| 例文 |
interlayer temperatureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 130件
To provide a transparent conductive film which can prevent yellowing under high temperature and high humidity, and further, has a high interlayer adhesion under alkaline condition, a touch panel which uses film, and to provide an electronic apparatus.例文帳に追加
高温高湿下での黄変を防止できる上、アルカリ性条件下での層間密着性が高い透明導電性フィルム、並びにこれを用いたタッチパネル及び電子機器を提供する。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass which is excellent in sound insulation property in a wide range of temperature and prevents an instrument display from being seen doubly when being used for a head-up display.例文帳に追加
広い温度範囲においても遮音性に優れ、かつ、ヘッドアップディスプレイに用いたときに計器表示が二重に見えるのを防止することができる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass, excellent in sound insulating property even in a wide temperature range, excellent in deaerating property in a preliminary press-bonding step and suppressing foaming failure.例文帳に追加
広い温度範囲においても遮音性に優れ、かつ、予備圧着工程における脱気性に優れ発泡不良の発生を抑制できる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
To provide a thermosetting resin composition excellent in resistance to heat or chemicals, storage stability, and high-temperature reactivity, a transfer printing material using the same, and a method for forming an interlayer insulation film.例文帳に追加
耐熱性、耐薬品、保存性、および高温反応性に優れた熱硬化性樹脂組成物、それを用いた転写材料、及び層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
On the TFT substrate 100, an organic passivation film 109 is formed, and an interlayer dielectric 111 comprising an SiN film formed by low-temperature CVD is formed over the film 109.例文帳に追加
TFT基板100には、有機パッシベーション膜109が形成され、その上に、低温CVDによって形成されたSiN膜による層間絶縁膜111が形成されている。 - 特許庁
A dense insulating film is formed on its upper side by high temperature sintering treatment at ≥700°C and subsequently it is flattened by polishing treatment to form a first interlayer insulating film 4.例文帳に追加
その上方に700℃以上の高温で熱焼成処理を施すことにより緻密な絶縁膜を形成した後、研磨処理によりこれを平坦化して、第1層間絶縁膜(4)とする。 - 特許庁
To provide an air side electrode material and a fuel side interlayer material of an SOFC in which polarization of the electrodes is suppressed even under a low operating temperature of about 800°C.例文帳に追加
800℃程度の低い運転温度でも電極の分極が抑えられたSOFCの空気側電極用材料及び燃料側中間層用材料を提供することを目的とする。 - 特許庁
The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like.例文帳に追加
シリコン基板11に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜14、窒化シリコン膜18などの高温熱処理で拡散抵抗12を形成する。 - 特許庁
A first SiN film is formed at a low temperature as a diffusion prevention film such that it covers the surface of Cu wiring pattern embedded in an interlayer insulation film, and then a second SiN film is formed thereon at a higher temperature as an etching stopper film.例文帳に追加
層間絶縁膜中に埋設されたCu配線パターン表面を覆うように低温において第1のSiN膜を拡散防止膜として形成し、その上により高温で第2のSiN膜をエッチングストッパ膜として形成する。 - 特許庁
To obtain an electromagnetic induction heating device in which separately from temperature detection of a heated material, temperature detection of the electromagnetic induction coil is carried out by a simple constitution, and faults occurring by localized heating accompanying the interlayer short-circuit in the electromagnetic induction coil is prevented beforehand.例文帳に追加
被加熱物の温度検知とは別に、簡易な構成で電磁誘導コイルの温度検知を行い、電磁誘導コイル内での層間短絡に伴う局部加熱により発生する不具合を未然に防止できる電磁誘導加熱装置得る。 - 特許庁
To provide an interlayer film capable of being preserved at ordinary temperature without impairing basic characteristics necessary for laminated glass such as transparency, humidity resistance, weather resistance and impact resistance and capable of being laminated on both of a synthetic resin sheet and a glass sheet at a relatively low temperature without needing humidity control or an autoclave in its manufacturing process, and to provide the laminated glass using the interlayer film.例文帳に追加
本発明の目的は、透明性、耐湿性、耐候性、耐衝撃性など合わせガラスに必要な基本特性を損なうことなく、常温で保管が可能であり、製造工程では調湿およびオートクレーブを必要とせずに、比較的低温で合成樹脂板とガラス板の両方に合わせ加工が可能な合わせガラス用中間膜およびそれを用いた合わせガラスを提供することにある。 - 特許庁
In dry etching of an interlayer dielectric 14 in which a photoresist mask 16 is used as a mask, the maximal temperature of a substrate is controlled to be lower than a resist heat resistance temperature which is regulated on the basis of the heighest temperature which is applied to the resist by treatment such as baking and UV cure before etching, and etching is performed.例文帳に追加
フォトレジストマスク16をマスクとして用いる層間絶縁膜14のドライエッチングにおいて、基板温度の最高到達温度を、エッチングを行う以前にベーク、UVキュアなどの処理でレジストに施した最も高い温度を基に規定されるレジスト耐熱温度未満に制御してエッチングを行う。 - 特許庁
After depositing an interlayer insulating film 16 which covers a capacitor on the insulating film 11, the capacitor covered with the interlayer insulating film 16 is subjected to annealing at a temperature at which the ferroelectric film constituting the capacity insulating film 14A is crystallized for forming a crystallized ferroelectric film 14B.例文帳に追加
絶縁膜11の上に容量素子を覆う層間絶縁膜16を堆積した後、層間絶縁膜16に覆われている容量素子に対して、容量絶縁膜14Aを構成する強誘電体膜が結晶化する温度でアニールを行なって、結晶化した強誘電体膜14Bを形成する。 - 特許庁
This manufacturing method of a semiconductor memory element is provided with a first step wherein the interlayer insulating film is formed in an upper part of a semiconductor substrate on which a capacitor is formed, and a second step wherein the interlayer insulating film is dry-etched under a condition that electron temperature of the plasma is maintained to 2.0 eV to 4.0 eV and the capacitor is exposed.例文帳に追加
本発明の半導体メモリ素子の製造方法は、キャパシタが形成された半導体基板上部に層間絶縁膜を形成する第1ステップ、及びプラズマの電子温度を2.0eVないし4.0eVに保持した条件下に前記層間絶縁膜をドライエッチングして前記キャパシタを露出させる第2ステップを備えている。 - 特許庁
A low dielectric constant interlayer insulating film with a via hole formed thereon is processed by plasma containing hydrogen with an electronic temperature whereat the spatter of a low resistance metallic pattern exposed on the bottom of the via hole will not be generated to effect hydrogen termination of the surface of interlayer insulating film including the side wall surface and bottom surface of the via hole.例文帳に追加
ビアホールが形成された低誘電率層間絶縁膜を、ビアホール底で露出している低抵抗金属パターンのスパッタが生じないような電子温度の水素を含むプラズマで処理し、前記層間絶縁膜表面を、ビアホールの側壁面および前記ビアホールの底面を含めて水素終端する - 特許庁
To provide a catalyst for cleaning exhaust gas which can securely inhibit the solid-solution deterioration of Pt and Rh by sufficiently curbing the interlayer transfer of Pt and Rh, even in an oxygen excessive atmosphere at a high temperature of not less than 900°C.例文帳に追加
900℃以上の高温でかつ酸素過剰雰囲気であっても、Pt及びRhの層間移動を十分に抑制して、Pt及びRhの固溶劣化をより確実に抑制する。 - 特許庁
To provide a carbon/carbon (C/C) composite material with improved flexural strength and interlayer shear strength, and improved thermal conductivity in the direction of lamination at normal temperature, and to provide a method for producing the material.例文帳に追加
曲げ強度や層間せん断強度の向上を図りつつ、常温での積層方向の熱伝導度を向上させることができるC/Cコンポジット材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass, excellent in sound insulating property in a wide temperature range and excellent in protection of privacy such a way that the layer transmits light but prevents a person or an object at the back from being visible through the layer.例文帳に追加
幅広い温度範囲における遮音性に優れており、かつ、光は透過させるが背後にある人又は物体は視認できない、プライバシー保護に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
A dense insulating film is formed thereon by subjecting the film to a thermal baking treatment at a high temperature above 700°C and is then planarized by a polishing treatment, by which a first interlayer insulating film (4) is formed.例文帳に追加
その上方に700℃以上の高温で熱焼成処理を施すことにより緻密な絶縁膜を形成した後、研磨処理によりこれを平坦化して、第1層間絶縁膜(4)とする。 - 特許庁
To provide a device capable of measuring accurately even at a very low temperature in a limited space, a mechanical characteristic value such as interlayer fracture toughness or the like on laminated material such as fiber reinforced plastics or the like.例文帳に追加
繊維強化プラスチックなどの積層材料における層間破壊じん性などの機械的特性値を限られたスペースで、極低温下でも精度よく測定することのできる装置を提供する。 - 特許庁
To provide an adhesive composition for electronic equipment and an adhesive sheet for electronic equipment, which enable temporary adhesion at ordinary temperature, and ensure high interlayer insulation property of an adhesive layer after heat curing.例文帳に追加
常温での仮接着が可能であり、さらに加熱硬化後の接着剤層の層間絶縁性が高い電子機器用接着剤組成物および電子機器用接着剤シートを提供する。 - 特許庁
To suppress cracks caused in an interlayer insulating film composed of a low dielectric film between wirings in an inspection using a probe needle at a high temperature in a semiconductor device having an electrode pad.例文帳に追加
電極パッドを有する半導体装置における高温でのプローブ針を用いた検査において、配線間の低誘電率膜からなる層間絶縁膜に生じるクラックを抑制することを可能にする。 - 特許庁
To provide a thermoplastic resin sheet which is not needed to be heated or pressurized in an autoclave in the use as an interlayer film for a laminated glass and by which the resultant laminated glass exhibits excellent penetration resistance not only at an ordinary temperature but also at a high temperature and a laminated body using the thermoplastic resin sheet.例文帳に追加
合わせガラス用中間膜として使用する際にオートクレーブによる加熱加圧が不要であって、得られる合わせガラスは常温のみならず高温において優れた耐貫通性能を発現し得る熱可塑性樹脂シート、及び、この熱可塑性樹脂シートを用いた積層体を提供する。 - 特許庁
To provide a graphite-based hydrogen storage material in which the interlayer of graphite is utilized and which has the hydrogen storage capacity larger than that of a porous material such as activated carbon at normal temperature and is manufactured easily and to provide a method for manufacturing the graphite-based hydrogen storage material.例文帳に追加
黒鉛の層間を利用し、常温において活性炭等の多孔質材料よりも高い水素吸蔵量を有し、作製も容易な黒鉛系水素吸蔵材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent an organic passivation film in a peripheral seal part and an interlayer dielectric disposed by low-temperature CVD formed on the organic passivation film from being peeled off in an IPS liquid crystal display device.例文帳に追加
IPS方式の液晶表示装置において、周辺シール部における有機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜の上に配置された低温CVDによって形成された層間絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁
To provide a substrate processing method, capable of processing a substrate at a low temperature so that a barrier film is able to have film thickness that ensures sufficient barrier performance, while suppressing evaporation of moisture in an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜中の水分の蒸発を抑制しつつ、バリア膜に、充分なバリア性を確保するための膜厚を得ることが可能となるように、基板を低温で処理できる基板処理方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a water-soluble laminated film which has a good water solubility while keeping a constant water resistance, and maintains a good interlayer adhesive strength even if it is exposed under the condition of high temperature and wettability at 40°C or so.例文帳に追加
一定の耐水性を有しつつ水解性にも優れ、更に、40℃程度の高温湿潤状態にさらされた場合にあっても、優れた層間接着強度を維持する水解性積層フィルムを提供する。 - 特許庁
In the method for manufacturing the liquid crystal display device including a scanning line and a signal line arranged in a matrix shape on a substrate, a TFT (Thin Film Transistor) connected to the lines, and a pixel electrode connected to the TFT through an interlayer insulating film of the application system, a substrate temperature when forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film is set at 100-170°C.例文帳に追加
基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるTFTと、TFTに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、100〜170℃とする。 - 特許庁
In the process of manufacturing the liquid crystal display device including a matrix of scan lines and signal lines arranged on a substrate, TFT connected to these lines and pixel electrodes connected to TFT with an applied interlayer insulation film, the temperature of the substrate at the formation of the transparent conductive film on the interlayer insulation film is regulated within 100-170°C.例文帳に追加
基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるTFTと、TFTに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、100〜170℃とする。 - 特許庁
In the process, a silicon oxide film having an organic group coupled with a silicon atom is preferably used as the low dielectric constant interlayer insulating film, and an organic matter having a thermal cracking temperature lower than that of the organic group is preferably used as the source of the hole.例文帳に追加
ここで、低誘電率層間絶縁膜として、シリコン原子と結合した有機基を有するシリコン酸化膜を用い、空孔源として、この有機基よりも熱分解温度が低い有機物を用いるのが好ましい。 - 特許庁
To provide a peeling method of peeling, at a relatively low temperature, a resist of poor peeling property, without eroding a semiconductor material such as a low dielectricity interlayer insulating film, in a wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加
半導体素子の配線工程において、低誘電率層間絶縁膜等の半導体材料を腐食することなく、比較的低温で、剥離性の悪いレジストを剥離することのできるレジストの剥離方法を提供する。 - 特許庁
Since the Al-Cu alloy is used for the wiring 18, even if it is used in a high-temperature condition, the highly reliable wiring 18 capable of preventing failure due to diffusion of the wiring material in the interlayer insulating film 12 can be formed.例文帳に追加
配線18にAl−Cu合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜12中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線18を形成することができる。 - 特許庁
The interlayer for laminated glass is one that is obtained by allowing an organic peroxide to be included in an ethylene-vinyl acetate copolymer, wherein the organic peroxide is represented by formula I, and is a peroxy ketal having a 10-hr half-life temperature of 100°C or lower.例文帳に追加
エチレン/酢酸ビニル共重合体に有機過酸化物を含有してなる合わせガラス用中間膜であって、有機過酸化物が下記式I:で表され、且つ10時間半減期の温度が100℃以下であるパーオキシケタール。 - 特許庁
To provide a means for preventing a deterioration in a light emitting element caused by a difference in the temperature characteristics between an interlayer insulating film and an anode in a light emitting device having the anode, an organic compound layer, and a cathode.例文帳に追加
陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、層間絶縁膜と陽極との温度特性の違いにより生じる発光素子の劣化を防ぐ手段を提供することを課題とする。 - 特許庁
This is heated to eliminate gas in the interlayer insulation film 6 to quickly cool it down to a substrate holder temperature, and after impurities in the contact hole 6A are removed by RF plasma annealing, a wiring layer 7 is formed as a desirable pattern.例文帳に追加
これを加熱して層間絶縁膜6中のガス除去して基板ホルダ温度まで急速冷却し、RFプラズマアニールによりコンタクトホール6A中の不純物を除去した後配線層7を所望のパターンに形成する。 - 特許庁
To provide a heat-curable silicone rubber composition for a rubber laminate comprising a heterogeneous rubber layer and a silicone rubber layer, which can form a silicone rubber layer maintaining good interlayer adhesivity with the heterogeneous rubber layer even after left to stand under high temperature environment.例文帳に追加
異種ゴム層とシリコーンゴム層とからなるゴム積層体において、高温環境下に放置後も異種ゴム層との良好な層間接着性を維持するシリコーンゴム層を形成し得る加熱硬化性シリコーンゴム組成物を提供する。 - 特許庁
To achieve a laminated type IEJ junction, without having to creating a mesa structure, since the deterioration of the film quality of an interlayer insulation film cannot be avoided due to the regulation of deposition temperature, in a process for utilizing the mesa structure when creating the lamination type IEJ junction regarding a high-temperature superconducting device.例文帳に追加
高温超電導体装置に関し、積層型IEJ接合を作成するに際し、メサ構造を利用するプロセスでは、堆積温度が規制されることに起因し、層間絶縁膜の膜質劣化を回避できないので、メサ構造を作成せずに積層型IEJ接合を実現することが基本になっている。 - 特許庁
To provide a heat-shrinkable laminated film which excels in heat shrinkage characteristics, transparency, and interlayer adhesion at an ordinary temperature, is hard to peel even if treated at a high temperature, is restrained from whitening that occurs when bending the film during processing or the like, and is suitably used for a shrink package, shrink binding package, a shrink label, or the like.例文帳に追加
熱収縮特性、透明性、常温における層間接着に優れ、高温で処理しても剥離しにくく、かつ、加工時等にフィルムを折り曲げた際に生じる白化を抑制した、収縮包装、収縮結束包装や収縮ラベル等の用途に適した熱収縮性積層フィルムの提供。 - 特許庁
Accordingly, chemicals for forming the low permittivity (Low-k) interlayer insulating film coated on a processing substrate W can be heat treated, and temperature fluctuation of the substrate after/before heat treatment can be suppressed within the releasable temperature range of the chemicals to the open air, resulting in moderate treatment without causing excessive reaction.例文帳に追加
これにより、処理基板Wに塗布された低誘電率(Low-k)層間絶縁膜を形成するための薬液を加熱処理することが可能となり、また、加熱処理前後における基板温度を薬液の大気開放可能温度域以内に抑えることが可能で、過剰反応になることなく適正な処理が行える。 - 特許庁
In the mounting of the semiconductor chip and the interlayer connection of the multilayer interconnection substrate, the hardenable flux included with a resin (A) provided with a phenolic hydroxy group being of solid state in the room temperature, one or more kinds of resins (B) being a hardener and at least one kind thereof is of liquid state in the room temperature, and a thermoplastic resin (C), is used.例文帳に追加
半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続において、フェノール性ヒドロキシル基を有する室温で固形の樹脂(A)、該樹脂の硬化剤であり、少なくとも一種は室温で液状である一種以上の樹脂(B)及び熱可塑性樹脂(C)を含有する硬化性フラックスを用いる。 - 特許庁
To provide a developing roller which is excellent in interlayer adhesion between a silicone resin layer and a surface layer when storing under high temperature and high humidity for a long time and is capable of suppressing an image stripe caused by long term contact with a developing blade and toner adhesion when an image is output repeatedly under low temperature and low humidity.例文帳に追加
高温高湿下において長期期間保管した際の、シリコーン樹脂層と表面層の層間接着性が優れ、現像ブレードとの長期接触による画像スジ、低温低湿下における繰り返し画像出力した際のトナー固着の抑制を同時に可能とする現像ローラを提供する。 - 特許庁
The thermal infrared detection part 3 includes: on a heat insulating layer 33 of the silicon substrate 1, a temperature detection part 36 consisting of an n-type polysilicon layer (silicon layer) 34, a p-type polysilicon layer (silicon layer) 35 and an electrode 37; and an interlayer insulating film (protective film) 49 and a passivation film (protective film) 60 protecting the temperature detection part 36.例文帳に追加
熱型赤外線検出部3は、シリコン基板1の熱絶縁層33上にn形ポリシリコン層(シリコン層)34、p形ポリシリコン層(シリコン層)35および電極37からなる温度検出部36と、温度検出部36を保護する層間絶縁膜(保護膜)49およびパッシベーション膜(保護膜)60とを備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, having superior connection reliability in which an undercut free conductor circuit can be formed, adhesion is improved between the conductor circuit and an interlayer resin insulation layer or a solder resist layer, cracks of the interlayer resin insulation layer or the solder resist layer is suppressed under heat cycle conditions or high temperature high humidity, and stripping of the conductor circuit is prevented.例文帳に追加
アンダーカットのない導体回路を形成することができ、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が改善され、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a fiber-reinforced composite material simultaneously achieving excellent CAI (compression strength after impact), ILSS (interlayer shear strength) and bending fracture toughness at high levels, and keeping a high glass transition temperature of the resin material; and a prepreg and a benzoxazine resin composition to be used therein.例文帳に追加
優れたCAI、ILSS及び曲げ破壊靱性を高次元で同時に達成でき、且つ樹脂材料のガラス転移温度も高く維持しうる繊維強化複合材料、それに用いるプリプレグ及びベンゾオキサジン樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition which has high radiation sensitivity and can be baked by heating at a low temperature in a short period of time so that it is suitably used in the formation of an interlayer insulating film of a flexible display.例文帳に追加
フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜の形成に好適に用いられるような低温かつ短時間での加熱による焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有する感放射線性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁
At this time, the flow rates of the gases, the temperature of the substrate, the pressure in the chamber and the electric power to be applied on the plasma formation are controlled so that the Ti film is deposited on the interlayer insulation film or insulation film at a high selection ratio.例文帳に追加
この際に、ホール部位に、層間絶縁膜または絶縁膜に対して高選択比でTi膜が成膜されるように、前記ガスの流量、基板温度、チャンバー内圧力およびプラズマを形成する際の投入電力を調整する。 - 特許庁
To provide means capable of preventing deterioration of a light emitting element caused by difference between temperature characteristics of an interlayer insulation film and a positive electrode, in a light emitting device having a light emitting element including a positive electrode, an organic compound layer and a negative electrode.例文帳に追加
陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、層間絶縁膜と陽極との温度特性の違いにより生じる発光素子の劣化を防ぐ手段を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass and laminated glass which is excellent in basic performance necessary for laminated glass such as transparency, weather resistance, shock energy absorbency and adhesion with glass, prevents the degradation of TL value due to the coincidence effect and exhibits excellent sound insulation in a wide temperature range stably for a long time without impairing the moldability and handling property as the interlayer for laminated glass.例文帳に追加
透明性、耐候性、衝撃エネルギー吸収性、ガラスとの接着性等の合わせガラスに必要な基本性能に優れ、合わせガラス用中間膜としての成形性及び取扱性を損なうことなく、コインシデンス効果によるTL値の低下を防ぎ、且つ広い温度領域において優れた遮音性能を長期安定的に発揮できる合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加
Low−K材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The sidewall-removing liquid, containing a fluorine compound, certain types of amino alcohols, an organic solvent and water having a pH of 9-11, can remove sidewall at a low temperature and in a short time, without corroding the metal wiring material or the interlayer material.例文帳に追加
本発明のフッ素化合物、アミノアルコール類、有機溶剤と水を含有し、pHを9〜11としたサイドウォール除去液により、金属配線材料や層間材料等を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することができる。 - 特許庁
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