「gap buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When a gap of an internal packet that is at a suitable interval is detected, the extra packet is inserted and some arrival packets in the high bandwidth channel are stored in a buffer.例文帳に追加

適当な間隔である内部パケットの隙間を検知すると、追加のパケットが挿入され、高帯域幅チャネルにおけるいくつかの到来するパケットが緩衝バッファに記憶される。 - 特許庁

To provide an electroluminescent apparatus preventing air bubbles in a buffer layer or a gap in a protective film in the vicinity of a step part, etc., by reducing steps formed by an auxiliary electrode.例文帳に追加

補助電極によって形成される段差を低減し、緩衝層中の気泡や、段差部近傍の保護膜の欠損等を防止することのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供する。 - 特許庁

The presence of the buffer layer 5, having the intermediate energy band gap Eg1 significantly improves the current-voltage characteristics, and reduction in the operation voltage can be realized.例文帳に追加

この中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有するＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５の存在により、電流−電圧特性が著しく改善されて、動作電圧の低減を実現できる。 - 特許庁

Additionally, the flat plate part 12b gets into a notch which is formed by removing the buffer layer 3b of the floor material 3, and a gap is formed between the end surface of the flat plate part 12b and the floor parting material 1.例文帳に追加

また、防音床材３の緩衝層３ｂが除去された切欠部内には平板部１２ｂが入り込み、その端面と床見切り材１との間には隙間が形成されている。 - 特許庁

In order to form the joint face of the pencil, a hard cover for receiving the pencil inside without a gap is firmly fitted into a hard end cubic hollow body with a buffer wall, leaving a space open at the top.例文帳に追加

鉛筆の接続面を形成するには、中に鉛筆が隙間無く入る硬質カバーを突き当て壁のある硬質立方空洞体の中に上部に空間を残して接し固設する。 - 特許庁

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector.例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層１１，１３の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層１２を設けた。 - 特許庁

The buffer material 9 is provided with a first expanded part 9a projected to a first gap 14 between the body part side fence 4 and the side fence 5 for the upper limbs and a second expanded part 9b projected to a second gap 15 between the side fence 5 for the upper limbs and the stretcher main body 1.例文帳に追加

緩衝材９は、胴体部サイドフェンス４と上肢用サイドフェンス５との間の第１の隙間１４に突出する第１張出部９ａと、上肢用サイドフェンス５と担架本体１との間の第２の隙間１５に突出する第２張出部９ｂとを設けている。 - 特許庁

An outside frame side fitting bar 3 is fitted in an outside frame section 2 by having a prescribed gap in order to place a sash inside frame section 4 to the outside frame section 2 in a slidable manner, and a buffer member 5 is placed in the gap between the sash outside frame section 2 and the outside frame side fitting bar 3.例文帳に追加

サッシ外枠部２に対しサッシ内枠部４をスライド可能に配置すべく当該サッシ外枠部２に外枠側嵌込み桟３を所定の隙間を有して嵌挿配置し、サッシ外枠部２と外枠側嵌込み桟３との間に形成した隙間に緩衝部材５を配する。 - 特許庁

Each cell is formed of an n-type GaN layer 21 having uneven surface of mound type inclination having an inclination angle corresponding to each band gap, an n-type InAlGaN layer 22 and a p-type InAlGaN layer 23 formed on an n-type GaN buffer layer 21.例文帳に追加

各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。 - 特許庁

To surely isolate radioactive waste in a disposal pit by preventing the occurrence of a gap around the disposal pit in spite of swelling and bulging of a buffer material in the disposal pit of a disposal tunnel of radioactive waste.例文帳に追加

放射性廃棄物の処分坑道の処分孔内で緩衝材が膨潤・膨出しても、処分孔の周りに隙間の発生を防止して、処分孔内の放射性廃棄物を確実に隔離する。 - 特許庁

An annular oil buffer 5, spreading continuously outward from the bearing aperture 46 of a bearing gap 4, is provided between the sleeve portion 221 of a stator section 2 and the rotor hub 31 of a rotor section 3 in a motor 1.例文帳に追加

モータ１では、ステータ部２のスリーブ部２２１とロータ部３のロータハブ３１との間に、軸受間隙４の軸受開口４６から外部へと連続して広がる環状のオイルバッファ５が設けられる。 - 特許庁

A multiplexer 48 inserts high-speed transmission identification information ID_High output from a high-speed transmission identification information generator 40, following an IFG (inter-frame gap) after a low-speed down data signal from a buffer 34.例文帳に追加

多重装置４８は、バッファ３４からの低速下りデータ信号の後のＩＦＧに続いて、高速伝送識別情報発生装置４０から出力される高速伝送識別情報ＩＤ_Ｈｉｇｈを挿入する。 - 特許庁

To provide a photosensitive cured resin composition for a transparent material pattern spacer having buffer action as the result of temperature changes while stably maintaining a uniform cell gap, and having excellent storage stability, heat resistance, chemical resistance and resolution.例文帳に追加

安定的に均一なセルギャップを維持しながら、温度変化によって緩衝作用を有し、保存安定性、耐熱性、化学的耐性及び解像度に優れた透明材料パターンスペーサ用感光性硬化樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A buffer member 50 is mounted on the outside face of the upper end part of the radioactive material aggregate and positioned in a gap between the upper end part of the radioactive material aggregate and the basket, to thereby suppress looseness of the radioactive material aggregate.例文帳に追加

放射性物質集合体の上端部外面には緩衝部材５０が装着され、放射性物質集合体の上端部とバスケットとの間の隙間に位置し、放射性物質集合体のがた付きを抑えている。 - 特許庁

In this case, a conductive buffer material A7 is interposed between the block A1, A2 and the plate A5, A6 so that a gap between shieldings is not generated due to the dimension errors among the divider 22, the synthesizer 24, and the unit amplifiers 23a, 23b.例文帳に追加

この際、ブロックＡ１，Ａ２とプレートＡ５，Ａ６との間に導電性緩衝材Ａ７を介在させて、分配器２２、合成器２４と単位増幅器２３ａ，２３ｂの間の寸法誤差によってシールドの隙間を生じさせないようにする。 - 特許庁

First CAM circuits 30 and the comparator 40 are connected by a wiring 50 having a straight line shape, a wiring 51 connecting the second CAM circuits 30' and a buffer circuit or the like is wired through a gap between comparators 40.例文帳に追加

第１ＣＡＭ回路３０と比較回路４０とは直線形状の配線５０によって接続され、第２ＣＡＭ回路３０’とバッファ回路等とを接続する配線５１は、比較回路４０間の間隙を通って配線される。 - 特許庁

To prevent poor appearance and adhesion of dust by eliminating a gap due to butting of a wall member in execution of works of the wall member to a corner part or an uneven part in a ferromagnetic wall surface of an elevator or the like, and to use the technique for a buffer member.例文帳に追加

エレベーター等の強磁性体製の壁面における隅部や凹凸部に対する壁部材の施工において、壁部材の突合せによる隙間の発生を無くして外観不良や埃の付着が起こりにくいものとする。 - 特許庁

A semiconductor device or a radiographic imaging apparatus for bonding the substrate, having a semiconductor element or a conversion element and the support member via the bonded member has a gap between the substrate of a region, including the electrical connection part connected to at least the electrical component and the support member and has a buffer member in the gap.例文帳に追加

半導体素子または変換素子を有する基板と支持部材とが貼り合わせ部材を介して接着されてなる半導体装置または放射線撮像装置において、少なくとも電気部品が接続された電気接続部を含む領域の基板と支持部材との間に間隙を有し、間隙に緩衝部材を有することを特徴とする。 - 特許庁

The buffer plate 3 is made as a pair of plate spring assembly by overlapping a plurality of plate springs 3A to 3C curved into a horseshoe shape with a gap in the vehicle longitudinal direction and connecting the plate springs 3A to 3C at both end parts of each plate springs 3A to 3C via a spacer 5.例文帳に追加

緩衝板３は、馬蹄形状に湾曲した複数の板バネ３Ａ〜３Ｃを隙間を空けて車両前後方向において重ね合わせ、それぞれの両端部においてスペーサ５を介して結合し、一組の板バネ・アッセンブリとされる。 - 特許庁

The buffer member 2 is radial-shaped in a radial direction, provided between the shell 3 and a housing 4 with a gap in an axial direction, and provided with a plurality of coil springs 6 for always pressing the shell 3 inward in the radial direction.例文帳に追加

緩衝部材２は、ラジアル方向で放射状を呈し、かつ軸方向の間隔を隔ててシェル３とハウジング４の間に介設されて、シェル３をラジアル方向の内側に常時付勢する複数のコイルスプリング６，６…によって構成されている。 - 特許庁

When carrying out the lumbering freight 17 loaded on a floor plate 14 of the container 11, a tip of a fork 22 of a fork-lift truck 19 is inserted along with a buffer member in a gap between a lower face of the lumbering freight 17 and a top face of the floor plate 14.例文帳に追加

コンテナ１１の床板１４上に積載された製材貨物１７を搬出する際には、製材貨物１７の下面と床板１４の上面との間の隙間にフォークリフト１９のフォーク２２の先端を緩衝部材とともに差し込む。 - 特許庁

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

A buffer molding material 13 is made to fill up a gap between the coil-wound drum 8 and the outer parts of the iron core 2 disposed on each outer side of the drum 8 along the axial direction of the drum 8, and furthermore a residual space is filled up with the molding material.例文帳に追加

そして、コイル巻回胴部８とその胴部の軸方向にそって外側に配置されている鉄心２の外側部分との間の空隙に伸縮率の小さな緩衝用モールド材１３を充填し、更に残りの空間内に本材用モールド材を充填する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer in which the increase of resistance components caused by the rapid discontinuity of a band gap in the interface between an AlGaInP clad layer and a GaAs buffer layer is suppressed, and a photoelement of higher output can be obtained, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とＧａＡｓバッファ層との界面における急激なバンドギャップ不連続による抵抗成分増加を抑制し、より高出力の光素子を得ることができる化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To easily and freely design a material of a light absorption layer having a band gap suitable to an absorption wavelength band to be detected, and to provide a high-sensitivity quantum type infrared sensor adapted to respective uses without using a buffer layer other than InSb.例文帳に追加

検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、ＩｎＳｂ以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。 - 特許庁

A control section 3 calculates the time interval for transferring the TS packets stored in the receive buffer 1 from PCR values included in the TS packets and the number of the TS packets included between the PCRs, and controls transfer of the TS packets at the GAP restore section 2.例文帳に追加

制御部３は、ＴＳパケットに含まれるＰＣＲ値と、ＰＣＲ間に含まれるＴＳパケットの個数とから、受信バッファ１に蓄積されたＴＳパケット転送の時間間隔を算出してＧＡＰ復元部２におけるＴＳパケットの転送を制御する。 - 特許庁

A control section 3 calculates the interval between time points when the TS packets stored in the receive buffer 1 are transferred, from a PCR value included in the TS packet and the number of TS packets included between the PCRs, and controls transfer of TS packets at the GAP restore section 2.例文帳に追加

制御部３は、ＴＳパケットに含まれるＰＣＲ値と、ＰＣＲ間に含まれるＴＳパケットの個数とから、受信バッファ１に蓄積されたＴＳパケット転送の時間間隔を算出してＧＡＰ復元部２におけるＴＳパケットの転送を制御する。 - 特許庁

A deformed protruding part 32b provided on a second coupling member is loosely fit in an inner side of a deformed recessed part 31d provided on a first coupling member, and an elastic body made spacer 33 and buffer layer 34 provided by filling synthetic rubber are interposed in a gap between the first and second coupling members.例文帳に追加

第１連結部材に設けた異形の凹部３１ｄの内側に、第２連結部材に設けた異形の凸部３２ｂを遊嵌し、これらの両者の隙間に、弾性体製のスペーサ３３と、合成ゴムを充填して得られる緩衝層３４とを介装する。 - 特許庁

There is provided a semiconductor layer 20, which is formed of an n-type clad layer 21, an active layer 22, a p-type clad layer 23 that includes a stripe shaped embedded ridge portion 28, an n-type buffer layer 24, a p-type contact layer 25, an etching stop layer 26, and a gap layer 27, laminated in this order.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。 - 特許庁

The spindle motor includes: a stator structure having a stator base and a magnetic conductive structure coupled to the stator base; a rotor structure coupled to the stator structure; a base coupled to the stator base; and a first buffer structure provided in the gap defined by the stator base and the base.例文帳に追加

固定子座と前記固定子座に接合された導磁性構造を含む固定子構造、前記固定子構造に接合された回転子構造、前記固定子座に接合されたベース、および前記固定子座と前記ベースの間に取り付けられた第１緩衝構造を含むスピンドルモータ。 - 特許庁

To provide a practical optical waveguide element of a no-buffer-layer structure by selecting an electrode gap and an electrode material such that light propagation loss caused by an electrode with respect to incident polarized light of TE (transverse electric) and TM transverse magnetic modes is within a permissible range.例文帳に追加

バッファー層無し構造で、ＴＥおよびＴＭモード双方の入射偏光に対して電極による光伝播損失が許容範囲に入るような電極ギャップおよび電極材質を選択することにより実用的な光導波路型素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The multi-timer mechanism provides the receiver with one timer per reorder buffer, or uses one timer per missing data block, or uses one timer per missing data block but a gap of consecutive TSN missing data blocks can share one timer.例文帳に追加

本発明の複数のタイマーのメカニズムは、各並べ替えバッファに一つのタイマーを備えた受信器を提供し、或いは、各遺失したデータブロック毎に、一つのタイマーを使用し、或いは、連続したTSNの数個の遺失データブロックが一つのタイマーを共用することを除いて、各遺失したデータブロック毎に、一つのタイマーを使用する。 - 特許庁

An elastic body or buffer material is interposed in the gap formed in the axial direction between the rotary strike component and a body housing or case housing the rotary strike component.例文帳に追加

回転打撃発生機構部のアンビルを回転打撃部品と先端工具部品とに分離し、回転打撃部品とこの先端工具装着部品の間にトルク伝達部を形成し、回転打撃部品とこの回転打撃部品を収納している本体ハウジング或いはケースの軸方向の隙間に弾性体もしくは緩衝材を介在させる。 - 特許庁

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁

The piezoelectric resonance stack 12 is comprised of: an oscillation area 18 in which the upper electrode 10 and the lower electrode 8 are opposite to each other via a piezoelectric layer 2 and located in accordance with the gap 4; a supporting area 22 which contacts the substrate; and a buffer area 20 located between the oscillation area 18 and the support area 22.例文帳に追加

圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。 - 特許庁

Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.例文帳に追加

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁

In a gap filler station 30A, a buffer 33 is provided between a TDM demodulation part 32 which demodulates a signal (TDM signal) received from a communication satellite 20 through a reception antenna 31 to generate regenerated data and a CDM modulation part 34 which generates a transmission signal (CDM signal) to the broadcast reception device.例文帳に追加

ギャップフィラー局３０Ａにおいて、通信衛星２０から受信アンテナ３１を介して受信した信号（ＴＤＭ信号）を復調して再生データを生成するＴＤＭ復調部３２と、放送受信装置への送信信号（ＣＤＭ信号）を生成するＣＤＭ変調部３４の間にバッファ３３を設ける。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises: a substrate; a first electrode layer formed on the substrate; the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer; a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound having a band gap of 2.0 eV or above and metal; and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

To provide an easy-to-mount buffer component which is made of an elastic material placed in a gap between an external storage device storing a disk-like storage medium in a case and a housing part of an information processor for holding this external storage device, and which is resistant to transmission of oscillation and impact from the outside to the external storage device.例文帳に追加

筐体にディスク状記録媒体を収容する外部記憶装置と、この外部記憶装置を収容する情報処理装置の格納部と、の隙間に介在させる弾性材でなる緩衝部材であって、特に外部からの振動や衝撃が外部記憶装置に伝わりにくく、取付けが容易な緩衝部材を提供する。 - 特許庁

Since the supply flow rate of the processing gas is set smaller than the discharge flow rate in the processing gas discharging path, the negative pressure in the processing chamber 20 generated by a flow rate difference causes the purge gas in the buffer chamber 7 to be supplied to the processing chamber 20 via a purge gas supply hole 74 which is a gap between the container body 2 and the lid member 3.例文帳に追加

前記処理ガスの供給流量は、前記処理ガス排気路における排気流量よりも小さく設定されているので、これらの流量の差により生じた処理室２０内の負圧により、バッファ室７内のパージガスが、前記容器本体２と蓋体３との隙間よりなるパージガス供給孔７４を介して処理室２０に引き込まれる。 - 特許庁

To provide an ultrasonic polishing tool with excellent workability and reliability, which prevents loading of a buff sheet by automatically and repeatedly supplying loose abrasive grain contained in slurry, etc. by suction and discharging the loose abrasive grain and polishing chips from a gap between fibers of the buffer sheet by changing thickness of the buff sheet by performing polishing, while vertically vibrating the buff sheet at a distal end of a tool by an ultrasonic vibrator.例文帳に追加

超音波振動子によって工具先端のバフシートを縦振動させながら研磨を行うことにより、バフシートの厚みを変化させその繊維間の隙間からスラリー等に含まれる遊離砥粒の吸引による供給と遊離砥粒及び研磨屑の排出が自動的に繰返し行なわれ、バフシートの目詰まりを防止できる加工性、信頼性に優れた超音波研磨工具を提供する。 - 特許庁

A multilayered structure of a buffer layer 41, an internal-electrode conducting layer 42, a dielectric layer 43, and an external-electrode conducting layer 44 is formed on a ceramic substrate, with a gap 5 of an appropriate depth to intersect the ceramic substrate in a cutting process after completion of overall structure.例文帳に追加

セラミック製基板上にバッファ層４１、内側の電極導体層４２、誘電体層４３、および外側の電極導体層４４からなる多層構造を形成し、全体の構造が出来上がった後に切削工程で適切な深さの間隙５をセラミック製基板を横断する形で形成することで、２つの重なり合った電極層４２、４４が横断的な間隙に相対する２つの部分に分けられ、かつ誘電体層４３によっても内側の電極導体層４２および外側の電極導体層４４に隔てられる。 - 特許庁