「inside the gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To increase accuracy in simulation used to design an integrated circuit including an insulated gate field effect transistor by appropriately forming a model of an inside fringe capacity and reflecting the model on the simulation of the integrated circuit in an insulated gate field effect transistor model.例文帳に追加

絶縁ゲート電界効果トランジスタモデルにおいて内側フリンジ容量を適切にモデル化し、当該モデルを集積回路のシミュレーションに反映し、絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む集積回路の設計に使用されるシミュレーション精度を向上する。 - 特許庁

To provide a cold cathode light emitting element provided with a gate electrode construction not discharging any gas inside a cold cathode light emitting element container, in which the distance between the gate electrode and a cathode electrode wiring layer is uniform and the mesh shape of an opening part can be made extremely fine.例文帳に追加

本発明は、冷陰極発光素子の容器内にガスを放出せず、ゲート電極とカソード電極配線層との距離が均一で、開口部のメッシュ形状を微細化することが可能なゲート電極構造を有する冷陰極発光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an HV transistor 10 formed on a semiconductor substrate 1, and the HV transistor 10 includes a gate electrode 19 formed on the semiconductor substrate 1 with an insulating film interposed, and a source 15 and a drain 13, the inside of the gate electrode 19 being depleted when a voltage is applied to the gate electrode 19 and a current flows between the source 15 and drain 13.例文帳に追加

半導体基板１に形成されたＨＶトランジスタ１０を備え、ＨＶトランジスタ１０は、半導体基板１上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極１９と、ソース１５及びドレイン１３を有し、ゲート電極１９の内部は、当該ゲート電極１９に電圧が印加されてソース１５とドレイン１３との間に電流が流れるときに空乏化する。 - 特許庁

Particularly, according to an embodiment of the present invention, the plurality of trenches of the semiconductor device include one or a plurality of gate electrodes, can include one or the plurality of gate electrodes or one or a plurality of source electrodes, or can include a combination of both of the gate electrode and the source electrode formed inside.例文帳に追加

特に、本発明の実施形態によれば、半導体デバイスの複数のトレンチは1つもしくは複数のゲート電極を含むことができ、1つもしくは複数のゲート電極または1つもしくは複数のソース電極を含むことができ、或いは、内部に形成されたゲート電極およびソース電極の双方の組み合わせを含むことができる。 - 特許庁

After forming a photoresist layer 18, first ion implantation is performed from a first direction, indicated by an arrow A' toward a first corner section 14C1 inside a gate electrode 14, by using the photoresist layer 18 and the gate electrode 14 as masks.例文帳に追加

ホトレジスト層１８を形成した後に、ホトレジスト層１８及びゲート電極１４をマスクとして、Ａ’の矢印で示された第１の方向からゲート電極１４の内側の第１のコーナー部１４Ｃ１を臨んで第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

In an IGBT having a vertical trench gate structure, n-type emitter regions 4 extend in a predetermined direction in a primary surface MS of a semiconductor substrate 1, and trenches 1a each including a gate electrode 7 in its inside extend in the direction crossing the n-type emitter regions 4.例文帳に追加

縦型のトレンチゲート構造のＩＧＢＴにおいて、半導体基板１の主表面ＭＳにおいてｎ型エミッタ領域４は所定方向に延在しており、ゲート電極層７を内部に有する溝１ａはｎ型エミッタ領域４と交差する方向に延在している。 - 特許庁

On the main face of the same semiconductor substrate IS, a gate insulating film 4a of an inside circuit area ICA is made a high dielectric film, and a gate insulating film 3a of an input and output circuit area I/O is made an oxidation silicon film or a nitriding silicon film.例文帳に追加

同一の半導体基板１Ｓの主面上において、内部回路領域ＩＣＡのゲート絶縁膜４ａは高誘電体膜とし、入出力回路領域Ｉ／Ｏのゲート絶縁膜３ａを酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing a carbon component diffused from an inside of a metal film to a gate insulating film, when a metal electrode is formed as a pMOS elecrode material on the gate insulating film to reduce the cause of a fixed charge.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上にｐＭＯＳ電極材料として金属電極を形成する際に金属膜中からゲート絶縁膜へ拡散する炭素成分を抑制し、固定電荷要因を下げることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

A P+- well 9 with improved substrate concentration is formed at the substrate surface side of the inside of a P well 6, a polysilicon gate electrode 12 is formed on the substrate surface via a gate oxide film 10, and a source 14 and a drain 17 in double diffusion structure are formed in the P+- well 9 while sandwiching the gate electrode 12.例文帳に追加

Ｐウエル６の内側の基板表面側には基板濃度を高めたＰ^+-ウエル９が形成され、基板表面にはゲート酸化膜１０を介してポリシリコンゲート電極１２が形成され、そのゲート電極１２を挾んでＰ^+-ウエル９内に二重拡散構造のソース１４とドレイン１７が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode G2 of a peripheral second nMIS (Q2) is formed not to be higher than the selective gate electrode CG of the selection nMIS, so that the width of a sidewall SW3 formed on a side face of the gate electrode G2 is made small so as not to fill the inside of a shared contact hole C2.例文帳に追加

また、周辺用第２ｎＭＩＳ（Ｑ２）のゲート電極Ｇ２の高さを選択用ｎＭＩＳの選択ゲート電極ＣＧの高さ以下とすることにより、ゲート電極Ｇ２の側面に形成されるサイドウォールＳＷ３の幅を小さくして、シェアードコンタクトホールＣ２の内部がサイドウォールＳＷ３により埋め込まれるのを防ぐ。 - 特許庁

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

A synthetic resin molten further by supplying hot steam to the inside of a heat medium passage 36 of a movable mold 26 is injected into a cavity S formed by the movable mold 26 and a fixed mold 6 through a guide passage 27 above a gate 13A and a gate cutting member 17 while molten synthetic resin J heats the tip of the gate cutting member 17.例文帳に追加

可動金型２６の熱媒体通路３６内に熱い蒸気を供給することにより、更に溶融した合成樹脂Ｊがゲートカット部材１７の先端部を加熱しながら、ゲート１３Ａ及びゲートカット部材１７上方の案内通路２７を介して可動金型２６と固定金型６とで形成されるキャビティＳ内に射出する。 - 特許庁

The method includes steps of forming a silicon nitride film 103 on a p-type silicon substrate 101, forming an aperture of a predetermined pattern on the silicon nitride film 103, forming a gate trench 104 on a semiconductor substrate 101 with a silicon nitride film 108 used as a mask, and thereafter embedding a polysilicon film 106 inside the gate trench 104 and in the aperture thereby self-alignedly forming a gate electrode.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にシリコン窒化膜１０３を形成し、シリコン窒化膜１０３に所定のパターンの開口を形成し、シリコン窒化膜１０８をマスクとして用いて半導体基板１０１にゲートトレンチ１０４を形成した後、ゲートトレンチ１０４の内部および開口内にポリシリコン膜１０６を埋め込むことにより、ゲート電極を自己整合的に形成する。 - 特許庁

In the upper part from the upper edge of the discharging hole 11 inside the body part 10b, an air bubble recovering part S in which at least the length L in the width direction of the casting mold is larger than the inside diameter D at the lower end of the injection hole 5d of a sliding gate 5 is formed, and they are 1.5D≤L≤4D.例文帳に追加

本体部１０ｂ内における吐出孔１１の上縁から上方には、少なくとも鋳型幅方向における長さＬがスライディングゲート５の注入口５ｄの下端内直径Ｄよりも大きい、気泡回収部Ｓが形成され、１．５Ｄ≦Ｌ≦４Ｄである。 - 特許庁

It is said that he was such a posey and perverse fellow as he lived in a unique house which had a back door inside of the front gate and an entrance to the backyard although a common house had the entrance inside of the front gate ("Legends of Masters, Diary of a Film Reviewer in the Fields" written by Shozo ISHIZAKA, published by Sanichi Shobo). 例文帳に追加

目立ちたがり屋で、ヘソ曲がりの中平は、住んでいる家も常識破りの家で、普通、家は門を入ると玄関があるが、中平の家は門を入ると裏口があり、裏に回ると玄関がある、という不思議な一風変わった家であったと伝えられる（石坂昌三著『巨匠たちの伝説映画記者現場日記』三一書房）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An N^- drift layer 2, a first gate layer (P^+ layer) 3, and an N^+ source layer 4 are successively laminated on an SiC board 1, an N^- channel layer 6 is formed on the inner wall of a trench 5, and a second gate layer 3 (P^+ layer) 7 is formed inside.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の上にＮ^-ドリフト層２と第１のゲート層（Ｐ^+層）３とＮ^+ソース層４とが順に積層され、トレンチ５の内壁部にＮ^-チャネル層６が形成されるとともにその内方に第２のゲート層（Ｐ^+層）７が形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a laminate structure ML, a selection gate electrode SG, a semiconductor pillar SP, a storage layer 48, an inside insulating film 42, an outside insulating film 43, and a selection gate insulating film SGI.例文帳に追加

実施形態によれば、積層構造体ＭＬと、選択ゲート電極ＳＧと、半導体ピラーＳＰと、記憶層４８と、内側絶縁膜４２と、外側絶縁膜４３と、選択ゲート絶縁膜ＳＧＩと、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

A semiconductor storage device is provided with a plurality of gate electrodes 50 extending in a first direction, reinforcing insulating films 90 which extend in a second direction crossing the first direction and are connected to the adjacent gate electrodes and interlayer insulating films 95 which are installed between the adjacent gate electrodes and have hollows inside.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１の方向へ延伸する複数のゲート電極５０と、第１の方向に対して交差する第２の方向に延伸し、隣接するゲート電極に接続された補強絶縁膜９０と、隣接するゲート電極間に設けられ、内部に空洞を有する層間絶縁膜９５とを備えている。 - 特許庁

An opening part communicated with each housing after the separation, a gate unit capable of opening/closing the opening part, rubber gloves projecting to the inside of the housing and separating the inside of the housing and the maintenance space, and a purge mechanism capable of the nitrogen substitution of the maintenance space are arranged.例文帳に追加

該メンテナンスゾーンには、分離後の筐体各々と連通する開口部、該開口部を開閉可能なゲートユニット、筐体内部に突出して筐体内部とメンテナンス空間とを分離するラバー手袋と、メンテナンス空間の窒素置換を可能とするパージ機構とを配置する。 - 特許庁

Since the gate electrode 12d is formed in such a shape that a circumference of a substrate surface 10a is hollowed inside, a low-density impurity layer 21 can be formed inside and below the opening of the recess 12c by injecting impurity ions into a semiconductor substrate 10 through a recess 12c while using the gate electrode 12d as a mask.例文帳に追加

ゲート電極１２ｄが基板面１０ａ側の周囲が内側に凹んでいる形状に形成されるため、ゲート電極１２ｄをマスクにして、凹部１２ｃを通じて半導体基板１０に不純物イオンを注入し、低濃度不純物層２１を凹部１２ｃの開口部より内側の下方まで入り込んで形成することができる。 - 特許庁

The cross-sectional area on the exit side of the elastic film type valve 20 through which the sediment passes is reduced by the gate mechanism 21 to rather clog the inside of the pipe and increase its earth pressure while making the earth pressure on the exit side approximately equal to the earth pressure on the entrance side.例文帳に追加

ゲート機構２１により弾性膜式バルブ２０の出口側の土砂通過断面積を絞ることにより、土砂を詰まり気味にしてその土圧を高め、出口側の土圧を入口側の土圧と略等しくすることができる。 - 特許庁

To provide a door locking device of an automobile for simplifying a part for constituting a locking device of a tail gate, shortening an assembling process of the tail gate and reducing a manufacturing cost by transmitting operation force respectively transmitting to a latch by an inside grip part and an outside grip part of the tail gate via one link member.例文帳に追加

テイルゲートの内側取手部と外側取手部でそれぞれラッチに伝達される操作力を１つのリンク部材を介して伝達されるようにして、テイルゲートの施錠装置を構成する部品を簡素化し、テイルゲートの組立工程の短縮を図り、製造コストダウンが図れるようにする自動車のドア施錠装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flap gate with a pivotal structure to a door body that can easily swing even in a small inside and outside water level difference, performs inner water discharge and closing of an opening end advantageously and that can be produced at a low cost, in the flap gate with the door body swinging by an inside and outside water pressure difference in the opening end of a water channel.例文帳に追加

水路の開口端に内外水圧差により揺動する扉体を備えるフラップゲートにおいて、内外水位差が小さくても扉体が揺動し易く、内水排除及び開口端の閉鎖を良好に行ない、かつ製作コストの低い扉体の軸支構造を備えたフラップゲートを提供する。 - 特許庁

A contact hole 61 from the surface of the silicon oxide film 43 to the surface of the semiconductor substrate 1 is formed inside the silicon oxide film 43 and the silicon nitride film 42 of a logic area 102, and a second gate electrode 32 is formed inside the contact hole 61.例文帳に追加

ロジック領域１０２のシリコン酸化膜４３及びシリコン窒化膜４２内に、シリコン酸化膜４３表面から半導体基板１表面まで達するコンタクトホール６１を形成し、コンタクトホール６１内に第２のゲート電極３２を形成する。 - 特許庁

From the state that the communicative connection with a gate 14 and the inside of a movable sleeve 10 is held shut off, a plunger tip 17 is advanced to make molten metal fill into the sleeve 10 and to make the air inside the sleeve 10 be exhausted to the outside thereof via an air vent 16.例文帳に追加

ゲート１４と可動スリーブ１０内部との連通が遮断された状態から、プランジャチップ１７を前進させて、可動スリーブ１０内部に溶湯を充填させつつ、可動スリーブ１０内部のエアをエアベント１６を介して可動スリーブ１０の外へ排出させる。 - 特許庁

If the finger is placed from the inside 3 of the entrance 4, the reverse image is matched against the registered image; if the images are coincident, the device determines that the person is exiting and then opens the gate 5.例文帳に追加

また、出入口４の内側３から指置きした場合は、反転画像と登録画像とを照合してこれが一致すると、退場と判定して通行ゲート５を開く。 - 特許庁

The shaft 10210 is provided with a nozzle gate where the strip blade material 5 is passed through at the inside of the central part thereof, and the space between the bending tool 4 and the ring is provided with a ring storage groove 422 storing the ring in such a manner that the mating ring does not perform tool interference.例文帳に追加

シャフト１０２１０はその中央部内部に帯刃材５を通すノスルゲートを備え、曲げツール４とリングの間に相手のリングが工具干渉をしないように収納するリング収納溝４２２を備える。 - 特許庁

Moreover, when the user takes out the digital camera 1 from the case 50, the coil 34 moves right under the magnet 54 in the direction of the gate 53 from the inside.例文帳に追加

また、ユーザがデジタルカメラ１をケース５０から取り出す際には、コイル３４がマグネット５４の直下を奥側から出入口５３方向に移動する。 - 特許庁

On the right side as the opposite side to a getting-on/off gate 9, of the right and the left side of the driver's seat 11, a duct 20 is disposed, and one end side of the duct 20 is connected to the heater 18 inside the foot rest 12.例文帳に追加

また、運転席１１の左，右両側のうち乗降口９と反対側となる右側にはダクト２０を配設し、このダクト２０の一端側を脚台１２内でヒータ１８に接続する。 - 特許庁

The water intake port 26 is equipped with a gate plate 36 of which the upper end 36a is located below the liquid surface and which moves vertically according to the rise and fall of the surface of the liquid flowing into the inside of the case 12 to be stored.例文帳に追加

取水口２６には、上端部３６ａが液面より下に位置しケース１２の内側に流入し溜まった液体の液面の上昇下降に伴って上下方向に移動するゲート板３６を備える。 - 特許庁

To provide a gate door capable of facilitating the mounting of a face plate to the inside of a stile frame, at the same time, also facilitating the exchange of a handle or the like and preventing the increase of the number of components for the stile frame to rationalize a member at a low cost.例文帳に追加

框枠内への面板の取り付けが容易であると共に、現場での柄交換等も容易にでき、そのうえ框枠の部品数の増加を防止できて部材の合理化及びコストダウンを図ることができる。 - 特許庁

The passage recording part 7 determines whether or not the recording medium is inside or outside the management area 4 depending on the frequency that the recording medium has passed the gate 5, and manages the current location of the recording medium.例文帳に追加

通過記録部７は、記録媒体がゲート５を通過した回数により、管理領域４の内側か外側かを判断し、記録媒体の現在の所在を管理する。 - 特許庁

A resin stopping dam 38 having a height T almost equal to a thickness (t) of a rear film 26 and protruding toward a cavity 3 is provided along the inside of a rib groove 17 near to the gate 19 of a rear cavity surface 3b and the rear film 26 is arranged in close vicinity to the inside of the resin stopping dam 38.例文帳に追加

裏側キャビティ面３ｂのゲート１９に近いリブ用溝１７の内側に沿い、裏側フィルム２６の厚さｔとほぼ同等の高さＴを有してキャビティ３側に突出する樹脂止め堰３８を設け、裏側フィルム２６を樹脂止め堰３８の内側に接近して配置する。 - 特許庁

In this gate pump device 9, the suction port 9a is opened toward the inside water side, a discharge port 9b is opened toward the outside water side, and a screw pump 12 provided with a rotatable helical blade 10 inside a conduit 6 communicated with the suction port 9a and the discharge port 9b is used.例文帳に追加

吸入口９ａを内水側に吐出口９ｂを外水側に向けて開口させているゲートポンプ装置９であって、吸入口９ａと吐出口９ｂとに通ずる導管６の内部に回転可能なヘリカル羽根１０を備えてなるスクリューポンプ１２を用いる。 - 特許庁

A body region 15 is formed inside the drain region 121, an N-type source region 16 is formed inside the body region 15, and a gate electrode 20 is disposed on a channel region between the drain region 121 and the source region 16, thereby forming the LDMOS.例文帳に追加

ドレイン領域１２１内にボディ領域１５が形成され、ボディ領域１５内にＮ型ソース領域１６が形成され、ドレイン領域１２１とソース領域１６間のチャネル領域上にゲート電極２０が配置され、ＬＤＭＯＳが形成される。 - 特許庁

When a timing at which the seating noise of engine valves occurs invades from the outside to the inside of the knock determination gate, the degree of increase/decrease of the knock determination level VKD is temporarily increased more than that when the timing does not invade.例文帳に追加

機関バルブの着座ノイズの現われる時期がノック判定ゲートの外から中に侵入したときに、ノック判定レベルＶＫＤの増減度合をそうでないときに比して一時的に大きくする。 - 特許庁

Then, the water cutting-off device 21 is replaced with an entrance 27, the gate 17 is opened, and mortar 25 is cut by a cutter disc 31 of the pipe jacking machine 29 to let the pipe drilling machine 29 advance into the natural ground 1 from the inside of the mouthpiece 15.例文帳に追加

その後、止水装置２１をエントランス２７と交換し、ゲート１７を開放し、管推進機２９のカッタディスク３１でモルタル２５を切削して、口金１５内から地山１内に管推進機２９を推進させる。 - 特許庁

A protector 1 having an almost gate type cross sectional shape for protection from an falling object from the upper portion of a tunnel is installed in a working range inside an existing tunnel 110, and the work is performed outside the protector 1 while securing traffic inside the protector 1.例文帳に追加

トンネル上部からの落下物を防ぐ断面の形状が略門型のプロテクター１を、既設トンネル１１０内の施工範囲に設置して、プロテクター１の内部にて交通を確保しつつ、プロテクター１の外部にて工事を行う。 - 特許庁

Accordingly, a depletion layer is spread to the inside of the semiconductor material below the polysilicon gate 27 and the electric field strength becomes consistent from a surface of a drain layer 12 to a depth of the bottom surface of the semiconductor material 22.例文帳に追加

このため、空乏層は、ポリシリコンゲート２７の下方の半導体材料２２の内部まで広がり、ドレイン層１２の表面から半導体材料２２の底面までの深さで電界強度が一定になる。 - 特許庁

The storage capacitor is provided at least a part inside a groove provided in the substrate penetrating through an insulation film between the semiconductor layer and the gate electrode and an insulation film between the semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

蓄積容量は、半導体層とゲート電極との間の絶縁膜及び半導体層と基板との間の絶縁膜を貫通するとともに基板に設けられた溝内の少なくとも一部に設けられている。 - 特許庁

A first electrode 3f of the photo-TRIAC 3 is connected to a first control terminal Tc1, and a second electrode 3s of the photo-TRIAC 3 is connected to the gate electrode 4g of the TRIAC 4 in the inside of the resin sealing portion.例文帳に追加

フォトトライアック３の第１電極３ｆは第１制御端子Ｔｃ１に接続され、フォトトライアック３の第２電極３ｓはトライアック４のゲート電極４ｇに樹脂封止部の内部で接続されている。 - 特許庁

In the second step, before successively forming the gate insulating layer, the semiconductor layer and the ohmic contact layer, fluorine gas is used for the inside of the CVD apparatus to perform cleaning.例文帳に追加

第２段階では、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗性接触層が連続的に形成される前に、ＣＶＤ装置の内部に対してフッ素ガスを用いてクリーニングが行われる。 - 特許庁

The injection gate remains 7a, 7b exist immediately underneath the position corresponding to the partition walls 3 and toward inside than immediately underneath the position corresponding to the outer walls 2 parallel to the partition walls 3.例文帳に追加

射出ゲート跡７ａ，７ｂは、隔壁３に対応する位置の真下と、隔壁３に平行する外壁２に対応する位置の真下より内側寄りに存在している。 - 特許庁

Then, the high concentration P type diffusion region 9 for the body contact is formed at the part where the source diffusion region 3 is removed inside the hollow part of the gate electrode 3.例文帳に追加

そして、ゲート電極３の中抜き部分内のソース拡散領域３を除外した箇所に、高濃度Ｐ型のボディーコンタクト用拡散領域９を形成する。 - 特許庁

Introduction guide surfaces 55 facing to the outside of the wire holding space 35 and taking-out guide surfaces 56 facing to the inside of the wire holding space 35 are formed at the tips of the gate members 51, 52.例文帳に追加

ゲート部材５１，５２の先端部には、電線保持空間３５の外方を指向する導入案内面５５と、電線保持空間３６の内方を指向する取出し案内面５６とが形成されている。 - 特許庁