「inter n」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Cables 18-1, ..., 18-n are connected to the connecting terminals 11-1, ..., 11-n, to which the cables 16-1, ..., 16-n are connected, and the connecting terminals 13-1, ..., 13-n (inter-distribution-panel cable connecting process).例文帳に追加

そして、ケーブル１６−１…１６−ｎが接続された接続端子１１−１…１１−ｎと、接続端子１３−１…１３−ｎとにケーブル１８−１…１８−ｎを接続する（配電盤間ケーブル接続工程）。 - 特許庁

When one of the surface acoustic wave propagation paths W_xj is touched, one of electric signals E_xj (j=1, 2,..., n) is detected by an inter-digital electrode R_x1 for output.例文帳に追加

もしも弾性表面波伝搬路W_xjの１つに接触すると、出力用すだれ状電極R_x1において電気信号E_xj (j=1, 2,…,n)の１つが検出される。 - 特許庁

To generate reference clocks for detecting an inter-phase skew of N-phase clocks inside a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

Ｎ相クロックの相間スキューの検出を行なうための基準クロックを半導体集積回路内で生成する。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 9 is formed which has a contact hole 9a reaching the n-type source/drain region 4.例文帳に追加

このｎ型ソース／ドレイン領域４に達するコンタクトホール９ａを有する層間絶縁層９が形成される。 - 特許庁

In an inter-antenna phase difference calculation section 29, the phase difference Angle (n) in the first and the section pilot signals is calculated for each path.例文帳に追加

各アンテナ間位相差算出部２９は、受信パス毎に、第１及び第２のパイロット信号の位相差：Angle（ｎ）を求める。 - 特許庁

An inter layer insulating film is formed on the insulating film so as to cover the NMOS, PMOS, P+ pickup, and N+ pickup.例文帳に追加

ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ、Ｐ＋ピックアップ及びＮ＋ピックアップを覆うように絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

An inter-node line segment element extracted from graphic information is equally divided into n-sets ad n-sets of bits are generated corresponding to an even number or an odd number of apexes by each division.例文帳に追加

図形情報から取り出したノード間線分要素をｎ個に等区分し、該区分毎の頂点数の偶数又は奇数によりｎ個のビットを生成する。 - 特許庁

To provide an N×N optical wavelength multiplexer/demultiplexer capable of freely extending the number of wavelengths of an optical signal, that can be used for inter-port communication of the N×N optical wavelength multiplexer/demultiplexer, and allocating an arbitrary number of optical signal wavelengths to the ports.例文帳に追加

Ｎ×Ｎ光波長合分波装置のポート間での通信に用いることのできる光信号の波長数を自在に拡張し、ポート間に任意の数の光信号の波長を割り当てることができるＮ×Ｎ光波長合分波装置を提供すること。 - 特許庁

This surface acoustic wave is propagated on the upper end surface of a non-piezoelectric plate 1 to the 2nd piezoelectric substrate 3 and converted by output inter-digital electrodes R_x1 into electric signals E_xj (j=1, 2,..., n).例文帳に追加

この弾性表面波は、非圧電板１の上端面を伝わって、第２圧電基板３に伝搬され、出力用すだれ状電極R_x1において電気信号E_xj (j=1, 2,…, n)に変換される。 - 特許庁

First an image processing apparatus detects a motion vector by frames n-1, n with a narrowest inter-frame distance among combinations of 2-frames sandwiching an interpolation frame to associate the motion vector with pixels of the interpolation frame.例文帳に追加

初めに、補間フレームを挟む２フレームの組み合わせのうちでフレーム間距離が最も狭いフレームｎ−１，ｎにより動きベクトルを検出して補間フレームの画素に対応付ける。 - 特許庁

An inter-frame coding section 203 applies orthogonal conversion (inter-frame coding) to corresponding pixels between (N-1) frames whose motion is compensated on the basis of a detected motion vector and N frames separately inputted to generate L component frames and H component frames subjected to sub band division.例文帳に追加

フレーム間符号化部２０３は、検出した動きベクトルに基づいて動き補償したＮ−１フレームと、別途入力されたＮフレームの対応する画素同士の直交変換（フレーム間符号化）を行い、サブバンド分割されたＬ成分フレームとＨ成分フレームとを生成する。 - 特許庁

In the inter-digital transducer 3, electrode fingers 15a1, 15a2,...15an, 15b1, 15b2,...15bn of (n) lines (30≤n≤75) are extended respectively toward opposite side pads alternately from two opposite pads 13, 14.例文帳に追加

インターデジタルトランスデューサ３は、二つの対向したパッド１３，１４からそれぞれｎ本（３０≦ｎ≦７５）の電極指１５ａ_1，１５ａ_2，…１５ａ_n、１５ｂ_1，１５ｂ_2，…１５ｂ_nが交互に相手側のパッドに向かって延在している。 - 特許庁

At time t1 immediately before the start of operation of the device, respective inter-terminal voltages of secondary battery cells 11-1 to 11-n and a battery temperature are measured.例文帳に追加

機器が起動を開始する直前の時間ｔ１に、２次電池セル１１−１〜１１−ｎの端子間電圧及び電池温度を測定する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is formed on the upper part of a region 2c left between divided trenches 2a of an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうち分割されたトレンチ２ａ同士の間に残されている領域２ｃの上部に層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

To enlarge the minimum inter-signal distance of a high-order partial- less system such as EEPRML(Extended EPRML) and EEEPRML(Extended EEPRML) signal processing system and to improve an S/N.例文帳に追加

EEPRML(Extended ＥＰＲＭＬ)やEEEPRML(Extended EEPRML)信号処理方式などの高次パーシャルレス方式の最小信号間距離を拡張し、Ｓ／Ｎを改善する。 - 特許庁

To enlarge the minimum inter-signal distance of a high-order partial- less system such as EEPRML(Extended EPRML) and EEEPRML(Extended EEPRML) signal processing systems and to improve an S/N.例文帳に追加

EEPRML(Extended ＥＰＲＭＬ)やEEEPRML(Extended EEPRML)信号処理方式などの高次パーシャルレス方式の最小信号間距離を拡張し、Ｓ／Ｎを改善する。 - 特許庁

The packet interval adjusters 8-1 to 8-n receive packets from the reception packet FIFOs 3-1 to 3-n of each line, and adjust a location of the first bite of each of the reception packets by responding to an inter-packet gap of the packet interval information.例文帳に追加

パケット間隔調整部８−１〜８−ｎは、各系統の受信パケットＦＩＦＯ３−１〜３−ｎからパケットを受けて、そのパケットの先頭バイト位置を、パケット間隔情報のＩＰＧに対応させて調整する。 - 特許庁

To solve the problem that a motion detector malfunctions due to the noise in a still picture region for signals deteriorated with respect to the S/N in a motion adapted YC separator, the S/N is not improved by the inter-frame YC separation, and the noise is hardly detected, especially, if low frequency beats, etc. superimpose thereon.例文帳に追加

動き適応ＹＣ分離装置において、Ｓ／Ｎが劣化した信号に対しては静止画領域にて動き検出装置がノイズにより誤動作し、フレーム間ＹＣ分離によるＳ／Ｎ改善が図れない。 - 特許庁

A generated code quantity predicting device 18 predicts the quantity of generated codes BIT (N) in the coding device 12, on the basis of predicted residual obtained, by applying in-frame or inter-frame prediction processing to the input image signal VIN.例文帳に追加

発生符号量予測器１８は、入力画像信号VINに対してフレーム内及びフレーム間予測処理を施して得られた予測残差に基づいて符号化器１２における発生符号量BIT(N)を予測する。 - 特許庁

Inter-pixel unit areas D wider than the intervals (d) are periodically arranged between the pixel units 10 by every two pixel units 10 in array directions M and N, and the substrates 21 are linked in the inter-pixel unit areas D.例文帳に追加

画素単位１０の間には、配列方向Ｍ，Ｎに２つの画素単位１０ごとに、間隔ｄよりも広い画素単位間領域Ｄが周期的に設けられており、基板２１はこの画素単位間領域Ｄにおいて繋ぎ合わされている。 - 特許庁

A video input part 12 takes such as image data as TV program out of an storage device 11, and inputs the image data for successive n frames into an inter-successive-frame relation measuring part 13 and an inter-sample frame relationship measuring part 14.例文帳に追加

映像入力部１２は、ＴＶ番組などの画像データを蓄積装置１１から取り出し、連続するｎ画面分についての画像データを連続画面間相関測定部１３およびサンプル画面間相関測定部１４に入力させる。 - 特許庁

A correlation value calculation part 53 calculates correlation values ajk between E-j and E-k as to all combinations (j, k) within a range of j=1 to N, k=1 to N and outputs an inter-vand correlation matrix including them as elements.例文帳に追加

相関値算出部５３は、ｊ＝１〜Ｎ、ｋ＝１〜Ｎの範囲内の全ての（ｊ，ｋ）の組み合わせについて、Ｅ−ｊおよびＥ−ｋ間の相関値ａｊｋを算出し、これらを要素とする帯域間相関行列を出力する。 - 特許庁

A counter part 13 adds and clears 'inter-SSU chain number' and 'total chain number' added to an SSM extracted from an STM-n signal by terminating parts 11 and 12.例文帳に追加

計数部１３は終端部１１，１２がＳＴＭ−ｎ信号から抽出したＳＳＭに付加されている“ＳＳＵ間チェーン数”、“全チェーン数”の加算及びクリアを行う。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

Then, the evaluation function M(i, j) is calculated so as to guarantee the value area of an index parameter N(i, j) showing the inter-code distance of the states (i) and (j).例文帳に追加

そして、評価関数Ｍ（ｉ，ｊ）の算出は、状態ｉとｊのコード間距離を示す指標パラメータＮ（ｉ，ｊ）の値域が保証されるように行なわれる。 - 特許庁

The inter-ATM-station trunk 10 is provided with N sets of channel extract/ insertion circuits 101, N sets of communication information cell assembling/ disassembling circuits 102, a common line signal ATM cell assembling/ disassembling circuit 103, and an ATM cell multiplexer/demultiplexer circuit 104.例文帳に追加

ＡＴＭ局間トランク１０は、Ｎ個のチャンネル抽出／挿入回路１０１、Ｎ個の通信情報ＡＴＭセル化／デセル化回路１０２、共通線信号ＡＴＭセル化／デセル化回路１０３及びＡＴＭセル多重分離回路１０４を備える。 - 特許庁

An inter-layer insulation film 14 is formed, and a group electrodes G1 of having a plurality of electrodes 15 are formed in the n-type region 12, and a group electrodes G2 having a plurality of electrodes 16 are formed in the n-type region 13 via a plurality of open holes.例文帳に追加

層間の絶縁膜１４が形成され、複数の開孔を介してＮ型領域１２上に複数の電極１５を有する電極群Ｇ１、Ｎ型領域１３上に複数の電極１６を有する電極群Ｇ２が形成されている。 - 特許庁

A driving signal producing circuit produces N (N=5) pulse signals for ink ejection P1-P5 with the inter-pulse interval gradually prolonged so as to approach to the actuator natural cycle, and an auxiliary pulse signal S1 for restraining the ink meniscus oscillation.例文帳に追加

駆動信号生成回路は、パルス間の間隔が徐々にアクチュエータの固有周期に近づくように長くなるＮ個（Ｎ＝５）のインク吐出用パルス信号Ｐ１〜Ｐ５と、インクメニスカス振動を抑制するための補助パルス信号Ｓ１とを生成する。 - 特許庁

The semiconductor device for electric power in an embodiment includes a p-type collector layer 1, an n-type base layer 3, a p-type base layer 4, an n-type source layer 5, a gate electrode 8, an inter-layer insulating film 9, a collector electrode 11, and an emitter electrode 12.例文帳に追加

実施形態の電力用半導体装置は、ｐ形コレクタ層１と、ｎ形ベース層３と、ｐ形ベース層４と、ｎ形ソース層５と、ゲート電極８と、層間絶縁膜９と、コレクタ電極１１と、エミッタ電極１２と、を備える。 - 特許庁

When the inter-scan correlation ends, the radar equipment is lowered in detecting probability, but avoids the drop of the detecting probability by integrating received signals of N hits quantities through an incoherent integration.例文帳に追加

スキャン間相関処理を終了すると、検出確率が低下するが、インコヒーレント積分によりＮヒット分の受信信号を積分することで検出確率の低下を回避する。 - 特許庁

Then the servo of an L driver 20a is turned off at S103 and jump pulses and brake pulses are applied from the L driver 20a to a coil 205a for the left side edge to make an inter-layer jump (N-layer jump, where N is a natural number) at the left side edge.例文帳に追加

そして、Ｓ１０３にて、Ｌドライバ２０ａのサーボがＯＦＦとされるとともに、Ｌドライバ２０ａから左側側縁のコイル２０５ａに対しジャンプパルスとブレーキパルスが印加され、左側側縁における層間ジャンプ（Ｎ層ジャンプ：Ｎは自然数）が実行される。 - 特許庁

Furthermore, in an inter-mobile device group communication process, a certain mobile device in the mobile devices included in the mobile devices receives the first to n-the spread code sequences, and decodes the first bit sequence to n-th bit sequence by converting the first to n-th spread code sequences into bit sequences corresponding to the spread codes for each spread code.例文帳に追加

更に、上記移動体群間通信行程では、他の移動体群に含まれる移動体各々の内の１の移動体が、上記第１〜第ｎ拡散符号系列を受信し、当該第１〜第ｎ拡散符号系列を各拡散符号毎にその拡散符号に対応したビット系列に変換することにより第１ビット系列〜第ｎビット系列を復元する。 - 特許庁

When a rearrangement memory 102 stores signals, a vector detection means 112 selects inter-frame coding or in-frame coding for all blocks of (N-1) frames to be processed.例文帳に追加

並べ替えメモリ１０２に信号が蓄えられた時点で、ベクトル検出手段１１２において処理を行うＮ−１フレームの全ブロックについてフレーム間符号化もしくはフレーム内符号化の選択を行う。 - 特許庁

An n-channel MOSFET and p-channel MOSFET of salicide structure are integrated on a silicon substrate 1, on which a metal wiring layer 12 is formed through an inter-layer insulating film 10.例文帳に追加

シリコン基板１にサリサイド構造のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ及びｐチャネルＭＯＳＦＥＴが集積形成され、この上に層間絶縁膜１０を介して金属配線層１２が形成される。 - 特許庁

A doped polysilicon layer 30 is so formed as to come into contact with the n-type source/ drain region 4 through the contact hole 9a and have an extension part extending onto the inter-layer insulating layer 9.例文帳に追加

ドープトポリシリコン層３０は、コンタクトホール９ａを通じてｎ型ソース／ドレイン領域４と接するように、かつ層間絶縁層９上に延在する延在部分を有するように形成される。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is then formed to give a flat surface, and then an extension electrode 21 leading to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is so formed as to connect to the silicide film 8 on the element isolating film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられている。 - 特許庁

In a considered particle system, the number of particles is N, mass of each the particle is m, and interaction potential is expressed by a product of an interaction coefficient ε and a dimensionless function f representing inter-particle distance dependence.例文帳に追加

粒子数がＮであり、各粒子の質量がｍであり、相互作用ポテンシャルが、粒子間距離依存性を表す無次元化関数ｆ及び相互作用係数εの積で表される粒子系を考える。 - 特許庁

Pixels in the pixel arrays are selected by the measured positions of light spots so as to realize almost ideal N-overlay exposure by suppressing overexposure and underexposure to minimal in the inter-head relay areas.例文帳に追加

測定された光点の位置から、ヘッド間つなぎ領域において露光の冗長や不足を最小限に抑えた理想的に近いＮ重露光が実現されるように、画素アレイ上の使用画素が選択される。 - 特許庁

The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。 - 特許庁

A communication vehicle velocity change information processing part 45 of the drive support device 10 predicts a future velocity V of the own vehicle 102 based on the acceleration a_1 of a forward communication vehicle 101 acquired by an inter-vehicle communication processor 24 by wireless communication and the number N of inter-vehicle vehicles traveling between the estimated forward communication vehicle 101 and the own vehicle 102.例文帳に追加

運転支援装置１０の通信車速度変動情報処理部４５が、車車間通信処理装置２４が無線通信により取得した前方通信車１０１の加速度ａ_１と、推定した前方通信車１０１と自車１０２との間を走行する車間台数Ｎとに基づいて自車１０２の将来の速度Ｖを予測する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device provided with a CMP treatment process for performing CMP treatment on the insulating inter-layer film 8 is provided with a process for forming an erosion induction part N producing erosion during a CMP treatment process on an area corresponding to a projection face M out of the irregular face formed on the insulating inter-layer film 8 before the CMP treatment process.例文帳に追加

絶縁層間膜８にＣＭＰ処理を行うＣＭＰ処理工程を備える半導体装置の製造方法であって、ＣＭＰ処理工程の前に絶縁層間膜８上に形成される凹凸面のうちの凸面Ｍに対応する領域に、ＣＭＰ処理工程時にエロージョンを発生させるエロージョン誘引部Ｎを形成する工程を備える。 - 特許庁

The learning data of an N cell unit whose level value is known beforehand is recorded in an optical disk regarding the cell center value, and a learning tape for learning the level of inter-code interference from a nearby cell based on the reproduction signal.例文帳に追加

また、セル中央値に関して光ディスクに予めレベル値が分かっているＮセル単位の学習データを記録しその再生信号から近傍セルからの符号間干渉の度合いを学習する学習テーブルを作成する。 - 特許庁

Then p-type areas 7 to be channels, n^+-type areas 8 to be sources and body p-type areas 9 are formed on the surface layer of the semiconductor substrate 3 and an inter-layer insulating film 10, a metallic film 11 to be a source electrode, and so on are formed.例文帳に追加

その後、半導体基板３の表層にチャネルとなるＰ型領域７、ソースとなるＮ^＋型領域８、ボディＰ型領域９を形成し、さらに層間絶縁膜１０、ソース電極となる金属膜１１等を形成する。 - 特許庁

At the stop of the device operation or at the completion of charging from the outside, respective inter-terminal voltages of secondary battery cells 11-1 to 11-n and a battery temperature are measured and stored in a storage device 51 together with measurement time t0.例文帳に追加

機器が動作を停止したとき若しくは外部からの充電を完了したときに、各２次電池セル１１−１〜１１−ｎの端子間電圧及び電池温度を測定して、測定時間ｔ０と共に記憶装置５１に記憶する。 - 特許庁

Even in the case of a communication channel where inter-code interference takes place, reception signals different by optional N-symbol time are signals where only a phase difference caused by a frequency offset between a transmitter and a receiver differs by using the training series as above.例文帳に追加

このようなトレーニング系列を用いると、符号間干渉が生じるような通信路であっても、任意のＮシンボル時間だけ異なる受信信号は、送受信器間の周波数オフセットに起因する位相差だけが異なる信号となる。 - 特許庁