| 意味 | 例文 |
first layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24472件
The nitride semiconductor device 100 includes p-type first nitride semiconductor layers 6a, 6b in which magnesium is contained on a part of the surface of an n-type third nitride semiconductor layer 4.例文帳に追加
窒化物半導体装置100は、n型の第3窒化物半導体層4の表面の一部にマグネシウムが含有されているp型の第1窒化物半導体層6a、6bを備えている。 - 特許庁
The optical reflectivity and/or phase of the indices are different from the surrounding servo layer, and the indices are optically accessible from at least one of the first side and the second side of the tape.例文帳に追加
指標の光反射率および/または位相は、まわりのサーボ層とは異なっており、指標は、テープの第1の側および第2の側の少なくとも一方から光学的にアクセス可能である。 - 特許庁
The divided second semiconductor elements 8 are picked up from the dicing film 21, and the adhesive films 22 stuck on the rear surface thereof are bonded as an adhesive layer on the first semiconductor element.例文帳に追加
分割した第2の半導体素子8をダイシングフィルム21からピックアップすると共に、その裏面に貼り付けられた接着剤フィルム22を接着剤層として第1の半導体素子上に接着する。 - 特許庁
There is provided the method of manufacturing a lithium secondary cell in which the active substance layer 130 containing a second metal not alloyed with Li and an active substance is formed on the current collector 110 containing a first metal not alloyed with Li.例文帳に追加
Liと合金化しない第一金属を含む集電体110上に、Liと合金化しない第二金属および活物質を含む活物質層130を形成するリチウム二次電池の製造方法である。 - 特許庁
Subsequently, a second resist layer is formed partially on the surface of the groove filling ink and the die basic material (step S7) and second grooves shallower than the first grooves are made by etching (step S9).例文帳に追加
次いで、溝埋め用インクの表面と型基材の表面の一部とに第2のレジスト層を形成し(ステップS7)、再度エッチング加工を施して第1の溝より浅い第2の溝を形成する(ステップS9)。 - 特許庁
In a first embodiment, the optical sensor such as a photodiode is formed on a substrate and the diffraction grating of a fixed space is formed using a metallization layer general in semiconductor manufacturing technology.例文帳に追加
第1の実施態様において、フォトダイオードのような光センサは、基板上に形成され、固定間隔の回折格子が、半導体製造技術に一般的なメタライゼーション層を使用して形成される。 - 特許庁
A buried oxide film 12 is formed on single crystal semiconductor substrate 11, and a first single crystal semiconductor layer 13 constituting the backgate electrode is formed on the buried oxide film 12.例文帳に追加
単結晶半導体基板11上には埋め込み酸化膜12が形成され、埋め込み酸化膜12上には、バックゲート電極を構成する第1単結晶半導体層13が形成されている。 - 特許庁
To improve an insulating property between adjacent first electrodes and reduce side-etched portions when a piezoelectric body layer is patterned by a wet etching method in an inkjet head manufacturing method.例文帳に追加
インクジェットヘッドの製造方法において、隣接する第1電極層間の絶縁性を向上させるとともに圧電体層をウェットエッチング法でパターニングする際におけるサイドエッチングされる部分を減らす。 - 特許庁
Here, the ion-implantation is performed through the partitioning insulation film 105 and gate insulation film 103 using the first gate electrode element 104 as the mask to form an impurity region 111 to a semiconductor layer 102.例文帳に追加
第1ゲート電極要素104をマスクとして仕切絶縁膜105、ゲート絶縁膜103を通してイオン注入を行って、半導体層102に不純物領域111を形成する。 - 特許庁
A stripline resonator of a triplate structure is composed of the line electrode 4, the ground electrode 5 on the upper side of the first dielectric layer 2 and the ground electrode 12 on the lower side of the mounting substrate 10.例文帳に追加
線路電極4と第1誘電体層2の上面のグランド電極5と実装基板10の下面のグランド電極12とでトリプレート構造のストリップ線路共振器が構成される。 - 特許庁
The first layer to be stuck to a skin has a hole where a patch 300 comes into contact with the skin, and the periphery of the hole has a mark (for example: a cross) indicating the center of pharmaceutical of the patch 300.例文帳に追加
ここで、皮膚に貼付される第1層は、パッチ300が皮膚に接する部分に穴があいており、その穴の周囲に、パッチ300の薬物部分の中心を示すマーク(例:十字)がついている。 - 特許庁
The other main surface of the first conductive layers 103, connected to the heat sink 101, and the other main surface of the second conductive layer with which the power semiconductor element is brought into contact, are connected.例文帳に追加
前記放熱板101に接合された第1の導電層103のもう一方の主面と、パワー半導体素子が接する第2の導電層のもう一方の主面とが接続される。 - 特許庁
A first heater 23a which heats a fixing roller (not shown) is supplied with power from a commercial power source 43 whereas a second heater 23b is supplied with power from a power storage device 45 which is an electric double-layer capacitor.例文帳に追加
定着ローラ(図示せず)を加熱する第1ヒータ23aは商用電源43から給電され、第2ヒータ23bは電気二重層コンデンサである蓄電装置45から給電される。 - 特許庁
An insulating layer 15 covering the organic light emitting elements 10R, 10G and 10B is provided with a first aperture 15A and a second aperture 15B per organic light emitting element.例文帳に追加
有機発光素子10R,10G,10Bを覆う絶縁層15には、有機発光素子10R,10G,10Bの各々ごとに、第1の開口部15Aおよび第2の開口部15Bが設けられている。 - 特許庁
In the composite film 100, for example, an opening 122 is arranged on a location facing a heat source via the first heat conduction layer 110, so that heat spots generated in a member facing the heat source can be suppressed.例文帳に追加
複合フィルム100は、例えば第1熱伝導層110を介して熱源に対向する位置に開口122が配置されることにより、熱源に対向する部材に発生するヒートスポットを抑制する。 - 特許庁
To provide an electroluminescent display device capable of reducing a manufacturing cost by obviating the need to use a first flattened insulation film, and of preventing the occurrence of display failure caused by stepped cut of an organic EL layer or moisture absorption from a stepped part.例文帳に追加
第1平坦化絶縁膜を用いる必要がなく製造コストを低減すると共に、有機EL層の段切れ、段差部からの吸湿等により表示不良が発生するのを防止する。 - 特許庁
The first and second heat-resistance reinforcing layers are each formed of a layer using selenium as a main body and containing 10-40 wt.% in total of one or more constituents out of As, Ge and Ga.例文帳に追加
第1、第2の耐熱強化層は、セレンを主体とし、As、Ge、Gaのうち少なくとも一以上の成分を総量で10重量パーセント以上40重量パーセント以下含有する層とする。 - 特許庁
To control a recording/reproducing position by irradiation with second light without depending on a track pitch formed in a position control information recording layer by performing recording/reproducing by irradiation with first light.例文帳に追加
第1の光の照射により記録再生を行い位置制御情報記録層に形成されたトラックのピッチに依らぬにずに第2の光の照射により記録再生位置の制御を行う。 - 特許庁
The luminous layer 30 is composed of a first and a second phosphor layers 32 and 34 disposed in a sate that the end parts thereof are overlapped each other in an area R which is a space between the electrodes.例文帳に追加
発光体層30は、電極間スペースである領域Rにおいて互いに端部が重なり合うように設けられた第1蛍光体層32及び第2蛍光体層34から構成されている。 - 特許庁
With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the first metallic layer 43 to have the width W1 through the use of an anisotropic etching method, and then, the gate electrode with the lamination structure is formed ((c) in Fig.5).例文帳に追加
次に、感光膜47をマスクとして第1金属層43を異方性エッチング方法で幅(W1)を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する(図5(c))。 - 特許庁
The concrete of the under surface of the bridge girder 1 in the first section is chipped off until the main reinforcement is exposed by a jet of high pressure water, and spraying of a mortar layer brings about the restoration of a part in which the concrete is chipped off.例文帳に追加
第1の区画の桁下面のコンクリートを、高圧水噴流によって主鉄筋が露出するまではつり取り、コンクリートをはつり取った部分をモルタル層の吹きつけにより復元する。 - 特許庁
A first layer 103 that contains a synthetic object, having capability of inducing metal covering in the post treatment, and is made of an insulating, photosensitive resin is formed on a substrate 101 having metal covering 102 on a surface (a).例文帳に追加
a)表面に金属皮膜102を持った基板101に、後の処理で金属皮膜を誘発する能力のある合成物を含有する、絶縁性の感光性樹脂の第1層103を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer advantageous for setting a relatively more carrying volume of a fluid matter at a first exposed surface side of a base material and relatively less at a second exposed surface side.例文帳に追加
流動物の担持量を基材の第1表出面側で相対的に多く、基材の第2表出面側で相対的に少なく設定させるのに有利なガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁
A first gate electrode 38 and a second gate electrode 39 are provided in the same layer on a vertical transfer channel 33 via a gate insulating film 35 for controlling the read or transfer of signal charges.例文帳に追加
第1ゲート電極38や第2ゲート電極39は垂直転送チャネル33上の同一層内にゲート絶縁膜35を介して設けられ、信号電荷の読み出しや転送を制御する。 - 特許庁
The organic EL element is characterized in that the total film thickness T of the first electrode 4 and the charge injection/transport layer 7a is in a range where the change of the hue of the display color with respect to the view angle θ is not recognized.例文帳に追加
第一電極4及び電荷注入輸送層7aの総膜厚Tが、視野角θに対する表示光の色相の変化が認識されない範囲内であることを特徴とする。 - 特許庁
Thereby, cost increase is minimized, a super resolution medium having high playback durability and higher recording density can be attained and a storage capacity equal to that of the first information recording layer 20 can be achieved.例文帳に追加
これにより、コストアップを最低限に抑え、再生耐久性の高い、より高い記録密度である超解像媒体を実現でき、第1情報記録層20に匹敵する記憶容量を保有できる。 - 特許庁
The organic EL element 24 is covered with a passivation film 28 having light-transmitting property in a state covering the whole surface on the side of the first electrode 26 in such a manner that the organic EL layer 25 does not contact with the outside air.例文帳に追加
有機EL素子24は、第1電極26側の全面が覆われる状態で、有機EL層25が外気と接しないように、光透過性を有するパッシベーション膜28で被覆されている。 - 特許庁
Over a base film 4 on the surface of a substrate, an organic insulation film 5, a first insulation film 6 which can be etched selectively with respect to the organic insulation film 5, and an inorganic stopper layer 7 are formed in this order.例文帳に追加
基板表面の下地膜4上に、有機絶縁膜5、有機絶縁膜5に対して選択的なエッチングが可能な第1絶縁膜6、および無機ストッパ層7をこの順に形成する。 - 特許庁
The diffusion resistance layer 400 is connected to the input/output terminal of the semiconductor device, while being arranged in parallel with the first diffusion layers 200, and connects the internal circuit and the input/output terminal of the semiconductor device.例文帳に追加
拡散抵抗層400は、半導体装置の入出力端子に対して第1の拡散層200と並列に接続しており、かつ半導体装置の内部回路と入出力端子を接続する。 - 特許庁
A floating gate is formed into an L- shaped thin layer of a conductive material, and has a first part positioned on a channel region and a second part extending vertically along the conductive block.例文帳に追加
フローティングゲートは、導電性材料の薄いL字型層として形成され、チャンネル領域上に配置された第1部分と、導電性ブロックに沿って垂直に延びる第2部分とを有する。 - 特許庁
A semiconductor light receiving element has multilayered structure, and each layer has each thickness and width and has conductivity property of either a first conductivity (for example, p-type) or a second conductivity (for example, n-type).例文帳に追加
半導体受光素子は多層構造で、各層はそれぞれの厚さと幅を有し、かつ第一の導電型(例えばp型)または第二の導電型(例えばn型)のいずれかの導電型特性を有する。 - 特許庁
The second line 15a is electromagnetically coupled with the first line 13a so as to sandwich the dielectric layers 13, 14, and also electromagnetically coupled with the third line 16a so as to sandwich the dielectric layer 15.例文帳に追加
第2の線路15aは、誘電体層13,14を間にして第1の線路13aと電磁的に結合し、誘電体層15を間にして第3の線路16aと電磁的に結合している。 - 特許庁
A first intermediate 41 is obtained by applying a colored thermosetting resin 22 on an entire outer surface of container body 11 made of pulp mold and heat cured to form a colored layer 12 for a start.例文帳に追加
まず、パルプモールドよりなる容器本体11の外面全体に、着色処理された熱硬化性樹脂22を塗布して熱硬化させて着色層12を形成し、第1の中間体41を得る。 - 特許庁
To provide a structure for fixing a flexible sheet-like first member to a second member having an FRP layer via sewing threads in the case of fixing a plastic member in which an interface is hard to be adhered.例文帳に追加
この発明は、界面が接着しにくいプラスチック部材を固着する際に縫糸を介して柔軟なシート状の第1部材とFRP層を有する第2部材とを固着する構造に関する。 - 特許庁
The recording layer 18 of a high-speed WORM type optical recording medium 10 is formed by laminating first and second subrecording layers 18A, 18B mainly containing metals of one kind, e.g. Al and Sb.例文帳に追加
高速追記型光記録対媒体10の記録層18は、一種の金属、例えばAl及びSbをそれぞれの主成分とする第1及び第2副記録層18A、18Bを積層してなる。 - 特許庁
The separator 12 is arranged to have the cooling medium flow channel WP stored in a concave part (a first flow channel forming part 11A) of an anode layer 14a side of the membrane-electrode assembly 11, and becomes as a unit cell 10.例文帳に追加
膜電極接合体11のアノード電極層14a側の凹部(第1流路形成部位11A)に冷媒流路WPが収納されるようにセパレータ12を配置して単セル10とする。 - 特許庁
In the first, the particle groups which constitute the particle packed layer are determined and the geometrical standard deviation σ_i, the geometrical average diameter d_i and the kinetic shape factor κ_i are obtained (S10).例文帳に追加
まず、粒子充填層を構成する粒子群を決定し、決定した各粒子群の幾何標準偏差σ_i、幾何平均径d_i、および動力学的形状係数κ_iを取得する(S10)。 - 特許庁
As a substantially transparent planar first substrate 5, a non-alkali glass 1737 (thickness 0.5 mm) made by Corning Co., Ltd. is used and a color filter layer 4 of R(red), G(green), B(blue) is formed on one side surface of the thickness direction.例文帳に追加
実質的に透明な板状の第1の基材5としてコーニング社製無アルカリガラス1737(厚さ0.5mm)を用いその厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層4を形成した。 - 特許庁
A contact 5 of each side wall 4 in contact with the side peripheral edge of the substrate W, the first support piece 20, and the second support piece 24 are coated with a resin layer 30 with lower friction than the container body 1.例文帳に追加
そして、基板Wの側部周縁と接触する各側壁4の接触部5、第一の支持片20、及び第二の支持片24を容器本体1よりも低摩擦性の樹脂層30で被覆する。 - 特許庁
Between an anode 101 and a cathode 106, a first layer 102 containing a light emitting substance, a second layer 103 containing an N type semiconductor, a third layer 104 composed of a transparent conductive film, and a fourth layer 105 containing a hole transport medium are provided sequentially wherein the cathode has a layer containing a reflective metal.例文帳に追加
本発明は、陽極101と、陰極106との間に、発光物質を含む第1の層102、N型半導体を含む第2の層103、透明導電膜から構成される第3の層104、ホール輸送媒体を含む第4の層105と有し、発光物質を含む第1の層102、N型半導体を含む第2の層103、透明導電膜から構成される第3の層104、ホール輸送媒体となる材料を含む第4の層105、陰極106が順に設けられており、陰極は反射金属を含む層を有することを特徴とする。 - 特許庁
Between the elastic layer and the mold release layer, the fixing member includes either an intermediate layer with fluorine system resin as a main component and containing carbon cluster or a first intermediate layer with fluorinated system resin as a main component and containing the carbon cluster and a second intermediate layer with fluorinated system resin as the main component and not containing the carbon cluster.例文帳に追加
耐熱性の基材、該基材上に設けた合成ゴムを主成分とする弾性層、及び該弾性層上に設けたフッ素系樹脂を主成分とする離型層を順次有する定着部材であって、前記弾性層と離型層の間に、フッ素系樹脂を主成分とし炭素クラスターを含む中間層を設けるか、或いは、フッ素系樹脂を主成分とし炭素クラスターを含む第1中間層と、フッ素系樹脂を主成分とし炭素クラスターを含まない第2中間層からなる中間層を設けた画像形成装置用定着部材。 - 特許庁
The semiconductor device has an island-shaped semiconductor layer formed on a substrate and having a first impurity region and a second impurity region at a prescribed interval, a gate insulating film formed on the island-shaped semiconductor layer, and a gate electrode formed in a region on the gate insulating film between the first impurity region and the second impurity region, the island semiconductor layer having a polygonal plane shape whose angles are all obtuse.例文帳に追加
基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第1の不純物領域及び第2の不純物領域を有する島状半導体層、前記島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、及び前記第1の不純物領域及び第2の不純物領域の間の領域に対応する前記ゲート絶縁膜上の領域に形成されたゲート電極を具備し、前記島状半導体層の平面形状は、すべての角が鈍角である多角形であることを特徴とする。 - 特許庁
A solar cell module 10 includes a power generation region 21 including: a first transparent conductive film 12 laminated on a transparent substrate 11; a photoelectric conversion layer 13 laminated on the first transparent conductive film 12; a second transparent conductive film 14a laminated on the photoelectric conversion layer 13; and a metal film 14b laminated on the second transparent conductive film 14a.例文帳に追加
本実施形態に係る太陽電池モジュール10は、透明基板11上に積層された第1透明導電膜12、第1透明導電膜12上に積層された光電変換層13、光電変換層13上積層された第2透明導電膜14a、及び第2透明導電膜14a上に積層された金属膜14bから構成される発電領域21を備える。 - 特許庁
The organic electroluminescent element comprises insulation films 12 formed on a substrate 1 and transistors 100, 200, a metal protection film 10 formed on the insulation film 12 at a non-light emitting area, a first electrode 11 formed on the insulation film 12 at a light emitting area 3, a light emitting layer formed on the first electrode , and a second electrode formed on the light emitting layer.例文帳に追加
本発明に係る有機電界発光素子は、基板1及びトランジスタ100、200の上に形成された絶縁膜12と、非発光領域の絶縁膜12の上に形成された金属保護膜10と、発光領域3の絶縁膜12の上に形成された第1電極11と、第1電極11の上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2電極を含む。 - 特許庁
In a variable-capacity capacitor, a MOS capacitor is subjected to VCO configuration, where it has a conductor layer 53 that becomes one electrode via a capacity insulation film 54 on a first conductivity type semiconductor region 51 that becomes the other electrode and has a second conductivity type impurity region 52 near a surface close to a region that opposes the conductor layer 53 of the first-conduction-type semiconductor substrate 51.例文帳に追加
一方の電極となる第1導電型半導体領域51上に容量絶縁膜54を介して他方の電極となる導電体層53を有し、前記第1導電型半導体基板51の前記導電体層53に対向する領域に近接した表面近傍に第2導電型不純物領域52を有するMOS型キャパシタをVCOを構成する可変容量キャパシタとする。 - 特許庁
The integrated circuit device includes at least the SOI substrate which has an upper semiconductor layer of a first crystal orientation and a semiconductor material of a second crystal orientation, the semiconductor material is substantially on the same plane surface and its thickness is the same to that of the upper semiconductor layer, and in an integrated circuit structure, the first crystal orientation is different from the second crystal orientation.例文帳に追加
具体的には、第1の結晶方位の上部半導体層と第2の結晶方位の半導体材料とを有するSOI基板を少なくとも含んだ集積回路構造であって、半導体材料は実質的に同一平面上にありかつ上部半導体層と実質的に同じ厚さであり、さらに第1の結晶方位が第2の結晶方位と異なっている集積回路構造が提供される。 - 特許庁
The method of manufacturing the silicon carbide single crystal substrate includes a process (A) of preparing a silicon carbide single crystal substrate which has first and second principal surfaces and conductivity, the work-affecting layer being provided on at least one of the first and second principal surfaces; and a process (B) of removing at least a part of the work-affecting layer through electrolytic etching.例文帳に追加
本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、第1および第2の主面を備え、導電性を有する炭化珪素単結晶基板であって、前記第1および前記第2の主面のうち、少なくとも一方に加工変質層を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程(A)と、前記加工変質層の少なくとも一部を電解エッチングによって除去する工程(B)とを包含する。 - 特許庁
Thus, by recording the reference signal only on a layer used by a first drive instead of recording the reference signal on all layers in the case of a multilayer information recording medium, data can be recorded with the minimum time when the first disk is used, and the reference signal can be managed efficiently by performing display relating to a recording layer where the reference signal is recorded to a prescribed region.例文帳に追加
これにより、多層情報記録媒体の場合に、基準信号をあらゆる層に記録することではなく最初のドライブが使用する層にのみ基準信号を記録することによって、最初のディスクが使われる時に最小限の時間でデータ記録を行え、基準信号が記録された記録層に関する表示を所定領域にしておくことによって基準信号の管理を効率的に行える。 - 特許庁
A wiring structure includes a substrate having a first region where a lot of structures are formed with a minute pitch and a second region formed into a flat shape, and a conductive layer where a layer of a conductive material of the same material is formed on both the first and second regions and the conductive material is continuously formed to configure a writing pattern on the second region.例文帳に追加
配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第1の領域と、平面状に形成された第2の領域とを有する基体と、第1の領域、および第2の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、第1の領域、および第2の領域のうち該第2の領域に導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層とを備える。 - 特許庁
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