「element structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(181ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a current sensor which has a simpler structure as a current sensor, employing a magnetic sensing element and can detect an amount of current in a current path to be detected over a wide range (dynamic range) from low current to high current, while maintaining a detection accuracy that is demanded.例文帳に追加

磁気感知素子を用いた電流センサとしてより簡易な構成でありながら、要求される検出精度を維持しつつ、小電流から大電流までの広い範囲（ダイナミックレンジ）にわたって被検出電流路中の電流の電流量を検出することのできる電流センサを提供する。 - 特許庁

The light emitting device is a light emitting device having light emitting elements or a light emitting element having an electrode cosisting of a laminated structure provided with conducting films composed of high melting point metal prepared on the conducting films, wherein the conducting films of high reflectivity such as aluminum, silver, alloy containing aluminum, or alloy containing silver are used for the electrode.例文帳に追加

電極にアルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金、又は銀を含む合金等の反射性の高い導電膜を用い、導電膜上に高融点金属材料からなる導電膜を設けた積層構造からなる電極を有する発光素子、又は当該発光素子を有する発光装置である。 - 特許庁

A transmission element 1 has a structure of a heating body 23 laminated via an insulating layer 22 on a board 21 made of a radiative material, and locally changes the temperature of a medium contacted with the heating body 23, to generate a compressional wave according to the density change accompanying with the temperature change, when the heating body 23 is energized.例文帳に追加

送信素子１は、放熱性材料で形成された基板２１に、断熱層２２を介して発熱体２３を積層した構造を有し、発熱体２３に通電することにより、発熱体２３に接触している媒体の温度を局所的に変化させ、この温度変化に伴う密度変化によって疎密波を発生させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the solar cell substrate including a synthetic resin sheet as a structural element, the uneven structure is formed on the surface of the synthetic resin sheet by thermally pressurizing a porous material to the synthetic resin sheet and then peeling the porous material.例文帳に追加

合成樹脂シートを構成要素に含む太陽電池基板を製造する方法であって、上記合成樹脂シートに多孔質体を熱圧着し、該多孔質体を剥離することにより、該合成樹脂シート表面に凹凸構造を形成することを特徴とする太陽電池基板の製造方法である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に溝１４を形成した後に、溝１４の内表面１４ａを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝１４の内表面１４ａの欠陥層１５を除去する。 - 特許庁

Further, compared with a conventional sealing structure having a sealing part 30 turned upward at the lower end of the straight part 17, since the total thickness of the sealing part is reduced (T1<T2), the effective volume of the power generating element is increased to that extent, and battery capacity and power generating property are improved.例文帳に追加

また、ストレート部１７の下端から上向きに折り返されたシール部３０を備える従来形態の封口構造に比べて、その周方向の全厚寸法を小さくすることができるので（Ｔ_1 ＜Ｔ_2 ）、その分だけ発電要素２の有効体積の増加を図り、電池容量や発電特性の向上を図ることができる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises an SQW emission layer (active layer) 1 having a quantum well structure including a well layer 1a and a barrier layer 1b wherein the band gap energy of the well layer 1a is varied asymmetrically to the center of the well layer 1a in the thickness direction so that inclination of band due to a piezoelectric field is suppressed.例文帳に追加

この半導体発光素子は、井戸層１ａと障壁層１ｂとを含む量子井戸構造を有するＳＱＷ発光層（活性層）１を備え、井戸層１ａのバンドギャップエネルギは、ピエゾ電界によるバンドの傾きを抑制するように、井戸層１ａの厚み方向の中心に対して非対称に変化されている。 - 特許庁

To provide an optical fiber connecting structure with which the positioning of an end surface of an optical fiber and an incident and exit surface of an optical semiconductor element can be performed easily with satisfactory accuracy at the time of optical connection of the optical fiber and the optical semiconductor, the flexibility of design is high and a manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

本発明は、光ファイバと光半導体素子との光学的な接続にあたって、光ファイバの端面と光半導体素子の入・出射面との位置合わせを簡便に、且つ精度良く行なうことができると共に、設計の自由度が高く、製造コストを低減した光ファイバ接続構造を提供することにある。 - 特許庁

The method for manufacturing the element includes a process, in which a plurality of ferroelectric capacitors are formed on the semiconductor substrate on which the lower-part interlayer film has been formed, and after the hydrogen preventing spacer is formed on the side wall of the ferroelectric capacitor, the upper-part interlayer film and a plurality of plate lines are formed on the resultant structure.例文帳に追加

この素子の製造方法は下部層間絶縁膜が形成された半導体基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、強誘電体キャパシタの側壁に水素防止スペーサを形成した後に、その結果物上に上部層間絶縁膜及び複数のプレートラインを形成する段階を含む。 - 特許庁

To simplify the structure of an automatic transmission by integrating a shift actuator with a valve body to control a friction engagement element, while it can cut out the need to install an oil pump for the shift actuator and an oil pressure pipe etc. that connect the oil pump to the shift actuator on the outside of a transmission case.例文帳に追加

この発明は、シフトアクチュエータ用のオイルポンプ及び、オイルポンプとシフトアクチュエータの間を連絡する油圧配管等を変速機ケースの外側に設ける必要をなくすことができるとともに、摩擦係合要素を制御するバルブボディにシフトアクチュエータを統合して自動変速機の構造を簡素化することにある。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element which can have a saturation magnetic field (Hs), a spin flop magnetic field (Hsf), and antiferromagnetic coupling energy (J_A) within proper ranges and also has superior heat resistance, especially, without varying the film thickness of a nonmagnetic intermediate layer forming a laminated ferrimagnetic structure.例文帳に追加

特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

Otherwise, a light emitting element is formed between a laminate composed of a single unit or a plurality of units, with a lamination structure of a metal layer and organic compound layer as a single unit, and an inorganic compound layer which a visible light penetrates with inorganic compound layer so formed as to cover the end surface of the laminate.例文帳に追加

又は、金属層と有機化合物層との積層構造を一単位としてその一単位又は複数単位から成る積層体と、可視光を透過する無機化合物層との間に発光素子が形成され、無機化合物層は当該積層体の端面を被覆するように形成される構成となる。 - 特許庁

To provide a reflection type electrooptical device securely preventing that incident light from a gap of a light reflecting layer reaches a pixel switching element, without using a complicated structure, and to provide a projection type display device with the reflection type electrooptical device and a manufacturing method of the reflection type electrooptical device.例文帳に追加

複雑な構造を用いなくても、光反射層の隙間から入射した光が画素スイッチング素子に到達することを確実に防止可能な反射型電気光学装置、この反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置、および反射型電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This detector has a constitution capable of stable and accurate temperature measurement against a sudden temperature change of the sensor ambient temperature, by adopting a double structure wherein the TO-18 type thermopile infrared sensor formed by arranging a thermopile element and a thermistor is packaged and stored in the metal can case having the maximum sectional area of 155.4 square millimeter or less.例文帳に追加

サーモパイル素子及びサーミスタを配置したＴＯ−１８型サーモパイル赤外線センサを最大断面積１５５．５４平方ミリメートル以下の金属ＣＡＮケースにパッケージ収容される二重構造とし、センサ周囲温度の急激な温度変化に対して安定且つ正確な温度計測が行える構成となっている。 - 特許庁

To provide an inter-layer connection via structure with small signal distortion which is used to connect coplanar transmission lines isolated with a thick insulating film to each other, or to connect the electrode of an active element such as a signal generator or receiver right above a substrate and a coplanar transmission line on the thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜で隔たれたコプレーナ伝送線路同士を接続する場合、あるいは、基板直上の信号発生器または受信器などの能動素子の電極と厚い絶縁膜上のコプレーナ伝送線路を接続する場合に用いる信号の歪みの少ない層間接続ビア構造を提供すること。 - 特許庁

It is understood that maximum transmittance is changed when a combination of an electrode width L and a distance S between electrodes is changed, and a driving voltage which is a voltage to produce the maximum transmittance is changed, from the result of a simulation of a V-T curve indicating a relationship of transmittance and voltage-transmittance of the FFS structure liquid crystal display element.例文帳に追加

ＦＦＳ構造の液晶表示素子の透過率、電圧−透過率の関係であるＶ−Ｔカーブのシミュレーションの結果から、電極幅Ｌ、電極間隔Ｓの組合せを変えると、最大透過率が変化し、最大透過率を与える電圧である駆動電圧が変化することがわかる。 - 特許庁

The interface of a bus master element 31 and bus slave elements 32-1 to 32-n connected to the fast bus system of a serial structure where one of buses 34 and 35 is terminated and the other is unterminated, is provided with a current mode driving driver circuit operating by differentiation and/or a differential amplification receiver circuit.例文帳に追加

バス３４，３５の一方が終端され、他方が無終端されたシリアル構造の高速バスシステムに接続されているバスマスタ素子３１とバススレーブ素子３２−１〜３２−ｎのインターフェイス部に、差動で動作する電流モード駆動型のドライバ回路及び／または差動増幅型のレシーバ回路を設けることを特徴としている。 - 特許庁

By providing a block body 4 of spring structure which can be contracted and angularly corrected and a heater 2 as a heat source at a pressurizing head 1, a semiconductor element 5 is stably jointed with the circuit board 8, and the batch processing of a plurality of the semiconductors is achieved so s to improve productivity.例文帳に追加

加圧ヘッド１に収縮及び角度補正が可能なばね構造のブロック体４と熱源としてのヒータ２を設けた構成とすることにより、半導体素子５と回路基板８の安定した接合を実現し、また複数のフリップチップ実装の一括処理を可能にし、生産性を向上するようにした。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect element wherein the magnetoresistance effect film is exposed to the ABS surface, shields 30a and 30b consisting of a soft magnetism film for shielding a side truck are arranged by sandwiching a first free layer 14a that constitutes laminated ferri-structure, an antiferromagnetism combining layer 15 and a second free layer 14b.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜がABS面に露出した磁気抵抗効果素子において、サイドトラックシールドを目的とした軟磁性膜からなるシールド部３０ａ、３０ｂが、積層フェリ構造を構成する第１のフリー層１４ａ、反強磁性結合層１５および第２のフリー層１４ｂを挟んで配置されている。 - 特許庁

An evaluation element 100, which evaluates the contact resistance dispersion within a flash memory 300's cell formed on a silicon wafer W, has a hole chain 20 containing a plurality of units, having a structure similar to a contact region in the cell to evaluate a resistance value between a first and second electrode pads 2a and 2b.例文帳に追加

シリコンウエーハＷ上に形成されるフラッシュメモリ３００のセル内におけるコンタクト抵抗のばらつきを評価するための評価素子１００であって、セル内のコンタクト部位と同じような構造を持ったユニットを複数個含むホールチェーン２０を備え、第１、第２の電極パッド２ａ，２ｂ間の抵抗値を測定する。 - 特許庁

In this power distribution structure especially adapted for operating the movable elements of the aircraft such as a landing device or a high lift element in order, the movable elements are operated by an electro-mechanical actuators to which the power is supplied in order from a power supplied by at least one power bus of the aircraft.例文帳に追加

ドア、着陸装置又はハイリフト要素等の航空機可動要素を順に作動させるために特別に適応させられる電力分配構造において、可動要素は、航空機の少なくとも１つの電力バスにより供給される電力から順に動力供給された電気機械式アクチュエータにより作動させられる。 - 特許庁

Then, while element current is supplied from this primary conductor 200 through electric current input output terminals A, B to this ferromagnetic material thin film, at the bridge structure, a voltage input terminal C and a voltage output terminal D are coupled to an intermediate position of these electric current input output terminals A, B to detect an output.例文帳に追加

そして、この一次導体２００から、ブリッジ構造における電流入出力端子Ａ，Ｂを介してこの強磁性体薄膜に素子電流を供給するとともに、この電流入出力端子Ａ，Ｂの中間位置に電圧入力端子Ｃ及び電圧出力端子Ｄを接続し、出力を検出する。 - 特許庁

This antenna has an antenna element 12 in the structure that a long conductor is folded a plurality of times to be practically parallel along with a lengthwise direction at prescribed intervals so that at least one pair of adjacent elements can be short-circuited by the conductor in one part at least.例文帳に追加

長尺状の導体が所定の間隔で長尺方向に沿って実質的に平行になるように複数回折り返され、その折り返されることにより隣接するエレメント同士の少なくとも１組が、少なくとも一部において導体により短絡された構造のアンテナエレメント１２を有している。 - 特許庁

The insulating layer 21 having the above chemical structure can allow a frequency temperature coefficient of the surface acoustic wave element to approximate to zero within a range of a thin film thickness of the insulating layer 21, irrespective of the material of the piezoelectric substrate 12, compared to the conventional case that a silicon dioxide film is used as an insulating layer.例文帳に追加

上記の化学構造を有する絶縁層２１により、従来、絶縁層として二酸化ケイ素膜を用いたときに比べて、前記圧電性基板１２の材質にかかわらず、前記絶縁層２１を薄い膜厚の範囲内で、弾性表面波素子の周波数温度係数を０に効果的に近づけることが出来る。 - 特許庁

To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order.例文帳に追加

下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor device including a selection gate S1 provided for a memory cell A1 has a Tri-gate structure, wherein the upper surface of a gate insulation film 9 formed on a channel of the selection gate S1 is higher than a part or the whole of the upper surface of an element separation region 10 of the selection gate S1.例文帳に追加

本発明の一態様において、メモリセルＡ１に対して設けられる選択ゲートＳ１を含む半導体装置は、選択ゲートＳ１のチャネル上に形成されているゲート絶縁膜９の上面が、選択ゲートＳ１の素子分離領域１０の上面の一部又は全部よりも高く、Tri-gate構造を持つ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which by designing a novel architecture for a gate structure composed of a gate electrode and gate wiring, a gate electrode for a MOSFET in the element region can be set to an optimum film thickness from the viewpoint of leakage and characteristics, and the gate wiring has a MOSFET with a high yield with no unfinished silicide.例文帳に追加

ゲート電極及びゲート配線からなるゲート構造を新規な構成にすることによって素子領域のＭＯＳＦＥＴのゲート電極がリーク、特性の観点から最適な膜厚に設定でき、ゲート配線がシリサイド未形成のない歩留まりの高いＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The circuit module 10 comprises a mounting board 110, and a circuit device 11 plug-in mounted on the mounting board 110 wherein the circuit device 11 has a structure including a wiring board 12 provided with a wiring layer on the surface, and a circuit element connected electrically with the wiring board 12.例文帳に追加

本実施の形態の回路モジュール１０は、実装基板１１０と、この実装基板１１０に差込実装された回路装置１１とを具備し、回路装置１１は、表面に配線層が設けられた配線基板１２と、配線基板１２に電気的に接続された回路素子とを含む構造となっている。 - 特許庁

The optical control element is formed partly or entirely of a metal magnetic artificial lattice constructed by alternately stacking a ferromagnetic metal layer and a non-magnetic metal layer, and includes a microscopic metal structure which shows resonance scattering with surface plasmons having a unique vibration frequency dependent on optical properties and the shape of the metal.例文帳に追加

強磁性金属層と非磁性金属層とを交互に積層して構成される金属磁性人工格子を一部又は全部に用いて形成され、その金属の光学的性質とその形状とに応じた固有の振動数を持つ、表面プラズモンによる共鳴散乱を示す微小金属構造体を有する光制御素子。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is arranged separately from the shallow trench separation region in a region adjacent to at least the gate electrode of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は少なくとも前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に近接する領域において、シャロートレンチ分離領域から離れて配置した。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes a pair of electrodes and the photoelectric conversion layer provided between the pair of electrodes, and the photoelectric conversion layer contains only an organic compound of one kind of donor-acceptor linked structure as an organic compound and is formed in a state that the temperature of the layer is held at room temperature or below when formed.例文帳に追加

一対の電極と、一対の電極の間に設けられた光電変換層とを備えた光電変換素子であって、光電変換層が、有機化合物として一種類のドナー−アクセプタ連結構造の有機化合物のみを含み、光電変換層の形成時に膜の温度を室温以下とした状態で形成される。 - 特許庁

To provide a highly reliable light emitting element made of a nitride-based compound semiconductor, which enables electrodes having good ohmic properties to be formed surely on the exposed surface of the laminating structure made of the nitride-based compound semiconductor from whose surface its substrate is removed by a laser, and is lowered resultantly in its driving voltage.例文帳に追加

レーザによって基板を除去した窒化物系化合物半導体積層構造の露出表面上においても確実に良好なオーミック性を有する電極を形成することを可能にし、ひいては駆動電圧が低くて信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To enable manufacturing a light ray direction control element having a structure in which a transparent region and a light absorption region are alternately arranged side-by-side on a substrate surface, the light absorption region functioning as a louver controlling a light ray direction, wherein both of high light transmittance and regulation of spread angle of the light ray are achieved.例文帳に追加

透明領域と光吸収領域とが基板面上に交互に並んだ構造を有し、光線方向を制御するルーバーとして光吸収領域が機能する光線方向制御素子であって、高い光透過率の達成と光線の広がり角の制限とを両立させたものを製造できるようにする。 - 特許庁

To provide an optical device which takes in new element for forgery prevention determination by providing two layer structure formed by laminating a right polarized light reflecting layer and a left polarized light reflecting layer and thereby which have further forgery prevention effect, more decorating effect and more esthetic effect and to provide an optical kid and a printed matter with a label using the optical device.例文帳に追加

右偏光反射層と左偏光反射層とを重ねた２層構造を設けることで、偽造防止の判定のための新たな要素を取り入れ、これより、いっそうの偽造防止効果、装飾効果及び美的効果を有する光学素子、光学キット及びラベル付き印刷物を提供する。 - 特許庁

To improve effects on prevention against forgery when a light- reflective layer in a light diffraction structure such as a hologram is partially removed and information based upon whether or not the light-reflective layer is present is held and to make the information based upon whether or not the light-reflective layer is present easier to see, in an information recording element such as a card.例文帳に追加

カード等の情報記録体において、ホログラム等の光回折構造中の光反射性層を部分的に除去して、光反射性層の有無による情報の保持を行なわせる場合の偽造防止効果を高めること、および、光反射性層の有無による情報を、より見えやすいものとすることを課題とする。 - 特許庁

In the junction material 4, a first metal joined material 1 and a second metal joined material 2 are joined, wherein the material 2 consists of a material or materials selected from a group composed of nickel, palladium, platinum and aluminum, and a solid solution phase including the constituent element of the second metal joined material and tin exists in the cross-sectional fine structure of a joined layer 3.例文帳に追加

接合体４は、第１金属被接合材１と、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムからなる群より選択される材料よりなる第２金属被接合材２とが接合され、接合層３の断面微細構造に、第２金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相が存在する。 - 特許庁

The mechanical pencil is of such a structure that a lead feed mechanism is arranged inside a barrel or the like and the chuck for gripping and setting the lead free is assembled as one of the constituent element of the core feed mechanism.例文帳に追加

これは、チャック体の芯把持部後方の内径が芯径とほぼ同等であり、芯とチャック体の内径部とのクリアランスが小さいため、ある程度の傾斜度を有していても芯がチャック体の内径部と接触しやすく、それ故に、チャック体が後退すると共にチャック体に接触した芯も後退してしまうのである。 - 特許庁

To provide a motion detection device or a method in which a structure including a piezo-electric element which generates power by itself by change in shape is attached to a main point part of motion of a motion detection object, and the motion detection object such as people, does not need to wear a power supply to drive a transmission device etc.例文帳に追加

変形で自ら電力を発生する圧電素子を含む構造体を動作検出対象の動作要点部に取り付けて、人などの動作検出対象が送信装置などを駆動するための電源を身に付ける必要がない動作検出装置ないし方法を提供することである。 - 特許庁

A multilayer film that the reproducing element includes a nonmagnetic layer 400, and a first ferromagnetic layer 401 and a second ferromagnetic layer 402 between which the nonmagnetic layer 400 is sandwiched, and at least one of those first and second ferromagnetic layers has an atom composition ratio of Co:Fe:B=2:1:1 and also has an L2_1-ruled crystal structure.例文帳に追加

再生素子が有する多層膜が、非磁性層４００と、この非磁性層４００を間に挟む第１強磁性層４０１及び第２強磁性層４０２と、を有し、これらのうち、第１、第２強磁性層の少なくとも一方は、原子組成比がＣｏ：Ｆｅ：Ｂ＝２：１：１であり、かつＬ２_１規則化された結晶構造とされている。 - 特許庁

To obtain a microelectromechanical element in which various problems such as a trouble accompanied by a high speed, an increase in a driving voltage, a complicated structure and the occurrence of a hinge remaining strain are reduced, to provide a high speed response and a low voltage driving while allowing the displacement in an arbitrary direction, to simplify a design, and to improve an operation reliability.例文帳に追加

高速化の障害、駆動電圧の増大、構造の複雑化、ヒンジ残留歪みの発生による各種問題の低減が可能となる微小電気機械素子を得、任意方向への変位を可能にしつつ、高速応答と低電圧駆動を実現し、設計を容易にし、動作信頼性を向上させる。 - 特許庁

This antenna device in a monopole structure is provided with a radiating element 1 in which a disk whose diameter is equal to the 1/4 wavelength of the radio waves of a use frequency lower limit is folded perpendicularly with the diameter as a fold center line so as to be shaped with a part whose dimension is not more than 1/4 wavelength, and the fold is made orthogonal to a ground plate 2.例文帳に追加

使用周波数下限の電波の１／４波長に等しい直径のディスクを、直径を折り目にして直角に折り曲げて、１／４波長以下の寸法の部分を有する形に作ると共に、折り目が地板２と直交するように配置した放射素子１を備えているモノポール構造のアンテナ装置。 - 特許庁

A stopper 20 and a heat transfer 8 is separately constituted by constituting the stopper 20 into a cylindrical shape and the inside of the cylinder into a structure for sliding the heat transfer part 8, the stopper 20 has the same material as an element part 7, the heat transfer part is formed of a material with high thermal conductivity, and the heat transfer part 8 directly abuts on a diaphragm 13.例文帳に追加

ストッパ２０を筒形状とし、その筒の中を伝熱部８が摺動する構造としてストッパ２０と伝熱部８とを分けて構成し、ストッパ２０はエレメント部７と同一材質とし、伝熱部８は熱伝導率の良い材質とし、伝熱部８をダイヤフラム１３に直接当接させた。 - 特許庁

This plug with a light emitting element such as an LED can be simply manufactured by fitting a light emitting tube 30 into a tubular outer case 20, by mounting a tubular inner case 40 having a halved structure to a plug body 50 with a board 60 connected to a cord 10, and thereafter only by fitting the inner case 40 into the outer case 20.例文帳に追加

発光筒３０を筒状の外ケース２０内に嵌入し、コード１０に接続された基板６０付きプラグ本体５０に、２分割構造の筒状の内ケース４０を装着した後、該内ケース４０を外ケース２０内に嵌入するだけで、ＬＥＤ等の発光素子付きのプラグを簡単に製造できる。 - 特許庁

Further, this has a structure that a hydrophilic material is formed adjacent to the transparent electrode layer 521, that a light-emitting element part formed by the electrode on the substrate and the light-emitting material layer are the EL elements, that the organic material is the light-emitting material, and that the thin film made of the organic material emits light by an applied current.例文帳に追加

また、透明電極層５２１に隣接して吸水性の材料を形成すること、基体上の電極および発光材料層により形成される発光の素子部分が、ＥＬ素子であり、有機材料を発光材料とし、有機材料による薄膜が印加電流によって発光する構造を有している。 - 特許庁

A composite sensor element having a structure capable of measuring independently the fluid pressure and the acceleration is built in the internal space of a tire, and the tire air pressure and the acceleration generated by tire rotation are detected separately independently, to thereby solve the problem.例文帳に追加

課題を解決するために、上述する現状の課題を改善するため本発明は、タイヤの内部空間に、流体圧力と加速度とを独立して計測できる構造の複合センサ素子を内臓し、タイヤの空気圧計測と、タイヤが回転することで発生する加速度とを別々に独立して検知することにより課題を解決する。 - 特許庁