「memory flow」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A determination means 15d determines whether the gas flow characteristics detected by the gas flow detection means 15a coincides with the gas flow characteristics previously stored in a memory means 15e or not.例文帳に追加

そして、判定手段１５ｄが、ガス流量検出手段１５ａにより検出されたガスの流量特性が記憶手段１５ｅに予め記憶されているガスの流量特性と一致するか否かを判断する。 - 特許庁

The control device 3 is connected between the interface device 2 and the memory device 4 in order to control a data flow from the memory device 4 to the connection device 1.例文帳に追加

メモリ制御装置３は、メモリ装置４からＵＳＢ結合装置１へのデータ流を制御するためにインターフェース装置２とメモリ装置４との間に結合されている。 - 特許庁

The other undesignated memory cells are not activated, and since current does not flow to a bit line for local reading out from the memory cells, useless power consumption does not occur.例文帳に追加

指定されなかったその他のメモリセルの活性化は行われず、それらのメモリセルからローカル読み出し用ビット線に電流が流れないので無用な電力消費が生じない。 - 特許庁

The first operation part performs the operation of the pulse-Doppler according to a program on the first memory part, and the second operation part performs the color-flow operation according to the program on the second memory part.例文帳に追加

第１演算部では第１メモリ部上のプログラムによりパルスドプラの演算を行い、第２演算部では第２メモリ部上のプログラムによりカラーフロー演算を行う。 - 特許庁

This application utilizes a channel interface as a main mechanism for communication between the processor and the memory flow controller.例文帳に追加

本願は、チャンネル・インターフェースを、プロセッサとメモリ・フロー・コントローラとの間のを通信のための主要な機構として活用する。 - 特許庁

A current is allowed to flow in the memory cell MC11 to read a phase state of the phase-change thin film 4, for reading data.例文帳に追加

メモリセルＭＣ_11中に電流を流して相変化薄膜４の相の状態を読み取ることにより、データを読み出す。 - 特許庁

First of all, the flow rate in a second MFC 53 is changed in the state where gas flow in a first MFC 11 is stopped, and an ion detection value at that time is obtained, and thereby a flow rate giving the maximum sensitivity is obtained and memorized in a memory 51.例文帳に追加

まず、第１ＭＦＣ１１でのガス流通を停止した状態で第２ＭＦＣ５３での流量を変化させ、そのときのイオン検出値を得ることにより最大感度となる流量を求め、メモリ５１に記憶させておく。 - 特許庁

When nonvolatile memory cells which can store two bits in one memory cell and in which current are made to flow bi-directionally are used, a bias power source potential is also given to a bit line BL4 being adjacent to two bit lines BL2, BL3 in which a sense current is made to flow.例文帳に追加

２ビットを１メモリセルに記憶することができ、双方向に電流を流す不揮発性メモリセルを用いる場合に、センス電流を流す２つのビット線ＢＬ２、ＢＬ３に隣接するビット線ＢＬ４にもバイアス電源電位を与える。 - 特許庁

The semiconductor device arranged on the inflow side of the cooling flow path 22 may be a memory element, and the semiconductor device arranged on the outflow side of the cooling flow path 22 may be a logic element.例文帳に追加

冷却流路２２の流入側に配置される半導体素子はメモリ素子であり、冷却流路２２の流出側に配置される半導体素子はロジック素子であるようにしてもよい。 - 特許庁

To provide structure of a non-volatile memory TEG in which all memory cells in TEG can be simultaneously operated excluding a memory cell in which a current between a source and a drain is made to flow in the reverse direction when voltage is applied to each TEG electrode.例文帳に追加

各ＴＥＧ電極に電圧を印加した時にソース・ドレイン間電流が逆方向に導通するメモリセルを除いてＴＥＧ内の全メモリセルを同時に動作可能な不揮発性メモリＴＥＧの構造を提供する。 - 特許庁

Further, if the electric current and the flow rate measured by each instrument during generating the electrolytic water are approximated to the electric current and the flow rate stored in the memory, the pH value stored in the memory corresponded to the electric current and the flow rate at step 118 is displayed by a display as the pH value of the electrolytic water during generation thereof.例文帳に追加

そして、電解水の生成中、各計器により計測された電流及び流量がメモリに記憶した電流及び流量にそれぞれ近似していれば、ステップ１１８にて、同電流及び流量に対応付けて記憶したｐＨ値を生成中の電解水のｐＨ値として表示器にて表示する。 - 特許庁

The program current is made to flow forward the second side from the first side so as to cross a bit line connected to the resistive memory cell in the first resistive memory cell block.例文帳に追加

前記プログラム電流は前記第１抵抗型メモリセルブロック内の抵抗型メモリセルに接続されたビットラインを横切るように前記第１側部から前記第２側部に向けて流れる。 - 特許庁

Since a data write current in the direction of row is made to flow only in the write digit line corresponding to a selected memory cell block, erroneous write of data in an unselected memory cell can be prevented.例文帳に追加

行方向のデータ書込電流は、選択メモリセルブロックに対応するライトディジット線ＷＤＬのみで流されるので,非選択メモリセルに対するデータ誤書込の発生を抑制できる。 - 特許庁

A large scale program or the data can be accessed at a high-speed by preliminarily exchanging the memory in accordance with the processing flow.例文帳に追加

処理フローに合わせて事前にメモリ入れ替えを行なうことにより、大規模プログラム又はデータを高速にアクセス可能となる。 - 特許庁

To perform efficient print data flow control by optimizing a memory in a data expanding process of a printer.例文帳に追加

プリンタのデータ展開処理において、メモリの最適処理を行うことで、効率良い印字データフロー制御をする事を目的とする。 - 特許庁

To reduce power consumption in a packet transfer device using a CAM (Content Addressable Memory) in search means for flow search or route search.例文帳に追加

フロー検索や経路検索の検索手段にＣＡＭを用いるパケット転送装置において、消費電力を低減する。 - 特許庁

The flow impedance ΔVext/ΔIe is operated by using the voltage variations ΔVext, ΔVsup and the function taken in from the memory part 113.例文帳に追加

そして、電圧変化量ΔＶext ，ΔＶsup と記憶部から取り込んだ関数とを用いて、フローインピーダンスΔＶext ／ΔＩe を演算する。 - 特許庁

To distribute a memory optimally for minimizing probability that a mass flow generation host is lost erroneously in a method for locating the mass flow generation host, where the number of flows generated for unit time exceeds a threshold by using data obtained from flow measurement.例文帳に追加

フロー計測から得られたデータを用いて、単位時間に生成されるフロー数が閾値を超える大量フロー生成ホストを特定する方法において、大量フロー生成ホストを誤って見逃す確率を最小化するようにメモリを最適配分する。 - 特許庁

To provide a method and a system for tracing the product data of a product mass flow in a transportation memory region of tobacco-processing industry.例文帳に追加

煙草加工産業の輸送記憶区域において製品質量流れの製品データを追跡する方法とシステムを提供する。 - 特許庁

Quantity of light of a predetermined range along a separation flow channel is detected by a photocell array 7 to be temporarily stored in a memory 40b as absorbancy.例文帳に追加

分離流路に沿った所定範囲の光量がフォトセルアレイ７で検出され、吸光度としてメモリ４０ｂに一時的に記憶される。 - 特許庁

The supply control section 100A is provided with a pressure detection section 211, a differentiating circuit 212, a differential pressure calculation section 213, a memory 214, a flow rate calculation section 215 and a flow rate control section 210.例文帳に追加

一方、供給制御部１００Ａは、圧力検出部２１１、微分回路２１２、差圧算出部２１３、メモリ２１４、流量算出部２１５及び流量制御部２１０とを備えて構成される。 - 特許庁

To materialize a device and a method for searching the flow identification which can retrieve the rules of flow identification which has a very long search bit width, at high speed while using an association memory where there is a limit in the retrieval bit width.例文帳に追加

非常に長い検索ビット幅を有するフロー識別のルールを検索ビット幅に制限のある連想メモリを用いながら高速に検索可能なフロー識別検索装置及び方法を実現する。 - 特許庁

In the first CAM retrieval, if there is coincident communication information, then there are flow information stored in a storage region of a statistical memory 7 based on its storage address and received flow information.例文帳に追加

そして第１ＣＡＭ検索において、一致する通信情報があったら、その記憶アドレスに基づいた統計メモリ７の記憶領域に記憶されているフロー情報と受信したフロー情報とを比較する。 - 特許庁

Accordingly, even when the power supply is halted, the malfunction of the memory 111 is prevented, data are retained satisfactorily and the useless current does not flow in the memory 111, suppressing the power consumption.例文帳に追加

従って、この電源供給の停止時にも、メモリ１１１の誤動作が防止されて、データは良好に保持されると共に、メモリ１１１内で不用な電流は流れず、消費電力が低く抑えられる。 - 特許庁

Then, verification can be performed without being affected by current caused to flow to the memory cell MC of the writing non-target, and threshold voltage of the entire memory cells MC can be correctly set.例文帳に追加

したがって、書込非対象のメモリセルＭＣに流れる電流の影響を受けることなくベリファイを行なうことができ、全てのメモリセルＭＣのしきい値電圧を正しく設定することができる。 - 特許庁

To provide a LAN relaying device in which adaptive differential read access control to a memory circuit is made possible so that stable memory access control and a flow control function of a line processing section as required can be applied.例文帳に追加

メモリ回路の適応差分リードアクセス制御を可能とし、安定したメモリアクセス制御及び必要に応じた回線処理部のフロー制御機能が実施可能なＬＡＮ中継装置を提供する。 - 特許庁

A control circuit 11 detects short circuit between sub-bit lines SBL_R and SBL_P connected to the first and second transistors, respectively by comparing current caused to flow to the memory cell when energizing one transistor with current caused to flow to the memory cell when energizing the both transistors.例文帳に追加

制御回路１１は、一方のトランジスタに通電したときにメモリセルに流れる電流と、両方のトランジスタに通電したときにメモリセルに流れる電流とを比較することによって、第１および第２のトランジスタにそれぞれ接続されるサブビット線ＳＢＬ＿Ｒ，ＳＢＬ＿Ｐ間のショートを検出する。 - 特許庁

This flowmeter has a flow sensor 2 for measuring the flow rate of a fluid, a central processor 3 for calculating the flow rate and the integrated value of the flow rate based on the measurement result by the flow sensor 2 and detecting an abnormality of the measurement result or arithmetic result, and a nonvolatile memory 6 for storing abnormality information with the measurement result or arithmetic result.例文帳に追加

本発明の流量計は、流体の流量を計測するフローセンサ２と、フローセンサ２による計測結果にもとづき、流量および流量の積算値を演算するとともに、その計測結果または演算結果の異常を検出する中央演算処理装置３と、計測結果または演算結果とともに異常情報を保存する不揮発性メモリ６とを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resistive switching memory device that eases integration of a resistive switching material in the processing flow of CMOS compatibility.例文帳に追加

ＣＭＯＳ互換の処理フローにおいて抵抗スイッチング材料の集積化を容易にする抵抗スイッチングメモリデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The road information is acquired from the center communicating part 14 of a roadside device 1, a road surface sensor 15, a traffic flow monitoring sensor 16 and a fixed value storage memory 17.例文帳に追加

路側装置１のセンター通信部14や路面センサー15や交通量監視センサー16や既定値格納メモリ17から道路情報を取得する。 - 特許庁

A voltage is applied and the switching transistor is turned off to increase the channel resistance and a current is caused to flow to the phase change material side inside thereof to operate the memory.例文帳に追加

電圧を印加し、スイッチングトランジスタをオフにしチャネル抵抗を上げ、内部の相変化材料側に電流を通しメモリ動作させる。 - 特許庁

When the substrate surface of the selector gate 8 is positioned below that of the memory gate 15, electrons in a channel at writing obliquely flow in the step.例文帳に追加

選択ゲート８の基板表面がメモリゲート１５の基板表面より下方にある場合、書込み時のチャネルの電子は段差部を斜めに流れる。 - 特許庁

When a current is made to flow in an electrode connected to the wire 104 made of a shape memory alloy, the length of the wire 104 is shortened.例文帳に追加

形状記憶合金で構成されるワイヤ１０４に接続されている電極に電流が流されると、ワイヤ１０４の長さが短くなる。 - 特許庁

To provide a flow rate-measuring apparatus and a display unit for a flow rate-measuring apparatus whereby an abnormality such as running out of a battery or the like can be discriminated in a display using a liquid crystal with a memory function.例文帳に追加

メモリ機能を有する液晶を用いた表示において電池切れなどの異常が発生していることを判別できるようにした流量計測装置及び流量計測装置用表示ユニットを提供する。 - 特許庁

A differential calculation section 4a outputs the function value f(ΔV, σ) including the difference ΔV between the blood flow velocity V corresponding to the latest frame and the blood flow velocity Vτ stored in a frame memory 3 and the variance σ.例文帳に追加

差分演算部４ａは、最新のフレームに対応した血流速度Ｖとフレームメモリ３に格納された血流速度Ｖτとの差分ΔＶと、分散σとを含む関数値ｆ（ΔＶ，σ）を出力する。 - 特許庁

A first control part 51 of this flow control device 50 controls a flow regulating valve 21 to adjust a flow rate of the treatment water flowing through a conveying pipe 20, with a target valve opening SD determined based upon an inter-film differential pressure as one example of parameters and a control map MP stored in a memory part 53.例文帳に追加

流量制御装置５０の第一制御部５１は、パラメータ値の一例である膜間差圧と記憶部５３が記憶する制御マップＭＰに基づいて求めた目標弁開度ＳＤで、移送管２０を流れる処理水の流量を調整する流量調整弁２１を制御する。 - 特許庁

This reduces operation voltage, flows tunnel current directly, prolongs the lifetime of a memory cell, better the holding ability of a memory since current does not flow without the voltage of resonance tunnel effect.例文帳に追加

これにより、作動電圧を低下でき、直接トンネル電流が流れ、メモリセルの寿命を長くでき、しかも、共鳴トンネル効果の電圧以外では電流が流れないため、記憶保持能力を高くすることができる。 - 特許庁

Even while the output voltage of a power source device 1 is a standby voltage, when a memory card is inserted into the memory card slot 3, a transistor Q1 has an emitter short circuit to GND to cause a base current flow to form an ON state.例文帳に追加

トランジスタＱ１は、電源装置１の出力電圧が待機電圧であってもメモリカードスロット３にメモリカードが挿入されるとエミッタがＧＮＤに短絡されてベース電流が流れてＯＮ状態になる。 - 特許庁

As the discharge of the drain line DL is started prior to the discharge of the source line, the potential difference between the drain and the source of the memory cell 11 at the time of reset operation does not become large, and a current does not flow in this memory cell 11.例文帳に追加

ドレイン線ＤＬの放電がソース線よりも先に開始されるので、リセット動作時におけるメモリセル１１のドレイン−ソース間の電位差は大きくならず、このメモリセル１１に電流は流れない。 - 特許庁

The flow rate measuring device 1 includes a flow rate detection sensor 3, a computing means 6 for calculating differential values of any flow rate value output from the flow rate detection sensor 3, memory 7, a first profile retriever 8 for discriminating devices, and a second profile retriever 17 for re-discriminating devices by another discrimination logic if any device could not be discriminated.例文帳に追加

流量検出センサー３と、流量検出センサー３から出力される流量値の微分値を求める演算手段６と、メモリー７と、器具の判別を行う第１プロファイル検索器８と、器具判別ができなかったときに別の判別ロジックで器具を再判別する第２プロファイル検索器１７を備えた流量計測装置１としてある。 - 特許庁

A control unit 11 of a composite machine 49 displays, on a display panel 24, an operation procedure (work flow) for printing data on a sheet after obtaining the data from a USB memory 32, wherein the operation procedure includes a USB memory-removal permission procedure which indicates a permission for removing the USB memory 32.例文帳に追加

複合機４９の制御ユニット１１が、ＵＳＢメモリ３２からデータを取得後、表示パネル２４に、データをシートに印刷させるための操作手順（ワークフロー）を表示し、その操作手順には、ＵＳＢメモリ３２の取り外し許可を示すＵＳＢメモリ取り外し許可手順が含まれる。 - 特許庁

Since a semiconductor sheet is anisotropic, and further a current generally does not flow through a flat surface of the semiconductor sheet, all memory elements are provided to a memory array lattice by putting a single anisotropic semiconductor sheet between the column line and the row line of the memory array lattice.例文帳に追加

半導体シートが異方性であるため、および電流が概して半導体シートの平面を流れないため、メモリアレイ格子の行線と列線との間に単一の異方性半導体シートを狭着することにより、メモリアレイ格子に対しすべてのメモリ素子を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a needless current does not flow and optimum start timing can be supplied to a sense amplifier circuit by suppressing a leak current flowing from a replica bit line 108 to a dummy cell 109.例文帳に追加

レプリカビット線の電荷をダミーセルのリーク電流により早く引き抜いてしまい、所望のセンスアンプ起動タイミングを得ることができない。 - 特許庁

An instruction stored in the memory determines whether the current electric power allocation permission 1374 in a flow of the access terminal is the one received from the access network or not.例文帳に追加

メモリに記憶された命令は、アクセス端末のフローの現在の電力割当許可１３７４がアクセスネットワークから受信されたか否かを決定する。 - 特許庁

A current is not made to flow in each memory cell SDD by voltage of approximately 1.2 V applied to the non-selection word line US-WL, disturbance is relaxed.例文帳に追加

非選択ワード線ＵＳ−ＷＬに印加した約１．２Ｖ程度の電圧によって、各々のメモリセルＳＤＤには電流が流れず、ディスターブを緩和する。 - 特許庁