「layer short circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To efficiently repair a short circuit part in an intersecting part, in an electron source mounted with matrix wiring composed of upper wiring and lower wiring intersecting each other with intermediation of an insulating layer between the upper wiring and the lower wiring.例文帳に追加

絶縁層を介して交差する上層配線と下層配線からなるマトリックス配線を備えた電子源において、上記交差部における短絡部を効率よく修復する。 - 特許庁

To provide a conductive paste hardly generating fault of internal structure and short circuit on a laminated ceramic capacitor, coping with the reduction of the size of the laminated ceramic capacitor and the increase of the capacity thereof, and suitable for the formation of an internal conductive layer.例文帳に追加

内部構造欠陥が発生しにくいだけでなく、ショート不良が生じにくく、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化に対応できる内部導電体層形成に適した導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head by which the short-circuit between coil conductors can be suppressed by a simple process and a part between the coil conductors can appropriately be filled with an insulating layer.例文帳に追加

簡単な手法で、コイル導体部間の短絡を抑制でき、また前記コイル導体部間を適切に絶縁層にて埋めることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

By providing the air gap layer 6, it becomes difficult for the lower electrode 2 and the top electrode 4 to short-circuit, even when chipping occurs or a fatigue crack is produced in the manufacture of the thin film 3.例文帳に追加

空隙層６を設けることにより、圧電体薄膜３の製造時に欠損があったり疲労亀裂が発生した場合にも、下部電極２と上部電極４とが短絡しにくくなる。 - 特許庁

To realize a magnetic recording and reproducing device having high recording density and reduced deterioration of properties due to a short circuit between a magneto-resistance effect film and a magnetic shield layer even when a shield interval is narrowed.例文帳に追加

シールド間隔を狭くした場合にも磁気抵抗効果膜と磁気シールド層の短絡による特性劣化を少なくし、高い記録密度の磁気記録再生装置を実現する。 - 特許庁

To eliminate a layer short circuit of a coil due to an evaporated metal or dust by confirming a melting work without fault even when the evaporated metal, the dust or a fume is generated.例文帳に追加

浮揚溶解装置において、蒸発金属、もしくはダストや、ヒュームが発生しても、支障無く溶解作業の確認が行え、蒸発金属、もしくはダストによりコイルがレアショートしないようにする。 - 特許庁

To provide a package for storing a light emitting element which reduces the possibility that, even when wiring conductors and a metal layer come into contact with each other, the wiring conductors short-circuit to each other, and to provide a light emitting device.例文帳に追加

本発明は、配線導体と金属層とが接触したとしても、配線導体同士が短絡する可能性が低減された発光素子収納用パッケージおよび発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Even if a pinhole cannot be found by a visual check, a metal member and the impurity diffusion layer 101 short-circuit when a bump is formed and the pinhole is checked as a failure in an electric characteristic test.例文帳に追加

外観発見できないピンホールが発生してもバンプ形成時の金属部材が不純物拡散層１０１と短絡して電気特性試験で不良になる。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of improving battery capacity by utilizing the whole surface of an activator layer while securing the short-circuit preventing function.例文帳に追加

短絡防止の機能を確保しつつ、活物質層全面を有効に活用して電池容量の向上を実現することができる非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device consisting of a power MOSFET including a silicide layer of interconnection structure and a low profile bump in which inter-bump short circuit is prevented, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

相互接続構造の珪化物層と、ロープロファイルバンプを含む、バンプ間ショートを防止したパワーＭＯＳＦＥＴからなる半導体デバイスおよび製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode plate effectively preventing an active material layer from blocking, as a result, with excellent battery performance, restraining deposition of metal (generation of dendrite) and short-circuit, with excellent productivity.例文帳に追加

活物質層のブロッキングを有効に防止し、その結果、電池性能がよく、金属の析出（デンドライトの発生）およびショートの発生を抑制し、さらに生産性のよい電極板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Bumper surface electrode parts 15a; plate-like back electrode parts 15b; and short-circuit parts 15c passed and extended in thickness directions of the insulating layer 18 are integrated.例文帳に追加

突起状の表面電極部１５ａと、板状の裏面電極部１５ｂと、絶縁層１８の厚さ方向に貫通して延びる短絡部１５ｃとが一体化している。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to fully cover the surface of the wide copper wiring with a metallic cap, and to prevent generation of short circuit due to the metallic cap layer formed on the narrow wiring.例文帳に追加

この特徴により、幅の広い銅配線表面を十分に金属キャップで覆うことができ、幅の細い配線上に形成された金属キャップ層によるショートの発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a layout drawing display device of semiconductor integrated circuit by which, if a long-distance wire and a short-distance wire are mixed on the same wiring layer, they are discriminated from each other to be clearly displayed.例文帳に追加

同一の配線層に遠距離配線と、短距離配線が混在している場合に、それらを区別して、見やすく表示する半導体集積回路のレイアウト図面表示装置を提供する。 - 特許庁

This radio communication terminal equipment is provided with an RF circuit 3 which supplies a high frequency signal to an antenna element 13, the antenna element 13 which has this RF circuit 3 built-in, and a circuit board 15 which has a baseband signal circuit 4 connected to the RF circuit 3 and has a ground layer 16 which short-circuits a part of the antenna element 13.例文帳に追加

この発明の無線通信端末装置は、アンテナ素子１３に高周波信号を供給するＲＦ回路３と、このＲＦ回路３を内部に内蔵させるアンテナ素子１３と、前記ＲＦ回路３と接続されるベースバンド信号回路４を有し、前記アンテナ素子１３の一部を短絡させるグランド層１６を形成した回路基板４とを備える。 - 特許庁

Another oxide layer is disposed in contact with an electron injection layer containing an alkaline earth metal, so that the heat generated by the short circuit between the electrodes of the light emitting element can react oxygen contained in the oxide layer with the alkaline earth metal contained in the electron injection layer to generate an oxide of the alkaline earth metal, which adsorbs out moisture entering the insulator generated by the insulation of the short circuit region.例文帳に追加

さらに、アルカリ土類金属を含む電子注入層と接して酸化物層を設けることにより、発光素子において両電極間の短絡が生じた際に発生する熱により、酸化物層に含まれる酸素と電子注入層に含まれるアルカリ土類金属とを反応させ、アルカリ土類金属の酸化物を生成することにより、短絡箇所の絶縁化により生成する絶縁体に侵入する水分を吸着して除去することができる。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by achieving uniformity in junction depth of a high concentration impurity layer of a source/drain electrode including an elevated source/drain region in a transistor in a peripheral circuit region while preventing short-circuit due to contact between semiconductor layers on the sourced/drain electrode in the transistor in a memory cell region.例文帳に追加

メモリセル領域のトランジスタにおけるソース／ドレイン電極上の半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおけるせり上げソース／ドレイン領域を含むソース／ドレイン電極の高濃度不純物層の接合深さの均一性を図り、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.例文帳に追加

第１発熱導体の周囲に絶縁層を介して第２発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第１発熱導体と第２発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁

To prevent short circuit between a gas diffusion layer on an anode side and that on a cathode side and make the size of an electrolyte membrane and that of the gas diffusion layer almost the same in a membrane electrode assembly for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体において、アノード極側のガス拡散層とカソード極電極のガス拡散層との間の短絡を防止するとともに、電解質膜の大きさとガス拡散層の大きさとが略同じとすることである。 - 特許庁

To provide a material structure which can stably seal closely without causing short circuit between a barrier layer of an outer package and a tab, when the outer package with polyethylene system resin as an innermost resin layer is heat sealed around its peripheral edge in case of packing of a lithium ion battery.例文帳に追加

リチウムイオン電池包装において、ポリエチレン系樹脂を最内樹脂層とする外装体にその周縁をヒートシールして密封する際に、熱と圧力によって外装体のバリア層とタブとがショートすることなく安定して密封可能な材質構成を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device with a transparent conductive film, a photoelectric conversion unit, a transparent electrode layer and a highly reflective electrode layer, which has high conversion efficiency and is improved in short circuit current density and curve factors.例文帳に追加

透明導電膜、光電変換ユニット、透明電極層、及び高反射電極層を備えた薄膜光電変換装置において、短絡電流密度および曲線因子が改善された変換効率の高い光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory device suppressing generation of pattern collapse or pattern short-circuit between adjacent memory cells in a lower part of the memory cells when a laminated film containing a resistance change layer and a rectifying layer is processed to form a columnar memory cell.例文帳に追加

抵抗変化層と整流層とを含む積層膜を柱状のメモリセルを加工する場合に、パターン倒れやメモリセル下部での隣接するメモリセルとの間のパターンショートの発生を抑える不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stacked secondary battery reducing coming off of an active material from a positive electrode and a negative electrode and mixing of it to them, preventing failure of self discharge and short circuit, and facilitate the sure arrangement of a positive active material layer on the inside of a negative active material layer.例文帳に追加

正極、負極からの活物質の脱落及び対極への混入の低減を図り、自己放電及び短絡の不良を生じさせず、かつ正極活物質層が必ず負極の活物質層の内側に配置されていることを容易にする積層型二次電池を提供する。 - 特許庁

Since a lower layer electrode 31 formed on the top face of the core 11 is unerringly covered by a light-emitting layer 32 formed on the top face, a defect such as a disconnection or a short circuit can be prevented from occurring in the light-emitting element 30.例文帳に追加

上記構造によれば、コア１１上面に形成される下層電極３１を、その上面に成膜される発光層３２が確実に被覆できるため、発光素子３０に断線や短絡という欠陥が発生することを確実に防止できる。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of preventing occurrence of a short circuit failure even when a resist layer as a lift-off layer is separated from a base insulation film by generation of film stress, and an unnecessary metal film adheres to its exposure part.例文帳に追加

本発明の課題は、膜応力の発生により、リフトオフ層としてのレジスト層が下地絶縁膜から剥離し、その露呈部分に不要な金属膜が付着してもショート不良になることを防止できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The insulation layer 19 has a difference in level structure, thereby, the remaining of a conductive layer on the electrode 5 for connection is prevented in a process of forming a pixel electrode on a picture display region 1 and the short circuit of the electrode 5 for connection is suppressed.例文帳に追加

絶縁層１９が段差構造を有することによって、画像表示領域１上に画素電極を形成する工程において接続用電極５上に導電層が残存することを防止し、接続用電極５が短絡することを抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a gate spacer contg. a conductive layer wherein the characteristics deterioration of a semiconductor element due to hot electrons is suppressed, the short circuit between a gate and source/drain can be avoided, and a silicide layer can be formed also on a gate electrode.例文帳に追加

ホットエレクトロンによる半導体素子の特性劣化を抑制し、ゲートとソース／ドレーン間の短絡問題を解決することができ、ゲート電極上にもシリサイド層を形成できる伝導層が含まれたゲートスペーサを備える半導体素子を提供する。 - 特許庁

To improve the yield of a wiring board by making repair of a short- circuit failure point between upper and lower wirings generated through a pin-hole of an insulation layer easy by a conducting process, when a wiring board of a matrix structure comprising the lower wiring and the upper wiring separated by the insulation layer is used.例文帳に追加

絶縁層によって隔てられた下部配線と上部配線を有するマトリックス構造の配線基板を用いる場合において、絶縁層のピンホールを介して生ずる上下配線間ショート不良箇所を通電処理によって修復（リペア）し易くして、配線基板の歩留向上を図る。 - 特許庁

Furthermore, since the protection layer 14 is formed not to project from the surface of the insulating base material 11, the protection layer 14 is hardly damaged when compared to the case that it is formed to project, thus further surely preventing short circuit between the conductor layers 13 due to migration.例文帳に追加

さらに、保護層１４は絶縁性基材１１の表面よりも突出しないように形成されているので、突出して形成されている場合に比べて保護層１４が損傷し難くなり、より確実にマイグレーションによる導体層１３間の短絡を防止できる。 - 特許庁

To provide an organic EL display device of an active matrix system capable of preventing a short circuit from occurring across a transparent electrode and a cathode at an edge cover layer opening end without causing a problem that an organic EL layer is deteriorated by outgassing from a planarized organic film.例文帳に追加

有機平坦化膜からの脱ガスによって有機ＥＬ層が劣化するという問題を生じさせることなく、エッジカバー層開口部端での透明電極−陰極間ショートの発生を防止することができるアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

Also, before forming the copper oxide film 11 a deteriorated layer C having conductivity in a region other than immediately below the wiring 7 is completely removed, thereby enabling to prevent without fail the generation of short circuit due to the deteriorated layer C between the wiring 7.例文帳に追加

また、酸化銅膜１１を形成する前に、配線７下以外の領域における導電性を有する変質層Ｃを完全に除去することにより、変質層Ｃに起因する配線７間でのショートの発生を確実に防止することができる。 - 特許庁

In this case, nitride radicals are emitted before spin coating to form a portion 5a which is not a shade of the nano-columns 2 into an insulative nitride aluminum layer on the surface layer of the Al substrate 5 by self-aligning the nano-columns 2 dispersed on the arbitrary position, thereby preventing short-circuit between the nano-columns 2 and the organic metal.例文帳に追加

ただし、スピンコートの前に窒素ラジカルを照射し、任意の位置に散布されたナノコラム２に対して、その自己整合によって、Ａｌ基板５の表層部において、ナノコラム２の影になっていない部分５ａを絶縁性の窒化アルミニウム層として前記有機金属との短絡を回避する。 - 特許庁

Even if burrs are produced on the glass substrate 27, the overcoat layer 29, or the like on the counter substrate 22 and come into contact with a metallic frame 32, the ITO film 12 as the electrode layer is not brought into direct contact with the metallic frame 32 and the short circuit is avoided.例文帳に追加

対向基板２２のガラス基板２７やオーバーコート層２９等にバリが発生して金属フレーム３２に接触しても、電極層となるＩＴＯ膜１２が金属フレーム３２に直接接触してショートすることはない。 - 特許庁

To restrain an un-etched part from being left on a floating gate layer at the side of an element isolation insulating film when the floating gate layer is patterned so as to prevent a short circuit from occurring between gates, in a nonvolatile semiconductor memory equipped with memory cells and peripheral transistors having a laminated gate structure.例文帳に追加

メモリセルと周辺トランジスタが積層ゲート構造を持つ不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲート層をパターンニングする際に素子分離用絶縁膜の側面での浮遊ゲート層のエッチング残りを抑え、ゲート同士のショートを防ぐ。 - 特許庁

To form films to enhance various kinds of functions such as a conduc tive layer for connection and a conductive layer for accumulated capacitance electrode in the production of an optoelectronic device while avoiding failures such as a short circuit and leakage in the device electrode and wirings.例文帳に追加

電気光学装置を製造する際に、中継用の導電層や蓄積容量電極用の導電層など、各種機能を高めるための膜等を形成しつつ、素子電極や配線におけるショートやリークといった不良を招かないようにする。 - 特許庁

When the second electrode 3 is formed, the contact of the forming material of the second electrode 3 with the first electrode 1 and the semiconductor layer 5 is obstructed, and the occurrence of the short circuit between the second electrode 3 and the first electrode 1 and between the second electrode 3 and the semiconductor layer 5 is prevented.例文帳に追加

この場合、第二電極３の形成時に、第二電極３の形成材料と第一電極１及び半導体層５とが接触することがなくなり、第二電極３と第一電極１及び半導体層５との間に短絡が生じることが抑制される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode assembly which can suppress short circuit and cross leak between the anode and the cathode by a damage added to an electrolyte membrane without using another member except the electrolyte membrane, the catalyst layer, or the gas diffusion layer in manufacturing the membrane electrode assembly with a comparatively simple configuration.例文帳に追加

電解質膜、触媒層、ガス拡散層以外の別部材を用いずに、比較的簡易な構成で、膜電極接合体の製造時に電解質膜に加わるダメージによるアノードとカソードと間の短絡や、クロスリークを抑制することが可能な膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case the short circuit defect between the auxiliary capacitance elements 51 occurs, a laser is made to irradiate the part of the connection wire 74 overlapping with the protective layer 56 for repair so as not to make the laser which has cut the connection wire 74 reach the pixel electrode by means of the protective layer 56 for repair.例文帳に追加

補助容量素子５１間に短絡不良が発生した場合には、この接続配線７４の修復用保護層５６が重なっている部分にレーザーを照射することで、接続配線７４を切断したレーザが、修復用保護層５６により画素電極にまで達しないようにする。 - 特許庁

To provide an electrode for a secondary battery having high short circuit resistance and a high current collecting property by making bear the current collecting property to the metal rich layer having higher metal density than other part of a three-dimensional metallic porous body and making arrangement of the metal rich layer fair.例文帳に追加

三次元金属多孔体の金属密度が他の箇所より大きい金属リッチ層に集電性を担わせ、その配置を適正化することにより、耐短絡性と集電性の双方が高い二次電池用電極を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Contact with wiring layer for the entire part of source drain diffusing layer region is enabled by crossing a gate electrode without short-circuit with the gate electrode, by utilizing that an insulating film which is mainly formed of Al as the structural atoms has extremely large selection ratio of etching with an Si oxide film.例文帳に追加

Ａｌを主たる構成原子とする絶縁膜がＳｉ酸化膜とのエッチング選択比が極めて大きいことを利用し、ゲート電極を跨ぎゲート電極との短絡なしにソース・ドレイン拡散層全領域にわたる配線層とのコンタクトを可能とした。 - 特許庁

The power source pattern for supply 6 is connected with the circuit block 2 and includes a portion extending on the surface layer and a portion extending in an area other than the surface layer so as to connect with the conductive pattern for short circuits 4 avoiding the connection with the ground patterns 3, 5.例文帳に追加

供給用電源パターン６は回路ブロック２に接続されており、表面層上を延びる部分と、短絡用導電パターン４には接続されてグランドパターン３、５には接続されないように、基材８の表面層以外の層を延びる部分と、を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor layer 11 consisting of a group III nitride semiconductor isolated by the grooves reaching a sapphire substrate 10 is formed on the sapphire substrate 10, and a protective film 14 for preventing short-circuit is formed on the side end face and the top face of the semiconductor layer 11 and the top face of the sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０に達する溝によって分離されたIII 族窒化物半導体からなる半導体層１１をサファイア基板１０上に形成し、半導体層１１の側端面および上面、サファイア基板１０上面に、短絡を防止するための保護膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having short curing time compared with a thermosetting resist composition containing a thermosetting resin, exhibiting sufficient durability to a chemical liquid used in a desmearing treatment, and having excellent adhesiveness to a substrate circuit layer, and a method for producing a printed circuit board.例文帳に追加

熱硬化性樹脂を含む熱硬化型レジスト組成物よりも硬化時間が短く、デスミア処理に使用される薬液に対し十分な耐性を示し、しかも下地配線層との密着性に優れた感光性樹脂組成物およびプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper foil with a resistor layer and a copper clad laminate that shorten a time for circuit formation by etching, improve etching properties, prevent short-circuiting and a defect in circuit width from occurring, and achieve incorporation of a resistor in a component, and to provide a method of manufacturing the copper laminate.例文帳に追加

エッチングによる回路形成の時間の短縮、エッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できると共に、抵抗体の部品内蔵化が達成できる抵抗層付き銅箔並びに銅張積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device of which photoelectric conversion efficiency is improved by increasing an open circuit voltage and a short circuit current without heavily doping an n-type conductivity type semiconductor layer, and to suppress the discharge amount of carbon dioxide upon manufacturing by providing the photoelectric converter.例文帳に追加

ｎ型導電型半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加させ光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。 - 特許庁