「inside the gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode is formed inside and above the trench portion with an insulating film therebetween.例文帳に追加

ゲート電極のゲート長方向の一方の側にはソース領域が形成されており、他方の側にはドレイン領域が形成されている。 - 特許庁

A unit cell has gate electrodes G having an open-loop structure formed on a semiconductor substrate 1, a fin-shaped drain region 2 formed in a region inside the gate electrodes G and a fin-shaped source region 3 formed in a region outside the gate electrodes G.例文帳に追加

ユニットセルは、半導体基板１上に形成された開ループ構造のゲート電極Ｇと、前記ゲート電極Ｇの内方となる領域にフィン状に形成されたドレイン領域２と、前記ゲート電極Ｇの外方となる領域に形成されたフィン状のソース領域３とを有する。 - 特許庁

After holding the positions of Chunagon (vice-chief councilor of state), Toka no sechie Geben (a Kugyo who supervised many matters outside Jomei Gate at Toka no sechie - Imperial Court Ceremonies), Dainagon (chief councilor of state), Toka no sechie Naiben (a Kugyo who supervised many matters inside Jomei Gate at Toka no sechie (Imperial Court Ceremony, that took place on May 16) and others, and he was appointed to Kotaigogu no daibu (master of the Empress Dowager's Household) to Yasuko TAKATSUKASA, who became Empress Dowager in 1847. 例文帳に追加

その後も中納言・踏歌節会外弁・大納言・踏歌節会内弁などを務め、弘化4年（1847年）に皇太后となった鷹司祺子の皇太后宮大夫となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Each source region is formed in a trapezoidal shape, whose lower side is located under the gate electrode (a gate insulative film) and whose upper side is exposed inside the source contact hole.例文帳に追加

各ソース領域は台形となり、台形の下辺はゲート電極（ゲート絶縁膜）の下に位置し、台形の上辺部分はソースコンタクト孔内に露出する。 - 特許庁

This MOSFET (semiconductor device) is provided with: a plurality of trenches 3 penetrating a P^-type impurity region 2b; and gate electrodes 5 formed on the inside surfaces of the trenches 3 through silicon oxide films (gate insulation films) 4.例文帳に追加

このＭＯＳＦＥＴ（半導体装置）は、Ｐ^-型不純物領域２ｂを貫通する複数のトレンチ３と、トレンチ３の内面上にシリコン酸化膜（ゲート絶縁膜）４を介して形成されるゲート電極５とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of reducing the residual stress left inside a semiconductor substrate, improving the gate insulating film in quality, and equipped with a dual gate insulating film structure.例文帳に追加

半導体基板内部の残留応力を低減するとともにゲート絶縁膜の膜質の改善が可能なデュアルゲート絶縁膜構造を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first tie bar 10 is so provided as to enclose a first mold region in which an inside resin part 20 is formed, except for the gate region formed by the gate part 9.例文帳に追加

上記ゲート部９により形成されたゲート領域を除いて、内側樹脂部２０が形成される第１モールド領域を囲うように第１タイバー１０を設ける。 - 特許庁

At the point of the time the filling factor of the molten metal within the plunger tip 17 attains 100%, the molten metal filled inside the sleeve 10 is made to be filled into a cavity 3 so as to communicate the gate 14 with the inside of the sleeve 10.例文帳に追加

可動スリーブ１０内部における溶湯の充填率が１００％に到達した時点で、ゲート１４と可動スリーブ１０内部とを連通させて、可動スリーブ１０内部に充填された溶湯をキャビティ３に充填させる。 - 特許庁

An elastic modulus of an outside part 30A of a gate rotor body 30 is larger than an elastic modulus of an inside part 30B of the gate rotor body 30.例文帳に追加

ゲートロータ本体部３０の外側部分３０Ａの弾性係数は、ゲートロータ本体部３０の内側部分３０Ｂの弾性係数よりも、大きい。 - 特許庁

A vehicle detection mechanism 7 having an outside gate 12 and an inside gate 13 and a vehicle discrimination mechanism 8 having two magnetic sensors 10a, 10b are provided on the vehicle detection means 3.例文帳に追加

車輌検出手段３に、外側ゲート１２と内側ゲート１３とを有する車輌検出機構７と、２つの磁気センサ１０ａ，１０ｂを有する車輌判別機構８とを設ける。 - 特許庁

Within a period during which picture lighting is turned off and then a switching element 4 controlling gate and source scanning lines is turned off, a scanning voltage is applied to gate inspection wiring 1 inside the liquid crystal cell and makes a TFT (thin film transistor) 5 operate.例文帳に追加

画像点灯ＯＦＦを行ってからゲート走査線及びソース走査線を制御するスイッチング素子４のＯＦＦ期間までに、液晶セル内のゲート検査配線１に走査電圧を印加しＴＦＴ５を動作させる。 - 特許庁

To provide a gate door provided with plate member attaching structure capable of fixing a plate material or a plate material connected to a functional article, in an inside of a panel material of the gate door, by a simple and inexpensive method.例文帳に追加

門扉のパネル材の内側に、簡易で安価な方法で板材又は機能品に接続された板材を固定することができる板材取付構造を備えた門扉を提供する。 - 特許庁

When an inside of a main exhaust chamber 5 is exhausted up to a given high degree of vacuum, a gate valve 6 is opened for exchange of a sample, and a control circuit 26 recognizes by an operation of a microswitch 9 that the gate valve 6 is opened.例文帳に追加

本排気室５内部が所定の高真空度まで排気されたら、試料交換のために仕切弁６を開き、マイクロスイッチ９の動作で制御回路２６が仕切弁６が開いたことを認識する。 - 特許庁

It is perceived by the audience that, after being divorced, uttering the lines of '…the abandoned woman has no home of her own in the three worlds, and, if no home, then no master. There is nobody to show a reserved attitude.' and the joruri expression of 'Even if this gate is fortified with large stones, the force of my will arising from my devotion to my husband shall force through the gate.', Hangaku gives a nod to her husband, rubs her hands together, gets to the front of the gate, and then touches the gate with the kaishi (paper folded and tucked inside the front of kimono) to push it. 例文帳に追加

板額は離縁されたのち「・・・去られた女房は三界に家なし、家が無ければ主もなし。誰に憚り遠慮せん。」の台詞と「たとえこの門磐石にて固めるとも、夫思いの我が念力、やわか通さでおくべきかと」という浄瑠璃の詞に乗り、夫に会釈ののちもみ手をして門前に行き、懐紙で門にあてて押すという演じ方が伝わっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The width of the element separation area on the end of the memory cell array is larger than the inside (T1>T2), and an interval between the floating gate electrodes on the end of the memory cell array is larger than the inside (S1>S2).例文帳に追加

メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が内部よりも大きく（Ｔ_１＞Ｔ_２）、かつ、メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が内部より大きくなっている（Ｓ_１＞Ｓ_２）。 - 特許庁

The embedded photodiode inside a picture element is formed in the protruding type structural region on the surface of a semiconductor substrate 1, or the transfer gate inside the picture element is formed on the recessed structure region on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

画素内部の埋め込みフォトダイオードが半導体基板表面の凸型構造領域に形成され、あるいは画素内部の転送ゲート構造が半導体基板表面の凹型構造領域に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a trench transistor including a trench formed in a semiconductor substrate, a gate electrode formed on the inside of the trench through a gate insulating film, a source and a drain arranged on the semiconductor substrate in the vicinity of the gate electrode through the gate insulating film wherein the gate insulating film in a region touching the source or the drain is formed thicker than that formed on the inside of the trench.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板に形成された溝と、前記溝の内部側にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の近傍の半導体基板に前記ゲート絶縁膜を介して配置されたソース及びドレインとを具備してなるトレンチゲートトランジスタを備えるとともに、前記ゲート絶縁膜において、前記ソース及びまたはドレインに接する領域のゲート絶縁膜の厚さが、前記溝の内部側に形成されているゲート絶縁膜の厚さよりも厚くされたことを特徴とする。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

The sand supply port open-close device includes a casing 2 communicated with a sand tank 1 in the casting mold forming apparatus, a gate member 4 which is provided inside of the casing and opens and closes a sand supply port by moving, an actuator 5 which moves the gate member, and a roller 8 which is arranged beneath the gate member and is mounted on the casing, and receives the gate member.例文帳に追加

鋳型造型装置におけるサンドタンク１に連通されたケーシング２と、該ケーシングの内部に配設されると共に移動することにより砂供給口を開閉させるゲート部材４と、該ゲート部材を移動させるアクチュエータ５と、前記ゲート部材の下方に配置されると共に前記ケーシングに装着され、前記ゲート部材を受けるローラ８と、を具備する。 - 特許庁

A transfer transistor of the pixel transistors includes a planar transfer gate electrode 42 formed on the surface of a semiconductor substrate and a vertical transfer gate electrode 43 insulated from the planar transfer gate electrode and vertically embedded into the inside of the semiconductor substrate while penetrating through the planar transfer gate electrode.例文帳に追加

画素トランジスタのうちの転送トランジスタは、半導体基板の表面に形成された平面型転送ゲート電極４２と、平面型転送ゲート電極と絶縁されて平面型転送ゲート電極を貫いて垂直方向に半導体基板の内部に埋め込まれた縦型転送ゲート電極４３とを有する。 - 特許庁

An active matrix substrate 2 is formed, so that a semiconductor layer 205b is formed at a part which goes over the edge of an gate electrode, including at least an edge 202a2 on a source electrode side of the gate electrode and a tip edge 101a3 of the gate electrode, while a source wiring 220 is provided inside the edge 202a2 on the source electrode side of the gate electrode.例文帳に追加

少なくともゲート電極のソース電極側の縁２０２ａ２とゲート電極の先端縁２０２ａ３を含むゲート電極の縁を乗り越える個所に半導体層２０５ｂが形成され、かつ、ソース配線２２０は、ゲート電極のソース電極側の縁２０２ａ２よりも内側に配置されるようにアクティブマトリクス基板２を形成する。 - 特許庁

When the game ball passes through inside of the left gate 14, the IC tag 4 and the antenna 5 detect the passage, and a loop counter for carrying out "lottery" inside of a control board is reset to an initial value.例文帳に追加

そして、左ゲート１４内を遊技球が通過すると、ＩＣタグ４とアンテナ５とによって、その通過を検知し、制御基板の内部で「抽選」を実行するループカウンタを初期値にリセットするようになっている。 - 特許庁

Since the elastic modulus of the inside part 30B is small, the inside part 30B is easily elastically deformed by back pressure, and prevents a deficit of the gate rotor 3 by improving yield strength to the back pressure.例文帳に追加

上記内側部分３０Ｂの弾性係数は、小さいので、この内側部分３０Ｂは、逆圧により、弾性変形し易く、逆圧への耐力向上によりゲートロータ３の欠損を防止する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate having a cell region and a non-cell region, and a trench gate formed at least on the cell region of the semiconductor substrate and including a trench, a gate insulation film formed on an inside wall of the trench and a gate electrode filled in the trench in a state of being covered with the gate insulation film.例文帳に追加

半導体装置は、セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、少なくとも半導体基板のセル領域に形成されており、トレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されているゲート電極とを有するトレンチゲートを備えている。 - 特許庁

The offset spacer 20 includes an inside offset spacer 20A formed on the gate electrode 17 side, and an outside offset spacer 20B formed on the side of the inside offset spacer 20A.例文帳に追加

オフセットスペーサ２０は、ゲート電極１７側に形成された内側オフセットスペーサ２０Ａと、内側オフセットスペーサ２０Ａの側面上に形成された外側オフセットスペーサ２０Ｂとを有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first-conductive-type base layer; a second-conductive-type base layer provided on the first-conductive-type base layer; gate insulating films; first-conductive-type source layers selectively provided on a surface of the second-conductive-type base layer, adjacent to the gate insulating films; gate electrodes provided inside the gate insulating films in trenches; and main electrodes.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１導電形ベース層と、第１導電形ベース層の上に設けられた第２導電形ベース層と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に隣接して第２導電形ベース層の表面に選択的に設けられた第１導電形ソース層と、トレンチ内におけるゲート絶縁膜の内側に設けられたゲート電極と、主電極とを備えた。 - 特許庁

To solve the problems that electric field concentration occurs at a corner inside a chip (3) at the time of applying a voltage, a gate oxide film inside a trench groove (7) is destroyed and electric short-circuit occurs in the vertical power MOS of a trench structure.例文帳に追加

トレンチ構造の縦型パワーＭＯＳにおいて、電圧をかけたときにチップ（３）内のコーナーにおいて電界集中が起き、トレンチ溝（７）内のゲート酸化膜が破壊され、電気的にショートする。 - 特許庁

The FINFET has: a channel layer 3 arranged in an arch shape on a silicon substrate 1 and made of monocrystalline silicon; a front gate electrode EG1 formed on a part of an outside of the channel layer 3 through a front gate insulating film IG1; and a back gate electrode EG2 formed so as to be buried inside the channel layer through a back gate insulating film IG2.例文帳に追加

ＦＩＮＦＥＴは、シリコン基板１上にアーチ形状に配置された単結晶シリコンからなるチャネル層３と、チャネル層３の外側の一部において、フロントゲート絶縁膜ＩＧ１を介して形成されたフロントゲート電極ＥＧ１と、バックゲート絶縁膜ＩＧ２を介して、チャネル層の内側を埋め込むようにして形成されたバックゲート電極ＥＧ２とを有する。 - 特許庁

The high voltage element includes drift regions formed inside a substrate, an element separation film formed inside the substrate to be deeper than the drift region, a gate electrode formed over the substrate and source and drain regions formed inside the drift regions on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

本発明の高電圧素子は、基板内に形成されたドリフト領域と、前記基板内に前記ドリフト領域よりも深く形成された素子分離膜と、前記基板の上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側の前記ドリフト領域内に形成されたソース領域及びドレイン領域とを備える。 - 特許庁

The storage layer is provided between the electrode film and the semiconductor pillar, the inside insulating film between the storage layer and the semiconductor pillar, the outside insulating film between the storage layer and the electrode film, and the selection gate insulating film is provided between the selection gate conductive film and the semiconductor pillar.例文帳に追加

記憶層は、電極膜と半導体ピラーとの間に、内側絶縁膜は、記憶層と半導体ピラーとの間に、外側絶縁膜は、記憶層と電極膜との間に、選択ゲート絶縁膜は、選択ゲート導電膜と半導体ピラーとの間に設けられる。 - 特許庁

The riser cleaning device includes a gate-shaped carriage 5 and a shaft part 10 that is passed through the top plate 6 of the gate-shaped carriage 5 and raised and lowered, inserts the lower part of the shaft part 10 into the riser 2 positioned below the top plate 6 and cleans the inside of the riser 2.例文帳に追加

門型台車５と、門型台車５の上面板６を貫通し且つ昇降可能な軸部１０と、を備え、上記軸部１０の下部を上面板６の下方に位置する上昇管２内に挿入して当該上昇管２内の掃除を行う上昇管掃除装置である。 - 特許庁

While ball entry to the gate 17 at the time of the condition device operation flag=1 is essential for the big winning game, since it is possible to aim at the gate 17 and make the ball enter, restrictions by opening time and the number of entering balls as in the case of providing it inside a variable winning device for instance are eliminated.例文帳に追加

大当たり遊技には、条件装置作動フラグ＝１でゲート１７ヘの入球が必須となるが、ゲート１７は、狙って入球させることが可能なので、例えば可変入賞装置内に設ける場合のように開放時間や入球個数に縛られることがなくなる。 - 特許庁

To provide an injection molding die which prevents a flow mark as a non-conforming appearance from being generated on the peripheral part of a gate in a molded product despite the type of the mold that the gate is cut inside the die and further, has an improved degree of freedom in the structure of the die.例文帳に追加

金型内でゲートカットを行なうようにした金型でありながら、成形品におけるゲートの周囲部分に外観不具合であるフローマークを生じさせることを防止すると共に、更に進んで金型構造の自由度を向上させた射出成形用金型を提供する。 - 特許庁

At the time of forming an n-type MOSFET 118 and a p-type MOSFET 120 in the inside of the region which operates with the same supply voltage, a gate insulating layer 106a of the n-type MOSFET 118 is made thicker than the thickness of a gate insulating layer 106b of the p-type MOSFET 120.例文帳に追加

同一の電源電圧で動作する領域内にＮ型ＭＯＳＦＥＴ１１８とＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２０とを形成する際に、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１８のゲート絶縁膜１０６ａの厚さをＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２０のゲート絶縁膜１０６ｂの厚さよりも厚くする。 - 特許庁

In the mold for the preform of the multilayer container which molds the preform 1 by successively injecting molten resins for forming the core layer 1a and the outside and inside skin layers 1b, 1c into the cavity through the gate 5 while opening/closing the gate 5 by the operation of the valve stem 6, the gate length (L) is set in the range of 15-30 mm.例文帳に追加

コア層１ａおよび内外スキン層１ｂ、１ｃ形成用の溶融樹脂を、バルブステム６の作動によりゲート５を開閉し、該ゲート５を介して順次キャビティ内へ射出してプリフォーム１を成形するための多層容器用プリフォームの成形型において、前記ゲート長さ（Ｌ）を１５〜３０ｍｍの範囲とした。 - 特許庁

Since latch operation is carried out by the 2nd load latch 4b after latching by the 1st load latch 4a, and rearranging data on the glass substrate, it becomes unnecessary to rearrange the digital pixel data inside the gate array, and the gate array becomes unnecessary.例文帳に追加

第１ロードラッチ４ａでラッチした後、ガラス基板上でデータの並び替えを行ってから第２ロードラッチ４ｂでラッチ動作を行うため、ゲートアレイ内部でデジタル画素データの並び替えを行う必要がなくなり、ゲートアレイが不要になる。 - 特許庁

A first control means opens a gate means and sends display data to a second control part to display the data when displaying and closes the gate means to disconnect the connection between the first control means and the inside of the second control means when performing memory access.例文帳に追加

第１の制御手段は、表示を行なう場合はゲート手段を開き、第２の制御部に表示データを送り込んで表示を行ない、メモリアクセスを行なう場合はゲート手段を閉じることにより第１の制御手段と第２の制御手段の内部との接続を分断する。 - 特許庁

A lock case 8c is provided between an upper vertical frame and a lower vertical frame constituting a vertical frame on the door stop side of the gate door rotatably supported on a gatepost, the lock case 8c is provided with a connecting part connected to the gate door, and a lock mechanism is provided in the inside of the lock case 8c.例文帳に追加

門柱に回動自在に支持された門扉の戸当り側の縦枠８を構成する上部縦枠と下部縦枠との間に錠ケース８ｃを設けるとともに、該錠ケース８ｃには上記門扉に連結する連結部を設け、上記錠ケース８ｃの内側には錠機構を設けた。 - 特許庁

A master telephone 2a of the interphone arranged at the inside 1 a of a house can communicate with the central control center 3 via a communication network 4, Also, by switching an absence switch 8, a slave telephone 2b arranged at the gate or outside 1b the gate can communication with the central control center 3.例文帳に追加

住戸内側１ａに配置されたインターフォンの親機２ａが通信網４を介して集中管理センター３と通信可能に構成され、在、不在スイッチ８を切り換えることで玄関または門の外側１ｂに配置された子機２ｂと集中管理センター３との間で通話が出来る。 - 特許庁

The inverter control means 40 outputs a gate arc-extinguishing signal to the switching elements outside the three-level inverter 14 and a gate ignition signal to the switching elements inside when the first element damage detection means detects the short circuit failure.例文帳に追加

インバータ制御手段４０は、第１の素子破壊検出手段が短絡故障を検出したとき、３レベルインバータ１４の外側のスイッチング素子にはゲート消弧信号を出力し、内側のスイッチング素子にはゲート点弧信号を出力する。 - 特許庁

A part of the inside of a screw groove is provided with a gate in such a manner that the upstream side of the screw groove is opened and the downstream side comes in contact with a flight, and further, at least one notch communicating the upstream side and the downstream side of the screw groove is formed at the flight part confronted with the gate at the upstream side of the gate.例文帳に追加

スクリュー溝内の一部に、スクリュー溝の上流側が開放され、下流側がフライトに接するように堰が設けられているとともに、前記堰の上流側で堰と対面するフライト部分に、前記スクリュー溝の上下流側を連通させる少なくとも１つの切欠が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

The series FET 1B has a gate electrode 41 on a gate region 45 formed on the bottom of a recess 40 inside the contact layer 17 and a source electrode 42 and a drain electrode 43 on both sides of the recess 40 on the contact layer 17.例文帳に追加

シリーズＦＥＴ１Ｂは、コンタクト層１７内のリセス４０の底部に形成されたゲート領域４５上にゲート電極４１を有し、コンタクト層１７上のリセス４０の両側にソース電極４２およびドレイン電極４３を有する。 - 特許庁

The gate wiring 24 made of polysilicon is formed on a semiconductor substrate 10 including the trench 22 for gate wiring inside, so even if overetching is caused during the formation of the wiring contact trench 26, the metal wiring 27 never comes into contact with a semiconductor layer 11.例文帳に追加

このゲート配線用トレンチ２２内を含む半導体基板１０上にポリシリコンからなるゲート配線２４を形成しているため、配線コンタクトトレンチ２６形成時にオーバーエッチングが生じても金属配線２７は半導体層１１と接触することがない。 - 特許庁

A water channel 4 for power generation for discharging water in an upstream channel 2a of the gate 1a is provided on the gate 1a opening and closing the channel 2, and a water power generation device 3 generating power by flowing water passing through an inside of the water channel 4 for power generation is attached to the water channel 4 for power generation.例文帳に追加

水路２を開閉するゲート１ａに、ゲート１ａの上流側水路２ａの水を下流側水路２ｂに流出する発電用流水通路４を設け、当該発電用流水通路４内を通過する流水で発電する水力発電装置３を当該発電用流水通路４内に取り付けた。 - 特許庁

The silicon nitrocarbide film 10 is low in specific inductive capacity, so that even if the silicon nitrocarbide film 10 is formed inside the silicon oxide film 9b between adjacent gate electrodes MG and MG, parasitic capacity between the adjacent gate electrodes MG and MG can be suppressed.例文帳に追加

シリコン炭窒化膜１０は、その比誘電率が低いため、シリコン炭窒化膜１０が隣り合うゲート電極ＭＧ−ＭＧ間のシリコン酸化膜９ｂの内側に形成されたとしても隣り合うゲート電極ＭＧ−ＭＧ間の寄生容量を抑制できる。 - 特許庁