「inside the gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

When MOS transistors in the same shape are arranged like a matrix, an inside MOS transistor is used as the constant current cell U, and MOS transistors arranged in the surroundings are used as dummy transistors D and MOS capacity C, the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of each dummy transistor D are connected to the same metal wire as that of a gate electrode of the constant current cell U.例文帳に追加

同一形状のＭＯＳトランジスタをマトリクス状に配置し、内側のＭＯＳトランジスタを定電流セルＵとして用い、周囲に配置されたＭＯＳトランジスタをダミートランジスタＤ及びＭＯＳ容量Ｃとして用いるときに、ダミートランジスタＤのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を、定電流セルＵのゲート電極と同じメタル配線に接続する。 - 特許庁

Inside the rear gate 1 made of resin, an AM/FM antenna 7 is arranged at a position that is offset with respect to the negative potential terminal side of a defogger 3, and at a position, that is separated from the wiring route of the feed line in the defogger 3 with a center line, that is extended in the vertical direction of the rear gate 1 as a reference.例文帳に追加

樹脂製のリアゲート１の内部において、ＡＭ／ＦＭアンテナ７は、リアゲート１の垂直方向に延びる中心線を基準として、デフォッガ３の負電位端子側にオフセットした位置に配設されており、且つデフォッガ３の給電ラインの布線ルートから離れた位置に配設されている。 - 特許庁

The step of changing the layout includes steps of selecting a logical cell of a gate area, according to the verification result of the antenna ratio from a plurality of logical cells; arranging the logical cell in an empty region as a fill cell 40 without carrying out a logical operation, and connecting a second gate electrode 41, inside the fill cell, to the metal wiring.例文帳に追加

レイアウトを変更するステップは、複数の論理セルから、アンテナ比の検証結果に応じたゲート面積の論理セルを選択するステップと、論理セルを、論理動作しないフィルセル４０として空き領域に配置するステップと、フィルセル内の第２ゲート電極４１を金属配線に接続するステップとを備える。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of the hollow molding has a molding mold 2 which has a cavity 20 inside, a core material 3 which is inserted in the cavity 20, an opening/closing means 4 which opens and closes a gate 21 of the molding mold 2 and a molding material supply means 5 which supplies a molding raw material in the cavity 20 through the gate 21.例文帳に追加

本発明の中空成形体の製造装置は、内部にキャビティ２０を有する成形型２と、キャビティ２０内に挿入される芯材３と、成形型２のゲート２１を開閉する開閉手段４と、ゲート２１を通じてキャビティ２０内に成形原料を供給する成形原料供給手段５とを備えている。 - 特許庁

This semiconductor device comprises two trench capacitors 2a and 2b formed inside a semiconductor substrate 1, a first diffusion area 12 formed on those two trench capacitors 2a and 2b, a gate electrode 13 formed on a portion of the first diffusion area 12 and a second diffusion area 16 formed in the periphery of a gate electrode 13 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１内部に形成された２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂと、この２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂ上に形成された第１の拡散領域１２と、この第１の拡散領域１２上の一部に形成されたゲート電極１３と、半導体基板１表面であってゲート電極１３の周縁に形成された第２の拡散領域１６とを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In Edo, bansho meant machi-bugyo-sho (magistrate's office), but there were many types of bansho such as gomon-bansho installed at the castle gate of Edo Castle, tsuji-bansho installed in the streets of samurai residences, hashi-bansho installed at the foot of major bridges like Ryogoku-bashi Bridge, kido-banya (simple lodging house) installed by kido (town gate), and jishin-banya installed inside a town. 例文帳に追加

一方、江戸において「（御）番所」は町奉行所を指していたが、この他にも江戸城の城門に設置された御門番所、武家地の警備のために辻などに置いた辻番所、両国橋などの主要な橋のたもとに置かれた橋番所、町人地の木戸に設けられた木戸番屋、その他町内に配された自身番屋などがあった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Also, even if a part of the sediment discharged from the bucket onto the deck 41 is dropped on the side gate 45, the sediment can be guided to the inside of the deck 41 along the inner side sloped surface 45C3, and the efficiency for storing the sediment onto the deck 4 can be increased.例文帳に追加

また、バケットから荷台４１に放土された土砂の一部が、サイドゲート４５上に落下したとしても、この土砂を内側傾斜面４５Ｃ３に沿って荷台４１の内側へと案内することができ、土砂を荷台４１に収容するときの効率を高めることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 having the trench structure, a silicon nitride film 25 is formed so as to be embedded up to a position near to an aperture edge on the inside of the trench 20 on the gate electrode 21 and the source electrode 22 is formed so as to be brought into contact with the surface of the silicon nitride film 25 and the surface of the source area 14.例文帳に追加

トレンチ構造の半導体デバイス１において、ゲート電極２１の上であってトレンチ２０の内側の開口縁付近まで埋め込まれるシリコン窒化膜２５を設け、このシリコン窒化膜２５の表面とソース領域１４の表面とに接してソース電極２２を形成してなる。 - 特許庁

Since the semiconductor layer 4 is hidden inside the gate wiring 2a when it is viewed from the back face of the array substrate, backlight does not fall on the semiconductor layer 4, and the increase of carriers due to the light from the back surface of the array substrate is more suppressed compared with a conventional liquid crystal display device.例文帳に追加

半導体層４はアレイ基板の裏面から見てゲート配線２ａの内側に隠れるため、半導体層４にバックライト光が入射せず、従来の液晶表示装置と比較して、アレイ基板側の裏面からの光によるキャリアの増大が抑制される。 - 特許庁

The molding mold 20 for molding the molded article by inserting the decorative film 40 in the inside is provided with a wall thickness molding part 26 for molding the thickness of the molded article thick around a gate 25 having the decorative film 40 positioned in the injecting direction of a molding material.例文帳に追加

加飾フィルム４０を内部にインサートして成形品を成形するための成形用金型２０であって、成形材の射出方向に加飾フィルム４０が位置するゲート２５の周りに成形品の厚みを肉厚に成形する肉厚成形部２６を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A fence 22 preventing the going- in/out from inside the site of the residential building 1 is erected in roads S, T sides of the residential building 1 by divided into four in the external facility circumferential direction, while an entrance gate 21 allowing the going- in/out from the site is provided in one side of the road S side.例文帳に追加

この外構の道路Ｓ，Ｔ側面に住宅建物の敷地内への出入りを不能とする塀２２を外構周囲方向に４つに分割して立設する一方、道路Ｓ側面一側に敷地内への出入りを可能とするエントランスゲート２１を設ける。 - 特許庁

The control circuit 83 compares the voltage with the reference voltage Vref set inside, while sampling the sampling voltage Vs, and outputs a control signal in accordance with the difference from the reference voltage Vref to the variable voltage source 71b to which the gate voltage of FET 71c is supplied.例文帳に追加

制御回路８３はサンプリング電圧Ｖｓをサンプリングしつつ、この電圧と内部に設定されている基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、この基準電圧Ｖｒｅｆとの差に応じた制御信号をＦＥＴ７１ｃのゲート電圧を供給する可変電圧源７１ｂに出力する。 - 特許庁

Additionally, in the case of Rinku-Town Station, when you have taken a train from a certain station on the Nankai Line or JR Line using your ICOCA or PiTaPa card and at this station you want transfer from the Nankai Line to the JR Line, or vice versa, you need to touch the card reader, which is installed inside the ticket gate of the station, with your card. 例文帳に追加

さらに、りんくうタウン駅では南海・JRの他の駅からICOCAまたはPiTaPaを利用して乗車し、この駅で南海・JR間の乗り換えをする場合は、駅改札内に設置されたカードリーダーにカードをタッチする必要がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After a lower layer conductive film 3a is formed, which constitutes a part of a floating gate electrode formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, an insulating film 6 is deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 by using a CVD method or the like, and the inside of a recess on the main surface of the semiconductor substrate 1 is filled completely.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成された浮遊ゲート電極の一部を構成する下層導体膜３ａを形成した後、半導体基板１の主面上に絶縁膜６をＣＶＤ法等によって堆積して、半導体基板１の主面上の窪み内を完全に埋め込む。 - 特許庁

The gusset 31 is furnished with a vertical wall 32 installed approximately upright for coupling the inner side face of the wheel house 15 with the inside surface of the tail gate pillar 21 and a reinforcing wall 33 extended from the front end of the vertical wall 32 toward a rear inner panel 12.例文帳に追加

ガセット３１は、略直立に配置されてホイールハウス１５の内側面とテールゲートピラー２１の内側面とを連結する縦壁３２と、縦壁３２の前端からリヤインナパネル１２側に延設された補強壁３３とを有している。 - 特許庁

The rear end of the respective pattern 10 has a function as a gate to regulate the extension of a melted solder printed on the soldering lands 2a and 2b to be within the soldering lands 2a and 2b by keeping the inside area of the land constant without changing it.例文帳に追加

各触手形状パターン１０の後端部はその内側のランド面積を変化させずに一定に保つことで、半田付けランド２ａおよび２ｂ上に印刷された溶融半田の広がりを半田付けランド２ａおよび２ｂ内に収めるように規制する堰としての機能（均一化保持機能）を有している。 - 特許庁

It is also provided with a trench 17 extending from the top surface of the semiconductor substrate 2 to the drift region 6, a trench gate electrode 16 formed inside the trench 17, and a p-type impurities containing region 20 located inside the drift region 6 and formed in the area covering the bottom surface 17a of the trench 17.例文帳に追加

半導体基板２の表面からドリフト領域６に達するまで伸びているトレンチ１７と、トレンチ１７内に形成されているトレンチゲート電極１６と、ドリフト領域６内に位置するとともにトレンチ１７の底面１７ａを囲む範囲に形成されているｐ型不純物の含有領域２０を備えている。 - 特許庁

To provide a locking/unlocking technique for a gate door capable of preventing small animals from entering while ensuring security during the entry of those people concerned, allowing the entry of the following person only by the unlocking operation by that person, and allowing the easy locking/unlocking operation from the inside to allow the easy exit when a person desires to exit from the inside.例文帳に追加

関係者の入門中についてもセキュリティーを確保しつつ小動物の侵入を防ぎ、次の入門者の入門を本人の解錠操作のみによって実現でき、また、内側からの施解錠操作が容易に行えて内側から退出したい場合に容易に退門することが可能な門扉の施解錠技術を提供する。 - 特許庁

Among the grooves 6 within a cell region A1 where a power MISFET is prepared, between two or more cell grooves 6a with the secondary gate electrode 10G1, one end of the p^--type well 3 is prepared, and the other end of the p^--type well 3 is prepared inside a peripheral region A2 which is adjacent to the cell region A1.例文帳に追加

パワーＭＩＳＦＥＴが設けられるセル領域Ａ１内の溝６のうち第２ゲート電極１０Ｇ１が設けられる複数のセル溝６ａの間に、ｐ^−型ウェル３の一端が設けられており、ｐ^−型ウェル３の他端がセル領域Ａ１に隣接する周辺領域Ａ２内に設けられている。 - 特許庁

The surface of the silicon substrate 11 inside the element formation region 10A is low from a boundary to the isolation region 10B toward a center of the element formation region 10A viewed in an extension direction of the gate wiring 15, and then is high sequentially.例文帳に追加

素子形成領域１０Ａ内のシリコン基板１１の表面は、ゲート配線１５の延長方向に見て、素子分離領域１０Ｂとの境界から素子形成領域１０Ａの中央に向かって一旦低くなり、次いで、順次に高くなる。 - 特許庁

A square heat storage conducting main skeleton a is formed by using a round steel bar 1, further the round steel bar 1 is bent into the gate shape to prepare four heat storage conducting sub-skeletons b, and the heat storage conducting sub-skeletons b are welded to each side inside of the square of the heat storage conducting main skeleton a to constitute the skeleton body unit.例文帳に追加

丸鋼棒１で正方形状の蓄伝熱主骨格ａを形成させ、更に丸鋼棒１を「コ」の字状に曲げて蓄伝熱副骨格ｂ四本を設け、蓄伝熱副骨格ｂを蓄伝熱主骨格ａの方形内側の各辺に溶接して骨格躯体ユニツトを構成させる。 - 特許庁

A shirt circuit localizer 510 determines the presence of occurrence of closed-circuit failure and also localizes which of the inside and the outside of the inverter the shirt circuit section is on, based on the detected values during gate break of temperature sensors 247, 257 attached to a rotary electric machine (motor generator) and current sensors 241, 242, 251, 252 inside the inverter.例文帳に追加

短絡部位特定部５１０は、回転電機（モータジェネレータ）に取り付けられた温度センサ２４７，２５７およびインバータ内部の電流センサ２４１，２４２，２５１，２５２のゲート遮断中の検出値に基づいて、短絡故障の発生有無を判定するとともに、短絡部位がインバータ内部／外部のいずれであるかの特定を行なう。 - 特許庁

A distance D1 between polysilicon wirings 3b, 3a which form gates of NMOS transistors N1, N3 formed inside one memory cell 1 and arranged in the extension direction of the bit line is different from a distance D2 between the polysilicon wiring 3b and a polysilicon wiring 3b which becomes the gate of the NMOS transistor N1 formed inside the other memory cell 1.例文帳に追加

そして、一方のメモリセル１内に形成されビット線の延在方向に並ぶＮＭＯＳトランジスタＮ１，Ｎ３のゲートとなるポリシリコン配線３ｂ，３ａ間の間隔Ｄ１と、該ポリシリコン配線３ｂと他方のメモリセル１内に形成されるＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートとなるポリシリコン配線３ｂ間の間隔Ｄ２とが異なる。 - 特許庁

Inside the trench 106, a second conductivity-type embedded layer 108 is then formed from a bottom face of the trench 106 and further, a gate electrode 109 is formed to face the well layer 102 via the insulating film 107 from above the embedded layer 108.例文帳に追加

次に、トレンチ１０６内部に、トレンチ１０６底面から第二導電型の埋め込み層１０８を形成し、さらに埋め込み層１０８上からウェル層１０２と絶縁膜１０７を介して対向するようにゲート電極１０９を形成する。 - 特許庁

Then, all of the welds 13a, 13a, which are caused when the not-solidified synthetic resins fed from different directions from each other into a cavity from each gate meet inside the cavity, are positioned at portions out of the continuous portion of both rim portions 7a, 7b and each of the pillar portions 8, 8.例文帳に追加

そして、各ゲートからキャビティ内に、互いに異なる方向から送り込まれた未固化の合成樹脂がこのキャビティ内で会合する事により生じるウェルド１３ａ、１３ａの総てを、前記両リム部７ａ、７ｂと前記各柱部８，８との連続部から外れた部分に位置させる。 - 特許庁

Further, the radio wave is propagated in a turning manner while being often reflected inside the gate 4, the radio wave also hits the wireless IC tag 30 attached to a bucket 32 with conductive articles such as electronic substrates being stored therein, and the reading ratio can be enhanced.例文帳に追加

また、電波がゲート４内部で何度も反射しながら回り込むように伝搬するため、電子基板等の導電性の物品が収納されたバケット３２に付された無線ＩＣタグ３０にも当たるようになり、読み取り率を向上させることができる。 - 特許庁

The insulator film 2 has an elongated groove 810, which extends along the pixel electrode side LDD region 1c, and the gate electrode 31a has an inner groove portion 33 that is extended from a portion overlapping the channel region 1a' to at least a part inside the groove 810.例文帳に追加

絶縁膜２には、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が形成されており、ゲート電極３１ａは、チャネル領域１ａ´に重なる部分から溝８１０内の少なくとも一部に延設された溝内部分３３を有する。 - 特許庁

This bearing metal fitting 10 rotatably installs the gate door 13 on a column 12, and has a body 14 fixed to the column 12, a slide groove 26 formed in the adjusting direction in the body 14, and an arm member 28 inserted inside the body 14 and movable along a slide groove 26.例文帳に追加

門扉１３を支柱１２等に回動自在に取り付ける軸受金具１０であって、支柱１２に固定される本体１４と、本体１４に調整方向に沿って形成されたスライド溝２６と、本体１４の内側に差し込まれスライド溝２６に沿って移動可能なアーム部材２８とを備える。 - 特許庁

An inside body 41 in which the display 42 for characters, numerals, etc., in a form having the surrounding part 43 is partially formed on the upper surface, and a pair of gate holes 44 is bored in the inner and outer parts of a display 42a forming the surrounding part 43 is primarily molded by injecting a resin.例文帳に追加

囲繞部４３を有する形態の文字や数字等の表示体４２を上面に部分的に突設し、その囲繞部４３を形成する表示体４２ａの内外部位に一対のゲート孔４４を穿設した内側体４１を樹脂の射出により一次成形する。 - 特許庁

A bank 50 for the common electrode is formed simultaneously with a gate wire/electrode 3 and a common electrode wire 10 to be formed on the principal surface of a glass substrate 1, and the common electrode 2 is formed with high precision by inkjet-applying conductive ink to the inside surrounded by the bank 50.例文帳に追加

ガラス基板１の主面に形成するゲート配線/電極３および共通電極配線１０と同時に共通電極用バンク５０を形成し、このバンク５０で囲まれた内側に導電性インクをインクジェット塗布することで、高精度に共通電極２を形成する。 - 特許庁

In the FUSI contact 41, a contact opening CH1, passing through inside the interlayer insulating film 4, is filled with a FUSI contact layer 411 which is completely turned into silicide, and the contact 41 has the same height as the FUSI gate electrode 32.例文帳に追加

ＦＵＳＩコンタクト部４１は、層間絶縁膜４を貫通するコンタクト開口部ＣＨ１内に、完全にシリサイド化されたＦＵＳＩコンタクト層４１１を充填して構成されており、ＦＵＳＩゲート電極３２と同じ高さを有している。 - 特許庁

A trench 20 is provided so as to get to a drift layer 2 through the source layer 4 and the first gate layer 3, a P^+ impurity layer 21 is formed inside the trench 20, electrodes 22a and 22b are arranged inside the impurity layer 21, the electrodes 22a and 22b are grounded, and a surge-absorbing diode D1 is built in one chip.例文帳に追加

ソース層４と第１のゲート層３とを貫通してドリフト層２に達するトレンチ２０内にＰ^+不純物層２１が形成され、不純物層２１の内方において電極２２ａ，２２ｂが配置され、この電極２２ａ，２２ｂは接地され、ワンチップ内にサージ吸収用ダイオードＤ１を作り込んでいる。 - 特許庁

An information distribution system analyzes what are advertisement contents that the railroad user may have contacted in the space (inside stations such as a ticket gate, a concourse and a platform and inside trains, etc.) managed by the railroad company, in order to efficiently provide the advertisement content linking information for the railroad user using an IC card ticket.例文帳に追加

本発明は、ＩＣカード乗車券を使用する鉄道利用者に対して広告コンテンツ連携情報を効率よく提供するために、鉄道事業者の管理するスペース（改札・コンコース・ホーム等の駅構内および電車内など）において鉄道利用者が接触した可能性のある広告コンテンツが何であるかを解析する。 - 特許庁

Enryaku-ji Temple and Kofuku-ji Temple exercised the authority of kami such as mikoshi (portable shrine) of Hiyoshi-taisha Shrine and shinboku (sacred tree) of Kasuga-taisha Shrine, respectively, when they went to the Imperial Palace in Rakuchu (inside the capital Kyoto) to make their demands; if it did not work, they would take actions like leaving mikoshi and shinboku at its gate, practically halting the political function. 例文帳に追加

延暦寺は日吉大社の神輿、興福寺は春日大社の神木などの「神威」をかざして洛中内裏に押し掛けて要求を行ない、それが通らない時は、神輿・神木を御所の門前に放置し、政治機能を実質上停止させるなどの手段に出た。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Some of Emperor Gomizunoo's framed calligraphy is displayed at Yomei-mon Gate or other areas in Nikko Tosho-gu Shrine, about which it is said that later, when the Satsuma clan demanded that the shrine be burned, Taisuke ITAGAKI persuaded them not to, one of the reasons being that there were such historical materials inside, and therefore the shrine was saved. 例文帳に追加

日光東照宮には陽明門をはじめ各所に後水尾天皇の御親筆とされる額が掲げられており、後に板垣退助が強硬に日光東照宮の焼き討ちを要求する薩摩藩を説得する理由の1つとして挙げたとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of casting simulation that accurately predicts overheating of a certain section caused by a molten metal flowing from a gate to the inside of the mold and directly hitting the section and that predicts a crack generated by the overheating, and also to provide an apparatus for casting simulation.例文帳に追加

ゲートから鋳型内に流入する溶湯が特定の箇所を直撃することによる当該箇所の過熱、及び、それを原因とする割れの発生を、精度良く予測することができる、鋳造シミュレーション方法、及び、鋳造シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof which suppresses the increase of the capacity interposed between its gate and its drain so as to prevent the degradation of its high-frequency characteristic, and has its reduced variations inside the surface of a wafer, and further, secures its high waterproof, and moreover, can be manufactured stably.例文帳に追加

ゲート−ドレイン間容量の増大を抑制して高周波特性の悪化を防ぎ、ウェハ面内でのバラツキが小さく、高い耐湿性を確保し、安定して製造することができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

Each of the right and left cabin frames 10 is formed in a gate shape in a lateral view; an outward recess 10A is provided inside the frame; and the side window 14 comprises the porous plate 17 which has a large number of through-holes 17a and which is arranged on an outdoor side, and a see-through material 18 which is arranged on an indoor side.例文帳に追加

左右各キャビン枠１０は側面視門型形状であって、その枠内側に外側向きの凹部１０Ａを有し、側窓１４は多数の通し孔１７ａを有して室外側に配置される多孔板１７と室内側に配置される透視材１８とを有する。 - 特許庁

A detecting part 2 having an X-ray converting layer and an active matrix substrate inside, a gate circuit part 5 and a reading circuit part 6 are controlled by a control circuit part 44, a pixel signal of the detecting part 2 is read out to the reading circuit part 6, and data is sent through the sliding electrode 4 to the outside.例文帳に追加

内部にＸ線変換層とアクティブマトリックス基板を有する検出部２と、ゲート回路部５と読取回路部６を制御回路部４４が制御して、検出部２の画素信号を読取回路部６に読出し、滑り電極４を介して外部にデータを送る。 - 特許庁

A roller conveyer 5 in which a plurality of freely rotatable rollers are pivotally disposed is longitudinally spun on the inside of a vehicle body which has a gate shape on the front view and is formed from right and left travel devices 2, 2 and a carrier 4 for linking the upper portions of the travel devices 2, 2 to each other.例文帳に追加

左右の走行装置２，２と、該走行装置２，２の上部を連結する荷台４で形成した正面視門型状の車体の内側に、遊転自在の複数のローラを軸架するローラコンベア５を前後方向に向けて装架した。 - 特許庁

Two transfer chambers 11 and 12 equipped with transfer robots 51 and 52, which transfer substrates 9 inside respectively are connected together direct through the intermediary of a gate valve between the processing chambers 21, 22, 23, 24, and 25 and a load chuck chamber 3, where mooring pieces 61 and 62 which moor the substrates 9, are provided inside the transfer chambers 11 and 12 respectively.例文帳に追加

複数の処理チャンバー２１，２２，２３，２４，２５及びロードロックチャンバー３との間で基板９を搬送する搬送ロボット５１，５２を内部に有する二つの搬送チャンバー１１，１２がゲートバルブ４を介して直接接続され、双方の搬送チャンバー１１，１２内には基板９を係留する係留具６１，６２が設けられている。 - 特許庁

A hydrogen barrier film 7 has a removal region 7A formed to bore a first contact hole H1 connecting the gate electrode 3, source electrode, and drain electrode of a MOS transistor T to a wiring layer 9, and the first contact hole H1 is formed inside the removal region 7A.例文帳に追加

水素バリア膜７に、配線層９と、ＭＯＳトランジスタＴのゲート電極３、ソース電極及びドレイン電極とを接続する第一のコンタクトホールＨ１を通すための除去領域７Ａを形成し、この除去領域７Ａの内側に、第一のコンタクトホールＨ１を形成する。 - 特許庁

This gate includes two front-side and backside metal panels which face each other at an interval, and top and bottom rails which are disposed inside the two metal panels; and an upper end surface of the top rail and a lower end surface of the bottom rail are covered with cover materials, respectively.例文帳に追加

間隔をおいて対向する表裏２枚の金属パネルと、前記２枚の金属パネルの内側に配置される上框及び下框と、を備えた門扉において、前記上框の上端面と前記下框の下端面とをそれぞれカバー材で覆うようにした。 - 特許庁

In this gate in which crosspiece materials are provided inside two front-side and backside metallic panels facing each other at an interval, respectively, at least one of the crosspiece materials is provided as a crosspiece material for exposure, which has exposed portions formed throughout its length on both longitudinal sides surfaces, respectively, and which has groove portions provided at the upper and lower positions of the exposed portion, respectively.例文帳に追加

間隔をおいて対向する表裏２枚の金属パネルの内側に桟材を設けた門扉において、前記桟材のうちの少なくとも１以上の桟材を、長手方向両側面に全長にわたり露出部を形成するとともに、この露出部の上下に溝部を設けた露出用桟材として設けた。 - 特許庁

To provide a trench MCS semiconductor device equipped with a gate of MOS structure provided inside the trench, in which a floating well is not formed on the periphery without sacrificing an active area and deteriorating the device in withstand voltage characteristics.例文帳に追加

トレンチ内に設けられたＭＯＳ構造のゲートを有するトレンチ型ＭＯＳ半導体装置において、活性面積を犠牲にすることなく、また耐圧特性を劣化させることなく、外周にフローティングウェルを作らない構造を提供する。 - 特許庁