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first memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5590件
A control device of an amplifier has a memory unit which memorizes an instruction value of control voltage to amplify the signal level to a reference level for every first temperature increase width, and a control voltage creation unit which outputs the control voltage corresponding to the instruction value of the control voltage to the amplifier.例文帳に追加
増幅器の制御装置は、第1の温度上昇幅ごとに前記信号のレベルを基準レベルに増幅するための制御電圧指令値を記憶する記憶部と、前記制御電圧指令値に対応した制御電圧を前記増幅器に出力する制御電圧生成部とを有する。 - 特許庁
The semiconductor memory is provided with: a plurality of source lines formed in the third direction which is different from the first direction in which a number of word lines extend and the second direction in which a number of bit lines extend; and a source line control circuit to selectively drive the plurality of source lines.例文帳に追加
半導体記憶装置は、複数のワード線が延在する第1の方向及び複数のビット線が延在する第2の方向と異なる第3の方向に沿って形成された複数のソース線と、複数のソース線を選択的に駆動する駆動手段として、ソース線コントロール回路を備える。 - 特許庁
It is judged depending on whether or not the tone of the sound signal input at a normal level can be maintained, from which memory to extract the sound signal, and when it becomes difficult to maintain the tone at the normal level due to saturation of a first AD converter 202, the sound signal input at the attenuated level is extracted.例文帳に追加
何れのメモリから抜出するかは,通常のレベルで入力された音信号の音質が維持できるかどうかで判断され,第1AD変換器202の飽和により通常のレベルでは音質の維持が困難になったとき,減衰したレベルで入力された音信号が抜出される。 - 特許庁
These two first and second batteries 121 and 122 and the two charge circuits 2100 and 2200 are controlled sequentially by a charge/discharge control sequence circuit 2300 so as to prevent trickle charge as much as possible, and the flow of the sequence is stored in a sequence memory circuit 2301.例文帳に追加
これら2つの第1、第2バッテリ121,122と2回路の充電回路2100、2200は、充放電制御シーケンス回路2300によりシーケンシャルに制御されて、トリクル充電を極力防ぐことを目的としたものであり、そのシーケンスの流れは、シーケンスメモリ回路2301に記憶されている。 - 特許庁
In a nonvolatile semiconductor memory having a source region 6, a drain region 7, a channel region 8, and a gate electrode which are all provided in a semiconductor substrate, there are provided between the source region and the opposite drain thereto first and second channel regions 11, 12 having the impurity concentrations from each other.例文帳に追加
半導体基板にソース領域とドレイン領域とチャネル領域とゲート電極とを設ける不揮発性半導体記憶装置において、対向するソース領域とドレイン領域との間に不純物濃度の異なる第1のチャネル領域と第2のチャネル領域とを設ける。 - 特許庁
When an opening/closing detection section 14 detects that a mobile phone 100 is folded, a control section 1 outputs image data from a first memory 4 to a second display driver section 7, displays an image on a second display section 9 and turns on a second back light 11.例文帳に追加
開閉検出部14が、携帯電話機100が折り畳まれていることを検出した場合、制御部1は、第1メモリ4からの画像データを第2表示ドライバ部7に出力し、第2表示部9に画像を表示させるとともに、第2バックライト11を点灯させる。 - 特許庁
In the inspecting-monitoring equipment 1 for the printing machine, image data picked up by an image pickup part 21A and integrated in a first number of times in an integration memory 23 by an integrator 22 are compared with reference image data for fault inspection stored by a data processing part 31, so as to detect the fault of printing.例文帳に追加
印刷機用検査監視装置1では、撮像部21Aが撮像して積算器22が積算メモリ23に第1回数積算した画像データと、データ処理部31が記憶する欠陥検査用の基準画像データと、を比較して印刷の欠陥を検出する。 - 特許庁
The conductor 10 or the conductor 16 is made a bit line 32, and the first electrode section 12 is made a word line 33 to apply voltage or an electric current to the variable resistance layer 14 containing a metal oxide as a main component, thus achieving the resistance change of the memory bit part 1.例文帳に追加
導電体10あるいは導電体16をビット線32とし、第1電極部12をワード線33とし、金属酸化物を主成分とした抵抗変化層14に電圧あるいは電流を印加することにより、メモリビット部1の抵抗変化を実現できる。 - 特許庁
A path control means 12 controls switching between a first path 18 through which image data inputted from the reader 11 is compressed by a compression means 13 and is stored in the buffer memory 14 for input and a second path 19 through which the image data is stored without being compressed.例文帳に追加
経路制御手段12は、読み取り装置11から入力される画像データを圧縮手段13で圧縮処理して入力用バッファメモリ14に格納する第1経路18と、圧縮処理せずに格納する第2経路19との切り替えを制御する。 - 特許庁
The correction position read part 108 reads a first position to be corrected Po1 (row information) and a second position to be corrected Po2 (row information) registered in an information table 102 stored in a data memory 100 after finishing reading of an image from the storage type phosphor panel P.例文帳に追加
補正位置読取部108は、蓄積性蛍光体パネルPへの画像読み取りが終了した後に、データメモリ100に記憶されている情報テーブル102に登録された第1補正対象位置Po1(行情報)及び第2補正対象位置Po2(行情報)を読み取る。 - 特許庁
Then, when an H-level drive sleep signal SLPd is input first, followed by the input of an H-level third delayed sleep signal SLPt3, the sleep release detection circuit 18 outputs, to a memory macro of the subsequent stage, an H-level sleep signal to switch over from a sleep mode to a normal mode.例文帳に追加
そして、スリープ解除検出回路18は、Hレベルの駆動スリープ信号SLPdが先に入力され、Hレベルの第3遅延スリープ信号SLPt3を入力すると、次段のメモリマクロにスリープモードから通常モードへ切替えるためのHレベルのスリープ信号を出力する。 - 特許庁
When data is transferred from a host device, the first supercluster is written in a cache area CA_1 of the quickly accessible nonvolatile solid memory, and a head is moved to a prescribed position during this write, and following data is written in a cache area CA_2 of the disk after the end of the movement.例文帳に追加
ホスト装置からデータが転送された場合、先頭スーパークラスタを高速アクセスが可能な不揮発性固体メモリのキャッシュ領域CA_1に書き込み、その間、ヘッドを所定位置に移動させ、移動が終了した時点から続くデータはディスクのキャッシュ領域CA_2に書き込む。 - 特許庁
When the node A is at an H-level, it is in a second recording state, erase pulses are applied to the transistor 34, a threshold voltage is made low, the reference voltage Vrefsa is set at a first reference voltage Vrefsa 1, and, in addition, the erasing operation of a memory cell array is performed.例文帳に追加
そして、第2の記録状態に遷移する時は、第2の基準電圧を利用することにより、第1の記録状態にあった全てのセルトランジスタが、第2の基準電圧より低い閾値電圧となり、実質的に第2の基準電圧に対して消去動作が行われたことになる。 - 特許庁
An image data memory area 8a in a compact flash (R) 8 stores in advance image data of a mark image being attached data to be attached to image data to be transmitted, and a first composite data registration table 8b stores in advance conditions by each destination for composing the attached data.例文帳に追加
送信すべき画像データに付加すべき付加データであるマーク画像の画像データをコンパクトフラッシュ(登録商標)8内の画像データメモリ領域8aに予め格納し、付加データを合成するときの宛先毎の条件を第1の合成データ登録テーブル8bに予め格納しておく。 - 特許庁
Image data of longitudinal or transverse plural adjacent lines is read out from the image memory part 20 as a first image data, average data of a data level in a direction orthogonal to a reading-out direction is calculated, and a line-shaped defect in an image is detected by a defect detecting part 24.例文帳に追加
画像メモリ部20から、第1の画像データとして縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを読み出し、読み出し方向と直交する方向のデータレベルの平均値を算出し、ライン状の画像欠陥を欠陥検出部24で検出する。 - 特許庁
A control part 15 makes a data evacuated into a flash memory 16 when the sensor 13 is brought into a detecting condition and when the data required to be held exists in a RAM 17, and turns a switching circuit 18 on for the first time at a point of time when the evacuation is finished, to electrify the discharge member 10.例文帳に追加
制御部15は、センサ13が検出状態となったときに、RAM17中に保持が必要なデータが存在する場合には、そのデータをフラッシュメモリ16に退避させると共に、その退避が完了した時点で初めてスイッチング回路18をオンして排出部材10に通電する。 - 特許庁
A first information for designating information (a second information) to be transmitted and received in the mobile phone apparatus 101 is given to the information-selecting portion 108 through the non-contact IC 106 or the reader writer 107, the information-selecting portion 108 selects the memory 102 and the second information is selected.例文帳に追加
携帯電話装置101において送受信されるべき情報(第2の情報)を指定する第1の情報は非接触IC106もしくはリーダライタ107を介して情報選択部108に与えられ、情報選択部108はメモリ102を選択して第2の情報が選択する。 - 特許庁
The retrieval items of the rules 11a-14a of flow identification are grouped into a plurality of groups 15 and 16, and the search items of each rule being grouped are stored in the association memory 621 together with information Srch.Tag relevant to search (each group excluding the first group) and information Flag about the number of times of search.例文帳に追加
フロー識別のルール11a〜14aの検索項目を複数のグループ15,16にグループ化し、グループ化された各ルールの検索項目を検索関連情報Srch.Tag(最初のグループを除く各グループ)及び検索回数情報Flagとともに連想メモリ621へ格納する。 - 特許庁
A control means 11 requests the input of investigation information composed of prescribed investigation items and the auxiliary information to the first information processing terminal 1 of the reply requester connected through a communication network 3 and stores the inputted investigation information in an investigation file memory 16.例文帳に追加
通信網3を介して接続された回答要求者の第1の情報処理端末1に対して、制御手段11は所定の調査項目から成る調査情報及びその付帯情報の入力を要求し、入力された調査情報を調査ファイルメモリ16に格納する。 - 特許庁
The data management system includes a file system module which stores first data in a flash memory in units blocks, and a filter layer module which receives second data from the file system module and stores the second data in a PRAM in units sub-blocks.例文帳に追加
本発明の一特徴によるデータ管理システムは、フラッシュメモリ(flash memory)においてブロック単位で第1データを保存するファイルシステムモジュールと、該ファイルシステムモジュールから第2データを受信し、サブブロック単位でPRAMに第2データを保存するフィルタレイヤーモジュールと、を備える。 - 特許庁
Moreover, when the function of displaying the image based on the image data recorded on the medium is started in a state in which the plurality of memory cards are mounted, a medium selection image is displayed first and after the medium is selected, the image recorded in the medium is displayed in thumb-nailed form.例文帳に追加
また、複数のメモリカードが装着されている状態で、メディアに記録されている画像データに基づく画像を表示する機能を起動する際には、まずメディア選択画面を表示させて、メディアが選択されてから、そのメディアに記録されている画像をサムネイル表示するように構成した。 - 特許庁
A storage system, upon receiving a marker from a host computer, executes a generation determination process for determining a generation of a first logical volume that is used by a host computer, and writes information related to the generation determined in this generation determination process to a physical storage device and/or a memory.例文帳に追加
ストレージシステムは、ホスト計算機からマーカを受けた場合に、ホスト計算機が使用する第一の論理ボリュームの世代を確定する世代確定処理を実行し、その世代確定処理では、確定した世代に関する情報を、物理記憶デバイス及び/又はメモリに書込む。 - 特許庁
A variable resistance memory bit part 1 composed of a first electrode section 12, a second electrode section 13, a variable resistance layer 14 and a third electrode section 15 is three-dimensionally constituted on a conductor 10, an insulator 20 and an insulating layer 11, and a conductor 16 is disposed at the upper part.例文帳に追加
導電体10、絶縁体20、および絶縁層11の上に、第1電極部12、第2電極部13、抵抗変化層14、第3電極部15で構成される抵抗変化型のメモリビット部1が立体的に構成され、上部に導電体16が配置される。 - 特許庁
For a stack type nonvolatile memory 20 for storing electric charges in a floating gate and storing a logic state by a characteristic observation tool 31, voltage current characteristics when a stored electric charge amount is a prescribed value are observed and the characteristics are displayed at a graph display part 35 as a first graph [1].例文帳に追加
フローティングゲートに電荷を蓄積して論理状態の記憶を行うスタック型不揮発性メモリ20について、特性実測ツール31により、蓄積電荷量が所定値のときの電圧電流特性を実測し、この特性を第1グラフ[1]としてグラフ表示部35に表示する。 - 特許庁
While performing TV telephone communication, moving image and audio data from a communication party are stored in a master screen display memory 10, the moving image data are displayed on the first region of the display screen of a display unit 3, and the moving image data from a camera 5 are displayed on the second region of the display screen.例文帳に追加
TV電話時、通信相手からの動画及び音声データは親画面表示用メモリ10に格納され、その動画データは表示部3の表示画面の第1の領域に表示され、カメラ5からの動画データは表示画面の第2の領域に表示されている。 - 特許庁
In addition, a change in filling rate of a buffer memory 21b is monitored, it is determined that congestion occurs in a first PPG device 1 when the filling rate exceeds h%, and the response time to the push transfer request in the input side interface 21a is delayed.例文帳に追加
また、バッファメモリ21bにおける充填率の変化を監視し、充填率がh%を超えた際には第1PPG装置1において輻輳が発生したと判断して、入力側インタフェース21aにおけるプッシュ転送要求に対する応答時間を遅延させる。 - 特許庁
A control means 23 records a first area S1 which is one part of an imaging area S captured with the imaging camera 31 in the memory means 24, and simultaneously displays a second area S2 obtained by segmenting the other part of the imaging area S captured with the imaging camera 31 on a display unit 22.例文帳に追加
制御手段23は、撮像カメラ31で撮像した撮像範囲Sの一部である第一の領域S1をメモリ手段24に記録させると共に、撮像カメラ31にて撮像した撮像範囲Sの他の一部を切り出した第二の領域S2を表示器22に表示させる。 - 特許庁
In the cache memory system, each of a plurality of processors is can execute a no-data transfer store command, and each of a plurality of first storage hierarchical units outputs a transfer-control signal in response to occurrence of a cache miss hit when executing the no-data transfer store command by the corresponding processor.例文帳に追加
複数のプロセッサの各々は、データ転送なしストア命令を実行可能であり、複数の第1記憶階層部の各々は、自身に対応するプロセッサによるデータ転送なしストア命令の実行時にキャッシュミスヒットの発生に応答して転送制御信号を出力する。 - 特許庁
A burn-in test of first to sixth step in which voltage application time are equal is performed for a semiconductor memory constituted so that a pair of bit lines having twist structure in which bit lines cross each other and a pair of bit lines having non-twist structure in which bit lines are in parallel each other.例文帳に追加
ビット線が互いに交差するツイスト構造を有するビット線対と、ビット線が互いに平行な非ツイスト構造を有するビット線対とを交互に配置して構成された半導体メモリに、電圧印加時間が互いに等しい第1〜第6ステップのバーンイン試験を実施する。 - 特許庁
When a write-in instruction is inputted from the interface, the write-in circuit performs the write-in instruction when the protect-flag of the selected memory block is a first value, and when it is a second value, the circuit does not perform the write-in instruction.例文帳に追加
上記書き込み回路は、上記インターフェイスから書き込み命令が入力された場合に、選択されたメモリブロックのプロテクト・フラグが第1の値になっているときに書き込み命令を履行し、第2の値になっているときに上記書き込み命令を履行しないことを特徴とする。 - 特許庁
A processing circuit 5 updates the real time information by using second frequency information, and a controller 11 updates and calibrates frequency information by a battery pack memory 13 for storing first information relating to the update value of the second frequency information updated in the processing circuit 5.例文帳に追加
処理回路5は、第2の周波数情報を用いて実時間情報を更新し、コントローラ11は、処理回路5において更新された第2の周波数情報の更新値に関連した第1の情報を格納するバッテリパックメモリ13により、周波数情報の更新及び較正を実行する。 - 特許庁
When data "10101010" written to a first memory core MC1 is rewritten to data "01010101", the data writing includes the writing of the logical value "1", which is reverse to the prescribed logical value, and consequently a deleting operation is required, and restriction occurs to the data writing.例文帳に追加
第1メモリコアMC1に書き込まれたデータ「10101010」に書き換えを行い、データ「01010101」にする場合、データ書き込みは、所定論理値と逆の論理値「1」の書き込みが含まれるため、消去動作が必要とされ、データ書き込みに制限が発生する。 - 特許庁
A control lines group includes a plurality of first common lines (e.g. bit lines BLs) connecting sides of one end in common to the row and column directions and a plurality of second common lines (e.g. source lines SLs) similarly connecting sides of other end in common with respect to a plurality of magnetic memory elements.例文帳に追加
制御線群は、複数の磁気メモリ素子に対し、一端側を行方向および列方向に共通接続する複数の第1共通線(例えばビット線BL)と、他端側を同様に共通接続する複数の第2共通線(例えばソース線SL)を含む。 - 特許庁
When the image forming apparatus 10 moves to a second power saving mode, it stores at least a part of data stored in a second storing section 216 constituted of a hard disk drive in a first storing section 214 constituted of a memory of an RAM or the like.例文帳に追加
その後、画像形成装置10は、第2の節電モードに移行する場合、画像形成装置10は、ハードディスクドライブにより実現される第2の記憶部216に記憶されているデータの少なくとも一部を、RAM等のメモリにより実現される第1の記憶部214に保存する。 - 特許庁
A control part 1 carries out an image processing, first, by obtaining and recognizing a radiographing part of a radiographed image when detecting an image processing parameter setting order, and by reading out a plurality of processing parameter pattern corresponding to the radiographing part from a memory part 6.例文帳に追加
本第1の実施の形態の処理パラメータの設定処理において、制御部1はまず、画像処理の処理パラメータ設定指示を検出すると、撮影された画像の撮影部位を取得して認識し、該撮影部位に応じた複数の処理パラメータパターンを記憶部6から読み出し、画像処理を行う。 - 特許庁
The communication part 40 transmits measurement data of at least one of blocks acquired according to respective blocks before the data of respective blocks written in first and second storage areas 11, 12 in the nonvolatile memory 10 as representative data through a communication line.例文帳に追加
通信部40は、不揮発性メモリ10内の第1及び第2記憶領域11及び12に書き込まれた各ブロックのデータより前に、各ブロックに対応して取得された、各ブロックの少なくとも1つの測定データを代表データとして通信回線を介して送信する。 - 特許庁
Then, the moving speed V of a walking user is discriminated (step SB4), and when it is V1>V and the moving speed V of the user is slower than a first reference speed V1, '3' is set to an address register M (step SB5) and a sound stored in a sound memory is reproduced at a low speed (step SB6).例文帳に追加
次に、散歩しているユーザの移動速度Vを判別し(ステップSB4)、V1>Vであって、ユーザの移動速度Vが第1基準速度V1よりも遅ければ、アドレスレジスタMに“3”をセットするとともに(ステップSB5)、鳴き声メモリに記憶されている鳴き声を低速で再生する(ステップSB6)。 - 特許庁
The module body mounting parts are constituted of a first module body mounting part 10 and a second module body mounting part 11 so that the external memory medium or the extended function module body 2 of the same format specifications can be mounted, and simultaneously connected to an internal bus 24.例文帳に追加
モジュール体装填部は、それぞれ同一フォーマット仕様の外部メモリ媒体や拡張機能モジュール体2の装填操作を可能として内部バス24との同時接続が行われるようにする第1のモジュール体装填部10と第2のモジュール体装填部11とから構成される。 - 特許庁
The processor 20 creates a first video signal corresponding to an optical image of the subject of imaging obtained by means of the scope 10, and creates a second video signal either by reading the character data corresponding to the decoded data from a memory 32 or by reading the fixed character data from the ROM of a system controller 22.例文帳に追加
プロセッサ20は、スコープ10により得られた光学的被写体像に対応する第1ビデオ信号を生成し、また復号データに対応する文字データをメモリ32から読み出すあるいはシステムコントローラ22のROMから固定文字データを読み出して第2ビデオ信号を生成する。 - 特許庁
When power is applied to a memory, area data for selecting the first initial setting data area 20 or the second initial setting data 21 is captured and initial setting data stored in the initial setting data area specified by the area data is captured in an initial setting data latch.例文帳に追加
メモリに電源が投入されると、第1初期設定データ領域20又は第2初期設定データ領域21を選択する領域データを取り込み、この領域データに指定された初期設定データ領域に格納された初期設定データを初期設定データラッチに取り込む。 - 特許庁
In a digital camera 1, a CPU first reads out selected panorama picture data from a flash memory to store it in a VRAM when reproducing and display of a panorama picture is selected by depression of a '+' key 17a or a '-' key 17b after designation of the reproducing mode.例文帳に追加
デジタルカメラ1において、CPU36は、再生モードが指定された後、「+」キー17a、あるいは「−」キー17bが押圧操作されることによりパノラマ画像が再生表示選択されると、先ずフラッシュメモリ31から選択されたパノラマ画像データを読み出し、VRAM26に格納する。 - 特許庁
When the processing speed of a block CPU is faster than that of a main body CPU, data generated by the block CPU being a functional block via the block CPU are written in a first buffer memory at the processing speed of the block CPU and the written data are read at the processing speed of the main body CPU, that is, asynchronously.例文帳に追加
ブロックCPUの処理速度の方が本体CPUより速い場合、ブロックCPUを介して機能ブロックである受信部での生成データを第1のバッファメモリに、ブロックCPUの処理速度で書き込み、書き込んだデータを本体CPUの処理速度で、つまり非同期に読み出す。 - 特許庁
After digitizing colors and thickness of a photographed image, those of the photographed image are compared with those of a reference image in a memory, and a portion where differences in colors and thickness between the photographed image and the reference image exceed prescribed threshold values is determined as a temporary abnormal portion of winding by a first winding determining means.例文帳に追加
実写画像の色と濃度を数値化後、実写画像のそれをメモリ中の基準画像のそれと照合し、実写画像上で基準画像との色差、濃度差が共に所定のしきい値を超えた部分を、第1の巻き判定手段で仮の巻き異常部分と判定する。 - 特許庁
A CPU 120 computes the amounts of refund by the first algorithm and second algorithm stored in the memory 121 on the basis of the remaining period of the commutation ticket, displays the computed amounts of refund every refund classification on a monitor 105 for a clerk in charge, and accepts the selection input of the displayed refund classification.例文帳に追加
CPU120は、定期券の残存期間に基づいて、メモリ121に記憶された第1アルゴリズム及び第2アルゴリズムで払戻金額を算出し、係員用モニタ105に算出した払戻金額を払戻種別毎に表示し、表示した払戻種別の選択入力を受け付ける。 - 特許庁
An interconnection (e.g. M2a) connected to a first bit line BL (e.g. BL2a) is formed as a second-layer interconnection M2 on a second layer different from a layer on which the bit line BL is formed, and they are connection in a connection region 2 between a memory-cell formation region 2 and a sense amplifier region.例文帳に追加
第1のビット線BL(例えば、BL2a)と接続される配線(例えばM2a)をビット線BLが形成される層と異なる第2の層に第2層配線M2として形成し、メモリセル形成領域2とセンスアンプ領域との間の接続領域2において接続する。 - 特許庁
This device is a dynamic random access memory cell operated with read lines (r1), word lines (w1), and bit lines (b1), and comprising of a first transistor connected between a bit line and a word line, a second transistor connected between a bit line and a read-line, and a third other transistor connected between two transistors and accumulating electric charges.例文帳に追加
リードライン(rl)、ワードライン(wl)、およびビットライン(bl)で動作し、ビットラインとワードライン間に接続された第一のトランジスタ、ビットラインとリードライン間に接続された第二のトランジスタ、他の二つトランジスタの間に接続されて電荷の蓄積を行う第三のトランジスタからなるダイナミックランダムアクセスメモリセル。 - 特許庁
During a normal operation, a first control signal is set to a Low, a second control signal is set to a High, a memory cell section 100 is separated from a power supply section and a GND, an action nTFT (N2) is turned on, video signals are transmitted to a liquid crystal section 200 and dynamic video is displayed in full color.例文帳に追加
通常動作時は、第1制御信号をLow、第2制御信号をHighとし、メモリセル部100を電源部VD1,GNDから切り離して、動作nTFT(N2)をオン状態として映像信号を液晶部200に伝えてフルカラーで動映像を具現する。 - 特許庁
The image determining portion 205 controls an image selector 202 so as to select an image obtained by adding an image outputted from a first image memory 203 and an image outputted from a base I/F201, according to a determination that the average brightness is equal to or less than a predetermined value (screen is dark).例文帳に追加
画像判定部205は、この平均輝度値が所定の値以下である(画面が暗い)との判断に応じて、第1の画像メモリ203から出力される画像と親機I/F201から出力される画像とを加算した画像を選択するように画像選択部202を制御する。 - 特許庁
The semiconductor memory is manufactured by laminating a first barrier layer 4 formed of Al_2O_3, a charge storage layer 5 formed of Al-excessive Al_2O_3 with Si doped, a second barrier layer 6 formed of Al_2O_3, and a gate electrode 7 formed of n-type polysilicon in this order on a substrate 1 formed of n-type silicon.例文帳に追加
n型シリコンからなる基板1に対して、Al_2O_3からなる第1の障壁層4、SiをドープしたAl過剰のAl_2O_3からなる電荷蓄積層5、Al_2O_3からなる第2の障壁層6、n型ポリシリコンからなるゲート電極7を順次積層して構成する。 - 特許庁
Further, a test data selection section 104 is disposed to selectively output one of test data output from the first and second test pattern generation sections 101 and 102 based on the signal value of the second clock CK2, and input it as test data to a memory 105.例文帳に追加
さらに、第1のテストパターン生成部101および第2のテストパターン生成部102から出力されるテストデータのいずれか一方を、第2のクロックCK2の信号値によって選択的に出力し、メモリ105へテストデータとして入力するテストデータ選択部104を設ける。 - 特許庁
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