。 - 特許庁

To prevent a decrease in infrared absorptivity of a solar heat collecting structure, erosion in a high-temperature atmospheric environment, shortening of a device lifetime, and inter-layer peeling due to thermal stress of an interface in a high-temperature difference cycle environment; and to efficiently supply an infrared wavelength range of irradiation and absorption to a thermoelectric power generating element.例文帳に追加

太陽熱集熱構造における赤外線吸収率の低下、高温度大気環境下における侵食、装置寿命の低下、高温度落差サイクル環境下での界面の熱応力による層間剥離を防止し、照射、吸収された赤外線波長領域を効率良く熱電発電素子に供給する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a linear structure consisting of a carbon element in high density by using catalytic metal fine particles while restraining the agglomeration of the catalytic metal fine particles.例文帳に追加

触媒金属微粒子を用いて炭素元素からなる線状構造体を成長する線状構造体の成長方法及び成長装置に関し、触媒金属微粒子の凝集を抑制して高密度で線状構造体を成長しうる線状構造体の成長方法及び成長装置を提供する。 - 特許庁

The circuit comprises the plurality of LEDs connected to a hybrid serial and parallel structure, a current regulation element connected to the primary chain of a plurality of LED chains, and a current regulation circuit comprising a plurality of current mirroring elements connected to the remainder of the plurality of LED chains respectively.例文帳に追加

本回路は、ハイブリッド直並列構成に接続されている複数のLEDと、複数のLEDチェーンの第1のチェーンに接続されている電流調整素子、及び上記複数のLEDチェーンの残余にそれぞれ接続されている複数のカレントミラーリング素子を含む電流調整回路とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor element includes: a step for forming a diffusion prevention film in a laminated structure including at least a first metal film 22A and a metal silicide film 22C containing nitrogen on a first conductive layer 21; and a step for forming a second conductive layer 23 on the diffusion prevention film.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子の製造方法は、第1導電層(21)上に、少なくとも第1金属膜(22A)および窒素含有の金属シリサイド膜(22C)を含む積層構造で拡散防止膜を形成するステップと、該拡散防止膜上に第2導電層(23)を形成するステップとを含む。 - 特許庁

A magnetic toner comprising a magnetic material containing an element except for Fe and a binder resin containing a vinyl resin having a carboxyl group and a vinyl resin having an epoxy group is used in combination with an image forming device equipped with a photoreceptor having a surface layer containing fluorocarbon resin particles dispersed in a polymer having an allylate structure.例文帳に追加

Fe以外の元素を含む磁性体と、カルボキシル基含有ビニル樹脂及びエポキシ基含有ビニル樹脂を含む結着樹脂とからなる磁性トナーを、ありレート構造を有する重合体にフッ素系樹脂粒子を分散させた表面層を有する感光体を備えた画像形成装置に組み合わせて用いる。 - 特許庁

In the transparent electrode of a power generation element for generating power by making the light from the transparent electrode side incident on a power generating film, bonded tightly to a transparent electrode film, and the transparent electrode film bonded tightly to the power generating film is set as an irregular surface of such a structure as an aggregate of irregular structures.例文帳に追加

透明電極膜と発電膜が密着し、透明電極側から該発電膜に光を入射させて、発電をする発電素子の透明電極において、前記発電膜と密着する透明電極膜の面が、凹凸面であって、該凹凸面の表面の構造が、滑らかな凹面状の構造の集合体とする。 - 特許庁

The peeling treatment of the exposed surface of the fibrous web structure is so selected that the 90° peeling adhesive power of the adhesive securing surface 19 exposed from the exposed surface of the female type securing element is <1.2 N/25 mm when measured in accordance with the modified FINAT inspection method No. 2.例文帳に追加

繊維性ウェブ構造102の露出面103の剥離処理は、修正FINAT検査法第2にしたがって測定される場合に、雌型固着要素100の露出面103からの露出した接着剤固着面19の90度剥離接着力が、1.2N/25mm未満であるように選択される。 - 特許庁

In the photoelectric converting element, a concavo-convex structure is formed on an interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer and the interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer has a specific surface area which is 1.5 to 10 times larger than that of an interface between the transparent conductive layer and the organic semiconductor layer A.例文帳に追加

また、有機半導体層Aと光電変換層の界面に凹凸構造を形成し、透明導電層と有機半導体層Aとの界面に対して、有機半導体層Aと光電変換層との界面が1.5〜10倍の比表面積を有する光電変換素子としたことを特徴とする。 - 特許庁

The unit type capacitor device having a series reactor 3 and a phase advancing capacitor 4 integrated with each other is provided with a structure in which: the series reactor 3 is held by a support 5; and the phase advancing capacitor 4 having a capacitor element molded with a resin is housed within a frame part 8 of the support 5, which is positioned below the series reactor.例文帳に追加

直列リアクトル3と進相コンデンサ4とを一体化したユニット形コンデンサ装置であって、直列リアクトル3を支持体5で保持し、その支持体5の直列リアクトル下方に位置する枠部8の内部に、コンデンサ素子を樹脂でモールドした進相コンデンサ4を収容した構造を具備する。 - 特許庁

To provide a synthetic antiferromagnetic substrate spin-valve magneto-resistive structure having an intense effective exchange magnetic field, which realizes easy adjustment of the bias point even if the size of the unit cell is one micrometer or smaller and also maintains a constant position of the bias point and a constant profile of the magneto-resistance transfer curve regardless of the size of the element.例文帳に追加

単位セルのサイズがマイクロメーター以下であってもバイアスポイント調節が容易であり、素子の大きさに関係なくバイアスポイント位置と磁気抵抗伝達曲線の形状が一定に維持される、有効交換磁場の大きい合成反強磁性体基板スピンバルブ磁気抵抗構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a plant cultivation device which can adjust an interval of movable beds to be cultivation tanks by a simple structure and control, and eliminates the use of a detecting element such as a magnetic proximity sensor to eliminate the risk of generation of a detection error, and to provide an operation method of the movable bed in the plant cultivation device.例文帳に追加

栽培槽となる可動ベッドの間隔調整を、簡易な構成及び制御で行うことができ、また、磁気近接センサ等の検出素子の使用を不要として検出ミスが発生の恐れを排除した植物栽培装置及び植物栽培装置における可動ベッドの運用方法を提供する。 - 特許庁

After the silicon substituted aluminophosphate, or the like, having the platinum-containing AEL structure is reduced, a liquid like material containing at least one element selected from the group consisting of tin, germanium, indium, gallium, lead and zinc is infiltrated to again perform a reducing process.例文帳に追加

白金を含有するAEL構造のケイ素置換アルミノホスフェート等を還元した後に、スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウム、鉛および亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含む液状物を含浸させ、再び還元する工程を含むことを特徴とする前記イソブチレン合成用触媒の製造方法。 - 特許庁

To provide a photodetector which achieves accurate wavelength identification capability and simple layer structure by utilizing a rapid change of the absorptivity at specific wavelength found in an organic semiconductor thin film without use of external wavelength selection element for wavelength detection and by steepening a change in the photoelectric signal.例文帳に追加

波長検出に外部の波長選択素子を使用せず、有機半導体薄膜のもつ特定波長での吸収率の急激な変化を利用し、さらに光電信号の変化を急峻にすることで、精度の良い波長の同定の機能を有し、且つ簡便な層構造の光検出器を提供する。 - 特許庁

To provide a merocyanine dye with a novel structure, and to provide a photoelectric conversion element which has a photoelectric conversion part including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer set up in between the pair of electrodes and of which the photoelectric conversion layer contains the merocyanine dye.例文帳に追加

新規な構造のメロシアニン色素を提供し、更に、一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子において、前記光電変換膜が、上記メロシアニン色素を含有することで構成される光電変換素子を提供する。 - 特許庁

The display element has an electrolyte containing silver or a compound containing silver in a chemical structure between counter electrodes and drives to operate the counter electrodes to produce dissolution deposition of silver, wherein at least one of the counter electrodes comprises an electrode having nitrogen-containing carbon electrode layer.例文帳に追加

対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、該対向電極の少なくとも一つが、含窒素炭素電極層を有する電極であることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

To prevent the peeling of an adsorbing layer accompanied by the swelling of an adsorbent in an adsorption element having the adsorbing layer formed thereto by supporting the adsorbent, which absorbs moisture to be swollen and discharges moisture to be shrunk, on a structure having a film containing a water soluble additive formed on the surface thereof.例文帳に追加

水溶性の添加剤を含有する皮膜が表面に形成された構造体に、吸湿することにより膨潤して放湿することにより収縮する吸着剤を担持させることによって吸着層が形成された吸着素子において、吸着剤の膨潤に伴って吸着層が剥がれることを防止する。 - 特許庁

The foundation piles and sidewalls of a conventional rigid-frame structure are integrally formed as earth retaining walls 12 and a precast concrete member 14 is extended as an upper connecting member between the upper ends of the pair of earth retaining walls 12, with the precast concrete member 14 joined with each earth retaining wall 12 via a stress transmitting element 30.例文帳に追加

従来のラーメン構造体における基礎杭および側壁を土留壁12として一体で形成し、これら1対の土留壁12の上端部間に上部連結部材としてプレキャストコンクリート部材14を架け渡し、このプレキャストコンクリート部材14と各土留壁12とを、応力伝達体30を介して接合する。 - 特許庁

To provide a cooling device capable of miniaturizing its main body, easily operating a control means regardless of a mounting position of the cooling device, and cooling the cooling means itself, with respect to the cooling device installed outdoors and cooling the inside of a box structure having a heating element inside thereof.例文帳に追加

屋外に設置され内部に発熱体を有する箱体構造物の内部を冷却する冷却装置において、本体の小型化ができ、冷却装置の取り付け位置によらず、制御手段を容易に操作でき、制御手段自体の冷却を行うことができる冷却装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the sensor mounting structure, the surface acoustic element 11 for changing response signals to input signals according to distortions which occur in the direction A1 of detection is pasted to a tire T, and reinforcing rubber 16 having a hardness higher byor more at least at both end parts 11a than in its periphery is interposed.例文帳に追加

検出方向A1に生じる歪によって入力信号に対する応答信号を変化させる弾性表面波素子11が、少なくともその両端部11aでは周囲のゴムより硬度が5°以上高い補強ゴム16を介在しつつ、タイヤTに接着されているセンサ取付構造である。 - 特許庁

The nano-structure element is obtained by forming the separated phase by separating the phases of the plated alloy film formed in the nano-hole, and then the properties such as magnetism, electric resistance and thermal conduction in the separated phase can be used.例文帳に追加

複数の金属の析出電位を制御する電気めっきを行うことにより形成した合金めっきを行った後、熱処理等により第一成分の非磁性金属としてのCu等と第二成分の強磁性体又は反強磁性体とに分離して第二成分からなる分離相を形成することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the cold cathode field electron emission element comprises a step of forming the cathode electrode on the support, a step of disposing the conductive mask on this cathode electrode, and a step of forming the electron emitting part having the tube-shaped or fiber-shaped structure in the opening of this conductive mask.例文帳に追加

支持体上にカソード電極を形成する工程と、このカソード電極上に、導電性マスクを配する工程と、この導電性マスクの開口部内にチューブ状又は繊維状の構造からなる電子放出部を形成する工程とを有する、冷陰極電界電子放出素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a laminate pressing structure enhancing both a pressing space property and assemblability by simplifying a pressing mechanism of a laminate made by laminating each element forming a power-generating elemental device or a power-storage elemental device, or of a laminate as a laminated stack made by laminating unit power-generating elements or unit power-storage elements.例文帳に追加

発電素子または蓄電素子を形成する各要素を積層してなる積層体、または単位発電素子または単位蓄電素子を積層してなる積層スタックである積層体の加圧機構を簡素化することで、加圧スペース性、組み立て性を同時に向上させる積層体加圧構造を提供する。 - 特許庁

The function faculty reconstitutable integrated circuit is characterized in that a threshold element circuit having a plurality of stages of threshold elements coupled has a structure which can select one of a plurality of thresholds and the selected one threshold is a signal in multi-valued representation.例文帳に追加

しきい素子を複数段結合しているしきい素子回路において、複数のしきい値の中から、1つのしきい値を選択することが可能な構造を有し、上記選択された1つのしきい値が、多値表現されている信号であることを特徴とする関数機能再構成可能集積回路である。 - 特許庁

To provide a Peltier element comprising an N-type semiconductor device, a P-type semiconductor device, a conductive plate which connects one of semiconductor devices in series, a cooling surface plate provided on the conductive plate, and a heating surface plate provided on the other of the semiconductor devices, with a structure for a lower temperature.例文帳に追加

N型半導体素子と、P型半導体素子と、両半導体素子の一方を直列に接続する導電板と、該導電板の上に設けられた冷却面板と、両半導体素子の他方に設けられた発熱面板とを有するペルチェ素子において、より低温度にすることができる構造を提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory element of this structure by applying positive high voltage to a control gate 17, a writing operation is conducted in the MOS transistor 13 by FN tunneling; and by applying negative high voltage to the control gate 17, an erasing operation is conducted in the MOS transistor 13 by FN tunneling.例文帳に追加

上記構成の不揮発性半導体記憶素子において、制御ゲート17への正の高電圧印加によりMOSトランジスタ13においてFNトンネリングで書き込み動作を行い、制御ゲートへの負の高電圧印加によりMOSトランジスタ13においてFNトンネリングで消去動作を行う。 - 特許庁

To obtain a two pole one element type earth leakage breaker easy to assemble, without changing such a component disposition structure in which an voltage pole and a neutral pole is housed in one housing, a leakage detecting part is housed in the other housing respectively, and a member relating to an arc travelling method is also disposed in the neutral pole.例文帳に追加

電圧極および中性極を一方の筐体に、漏電検出部分を他方の筐体にそれぞれ収納し、かつ中性極にもアーク走行方式に係わる部材を配設する、といった部品配置構成を変更することなく、組立が容易な2極1素子形の漏電遮断器を得る。 - 特許庁

The solid-state image pickup element includes a structure in which a charge accumulating region 4 configuring a photodiode is formed in a semiconductor layer 3, and a reflection film 16 for reflecting light transmitting through the charge accumulating region 4 and allowing the light to propagate toward the center of the charge accumulating region 4 is formed in or below the charge accumulating region 4.例文帳に追加

半導体層3の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域4が形成され、この電荷蓄積領域4の内部又は下に、電荷蓄積領域4を透過した光を反射させて電荷蓄積領域4の中央部に向かわせる反射膜16が設けられている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

After a buried insulating film 111 of a film thickness full to fill this groove 110 is formed, the film 111 or the film 104 is polished by a CMP method using the film 103 as a stopper film and after that, the film 103 is removed by ashing and moreover, the film 102 is removed to form a grooved element isolation structure.例文帳に追加

この溝を埋込むのに十分な膜厚の埋込み絶縁膜111を形成後、埋込み絶縁膜または灰化保護膜104を、DLC膜をストッパー膜としたCMP法により研磨した後、DLC膜を灰化除去し、さらに第1のSi酸化膜を除去して溝型素子分離構造を形成する。 - 特許庁

To effectively use the interiors of trench regions for a wiring, to contrive reduction in a chip size, to reduce the size of a cell pattern in the direction intersecting orthogonally a word line in the case where a semiconductor device is applied to the memory cell of a CMOS STRAM, and to enable the speedup of the STRAM in the device using a trench element isolation structure.例文帳に追加

トレンチ型素子分離構造を用いた半導体装置において、トレンチ領域の内部を配線のために有効に活用し、チップサイズの縮小化を図り、CMOS型のSRAMのメモリセルに適用した場合には、ワード線に直交する方向のセルパターン寸法を縮小化し、SRAMの高速化を実現する。 - 特許庁

To perform a high-accuracy measurements which takes into consideration lens aberrations and properties of pixel of an imaging element or the like, at the measurement of a displacement amount of a surface, when deformations occurs due to external force and the temperature change or the like, in a common structure such as a heater block or the like, using digital image correlation method.例文帳に追加

デジタル画像相関法を利用してヒータブロック等の一般構造物が外力や温度変化等の要因により変形した場合のその表面の変位量を計測するに際して、レンズの収差や撮像素子の画素の特性等を考慮した高精度な計測を行うことを可能にする。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display device of a CF-on-TFT structure in which a color filter is formed on the side of an array substrate in which a switching element is formed, and which enables simplification of a manufacturing process typified by a photolithography process and has high reliability.例文帳に追加

本発明は、スイッチング素子が形成されたアレイ基板側にカラーフィルタを形成したCF−on−TFT構造の液晶表示装置用基板に関し、フォトリソグラフィ工程を代表とする製造プロセスを簡略化でき、且つ高い信頼性を有する液晶表示装置用基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

A liquid crystal device is constituted as a vertical alignment type liquid crystal device having an overlayer structure, and equipped, on an element substrate side, with data lines, switching elements such as TFDs, an insulating film formed on the data lines and switching elements, pixel electrodes formed on the insulating film, and contact holes connecting the switching elements and pixel electrodes.例文帳に追加

オーバーレイヤー構造を有する垂直配向方式の液晶装置として構成され、素子基板側にデータ線と、TFDなどのスイッチング素子と、データ線とスイッチング素子の上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の上に形成された画素電極と、スイッチング素子と画素電極を接続するコンタクトホールとを備える。 - 特許庁

A porous silicon particle includes a continuous hole and a three-dimensional mesh structure, characterized in that the hole penetrates the porous silicon particle and that a single body or an alloy of one or more of a conductive element Cu, Ni, Sn, Zn, Ag, or C is included within the hole.例文帳に追加

連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Cu、Ni、Sn、Zn、Ag、Cのいずれか1つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。 - 特許庁

The heating element has a structure with a pair or more of electrodes 13, 14 and a resistor 15 capable of heating, formed on an upper part of a base material 12, and an organic coating material 16 having an adhesive material 17 arranged to cover the above electrodes and the resistor 15 for excellently preventing intrusion of moisture or the like.例文帳に追加

発熱体は、基材12の上部に1対以上の電極13、14と発熱可能な抵抗体15とが形成されており、水分等の進入を良好に防止する目的でこれらを被覆するように、接着性材料17を有する有機被覆材16が配置された構成である。 - 特許庁

With respect to a semiconductor element constituted by fixing an IGBT chip 1 to a collector substrate 2, an insulating positioning guide 3 constitutes an individual semiconductor unit, with an emitter contact terminal 4 on the emitter electrode 21 of an IGBT chip 1 and a both-end contact structure of contact probe 5 on a gate pad 22.例文帳に追加

IGBTチップ1をコレクタ基板2と固着して構成される半導体エレメントに対し、絶縁性の位置決めガイド3がエミッタコンタクト端子体4をIGBTチップ1のエミッタ電極21に、両端接触構造のコンタクトプローブ5をゲートパッド22に位置決めして個別の半導体ユニットを構成する。 - 特許庁

The cover electrode 2, formed for the purpose of facilitating soldering of a lead wire and ensuring electrical conduction between an external connection terminal lead wire and the element electrode, is constituted of laminated structure of three layers, where metal deposited films 2a, 2b and 2c of Cr, Cu and Au are laminated in this order.例文帳に追加

カバー電極2は、リード線のハンダ付けを容易にするとともに、外部接続端子リード線と素子電極間の電気的導通を確保する目的で形成されたものであり、Cr,Cu,Auの各金属蒸着膜2a,2b,2cがこの順に積層された3層の積層構造によって構成されている。 - 特許庁

As for the structure for fixing the flexible board, the flexible board 81 electrically connecting a driving means provided in the optical unit and a control means arranged to relatively move in an optical axis direction to the optical unit and controlling the driving means is fixed in the Hall element holding frame 84 of the optical unit.例文帳に追加

このフレキシブル基板の固定構造は、光学ユニットに設けられた駆動手段と、光学ユニットに対して光軸方向に相対的に移動可能に配置され、駆動手段を制御する制御手段と、を電気的に接続するフレキシブル基板81を光学ユニットのホール素子保持枠84に固定する。 - 特許庁

例文

To provide a die bonding paste which is used for adhering an element such as a semiconductor chip to a lead frame or the like, in which an epoxy resin having a specific structure and silver powders having a specific property are highly compounded, which is superior in workability, and which is superior in thermal conductivity and adhesiveness especially to a gold surface.例文帳に追加

半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるなどのために使用される、特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の性状を有する銀粉末が高配合された、作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れるダイボンディングペーストを提供すること。 - 特許庁




  
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