「memory flow」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This data flow control/storage device 1 is provided with a video ASIC 74 and a memory controller ASIC 76 and which are respectively connected onto a PCI bus 78.例文帳に追加

本発明のデータフロー制御・記憶装置１５は、ビデオＡＳＩＣ７４とメモリコントローラＡＳＩＣ７６とを備え、それぞれＰＣＩバス７８上に連結されている。 - 特許庁

A flow of a field assist current is substantially applied adjacent the magnetic memory element during continued application of the write current to induce a magnetic field upon the element.例文帳に追加

フィールドアシスト電流の流れは、書込電流の連続した印加の間に磁気メモリ素子に隣接して実質的に印加されて、素子上に磁場を誘起する。 - 特許庁

The memory stores a combination of at least one of a port unit and a transmission flow unit and a transmission rate of a packet in the unit by associating the unit and the transmission rate.例文帳に追加

メモリは、ポート単位または伝送フロー単位の少なくとも一方と、単位におけるパケットの伝送レートとを対応付けた組合せを記憶する。 - 特許庁

When testing, a gate voltage of the reference cell transistor T2r is set, and a reference current made to flow through the reference memory cell 3 for testing is adjusted.例文帳に追加

試験時において基準セルトランジスタＴ２ｒのゲート電圧が設定され、試験用基準メモリセル３に流れる基準電流が調節される。 - 特許庁

At read, data lines LIO and LIOr are connected respectively to a selection memory cell and the dummy cell, and an operation current of a differential amplifier 60 is caused to flow.例文帳に追加

データ読出時に、データ線ＬＩＯおよびＬＩＯｒは、選択メモリセルおよびダミーセルとそれぞれ接続されて、差動増幅器６０の動作電流を流される。 - 特許庁

To provide a water purifier capable of displaying lifetime and performance of a flow sensor accurately, improving the precision of lifetime display and discharge amount, and reducing the memory capacity of a control part.例文帳に追加

流量センサーの寿命、性能を精度良く表示でき、寿命表示や吐水量の精度を大幅に向上させることができること。 - 特許庁

The network apparatus includes: a searching table wherein transfer information by each packet flow and entry numbers corresponding to the information are registered; and a count memory for storing a count by each packet flow, and counts up the count stored in a concerned entry number in the count memory on the basis of the entry number being a searching result.例文帳に追加

パケットのフロー毎の転送情報とエントリ番号とが登録されている検索テーブルと、メモリアドレスをエントリ番号にマッピングした、パケットのフロー毎のカウント値を保持するカウントメモリとを備え、検索結果であるエントリ番号を基にカウントメモリ内の該当エントリ番号に格納されているカウント値をカウントアップする。 - 特許庁

The sewage facility management system 40 specifies the flow path of the floating body 15 based on the data obtained from the memory of the recovered floating body 15, and from the flow path and distance calculated from the acceleration data specifies the position corresponding to the environmental measurement data, and records it in the sewage environmental data memory part 43.例文帳に追加

下水道施設管理システム４０は、回収した浮遊体１５のメモリから取得したデータに基づいて浮遊体１５の流路を特定し、この流路と、加速度データから算出される距離から、環境測定データに対応する位置を特定して、下水道環境データ記憶部４３に記録する。 - 特許庁

In a magnetic memory provided with a memory cell array in which memory cells having magnetic resistance elements being writable by changing resistance by making current flow are arranged in a matrix state, the test method of the memory includes a writing step performing writing of test data for the memory cell by using a writing pulse having height of writing pulse height or less during use also having narrower width than width of the writing pulse.例文帳に追加

電流を流して抵抗を変化させることにより書き込みが可能な磁気抵抗素子を有するメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルアレイを備えた磁気メモリにおいて、使用時の書き込みパルスの高さ以下の高さを有しかつ当該の書き込みパルスの幅よりも狭い幅を有する書き込みパルスを用いて前記メモリセルに試験データの書き込みを行う書き込みステップを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a tunnel insulation film in which a tunneling current is hard to flow in a low electric field and is easy to flow in a high electric field, and equipped with a memory element in which an electrical property is improved.例文帳に追加

低電界ではトンネル電流が流れ難く、かつ、高電界ではトンネル電流が流れ易いトンネル絶縁膜を有してなり、電気的特性の向上が図られた記憶素子を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional memory architecture that may be fabricated using a process flow that is modified relatively a little from the one used to fabricate more familiar two-dimensional memory architecture and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

より良く知られている２次元メモリ構造の製造のために用いられる処理フローから比較的小さく修正された処理フローを用いて製造され得る３次元メモリ構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A memory device 60 connected to the control device 40 stores minimum flow rate reference data 60A and maximum flow rate reference data 60B which indicate a correspondence relation between a flow rate change in the fuel feed passage 20 while an object 52 to be fed is supplied with fuel and a discharge pressure change in the fuel feed passage 20 corresponding to the flow rate change.例文帳に追加

制御装置４０に接続された記憶装置６０は、被供給体５２へ燃料を供給している間における燃料供給経路２０内に供給される流量変化と、当該流量変化に対応する燃料供給経路２０内の吐出圧力の変化との対応関係を表す最小流量基準データ６０Ａ、最大流量基準データ６０Ｂを記憶する。 - 特許庁

A link traveling time Ts based on the flow of a vehicle calculated from data measured by a vehicle sensor 5 is collected, and stored in a memory 62 for each time zone.例文帳に追加

車両感知器５で計測したデータから算出された、車両の流れに基づくリンク旅行時間Ｔｓを収集して時間帯別にメモリ６２に記憶する。 - 特許庁

To solve the problem, wherein a method for identifying an operating gas apparatus, based on a pattern by storing all the patterns of flow rates in the operations of gas apparatuses requires, an enormously large memory and incurs high cost.例文帳に追加

器具動作時の流量の全パターンを記憶して、そのパターンから動作したガス器具を特定する方法では、膨大なメモリを必要とし、コストがかかってしまう。 - 特許庁

A cell current made to flow from the bit line by the output of a column latch via a memory cell of write complete when verifying the program is bypassed by the source line MSL outside the block.例文帳に追加

プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁

When the zero-point adjustment instruction switch 62 is operated, a flow rate signal at that time is acquired as the zero-point correction value, and the acquired zero-point correction value is stored in a memory.例文帳に追加

ゼロ点調整指示スイッチ６２を操作すると、その時の流量信号がゼロ点補正値として取得され、この取得されたゼロ点補正値がメモリに保存される。 - 特許庁

The relationship (output characteristic) between the measurement temperature of the temperature detector in an initial state and the flow rate of fluid to be measured is stored in a memory at an arithmetic processing section.例文帳に追加

演算処理部のメモリには、初期状態における測温体の計測温度及び計測対象となる流体の流量の関係（出力特性）が記憶されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which wasteful charging and discharging currents can be prevented from being repeatedly made to flow to bit lines when the same data are repeatedly read from the same memory cell.例文帳に追加

同じメモリセルから同じデータを繰り返し読み出す場合に、ビット線に無駄な充放電電流が繰り返し流れるのを防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device provided with a sense amplifier of a current detection type which prevents excessive initial current from being made to flow in initial charging of bit lines.例文帳に追加

ビット線の初期充電時に過大な初期電流が流れるのを防止するこてができる電流検知型のセンスアンプを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Time series signals detected with the flow rate sensors 31 and 32 are recorded in the memory parts 35 and 37 as the first time series signal and the second time series signal, respectively.例文帳に追加

記憶部３５，３７は、それぞれ流量センサ３１、３３が検出した流量の時系列信号を第一時系列信号、第二時系列信号として記憶する。 - 特許庁

A cell current made to flow from the bit line by output of a column latch via a memory cell in which write is completed is bypassed by this source line MSL outside the block.例文帳に追加

プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁

When the relay processing information corresponding to the flow inherent information is stored in a cache memory 109, the packet relay processing is performed using the relay processing information.例文帳に追加

フロー固有情報に対応する中継処理情報がキャッシュメモリ１０９に格納されている場合には、その中継処理情報を用いてパケットの中継処理を行う。 - 特許庁

A cross flow fan 3 is incorporated in a case 1 of the material of good heat conduction, and supplied with a power source from a PCMCIA(PC memory card international association) socket 4 through a cable 5 for rotation.例文帳に追加

クロスフローファン３は、良熱伝導性の材料からなるケース１に内蔵され、ＰＣＭＣＩＡソケット４からケーブル５経由で電源が供給され回転する。 - 特許庁

A logic value equivalent to a high or a low is written in the reference memory element 50 and the amount of a current which can be made to flow by the element 50 is detected by a current detecting circuit 20.例文帳に追加

参照メモリ素子５０にはハイまたはロウに相当する論理値を書き込み、参照メモリ素子５０が流せる電流量は検流回路２０により検知する。 - 特許庁

The channel interface provides a channel for executing communication with, for instance, a processor facility, a memory flow control facility, a machine status register, and an external processor interrupt facility.例文帳に追加

チャンネル・インターフェースは、例えば、プロセッサ・ファシリティ、メモリ・フロー制御ファシリティ、マシン・ステータス・レジスタ、および外部プロセッサ割り込みファシリティと通信するためのチャンネルを提供する。 - 特許庁

The shape memory alloy 18 contracts at a low temperature to pull up the temperature control element 8 to assure a sufficient flow path in the clearance thereof from the valve seat member 7.例文帳に追加

形状記憶合金１８は低温時に収縮して温度制御機素８を上方に引き上げ、弁座部材７との間に充分な排出流路を確保する。 - 特許庁

A magnetic random access memory is provided with memory cells MC11∼MCnm having a TMR (tunneling magnetoresistive) element 10 and a selection element Tr, and a read-out circuit 50 reading out storage information from the TMR element by applying read-out voltage to a selected memory cell and making to flow in the TMR element through the selection element.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、ＴＭＲ素子１０と選択素子Ｔｒとを有するメモリセルＭＣ１１〜ＭＣｎｍと、選択したメモリセルに読み出し電圧を印加し、選択素子を介してＴＭＲ素子に電流を流すことにより、ＴＭＲ素子から記憶情報を読み出す読み出し回路５０とを備えている。 - 特許庁

When a measurer sets a constitution of the capillary column analysis from an input part 22, a control part 20 acquires a parameter 21b at the make-up gas supply time from a memory 21, and executes flow control based on the parameter by a flow control part 3.例文帳に追加

測定者が入力部２２よりキャピラリカラム分析の構成を設定すると、制御部２０はメイクアップガス供給時パラメータ２１ｂをメモリ２１から取得し、そのパラメータに基づいた流量制御を流量制御部３で実行する。 - 特許庁

When hot water of high temperatures passes through the main flow path 5, the shape memory spring 14 is deformed to open the valve body 10, and the room-temperature hot water flowing in the main flow path 5 via the opening 7 and the hot water are mixed, so as to lower the temperature of drainage water.例文帳に追加

そして主流路５を高温の湯が通過すると、形状記憶スプリング１４が変形して弁体１０を開弁し、開口部７を介して主流路５に流入する常温水と湯を混合して排水温度を低下させる。 - 特許庁

The one or more non-manufacturing adjustment gas correction algorithm parameters may be stored in the mass flow controller memory and subsequently used in at least one future mass flow controller operation involving the non-manufacturing adjustment gas.例文帳に追加

１つまたは複数の非製造調整ガス補正アルゴリズムパラメータは、質量流量コントローラメモリに保存されてもよく、その後に非製造調整ガスを伴う少なくとも１つの将来の質量流量コントローラ動作において使用されてもよい。 - 特許庁

When a current does't flow to the shape memory members 45A to 45D, the shape memory members 45A to 45D are made soft and freely deformable, so that the electrostatic speaker 1 can be freely deformed to be folded or contracted.例文帳に追加

一方、形状記憶部材４５Ａ〜４５Ｄに電流が流れていない時には形状記憶部材４５Ａ〜４５Ｄが柔らかくなって自在に変形可能となり、静電型スピーカ１を折り畳んだり縮めたりするなど自在に変形させることができる。 - 特許庁

A voltage adjusting circuit ESA outputs the adjusting signal ADJ in accordance with cell current made to flow through respectively the memory cells EMC for evaluation when read-out operation of the memory cell EMC for evaluation is performed in order to approach the internal voltage VBST to an expected value.例文帳に追加

電圧調整回路ＥＳＡは、内部電圧ＶＢＳＴを期待値に近づけるために、評価用メモリセルＥＭＣの読み出し動作時に、評価用メモリセルＥＭＣにそれぞれ流れるセル電流に応じて調整信号ＡＤＪを出力する。 - 特許庁

Voxel data indicating amplitude information obtained from echo data obtained as a result of transmitting and receiving ultrasonic waves and voxel data indicating blood flow information are respectively stored in a three-dimensional memory 20a for the amplitude information and a three-dimensional memory 20b for the blood flow information, and volume rendering is executed only to the voxel data indicating the amplitude information in rendering operation parts 22a and 22b.例文帳に追加

超音波の送受信の結果得られたエコーデータから得られる振幅情報を示すボクセルデータ及び血流情報を示すボクセルデータをそれぞれ、振幅情報用３次元メモリ２０ａ、血流情報用３次元メモリ２０ｂに記憶し、レンダリング演算部２２ａ，２２ｂで振幅情報を示すボクセルデータのみに対しボリュームレンダリングを行う。 - 特許庁

In the device-specific flow control, the control frame for flow controlling can be transmitted, without passing through a memory for signal speed conversion between the user network and the wireless transmission path, by performing transmission and reception, detection/processing of control frame on the side of the wireless transmission path, rather than through the memory for signal speed conversion between the wireless transmission path and the user network.例文帳に追加

この装置独自のフロー制御において、無線伝送路とユーザネットワーク間の信号速度変換用メモリよりも無線伝送路側で制御フレームの送受信及び検出・処理を行うことにより、ユーザネットワークと無線伝送路間の信号速度変換用メモリを通過することなくフロー制御用制御フレームの伝送を可能とする。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit in which read-out speed is high and power consumption is low by stabilizing a potential of a bit line and making to flow a second current being smaller than a first current in a bit line for a fixed time to read out data of a memory cell after making a first current to quickly flow through a memory cell connected to a bit line.例文帳に追加

ビット線に接続するメモリセルに対して第１の電流を急速に流した後に、ビット線の電位を安定化させてメモリセルのデータを読み出すために第１の電流より小さい第２の電流を一定時間ビット線に流すことにより、読み出し速度が高速でかつ消費電力が小さいセンスアンプ回路を提供する。 - 特許庁

The oxygen concentrator comprises a means of oxygen concentration for separating oxygen in air and forming concentrated oxygen and a means of setting the flow amount for supplying a predetermined flow amount of concentrated oxygen to a user, and it also is equipped with a means of measuring the operating time of the concentrator and a memory means for memorizing the operating time of each flow amount of the flow amount setting means.例文帳に追加

空気中の酸素を分離し濃縮酸素を生成する酸素濃縮手段、濃縮酸素を所定流量で使用者に供給する流量設定手段を備えた酸素濃縮装置において、該装置の運転時間を計測する運転時間計測手段を備え、該流量設定手段の設定流量毎の運転時間を記憶する記憶手段を具備することを特徴とする酸素濃縮装置。 - 特許庁

In this calculation of the flow rate Qth, a theoretical mass flow rate vs. effluence coefficient table 52 stored in a memory is referred, corresponding to the gas groups A-E, to select a desired effluence coefficient CD (among Cda-Cde).例文帳に追加

理論出力流量Ｑｔｈが計算されたとき、ガスの分類Ａ〜Ｅに対応して、メモリに記録されている理論質量流量・流出係数対応テーブル５２を参照し、所望の流出係数Ｃｄ（Ｃｄａ〜Ｃｄｅ中の１つ）を選択する。 - 特許庁

After finishing regeneration of the DPF device 13, differential pressure ΔP_M in an exhaust gas flow rate M_1 is estimated from an oil ash quantity and a DPF characteristic F_0 stored in a memory 20a, and differential pressure ΔP_11 in the exhaust gas flow rate M_1 is determined from a differential pressure sensor 24.例文帳に追加

ＤＰＦ装置１３の再生終了後、メモリ２０ａに記憶されたオイルアッシュ量及びＤＰＦ特性Ｆ_０から排気ガス流量Ｍ_１における差圧ΔＰ_Ｍが推定され、差圧センサ２４から排気ガス流量Ｍ_１における差圧ΔＰ_１１が求められる。 - 特許庁

The data transfer speed between a buffer memory 12 and the hard disc 9 is thereby enhanced while maintaining data reliability of the control data 101 weak against a data error, so as to reduce the generation rate of the overflow and the under flow in the buffer memory 12.例文帳に追加

そのため、データ誤りに対して弱い管理データ１０１のデータ信頼性を維持しつつ、バッファメモリ１２とハードディスク装置９との間のデータ転送速度を向上することができ、バッファメモリ１２のオーバーフローや、アンダーフローの発生率を低減することができる。 - 特許庁

After that, a current is made to flow from the other side to one side of the word line WLn, and '1' is written in only the memory cell S3 by flowing a current from the other side to one side in only the bit line BLn+1, to which the memory cell S3 in which '1' is desired to write is connected.例文帳に追加

その後、ワード線ＷＬｎには他方から一方にかけて電流を流し、’１’を書き込みたいメモリセルＳ３が接続されているビット線ＢＬｎ＋１だけに他方から一方にかけて電流を流すことにより、メモリセルＳ３だけに’１’を書き込む。 - 特許庁

In the hot-water system, a controller 30 controls water temperature of the second water-path 20 to at least a lower-limit water-temperature stored in a memory 33 and beside at most an upper-limit flow-rate stored in the memory 33.例文帳に追加

本発明の温水システムによれば、コントローラ３０は第２温水路２０の水温を記憶手段３３に記憶されている「下限水温」以上に制御するとともに、流水量を記憶手段３３に記憶されている「上限流水量」以下に制御する。 - 特許庁

To provide a memory device ensuring uniform charge transfer paths and manifesting excellent reproducibility and uniform performance by using a memory layer in which metal nanoparticles or metal ions are fed into nanochannels to make current flow possible.例文帳に追加

電流が流れることが可能な金属ナノ粒子または金属イオンをナノチャンネルの内部に導入したメモリ層を用いることにより、一貫性のある電荷移動経路を確保して再現性に優れ且つ性能の一貫性を有するメモリ素子を実現すること。 - 特許庁

In the nonvolatile memory 100, a rewriting control unit 120 executes a control flow comprising a plurality of divided control flows to control rewriting of a memory array 130 according to results of decoding a command input from the outside by a command decoding unit 110.例文帳に追加

不揮発性メモリ１００において、コマンド解読部１１０が外部から入力されるコマンドを解読した結果により、書き換え制御部１２０は複数個の分割制御フローから構成される制御フローを実行し、メモリアレイ１３０の書き換えを制御する。 - 特許庁

A measurement interval switching decision unit 203 acquires power supply control parameter, measurement interval parameter, and flow velocity calculation parameter in precision mode by referencing a measurement mode-parameter conversion table stored in a memory 202 only when a flow velocity coefficient γ calculated by a flow velocity calculation unit 201 in a normal mode is not within a border value range.例文帳に追加

計測間隔切替判断部２０３は、通常モードにおいて流速算出部２０１が算出した流速係数γが境界値範囲に収まらないときにのみ、メモリ２０２に格納された計測モード−パラメータ対応表を参照して、高精度モードの電源制御パラメータ、計測間隔パラメータ、流速算出パラメータを取得する。 - 特許庁

To apply a write-in mechanism which hardly makes a drain current flow like an FN(Flower Nordheim) tunnel phenomenon to a nonvolatile semiconductor memory device having main-sub-bit line structure.例文帳に追加

主−副ビット線構造を有する不揮発性半導体記憶装置に、ＦＮトンネル現象のようにドレイン電流をほとんど流さない書き込みメカニズムを適用できるようにする。 - 特許庁