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in-layer variableの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 193件
The contactless IC inlet 4 is disposed in such a manner that the optical variable device (function layer 9) faces the inside of the window section 7 of the surface-side coated body 2, via the inlet base material 8.例文帳に追加
非接触ICインレット4は、光学変化デバイス(機能層9)がインレット基材8を介して表側被覆体2の窓部7内に臨むように、配置されている。 - 特許庁
To provide a method for producing a prepreg which is effective to enable an internal layer circuit to have a decreased variable dispersion in dimension caused by molding for producing a multilayer board.例文帳に追加
多層板を製造する際の成形による内層回路の寸法変動バラツキを小さくするのに有効なプリプレグを得ることができるプリプレグの製造方法を提供する。 - 特許庁
The variable capacitive element using a ferroelectric substance is provided with a ferroelectric layer 21, connected between first and second electrodes 22, 24; the ferroelectric layer 21 has a Perovskite structure that is phase-transformed from cubic crystal to tetragonal phase by compression stress Y that the ferroelectric layer has inside; and by using the ferroelectric layer, the variable capacitive element can be reduced in size.例文帳に追加
本発明は、強誘電体を用いた可変容量素子において、第1及び第2の電極22、24の間に接続された強誘電体層21を備え、前記強誘電体層21は、自らが内部に持つ圧縮応力Yにより立方晶から正方晶へ相変態したペロブスカイト型構造を有することを特徴とする可変容量素子を用いることで、可変容量素子の小型化を実現できるものである。 - 特許庁
A resistance variable electronic device includes: a substrate 101 including a step 102; a graphene layer 103 formed on the substrate 101 including the step 102; a probe 105 movable on the graphene layer 103 in contact with the graphene layer with predetermined contact pressure; and a common electrode 104 connected to the graphene layer 103.例文帳に追加
段差部102を備えた基板101と、段差部102を含めた基板101の上に形成されたグラフェン層103と、所定の接触圧でグラフェン層103に接触してこの上を移動可能とされているプローブ105と、グラフェン層103に接続する共通電極104とを備える。 - 特許庁
The difference in the contact areas between the lower and upper electrodes 19, 21 causes an electric field concentration in the variable resistance layer 20, resulting in the generation of a resistance change area 20a near the part to which the lower electrode 19 is connected.例文帳に追加
そして、この電極19、21の接続領域の相違により、可変抵抗層20では、電界集中が生じ、下部電極19が接続された部分近傍に抵抗変化領域20aが発生する。 - 特許庁
To provide a highly precise element which enables stable transmission of power in a continuously variable transmission by forming a good lamination layer condition and to provide a method for punching the element of belt for continuously variable transmission in which the element can be obtained extremely simply.例文帳に追加
良好な積層状態を形成して無段変速機において安定した動力の伝達が行なえる高精度なエレメントを提供すると共に、そのエレメントを極めて簡単に得ることができる無段変速機用ベルトのエレメントの打抜き加工方法を提供する。 - 特許庁
To form the variable resistance semiconductor memory, a through-hole part is formed in the insulating layer 11, and the exposed surface of the conductive layer 12 is provided with an electrode 13 made of metal nano particles using ferritin containing a metal compound.例文帳に追加
抵抗変化型の半導体メモリを形成するには、絶縁層11に貫通ホール部を形成して露出した導電層12表面に、金属化合物を内包するフェリチンを用いて、金属ナノ粒子からなる電極13を設ける。 - 特許庁
An internal combustion engine 10 includes a fuel injection valve 50 in which a circumference wall part of the injection hole 56 is formed of a magnetostriction coating layer 58, and a variable injection hole device 60 capable of applying magnetic field on a part of the coating layer 58.例文帳に追加
内燃機関10は、噴射孔56の周壁部が磁歪性のコーティング層58により形成された燃料噴射弁50と、コーティング層58の一部に磁界を作用させることが可能な噴射孔可変装置60とを備える。 - 特許庁
A variable resistive element 2 is configured by sandwiching a resistance change layer (first metal oxide film) 13 and a control layer (second metal oxide film) 14 in contact with a first electrode 15 between the first electrode 15 and a second electrode 12.例文帳に追加
可変抵抗素子2は、第1電極15と第2電極12の間に抵抗変化層(第1の金属酸化物膜)13、及び、第1電極15と接する制御層(第2の金属酸化物膜)14を挟持して構成される。 - 特許庁
To provide a label without ground paper which is applicable for printing of variable information by a means of thermal transfer method, allows the material of a label substrate, a stripping agent layer and adhesive layer to be provided with a diversity and is excellent in preservability and durability.例文帳に追加
熱転写方式による可変情報の印字に適用可能で、ラベル基材、剥離剤層および粘着剤層の材料に多様性を持たせることができ、保存性および耐性にすぐれた台紙なしラベルを提供する。 - 特許庁
The first lamination part includes a first ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a first direction having a component perpendicular to a film face, a second ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction perpendicular to the film face, and a frist non-magnetic layer provided between the first and the second ferromagnetic layers.例文帳に追加
第1積層部は、膜面に対して垂直な成分を有する第1の方向に磁化が実質的に固着された第1の強磁性層と、磁化の方向が膜面に対して垂直な方向に可変である第2の強磁性層と、第1、第2の強磁性層の間に設けられた第1の非磁性層と、を含む。 - 特許庁
The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction parallel with the film face, a fourth ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a second direction having a component perpendicular to the film face, and a second non-magnetic layer provided between the third and the fourth non-magnetic layers.例文帳に追加
第2積層部は、磁化の方向が膜面に対して平行な方向に可変である第3の強磁性層と、膜面に対して垂直な成分を有する第2の方向に磁化が実質的に固着された第4の強磁性層と、第3、第4の強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層と、を含む。 - 特許庁
A depletion layer becomes large due to the pn-junction between the impurity-concentration regions, so that a variation in the width of the depletion layer by the control of the reverse bias voltage can be made large to increase a variation in electrostatic capacitance, thereby providing a large variable capacitance ratio.例文帳に追加
低不純物濃度同士のpn接合により、空乏層が大きくなるので、逆バイアス電圧の制御による空乏層の幅の変化を大きくすることができ、これによって静電容量の変化が大きくなって、可変容量比が大きくなる。 - 特許庁
The current density is increased whereby a magnetic field, sufficient for rotating the variable magnetizing direction in the data layer of the memory cell, is produced by a current smaller than the current which flows through the conductors.例文帳に追加
電流密度が増大するため、メモリセルのデータ層内の可変磁化方向を回転させる十分な磁界を導体内を流れる一層小さな電流により生成できる。 - 特許庁
Thus, even in the case of adopting a variable displacement compressor 1, hunting can be suppressed by delay effects of both the layer 33 and the space S.例文帳に追加
このように、断熱層33と断熱空間Sとの両方による遅延効果により、可変容量型圧縮機1を採用する場合でもハンチング現象の発生を抑えることができる。 - 特許庁
In the liquid crystal layer 20 of the liquid crystal lens 1, a variable lens region where a refractive index is changed by voltage applied to the first electrode 12 and the second electrode 32 is formed.例文帳に追加
また、液晶レンズ1の液晶層20は、第1電極12及び第2電極32に印可された電圧により、屈折率が変化する可変レンズ領域を形成する。 - 特許庁
In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented randomly without being oriented in a specific direction.例文帳に追加
支持基板1上に下部電極層2、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層3、上部電極層4を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層3が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が特定方向に配向のすることがない、ランダム配向している。 - 特許庁
To provide a phased array antenna which has a plurality of variable phase shifter each configured by using a variable dielectric constant dielectric body whose dielectric constant varies with an applied voltage, and which reduces dispersion in dielectric constants of variable dielectric constant dielectric body layer, can be controlled by a single applied voltage, less deforms a beam shape even in beam tilt, and can maintain a high directivity gain.例文帳に追加
印加電圧により誘電率が変化する可変誘電率誘電体を用いて構成された可変移相器を複数有するフェーズドアレイアンテナにおいて、可変誘電率誘電体層の誘電率のばらつきを低減し、単一の印加電圧により制御可能とし、ビームチルト時でもビーム形状の崩れが少なく、高い指向性利得が維持できるアンテナを実現する。 - 特許庁
In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented on (110) surface.例文帳に追加
支持基板1上に下部電極層2、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層3、上部電極層4を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層3が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が(110)面に配向している。 - 特許庁
The semiconductor device in this invention is characterized in that a variable potential insulating electrode 5 and a gate region 9 are held at the same potential through an Al layer 15, and they are used as a voltage drive type semiconductor element.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、可変電位絶縁電極5とゲート領域9とをAl層15を介して同電位に保ち、主に、電圧駆動型の半導体素子として用いることに特徴を有する。 - 特許庁
The semiconductor device in this invention is characterized in that a variable potential insulating electrode 5 and a gate region 9 are held at the same potential through an Al layer 16, and they are used as a voltage drive type semiconductor element.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、可変電位絶縁電極5とゲート領域9とをAl層16を介して同電位に保ち、主に、電圧駆動型の半導体素子として用いることに特徴を有する。 - 特許庁
When additionally recording in the optical disk, the optical axis angle of the angle variable rising mirror 10 is adjusted such that a tracking error signal of a recording layer detected by the first light beam becomes almost zero, in a state that tracking control to a guide layer is performed by the second light beam.例文帳に追加
光ディスクに追加記録する際、第2の光ビームでガイド層へのトラッキング制御を行っている状態で、第1の光ビームで検出される記録層のトラッキング誤差信号がほぼゼロとなるように角度可変立上げミラー10の光軸角度を調整する。 - 特許庁
Then, the variable electrode part 3 in which the electrode pattern 12 is formed is contacted with the display main body 2, and a luminescence of the display image corresponding to the electrode pattern 12 is displayed by applying a driving voltage between the transparent electrode layer 8 of the display main body 2 and the variable electrode part 3.例文帳に追加
そして、電極パターン12が形成された可変電極部3を表示本体部2に当接させ、表示本体部2の透明電極層8と可変電極部3との間に駆動電圧を印加することで、電極パターン12に対応した表示画像が発光表示されるようにする。 - 特許庁
The memory cell MC is equipped with: a variable resistance element VR formed of an insulating layer 26, including a metal oxide film 26, and reversibly changing a resistance value by applying energy; and an MIIM diode DI including a metal oxide film 24b and connected in series to the variable resistance element VR.例文帳に追加
メモリセルMCは、絶縁層26にて構成されて、金属酸化膜26を含みエネルギー印加によって抵抗値を可逆的に変化させる可変抵抗素子VRと、金属酸化膜24bを含み、可変抵抗素子VRと直列接続されたMIIMダイオードDIとを備える。 - 特許庁
Then, the current value of the variable constant current circuit 22 is controlled in accordance with a rotational speed of the optical disk by a control circuit 24 to optimize a time constant of the smoothing circuit 18 by setting a current value of the variable constant current circuit 22 to be larger as the rotational speed of the optical disk becomes layer.例文帳に追加
そして、制御回路24は、光ディスクの回転速度に応じて可変定電流回路22の電流値を制御し、光ディスクの回転速度が大きいほど可変定電流回路22の電流値を大きい値に設定して平滑回路18の時定数を最適化する。 - 特許庁
An active layer 15 has a structure of a different gain wavelength along the waveguide direction of light, and at least one electrode layer 19 on a upper or lower surface is constituted of two or more electrodes 19a, 19b and 19c separated from each other in the waveguide direction so that the spectrum distribution of light emitted from the active layer 15 is made variable.例文帳に追加
活性層15が光の導波方向に沿って利得波長の異なる構造を備え、上面または下面の少なくともいずれか一方の電極層19を、活性層15が生ずる光のスペクトル分布を可変とするように、導波方向に互いに分離された2以上の電極19a、19bおよび19cから構成する。 - 特許庁
In such a case, for example, the lower electrode is formed on a first wiring layer, the upper electrode is formed on a second wiring layer, a pair of connecting lines for parallel connecting the inductor and the variable capacitor are formed on a third wiring layer, and the upper and lower electrodes are respectively connected to a pair of connecting lines via through holes.例文帳に追加
この場合、例えば、下部電極を第1の配線層に形成し、上部電極を第2の配線層に形成し、インダクタと可変容量とを並列接続する一対の結線を第3の配線層に形成し、上部電極及び下部電極を前記一対の結線にそれぞれスルーホールを介して接続する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device, which stably operates while securing sufficient current capacity in a crosspoint type configuration that is constituted by combining non-ohmic elements and a variable resistance layer.例文帳に追加
非オーミック性素子と抵抗変化層とを組み合わせたクロスポイント型構成において充分な電流容量を確保し、安定な作動が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
In a method of configuring a physical layer in magnetic field based low frequency band radio communication, a data rate and a coding system of a payload field contained in a request frame and a response frame between a master and a frame is made variable in accordance with a peripheral communication environment within a predetermined range.例文帳に追加
磁場ベースの低周波帯の無線通信における物理層の構成方法において、マスターとスレーブとの間の要求フレーム及び応答フレームに含まれたペイロードフィールドのデータ率とコーディング方式を、予め決まった範囲内で周辺の通信環境に従って変更できるようにする。 - 特許庁
In the optical multilayered structure 1, a first layer 11 which is brought into contact with a substrate 10 and absorbs light, a gap part 12, which has a variable size such that an interference phenomenon of light can be brought about, and a second transparent layer 13 are arranged on the substrate 10, in this order.例文帳に追加
光学多層構造体1は、基板10の上に、この基板10に接する、光の吸収のある第1の層11、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその大きさを変化させることのできる間隙部12、および透明の第2の層13をこの順で配設した構成を有する。 - 特許庁
The image decoding device has a VOP rate information decoding means for decoding VOP rate information which is constituted of a plurality of VOPs, encoded and included in a header information part of a layer in an order higher than a VOP layer and represents that the number of VOPs to be displayed per unit time is a fixed rate or a variable rate.例文帳に追加
複数のVOPからなりVOPレイヤより上位であるレイヤのヘッダ情報部分に符号化されて含まれ、単位時間あたりに表示するVOPの数が固定レートであるか可変レートかを表すVOPレート情報を復号するVOPレート情報復号手段を備えたものである。 - 特許庁
Printing equipment having a selecting part 3 and a controlling part 4 executes color printing by irradiating a variable heat quantity from a printing head 8 against a printing paper 1 having an imaging layer 11 formed by laminating a plurality of thermosensitive primary color layers so as to melt the crystals in a primary color layer 11b in response to the heat quantity.例文帳に追加
複数の感熱原色層を積層したイメージング層11を有する印刷用紙1に対して印刷ヘッド8より可変熱量を照射し、熱量に応じて原色層11b内の結晶を溶解することによって、カラー印刷を行う印刷装置は、選択部3と、制御部4と有する。 - 特許庁
This light transmittance variable system can change transmittance of the light passing through a glass part in a state of being substantially sealed by the two glass and the frame, and reflects and absorbs a part or the whole of the transmitted light of passing through an inside air layer by a state change in gas of the inside air layer of the glass part.例文帳に追加
2枚のガラスと枠によりほぼ密閉された状態のガラス部を透過する光の透過率を変更可能な光透過率可変システムにおいて、前記ガラス部の内部空気層の気体の状態変化により、前記内部空気層を透過する透過光の一部又は全部を反射・吸収する。 - 特許庁
When an optical path length difference of a wavelength filter is chirp-modulated (chirped); an adjacent mode suppression ratio to the main mode by chirping, a light confinement coefficient of an active layer and the active layer length, and the desired wavelength variable region Δλ_c, are set in a prescribed relation.例文帳に追加
また、波長フィルタの光路長差をチャープ変調(チャーピング)する際に、チャーピングによる主モードに対する隣接モード抑圧比、活性層の光閉じ込め係数、活性層長などと、所望の波長可変領域Δλ_cとを、所定の関係になるように設定した。 - 特許庁
The variable capacitance element comprises a pair of signal electrodes 24, 25 provided with a dielectric layer 28 interposed therebetween, and a pair of control electrodes 23, 26 provided with the dielectric layer 28 interposed therebetween so as to generate a control electric field in a direction crossing a signal electric field generated between the signal electrodes 24, 25.例文帳に追加
誘電体層28を挟持して設けられた対の信号電極24,25と、信号電極24,25間で発生する信号電界と交差する方向に制御電界を発生させるように、誘電体層28を挟持して設けられた対の制御電極23,26とから構成する。 - 特許庁
To provide a formation capable of visualizing brilliance of a light reflection layer and visualizing an OVD (optical variable device) image in particular when the light reflection layer is an OVD, under reflection light and capable of visualizing another latent image pattern under transmission light.例文帳に追加
反射光下においては、光反射層の光沢を視認することができ、特に光反射層がOVDの場合には、OVD画像を視認することができ、透過光下においては別の潜像模様を視認することができる形成体を提案することを目的とする。 - 特許庁
The variable capacitor is constituted of a pair of signal electrodes 3, provided so as to sandwich a dielectric layer 4, and a pair of control electrodes 2, provided to sandwich the dielectric layer 4 so as to generate a control electric field in a direction intersecting with the signal electric field generated between the signal electrodes 3.例文帳に追加
誘電体層4を挟持して設けられた対の信号電極3と、信号電極3間で発生する信号電界と交差する方向に制御電界を発生させるように、誘電体層4を挟持して設けられた対の制御電極2とから、可変容量素子を構成する。 - 特許庁
A driving electrode 3 is arranged between a display medium layer 7 which has display memory property and a variable resistance layer 6 which varies in resistance value by light irradiation, and a reset electrode 4 and a connection electrode 4c for each pixel are arranged with the driving electrode 3 interposed between voltage division control layers 5.例文帳に追加
表示メモリ性のある表示媒体層7と、光照射によって抵抗値が変化する可変抵抗層6との間に駆動電極3を配置し、駆動電極3を分圧制御層5で挟んで画素ごとの解除電極4と接続電極4cとを配置する。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板30の上方の同一レベル層に設けられたビット線BL,/BLと、ビット線BLの下方に設けられかつ直列に接続された第1の抵抗変化素子10及び第1のMOSFET20と、ビット線/BLの下方に設けられかつ直列に接続された第2の抵抗変化素子10及び第2のMOSFET20とを含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which is capable of causing a great change in the resistance of a variable resistance layer by a few times of voltage pulse application and shows high working speed, and also provide a driving method for the semiconductor device.例文帳に追加
少ない回数での電圧パルスの印加によっても可変抵抗層に大きな抵抗値の変化を引き起こすことが可能であって、動作速度の速い半導体装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁
The step of generating the variable-capacitance cell layout data includes a step of laying out the control wires to set resistance per unit length in the same wiring layer equal to that of the signal wire.例文帳に追加
前記可変容量セルレイアウトデータを生成するステップは、前記制御配線を、同一配線層内で単位長あたりの抵抗が前記信号配線のそれと同じになるように、レイアウトするステップを含んでいる。 - 特許庁
To provide a liquid developing device which can reduce wasteful liquid toner by enabling thin layer region width of a developer to be variable corresponding to change of an image writing-in region.例文帳に追加
本発明の液体現像装置は、現像剤の薄層領域幅を画像書込領域の変更に応じて可変できることにより、無駄な液体トナーを少なくできる液体現像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an easily adhesive film getting an adhesive property on variable processings without using a crosslinking agent such as a melamine resin which has a feare of polluting the environment and also provided with a primer layer superior in heat resistance for a high temperature hot water.例文帳に追加
環境を汚染するおそれのあるメラミン樹脂等の架橋剤を用いなくても各種加工時の接着性が得られ、かつ、高温熱水耐性に優れたプライマー層をもつ、易接着フィルムを提供する。 - 特許庁
A pixel electrode 13 is formed in a matrix shape on a transparent substrate 12 and a silazane compound solution is applied on the transparent substrate 12, and the silazane compound undergoes hydrolysis-polymerization to form a wettable variable layer 14'.例文帳に追加
透明基板12上に画素電極13をマトリクス状に形成し、この透明基板12をシラザン化合物溶液塗布して、ラザン化合物を加水分解重合させ、濡れ性可変層14’を形成する。 - 特許庁
A current is applied to a semiconductor layer between two superlattice reflection films for change in refractive index for light, and a distance between the superlattice reflective films is changed equivalently, for a wavelength-variable function.例文帳に追加
2つの超格子反射膜の間の半導体層に電流を印加することで光の屈折率を変化させ、超格子反射膜の距離を等価的に変えることにより波長可変機能を有することができる。 - 特許庁
In this attraction carrying method for manufacturing the printed circuit board 1 having a conductive layer on an insulating base material, an electrostatic attraction mechanism with the variable applied voltage is employed in an attraction means 3 of the printed circuit board 1.例文帳に追加
絶縁性基材上に導電性層を有するプリント配線板1を製造するための工程における吸着搬送方法において、該プリント配線板1の吸着手段3が印加電圧が可変である静電吸着機構を用いること。 - 特許庁
There is disclosed the image display device and the image display method thereof that may generate a plurality of directional lights based on a number of views of an input image by using a variable scattering feature of a variable scattering layer included in a backlight part, and may output a multi-view image by using the generated plurality of directional lights.例文帳に追加
バックライト部に含まれた可変散乱層の可変散乱の特性を用いて入力映像の視点数に基づく複数の指向性光を生成し、前記生成された複数の指向性光を用いて多視点映像を出力する映像表示装置および前記映像表示装置の映像表示方法が開示される。 - 特許庁
To reduce loss for enhancement of the efficiency of operating a motor drive system using both a secondary battery and a voltage variable energy storage element such as an electric double-layer capacitor by stopping a power converter (DC/DC converter) when no power is given or received or a small amount of power is given and received in the voltage variable energy storage element.例文帳に追加
二次電池と、電気二重層キャパシタ等の電圧可変形エネルギー貯蔵素子とを併用したモータ駆動システムにおいて、電圧可変形エネルギー貯蔵素子の電力授受が無いとき、または、その量が少ないときに電力変換器(DC/DCコンバータ)を停止させることで損失を低減し、運転効率の向上を図る。 - 特許庁
This optical pickup device 4 is provided with a variable-shaped mirror 19 which includes a mirror layer 19a in one surface and a photorefractive plastic 19b for bending/restoring by irradiating a light of a specific wavelength, and a variable-shaped mirror light source 24 for emitting a light of a specific wavelength.例文帳に追加
光ピックアップ装置4において、可変形ミラー19を一方の面にミラー層19aを有し特定波長の光を照射することで屈曲及び復元する光屈曲性プラスチック19bで構成したものを用い、特定波長の光を出射する可変形ミラー用光源24を設けた。 - 特許庁
The semiconductor variable resistor 10 is provided with a substrate 1, a first conductive semiconductor layer 2 formed on the substrate 1, a plurality of second conductive diffusion resistors 3 formed in the semiconductor layer 2, an insulating film 4 formed on the semiconductor layer 2, and a control electrode 5 formed on the insulating film 4.例文帳に追加
本発明に係る半導体可変抵抗素子10は、基板1と、基板1上に形成され第1導電型を有する半導体層2と、その半導体層2中に形成され第2導電型を有する複数の拡散抵抗3と、その半導体層2上に形成された絶縁膜4と、その絶縁膜4上に形成された制御電極5とを備える。 - 特許庁
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