「phase pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A pressure is applied between the opposing electrodes 12 and the wiring pattern 22 to subject the materials of the electrodes 12 and the wiring pattern 22 to solid phase diffusion and to join the electrodes 12 and the wiring pattern 22.例文帳に追加

対向した電極１２及び配線パターン２２間に圧力を加え、電極１２及び配線パターン２２の材料を固相拡散させて、電極１２及び配線パターン２２を接合する。 - 特許庁

To provide a semiconductor testing device provided with a pattern generator capable of bringing a pattern storage capacity stored in the pattern generator equivalently into phase number times of an interleave, in a sequential pattern generation mode wherein a pattern generation mode is not accompanied with a repeating loop and the like.例文帳に追加

パターンの発生形態が繰り返しループ等を伴わないシーケンシャルなパターン発生形態の場合において、パターン発生器に格納できるパターン格納容量を等価的にインタリーブの相数倍にすることができるパターン発生器を備える半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

A determination part compares an output pattern of the phase comparison signals LAG(n), LEAD(n) corresponding to each bit of a detection data pattern with a predetermined comparison object pattern, and determine whether one bit of the equalization signal EQDATA is longer or shorter than one cycle of a sampling clock CK based on whether the output pattern is matched with the comparison object pattern.例文帳に追加

判定部は、検出データパターンの各ビットに対応する位相比較信号ＬＡＧ（ｎ），ＬＥＡＤ（ｎ）の出力パターンを所定の比較対象パターンと比較し、合致するか否かに基づいて、等化信号ＥＱＤＡＴＡの１ビットがサンプリングクロックＣＫの１周期よりも長いか短いかを判定する。 - 特許庁

Based on the displacement quantity of both patterns to be obtained by measuring an alignment mark for a light shielding pattern and an alignment mark for the phase shift pattern, displacement quantity of pieces of design data of both patterns is compensated and pattern defect inspection of a pattern to be inspected is performed on the basis of a reference pattern obtained by compensation of the displacement quantity.例文帳に追加

遮光パターン用のアライメントマークと位相シフトパターン用のアライメントマークを計測して得られる両パターンの位置ずれ量に基づき、両パターンの設計データの位置ずれ量を補正し、それにより得られた参照パターンを基準として披検査パターンのパターン欠陥検査を行う。 - 特許庁

To obtain a phased array antenna that maintains an excellent antenna pattern characteristic by compensating a feeder phase.例文帳に追加

給電位相の補償によって、良好なアンテナパターン特性を維持できるフェーズドアレイアンテナを提供すること。 - 特許庁

At the time, the control part 30 searches a peak of 5T amplitude, in a moving phase difference control pattern.例文帳に追加

このとき、レーザパワー制御部３０は、移動位相差制御用パターンの５Ｔ振幅のピークとなるところを探す。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern structure of a semiconductor device including a magnetic material or a phase change material.例文帳に追加

磁性物質又は相変化物質を含む半導体素子のパターン構造物の形成方法を提供する。 - 特許庁

A phase-change substance layer pattern, which the HARS is fully filled through an in-situ reflow mechanism without defects, is formed.例文帳に追加

インサイチュリフローメカニズムを通じてＨＡＲＳを欠陥なく充分に満たす相変化物質層パターンを形成する。 - 特許庁

The wavefront distortion imparted to components of the read light other than the zero-order light is corrected with the sub-phase pattern.例文帳に追加

読出し光の０次光以外の成分に与えられる波面歪みは、副位相パターンによって補正される。 - 特許庁

In this case, a phase difference correction pattern also needs to have a plurality of steps for correction by only itself.例文帳に追加

このとき、位相差補正パターンのみで補正すると、位相差補正パターンも複数の段差を備える必要がある。 - 特許庁

To provide a phase shift mask for improving the accuracy of a fine structure in a semiconductor device having a concentric pattern.例文帳に追加

同心形状を有する半導体装置の微細構造の精度を高める位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

The phase of the repetition pattern to a circumferential line is shifted in the radial direction between burst lines 41.例文帳に追加

バーストライン４１同士の間では円周線に対して繰り返しパターンの位相が半径方向にずらされる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask by which a phase shifter pattern and a light shielding film can be aligned in a good state.例文帳に追加

位相シフタパターンと遮光膜との位置合わせを良好に行えるマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

An antenna pattern 12 connected to a noise detection part 11 is provided near a three-phase alternating current wire 5-w.例文帳に追加

３相交流配線５−ｗの近傍に、ノイズ検出部１１に接続されたアンテナパターン１２を備える。 - 特許庁

To automatically optimize a punching phase in a data retiming circuit even when an eye pattern of an input data signal is changed.例文帳に追加

入力データ信号のアイパターンが変化してもデータリタイミング回路での打ち抜き位相を自動的に最適化する。 - 特許庁

The manufactured product is the phase shifter optical element having a fine pattern formed by the repetition of a projection and a recess on the surface thereof.例文帳に追加

製造される物品は表面に微細な凹凸の繰返しパターンをもつ位相シフター光学素子である。 - 特許庁

A portion of the phase shift mask above the contact holes is covered with one of patterns, a portion of the phase shift mask above respective transistors and the anti-electrostatic-discharge protecting circuit in the active area has a low light transmissivity pattern, and other parts of the phase shift mask have a high light transmissivity pattern.例文帳に追加

そのうち、コンタクトホール上方の一部の位相シフトマスクはいずれのパターンにも被覆されず、アクティブ領域内の各トランジスタ上方と抗静電放電保護回路上方の一部の位相シフトマスクは低透光率パターンを具え、位相シフトマスクのその他の部分は高透光率パターンを具えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a phase shift mask which has a binary pattern region and a plurality of phase shift pattern regions on one mask and also has superior size precision and positioning precision and high quality using photolithography of ≤65 nm in half pitch on a wafer, and the phase shift mask obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

ウェハ上のハーフピッチ６５ｎｍ以下のフォトリソグラフィにおいて、１枚のマスク上にバイナリパターン領域と、複数の位相シフトパターン領域とを有し、寸法精度、位置合わせ精度に優れた高品質の位相シフトマスクの製造方法とその製造方法による位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

At the first phase, several elements of a pattern are selectively electrified, at the second phase, doping atoms are applied to the electrified elements, and at the third phase, a dopant is permeated to perform an annealing process which is intended to activate it.例文帳に追加

第１のフェーズは、パターンのいくつかの素子を選択的に帯電させ、第２のフェーズは、帯電した素子にドーピング原子を付与し、第３のフェーズは、ドーピング剤を浸透させ、その活性化を図る焼鈍処理を実行する。 - 特許庁

HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, RESIST PATTERN FORMING METHOD USING HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK, AS WELL AS METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法、並びに半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Then, a phase calculation unit 14 obtains a phase for the fundamental space frequency corresponding to each of the plurality of detected peaks, and a position calculation unit 15 calculates the position of the pattern on the basis of the obtained phase.例文帳に追加

そして、位相算出ユニット１４が、検出した複数のピークの各々に対応する基本空間周波数について位相を求め、位置算出ユニット１５が求めた位相に基づいてパターンの位置を算出する。 - 特許庁

In order to obtain such distribution, the reference wavelength λM is set to be λM=501.1 nm and an actual shape is decided by phase ×501.1 nm/[2π(n-1)] based on a prescribed reference phase pattern.例文帳に追加

このような配分のためには、基準波長λ_M=501.1nmに設定し、所定の基準位相パターンに基づき、位相×501.1nm/(２π(ｎ−１))により実形状を定める。 - 特許庁

Thus, the rotation angle of the phase modulation element is controlled with respect to the hologram recording medium, and the phase pattern of reference beam can be made identical in recording and reproducing.例文帳に追加

この結果、ホログラム記録媒体に対する位相変調素子の回転角を制御し、参照光の位相パターンを記録時と再生時とで一致させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for producing a phase shift mask by which a fine and highly precise exposure pattern is formed, to provide a method for manufacturing a flat panel display, and to provide the phase shift mask.例文帳に追加

微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する - 特許庁

A phase data generating section 105 generates phase data representing a pattern which indicates a growing direction of a dot on the line and in which the growing direction changes for every predetermined number of lines.例文帳に追加

位相データ生成部105は、ライン上のドットの成長方向を示し、成長方向が所定のライン数ごとに変化するパターンを示す位相データを生成する。 - 特許庁

Thereby, an electric power consumption of the phase change memory element can be decreased by reducing a contact area of the heating electrode 106 and the phase change substance pattern 116a.例文帳に追加

これによって、加熱電極１０６と相変化物質パターン１１６ａの接触面積を減少させて相変化記憶素子の消費電力を減少させることができる。 - 特許庁

As an output (voltage) of a phase comparator 14 is varied based on phase difference, a delay time is compensated in accordance with the output (voltage), and the postscript clock pattern is recorded again.例文帳に追加

位相差に基づいて位相比較器１４の出力（電圧）が変化するので、その出力（電圧）に応じて遅延時間を補正し、追記クロックパターンを再度記録する。 - 特許庁

The phase of the segment period PLL clock is controlled by controlling the frequency division ratio, according to the phase difference between a sync pattern detection signal and the segment period PLL clock.例文帳に追加

この際、シンクパターン検出信号とセグメント周期ＰＬＬクロックとの位相差に応じて分周比を制御することでセグメント周期ＰＬＬクロックの位相を制御する。 - 特許庁

As a result of this, the phase of the antenna current, caused to flow to the ground pattern to each other, become the same phase between the lower casing 11 and the upper casing 12, improving antenna performance.例文帳に追加

これにより、グランドパターン同士に流れるアンテナ電流の位相が下筐体１１と上筐体１２とで同位相になり、アンテナ性能の向上が図れる。 - 特許庁

This halftone phase shift mask consists of a halftone phase shift mask structure having resist deposited on the halftone films of wafer alignment mark parts and the light shielding belt parts existing on the outside of pattern forming regions.例文帳に追加

ウェハ合わせマーク部のハーフトーン膜上とパターン形成領域の外側にある遮光帯部にレジストが被着されたハーフトーン位相シフトマスク構造とする。 - 特許庁

By tiling and displaying a phase-modulated pattern on the two-dimensional phase modulator 22, optical load is made small and multiplicity can be increased furthermore.例文帳に追加

また２次元の位相変調器２２に位相変調パターンをタイリングして表示することにより、光学的な負担を小さくして、さらに多重度を上げることができる。 - 特許庁

A contour tracing part 12 requires the position of each point that constitutes the lining (adventitia) in the tomographic image data acquired in each cardiac time phase by pattern matching at every time phase.例文帳に追加

輪郭追跡部１２は、各心時相に取得された断層像データにおける内膜（外膜）を構成する各点の位置を時相ごとにパターンマッチングによって求める。 - 特許庁

When a change of the phase angle of 60° or above occurs at phase switching timing (time t1), the phase angle is forced to 60° for outputting and the output timing of the conduction pattern is controlled by the phase angle φ2 in the case of a subsequent spark advance 90° (time t2).例文帳に追加

位相切り替わりタイミング（時刻ｔ１）において６０°以上の位相角度の変化が生じた場合、位相角度を６０°に強制して出力し、その後の進角９０°の時点（時刻ｔ２）で位相角度φ２により通電パターンの出力タイミングを制御する。 - 特許庁

To provide a method for determining process alignment when a phase shift region is formed in the manufacture of a phase shift mask to be used for the manufacture of a semiconductor device, and to provide a method for determining photoresist pattern alignment when a phase shift region is formed in the manufacture of a phase shift mask.例文帳に追加

半導体装置の製造で用いられる位相シフトマスクの製造における位相シフト領域の形成時の処理アライメントの決定方法、位相シフトマスクの製造における位相シフト領域の形成時のフォトレジストパターンアライメントの決定方法を提供する。 - 特許庁

A phase shift value collection section 23 collects a phase shift value of intermediate symbol data for each reference pattern every time a symbol data sequence outputted from a demodulation processing section 21 receiving a signal S to be measured is coincident with the reference pattern preset by a pattern setting section 22.例文帳に追加

位相推移値収集部２３は、被測定信号Ｓを受けた復調処理部２１から出力されるシンボルデータ列が、パターン設定部２２によって予め設定された参照パターンに一致する毎に、その中間シンボルデータの位相推移値を参照パターン毎に収集する。 - 特許庁

The second transmitting pattern includes a phase shifter portion as recesses formed in the mask substrate, the recesses alternately laid as periodically repeated with the first transmitting pattern, and transmits the exposure light while imparting a phase difference to the exposure light transmitting the first transmitting pattern.例文帳に追加

また、第２の透過パターンは、第１の透過パターンと交互に、周期的に繰り返して配置され、マスク基板に形成された凹部である位相シフタ部を含み、かつ、位相シフタ部により、第１の透過パターンを透過する露光光に対して位相差を導入して露光光を透過する。 - 特許庁

For example, phase difference between adjacent element lenses is made 0°, 180°, 0°, 180°; thereby, the pitch of an interference pattern in a lit surface is made half as a whole by superposing a dark part of an interference pattern generated between element lenses of phase difference of 180° in a dark part of an interference pattern generated in element lenses of phase difference of 0°.例文帳に追加

例えば、隣り合う素子レンズ間の位相差を０度，１８０度，０度，１８０度とすることによって、位相差が０度の素子レンズ間で発生する干渉縞の暗部に、位相差が１８０度の素子レンズ間で発生する干渉縞の明部を重ねることによって、全体としての被照明面での干渉縞のピッチを従来の半分にする。 - 特許庁

A phase shifter 21 is extended in such a manner that a shifter pattern image 121 produced by illuminating the Levenson phase shift mask having the phase shifter 21 formed thereon and a trim pattern image 131 produced by illuminating a trim mask having a trim pattern 31 formed thereon do not overlap with each other at a position extended in a direction distancing from a gate electrode 11a.例文帳に追加

位相シフタ２１が形成されたレベンソン位相シフトマスクが照明されることで生ずるシフタパターン像１２１と、トリムパターン３１が形成されたトリムマスクが照明されることで生ずるトリムパターン像１３１とが、ゲート電極１１ａから離れる方向へ延長する位置にて互いに重ならないように、その位相シフタ２１を延長する。 - 特許庁

To provide a phase shift mask for forming a pattern having excellent dimensional uniformity at a low cost without decreasing the integration degree, and to provide a method for forming a pattern by using the above phase shift mask and a method for manufacturing an electronic device.例文帳に追加

集積度を低下させることなく、かつ低コストで、寸法均一性に優れたパターンを形成できる位相シフトマスク、その位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

It comprises means 116, 117 for detecting the image of the phase pattern formed through this optical system and a means 122 for defocusing the image of the phase pattern detected in the image inspecting means.例文帳に追加

この光学系を介して形成された位相パターンの像を検出するための像検出手段（１１６、１１７）と、像検出手段において検出される位相パターンの像をデフォーカスさせるためのデフォーカス手段（１２２）とを備えている。 - 特許庁

A continuous wave period and a repeated specific pattern are detected, and a phase error extracting method is switched from a method based on zero-crossing timing to phase error extraction based on free-running timing (for the continuous wave period and specific pattern).例文帳に追加

まず、連続波期間や特定パターンの繰り返しを検出し、位相エラーの抽出方法を、ゼロクロスタイミングによる方法から、（連続波期間や特定パターンに対する）自走タイミングによる位相エラー抽出に切り替える。 - 特許庁

An SW symbol pattern comparison part 3 compares the sync word of the orthogonal signals with the sync word generated in an SW symbol pattern generation part 4 and judges the reliability of the phase error obtained in the phase error calculation part 2.例文帳に追加

ＳＷシンボルパターン比較部３は上記直交信号のシンク・ワードとＳＷシンボルパターン生成部４にて生成されるシンク・ワードとを比較して、位相誤差算出部２にて求めた位相誤差の信頼性を判定する。 - 特許庁

A distance measuring section 4 specifies a phase pattern appearing in a known distance of a target, and calculates a variation from the known distance based on replication of the phase pattern, thereby calculating a current distance of the target.例文帳に追加

測距部４は、ターゲットの既知の距離において出現する位相パターンを特定するとともに、この位相パターンの繰り返しに基づいて、既知の距離からの変化量を算出し、これによって、ターゲットの現在の距離を算出する。 - 特許庁

Since the intensity of light being projected to the lower layer photosensitive material decreases only at the outline position of the phase shifter, a fine pattern is formed, and the pattern density is doubled because the patterns are formed on the opposite sides of the phase shifter.例文帳に追加

位相シフタの輪郭位置でだけ下層感光性材料に照射される光の強度が低くなるため、微細パターンを形成することができ、位相シフタの両側にパターンができるのでパターン密度を倍加することができる。 - 特許庁

The blank mask includes a light shielding film pattern formed in a region including a light shielding region on a transparent substrate and a phase inversion film formed on the exposed transparent substrate, and the phase inversion film has a phase difference of 160 to 200° relative to exposure light, and the light shielding film pattern and the phase inversion film are etched with the same etching material.例文帳に追加

透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。 - 特許庁