「inside the gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A molten resin material is injected into the circular cavity 51 through the injection gate 52, thereby filling the inside of the circular cavity 51 with the resin material toward both ends in an axial direction L to mold the insulating cylinder 3.例文帳に追加

溶融した樹脂原料を注入ゲート５２から環状キャビティ５１内に注入することにより、樹脂原料を環状キャビティ５１内を軸方向Ｌの両端部に向けて充填させ、絶縁筒３を成形する。 - 特許庁

A tail gate 1 provided with the pull pocket P held by the hand when the door is operated has a door panel 2, a lining 3 mounted at the inside of a cabin of the door panel 2 and a pull pocket member 4 mounted on the lining 3.例文帳に追加

ドア操作時に手を掛けるためのプルポケットＰを備えるテールゲート１は、ドアパネル２と、ドアパネル２の車室内側に取り付けられるライニング３と、ライニング３に取り付けられるプルポケット部材４と、を有する。 - 特許庁

A contact hole 46 is made penetrating the interlayer film 44, without exposing the transfer gate 34 to expose the surface of the silicon substrate 32 over the inside of the hollow node 48.例文帳に追加

トランスファゲート４４を露出させることなく層間膜４４を貫通して、中空ノード４８の内部にシリコン基板３２の表面を露出させるコンタクトホール４６を形成する。 - 特許庁

A first isolation region 14 and a second isolation region 8 are formed inside the top surface of a P substrate 13, a source 5c, a channel 15, and a drain 5b are formed inside the first isolation region 14, and a gate 5a is arranged on the channel region 15 for formation of an NMOSFET 5.例文帳に追加

Ｐ基板１３の上面内部に第１分離領域１４及び第２分離領域８を形成し、第１分離領域１４内にソース５ｃ、チャネル１５及びドレイン５ｂを形成してその上部にゲート５ａを配置することによりＮＭＯＳＦＥＴ５を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 5 of the thin film transistor is formed on the polysilicon film 4 having the source region 4a and the drain region 4b of the thin film transistor inside.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース領域４ａ及びドレイン領域４ｂを内部に有するポリシリコン膜４上には、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

Then, a gate oxide film 13B thinner than the trench oxide film 16 is formed in the trench 17 by thermal oxidation of the N-type semiconductor layer 12 including the inside of the trench 17.例文帳に追加

そして、トレンチ１７内を含むＮ−型半導体層１２を熱酸化することにより、トレンチ酸化膜１６よりも薄いゲート酸化膜１３Ｂをトレンチ１７内に形成する。 - 特許庁

Tips of the plurality of carbon nanotubes 7 are cut along lines L extending from a position in the vicinity of the inside surface of a gate electrode layer 3a toward the lower side or the obliquely lower side.例文帳に追加

複数のカーボンナノチューブ７の先端がゲート電極層３ａの内側面の近傍の位置から下方または斜め下方に向かって延びるラインＬに沿って切り揃えられている。 - 特許庁

An insulating film is formed on the surface of the first trench, and a trench gate is formed by embedding polysilicon up to a surface where the insulating layer is formed inside the first trench through the insulating film.例文帳に追加

前記第１のトレンチの表面に前記絶縁膜を形成し、この絶縁膜を介して、前記第１のトレンチ内において前記絶縁層の形成されている面までポリシリコンを埋め込むことによりトレンチゲートを形成する。 - 特許庁

In addition, after the inside of the contact hole is filled with a metal 28 such as tungsten, an impurity area 32 is formed only on the lower part of the gate electrode 16 by ion injection over the whole active area.例文帳に追加

また、コンタクトホール内をタングステンのような金属２８で充填した後、活性領域の全体に亙ってイオン注入工程を実施することにより、ゲート電極１６の下部にのみ不純物領域３２を形成する。 - 特許庁

A space G between the gate electrode 2 and the dummy electrode 18 which can be seen inside the linear contact when viewed from the top is filled up with the side wall insulation film 3 in such a degree as not to expose a semiconductor substrate.例文帳に追加

上から見たときに上記直線状コンタクト部の内部に現れるゲート電極２とダミー電極１８との間の間隙Ｇは、半導体基板を露出させない程度にサイドウォール絶縁膜３によって埋められている。 - 特許庁

The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁

For the exposed part of each terminal from the sealing resin 6, an exposed part of the gate terminals 4a, 4b is disposed inside with an exposed part of the source terminals 3a, 3b disposed on the outside.例文帳に追加

各端子の封止樹脂部６からの露出部は、内側にゲート端子４ａ，４ｂの露出部が配置し、その外側にソース端子３ａ，３ｂの露出部が配置している。 - 特許庁

When the weight 106 returns inside the flying cylinder 102, it is contained in a containing section 108 because the stopper 112 of the gate mechanism 110 is kept open with the self-retaining relay circuit 204.例文帳に追加

おもり１０６が飛翔筒１０２内を戻ると、自己保持リレー回路２０４によってゲート機構１１０のストッパ１１２が開いた状態を保持しているため、収納部１０８内に収まる。 - 特許庁

The gate valve 10 for vacuum is provided with a casing 12 having an opening, a valve plate 14 which opens and closes the opening by oscillating the inside of the casing 12, and a motor 16 which drives the valve plate 14.例文帳に追加

真空用ゲートバルブ１０は、開口を有するケーシング１２と、このケーシング１２内を揺動して開口を開閉するバルブプレート１４と、このバルブプレート１４を駆動するモーター１６とを備えている。 - 特許庁

Junctions between the high concentration impurity region of a first conductivity type and the impurity region of a second conductivity type are disposed just below the edges of the gate electrode or a little inside or outside of the edges.例文帳に追加

半導体基板表面における、第１導電型の高密度不純物領域と、第２導電が他の不純物領域との接合部は、ゲート電極のエッジ直下に位置するか、あるいはそれよりわずかに内側または外側に位置する。 - 特許庁

Inside the lower peripheral region of the control gate electrode 12, part of an element isolation region, adjacent to the source region that is sandwiched by the field oxide film 19, is removed, and the source region is formed.例文帳に追加

コントロールゲート電極１２の下部周辺領域のうち、フィールド酸化膜１９に挟まれたソース領域に隣接する領域における素子分離領域が一部削除されて、ソース領域が形成される。 - 特許庁

The first through hole 6 exposing the gate electrode 4 is formed in the first interlayer insulating film 5 so as to form the first conductor plug 7 inside the first through hole 6.例文帳に追加

第１層間絶縁層５にゲート電極４を露出する第１貫通孔６を形成し、第１貫通孔６の内部に第１導電体プラグ７を形成する。 - 特許庁

A recessed part 6 which continues in the direction of row of the cell chambers 4 is provided on the outer surface of the bottom part 5 of the battery case 1 and injection gate remains 7a, 7b are provided inside this recessed part 6.例文帳に追加

電槽１の底部５の外面に、セル室４の並び方向に連続した凹部６と、この凹部６内に射出ゲート跡７ａ，７ｂを有している。 - 特許庁

IDs of the personal tag and the vehicle tag are transmitted by use of a wireless LAN access point inside or outside premises, and certain control of the gate access of the occupant is performed by performing a check of the vehicle tag on a control server side.例文帳に追加

構内もしくは構外の無線LANアクセスポイントを利用して、個人タグと車両タグのIDを送信し、管理サーバ側で車両タグの突合せを行うことで、乗員の確実な入退門の管理を行う。 - 特許庁

To uniformalize the particle size of water granulated object by specify ing the splashing-down position of the molten object discharged from the tapping gate of a waste melting furnace and by improving dispersing efficiency by the water flow of a water granulating nozzle inside a water granulating pit.例文帳に追加

廃棄物溶融炉の出湯口から排出される溶融物の着水位置を一定にし、水砕ピット内の水砕ノズルの水流による分散効率をよくし、水砕物の粒度を揃えることができる出湯装置の提供。 - 特許庁

Gates (3100, 3110) are rotatably pivoted in a horizontal direction in the front end section of the body and the gate can revolve along a locus passing through the inside of the body.例文帳に追加

ボディの前端部には、ゲート（３１００、３１１０）が水平方向回転自在に枢支され、ゲートは、ボディの内側をとおる軌跡にそって回転し得る。 - 特許庁

Also, a dust outlet 11 is communicated with the an outlet 12 so that dust and water accumulated at the gate portion of the dust outlet 11 and inside are discharged outside from the outlet 12 through the dust outlet 11.例文帳に追加

また、排出口１２には、塵埃排出口１１が連通しており、塵埃排出口１１の入口部分や内部に溜まった塵埃や水分は、上記塵埃排出口１１を通って排出口１２より機外に排出される。 - 特許庁

A supporting member 40 is installed inside the first leg part for strengthening the first leg in the place where the dual mode tail gate is coupled with the pillar.例文帳に追加

サポート部材４０は、デュアルモードテールゲートがピラーと連結する個所で該第１脚部を強化するために該第１脚部内に取り付けられる。 - 特許庁

After a long time of no promotion, in 1840, he assumed the position of Toka no sechie Naiben (a kugyo who supervised inside Jomei gate at Toka no sechie (Imperial Court ceremony) and in 1846, he was appointed as Naidaijin (minister of the center), Ukone no daisho (Major Captain of the Right Division of Inner Palace Guards), and Umaryo gogen (Inspector of the Right Division of Bureau of Horses). 例文帳に追加

その後長く昇格しなかったが、天保11年（1840年）には踏歌節会内弁に就任し、弘化4年（1846年）に内大臣・右近衛大将・右馬寮御監に任命された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The trench gate 30 is provided with a tunnel insulating layer 32 formed along the inner wail of a trench formed in the silicon substrate 10 and a conductive layer 34 formed inside the tunnel insulating layer 32.例文帳に追加

トレンチゲート３０は、シリコン基板１０に形成されたトレンチの内壁に沿って形成されたトンネル絶縁層３２と、トンネル絶縁層３２の内部に形成された導電層３４を有する。 - 特許庁

Diffusion layers 13, 13b and 13c of memory cells and select gate transistors inside the NAND cell unit are buried in the substrate 12 and do not touch the surface of the substrate 12.例文帳に追加

ＮＡＮＤセルユニット内のメモリセル及びセレクトゲートトランジスタの拡散層１３，１３ｂ，１３ｃは、基板１２中に埋め込まれ、基板１２の表面に接触していない。 - 特許庁

In the gate pad 8, a body layer 28 formed in a surface region of the semiconductor substrate 2 located outside of the curved part 5 is formed only inside of the loop.例文帳に追加

ゲートパッド８は、湾曲部５の外側に位置する半導体基板２の表面領域に形成されているボディ層２８は、ループの内側にのみ形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the TFT substrate 1 has a metal film 3b that is removed from over the gate line terminal 28 and is formed inside a pattern of the transparent conductive film 3a, over the transparent conductive film 3a.例文帳に追加

さらに、ＴＦＴアレイ基板１は、ゲート配線端子２８上では除去され、透明導電膜３ａ上において透明導電膜３ａのパターンの内側に形成された金属膜３ｂを有する。 - 特許庁

In addition, the inside wall on the second mold runner gate is provided with a plated through-hole 12a and/or a dummy trace 16 for removing resin formed on the mold runner between the gates.例文帳に追加

また、前記第２モールドランナーゲート上に内側壁が鍍金された貫通孔１２ａおよび／または前記ゲート間のモールドランナー上に形成される樹脂除去用ダミートレース１６を有する。 - 特許庁

A Schottky gate electrode 7 is disposed closer to the source electrode 5 in the channel layer 3 so as to be brought into contact with both the inside and the outside of a recess 8.例文帳に追加

チャネル層３に凹部８の中と外との両方に接触するようにショットキ−・ゲ−ト電極７をソ−ス電極５寄りに片寄って配置する。 - 特許庁

The hook body 2 is mounted between a gate panel provided on the side end in the truck load-carrying platform 100 and a load-carrying platform board provided on the inside thereof.例文帳に追加

このフック本体２は、トラック荷台１００における側端に設けられた煽り板と、その内側に設けられた荷台板との間に取り付けられる。 - 特許庁

A gate is provided with a hollow power transmission line pulling-out member 12 pulling the power transmission line 22 connected to a hydraulic power generator 11 from the inside of a water passage 1 to the outside of the water passage 1 via a supporting device 8.例文帳に追加

この発明は、水力発電機１１に接続されている送電線２２を、支持装置８を経由して水路１内から水路１外に引き出す中空状の送電線引き出し部材１２を備える。 - 特許庁

In the secondary injection, a light transmissive resin layer (30) is injection-molded so as to cover the gate marks (g1 and g2) respectively formed to the outside part (20a) and the inside part (20b).例文帳に追加

二次射出において、外側部分（２０ａ）と内側部分（２０ｂ）のそれぞれに形成されたゲート跡（ｇ１、ｇ２）を被覆するように光透過性樹脂層（３０）を射出成形する。 - 特許庁

A development container 101 is provided with a gate means 130 for regulating the passing of the developer so as to keep the developer inside the development container 101 to be a fixed amount.例文帳に追加

現像容器１０１に、当該現像容器１０１内の現像剤を一定量に保持するために、現像剤の通過を規制するゲート手段１３０を設けるように構成して課題を解決した。 - 特許庁

This raised flooring type working vehicle is obtained by mounting a driving conveyer 5 toward longitudinal direction on the inside of a vehicle which is gate type-like when viewed from the front and is formed of lateral traveling devices 2 and 2 and a load-carrying platform 4 for connecting the upper parts of the traveling devices 2 and 2.例文帳に追加

左右の走行装置２，２と、該走行装置２，２の上部を連結する荷台４で形成した正面視門型状の車体の内側に、前後方向に向けて駆動コンベア５を装架する。 - 特許庁

If a portable telephone 1 which carries a noncontacting IC comes in from an entrance gate 2, the portable telephone 1 will be in the state (state 2) wherein it sets to the bad space of the radio state, such as inside or a station yard or train.例文帳に追加

非接触ＩＣを搭載した携帯電話機１が入場ゲート２から入場すると、携帯電話機１は駅構内や電車の中など無線状態の悪い空間におかれた状態（状態２）となる。 - 特許庁

The transfer gate is arranged in the inside of a semiconductor base material being covered with an insulating film, and transfers signal charges to the impurity region from the photoelectric converting part.例文帳に追加

転送ゲートは、半導体基体の内部に絶縁膜で覆われて配置されてチャネル制御により、光電変換部から不純物領域へ信号電荷を転送する。 - 特許庁

The light shield film has an opening end extended to right above the photodetection portions 12 and has a larger projection width on a channel stop side (outside) than on the side of the readout gate 14 (inside).例文帳に追加

遮光膜は、開口端が受光部１２の直上位置にまで延び、チャネルストップ側（外側）の張り出し幅が読み出しゲート１４側（内側）の張り出し幅より大きく形成されている。 - 特許庁

Alternatively, this air suction/exhaust device can be constituted so as to be moved rearward during a molding process to discharge air from the opening part to press the molding material injected from a gate toward the inside of the cavity.例文帳に追加

或いは、成形工程中に復動して開口部からエアを吐出することによりゲートから注入される成形材料をキャビティの内部に向けて押圧するように構成することができる。 - 特許庁

Then, the temperature inside the furnace which is preferably under 800-900°C is raised to 850°C, and the silicon substrate, where a gate insulating film is made is taken out of the heating diffusion furnace (period T4).例文帳に追加

その後、８００〜９００℃が望ましい炉内温度を８５０℃に上げて、ゲート絶縁膜が形成されたシリコン基板を加熱拡散炉から取り出す（期間Ｔ４）。 - 特許庁

A plurality of insert wall pieces 5 are installed in such an arrangement that they are continued to one another on the inside of the gate plate 4, and thereby a bulk-up unit 7 is formed capable of making bulk increase of the object loading capacity of the load carrying platform 2.例文帳に追加

複数の差込壁体５をアオリ板４の内側で相互に連なった状態で配置することにより、荷台２の荷物積載容積を嵩増しすることが可能な嵩上げユニット７を構成する。 - 特許庁

Under a stand-by condition of a mobile equipment, a gate voltage of the transistor M1 is changed with the lapse of time by a sweep circuit 61 inside the control circuit 60 to increase ON-resistance of the transistor M1.例文帳に追加

携帯機器の待機時には、ゲート電圧制御回路６０内のスイープ回路６１により、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電圧を時間と共に変化させ、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のオン抵抗を大きくする。 - 特許庁

The layout of Edo is evident on the map as the shogunal, shinpan (Tokugawa's relatives), fudai daimyo, tozama daimyo, hatamoto and townspeople are positioned inside and outside a "の" shaped moat stretching from Ote-mon Gate to Sukiya-bashi Bridge. 例文帳に追加

これを地図で見るとちょうど大手門から数寄屋橋に至るまでの「の」の字の堀の内外に渦巻き上に将軍・親藩・譜代・外様大名・旗本御家人・町人が配置されている形になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At this time, constructed were the Nandai-mon Gate with a Nio statue sculptured by masters of the Kei school put inside, in addition to Tamukeyama Hachimangu Shrine and its principal image, the statue of Hachiman (God of War). 例文帳に追加

この時期に、南大門と、その中に納められた慶派が腕をふるった仁王像、手向山八幡宮、その本尊となった八幡神像などが造られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Next, a side wall including a silicon insulation film 8 covering the side and a silicon oxidation film covering silicon nitriding film 8 is formed on the inside of the gate electrode 3.例文帳に追加

次に、ゲート電極３の側面に、この側面を覆うシリコン絶縁膜８と、シリコン窒化膜８を覆うシリコン酸化膜とを含むサイドウォールを形成する。 - 特許庁