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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > plane stressの意味・解説 > plane stressに関連した英語例文

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plane stressの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 142



例文

This glass substrate is an approximately rectangular plane having300 mm short side, ≤3,000 mm long side and ≥0.3 mm and ≤6 mm thickness and has ≤1 Mpa deviation stress in the substrate plane, due to residual strain in the glass substrate, in all positions in the substrate and measured in the thickness direction.例文帳に追加

短辺が300mm以上、長辺が3000mm以下の略矩形の面形状であり、かつ板厚が0.3mm以上、6mm以下のガラス基板であって、ガラス基板内の残留歪による、板厚方向で測定したときの基板面内の偏差応力が、基板内のすべての位置で1MPa以下であるディスプレイ用ガラス基板。 - 特許庁

The first nitride semiconductor layer has a larger thermal expansion coefficient than the light-transmitting layer, has a smaller lattice constant than the active layer, has tensile stress in an in-plane direction, and has a first conductivity type.例文帳に追加

前記第1窒化物半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有し、第1導電形である。 - 特許庁

In this way, the matched range can be ensured as a plane shaped wide region and the occurrence of the welding distortion when the entire periphery is welded in the proper position within range is prevented and it is prevented that large stress acts on the weld zone 40 on which bending load acts during using.例文帳に追加

合致範囲を面状の広い領域として確保することができ、その中の適宜位置で全周溶接する時に溶接歪が発生するのを防止し、使用時にも曲げ荷重が作用する溶接部40aに大きな応力が作用するのを防止することができる。 - 特許庁

In the Silicon On Sapphire (SOS) substrate where a single-crystal silicon thin film is stacked on a sapphire substrate, a stress of a silicon film on the SOS substrate measured by a Raman shift method is2.5×10^8 Pa in an entire area of a plane.例文帳に追加

サファイア基板上に単結晶シリコン薄膜が積層されたSilicon On Sapphire(SOS)基板であって、ラマンシフト法により測定した、前記SOS基板のシリコン膜の応力が面内全域で2.5x10^8Pa以下であるSOS基板である。 - 特許庁

例文

By the lattice relaxation of the first conductivity type buffer layer 15, stress due to the difference of lattice constant between a material of the gallium nitride-based semiconductor layer 21a and a material of the principal plane 13a of the semiconductor region 13 is not applied on the active layer 17.例文帳に追加

第1導電型バッファ層15の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層21aの材料と半導体領域13の主面13aの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層17に加わることがない。 - 特許庁


例文

To provide a mounting table structure capable of preventing large heat stress from being generated in a mounting table, preventing breakage, and further prevents an undesirable film, which may cause in-plane temperature nonuniformity of a body to be treated, from adhering to a back surface of the mounting table.例文帳に追加

載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。 - 特許庁

To provide a box comprising a body having an open top surface, and a lid thermally welded to the body to cover the top surface thereof in which possibility of stress destruction is reduced as much as possible by eliminating burrs projecting farther than a plane constituting the outside surface and inside surface of the body and lid.例文帳に追加

上面が開放された本体と、この本体に熱溶着されその上面を覆う蓋体とを備えた箱体において、本体及び蓋体の外側面及び内側面を構成する面よりも、突出するバリを無くし、応力破壊の可能性を極力低減させる箱体を提供する。 - 特許庁

A Western-style barrel after aging a distilled liquor is disassembled and its side plates are heated and softened to reduce bending stress, pressurized at the normal temperature discontinuously, and pressurized and fixed to turn the side plates into the plane plate shape, and the upper and lower faces of respective plates are cut to form plate materials of given thickness and manufacture plate materials of smooth parallelogram shape.例文帳に追加

蒸留酒熟成後の洋樽を解体し、その側板を加熱軟化させ、湾曲応力を除去し、断続的に常温加圧し、更に、加圧固定して平板状とし、上下面を切削して、所定厚の板材とすることにより、平滑な平行四辺形の板材を得ることができる。 - 特許庁

Since a length W3 parallel to principal plane of the substrate of a sword guard 123 of a pin 121 is made to fulfill a designated condition, stress concentration is hard to occur at brazing material section between sword guard side face of the pin 121 and a pin bonding portion 111.例文帳に追加

ピン121の鍔部123の基板の主面と平行方向の長さW3を所定の条件を満たす長さとしたため、ピン121の鍔部側面とピン接合部111との間のロウ材の部分に応力集中が発生しにくい。 - 特許庁

例文

The end 3 is made thick when needed, and a curve-like (R) or plane- like (C) tapered part is provided on either one or both of inner and outer peripheries of the end 3 in a manner that the end gets thinner toward a direction of the gear part 2 for giving flexibility, whereby avoiding concentration of stress to the end 3.例文帳に追加

端部3は、必要に応じて肉厚とし、加撓性を持たせるために歯車部2の方向に向かい薄肉するように、曲面状(R)や平面状(C)のテーパ部をその内周または外周もしくはその両方に設けて、端部3への応力の集中を避ける。 - 特許庁

例文

In a part of a sheet-like fibrous material in the base sheet of a multilayer printed circuit board PCB, an incomplete connection part (slit SLT) is formed for relaxing expansion and contraction, and deformation caused by the thermal expansion and contraction and residual stress of the printed circuit board in the base sheet plane.例文帳に追加

多層印刷回路基板PCBのベースシートに有するシート状繊維材の一部に当該ベースシートの面内で印刷回路基板の熱伸縮や残留応力に起因する伸縮、変形を緩和するための不完全連結部(スリットSLT)を形成した。 - 特許庁

This method for improving the fatigue strength in the metal is characterized in that after heating at least a part of the metal to not lower than the plastic strain generating temperature, the residual stress in the metal is reduced by rotating the metal in a plane containing this metal till cooling to a room temperature.例文帳に追加

金属の少なくとも一部を塑性ひずみ発生温度以上に加熱後、室温に冷却されるまで、前記金属を含む平面内で金属を回転させて金属の残留応力低減することを特徴とする金属の疲労強度向上方法。 - 特許庁

To provide a fixing structure of a Peltier element capable of easily preventing local concentration of a stress when fixing even if the thickness in the element plane direction of the Peltier element varies in portions, to enable using the element under high reliability for a long period: and to provide a cooling device and an analyzing device.例文帳に追加

ペルチェ素子の素子平面方向における厚さが場所によってばらついても固定の際の局部的な応力の集中を簡易に回避することができ、長期に亘って高い信頼性の下に使用することが可能なペルチェ素子の固定構造、冷却装置及び分析装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device includes a stress adjustment resin layer 9 having a thermal expansion coefficient between a thermal expansion coefficient of a semiconductor substrate of a semiconductor chip 5 and a thermal expansion coefficient of an encapsulation resin 15 of the semiconductor chip 5 between a principal plane and the encapsulation resin 15 of the semiconductor chip 5.例文帳に追加

半導体チップ5の主平面と封止樹脂15との間に、半導体チップ5の半導体基板の熱膨張率と封止樹脂15の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層9を備えている。 - 特許庁

This semiconductor acceleration sensor for detecting acceleration based on a resistance value change of a piezo resistance 4 has such a characteristic that the shape of a section perpendicular to the longitudinal direction of the flexible part 7 is formed so that a neutral plane of stress is biased to the opposite side of the surface forming the piezo resistance 4.例文帳に追加

ピエゾ抵抗4の抵抗値変化をもとに加速度を検知する半導体加速度センサにおいて、撓み部7の長手方向に直交する断面の形状を、応力の中立面がピエゾ抵抗4を形成した面の反対側に偏るような形状としたことを特徴する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which number of manufacturing processes can be reduced for forming UBM films having a plane size smaller than that of a bump electrode and reducing concentration of stress on the peripheral border of the UBM films.例文帳に追加

UBM膜の平面サイズよりもバンプ電極の平面サイズを小さく形成し、UBM膜周縁に生じる応力集中を減少するための製造工程数を減少することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass plane surface tailoring table wherein a flatness can be simply maintained with a high precision, manufacturing cost can be reduced by simplifying prior polishing work and actual adjusting work, and a damage portion can be restrained to a minimum even if stress or the like is applied.例文帳に追加

本発明は、平面度を簡易に高精度に維持することができ、事前の研磨作業、実際の調整作業の簡略化による製造コストの低廉化を図ることができ、更に仮に歪力等が作用したとしても損傷箇所を最小限に止めことができるガラス製平面調整テーブルを提供する。 - 特許庁

To reduce the difference of thermal stress exerted onto a center gage and a side gage in a semiconductor pressure sensor in which a diaphragm for pressure detection and a distortion gage resistor are formed on a semiconductor substrate having a plane (110) as a main surface.例文帳に追加

主表面が(110)面である半導体基板に圧力検出用のダイアフラムおよび歪みゲージ抵抗とを形成してなる半導体圧力センサにおいて、センターゲージとサイドゲージに加わる熱応力の差を極力小さくする。 - 特許庁

A weld terminal part E is positioned on the lowest stress position where a weld zone W intersects a plane including the central axis of the piston rod 3 and the central axis of a pin insertion hole 9a formed in the pin connecting member 9 on the whole periphery of the weld zone W.例文帳に追加

溶接部Wの全周のうち、ピストンロッド3の中心軸線と、ピン連結部材9に形成したピン挿通孔9aの中心軸線とを含む平面に溶接部Wが交差する最も低い応力位置に溶接終端部Eを位置させる。 - 特許庁

To provide an H-steel with a projection mainly embedded in concrete to be used as an axial steel material, capable of equalizing axial stress distribution in sectional plane of the steel material and improving load-carrying capacity and adhesion performance, including solidifying material with elapsing time such as concrete of the side receiving the force by sticking transmission.例文帳に追加

主としてコンクリート中に埋め込んで軸方向鋼材として使用する突起付H形鋼について、鋼材断面内の軸応力分布を均一にし、付着伝達による力を受ける側のコンクリート等の経時固化材料も含めて、その耐荷性能ならびに付着性能を向上させる。 - 特許庁

To overcome the problem that a bonding area of a substrate and a frame portion constituting a package is reduced when a piezoelectric vibrator housing package is miniaturized and a bonding plane of the substrate and the frame portion or its circumference is cracked by thermal stress or the like in seam welding, and as a result, reliability in air-tight sealing of a piezoelectric vibrator is lowered.例文帳に追加

圧電振動子収納用パッケージの小型化により、パッケージを構成する基板と枠部との接合面積が小さくなり、シーム溶接時の熱応力等により基板と枠部との接合面やその周辺にクラックが発生し、圧電振動子の気密封止の信頼性が低くなる。 - 特許庁

Each of the rotation angle of the ϕ rotation mechanism 11, the θs rotation arm 42, the θd rotation arm 43 and the 2θχ rotation arm 45 is controlled, based on setups of a swing angle (α), an in-plane rotation (β), and a detection angle (2θ_B) of a diffraction line used in a residual stress measuring method.例文帳に追加

これらφ回転機構11、θs回転アーム42、θd回転アーム43、及び2θχ回転アーム45の各回転角度は、残留応力測定法で用いられるあおり角(α)、試料の面内回転角度(β)、及び回折線の検出角度(2θ_B)の設定に基づいて制御される。 - 特許庁

The mount A10 and the mount B11 are completely fixed to the substrate 1 with fixing screws 12a, 13a so as not to be deformed by the stress from the substrate 1, and fixed to the substrate 1 so as to be able to move within a plane parallel to the upper surface of the mount A10 and the mount B11 with the fixing screws 12a, 13a.例文帳に追加

マウントA10とマウントB11は、基板1からの応力によって変形しないように、固定ネジ12a、13aで完全に基板1に固定され、固定ネジ12a、13aでマウントA10とマウントB11の上面と平行な平面内で可動できるように基板1に固定されている。 - 特許庁

(1) The 100% elongation stress of the film is 40-300 MPa at 25°C and 1-100 MPa at 100°C in both longitudinal and lateral directions; (2) the melting point is 200-245°C; and (3) the in-plane orientation degree is ≥0.01 and <0.11.例文帳に追加

(1)フィルムの長手方向及び幅方向における100%伸張時応力が、いずれも25℃において40〜300MPa及び100℃において1〜100MPa(2)融点が200〜245℃である(3)面配向度が0.01以上0.11未満 - 特許庁

To provide a construction method of a high-rigidity face body and a connecting member for improving proof stress in the sliding direction of plates to form the high-rigidity face body that can enhance in-plane rigidity, and in its turn, contributing to improvement in the rigidity of a structure.例文帳に追加

本発明は、板材の滑り方向の耐力を向上させて面内剛性を高めることができる高剛性面体を形成し、ひいては構造体の剛性を高めるのに寄与することのできる高剛性面体の施工方法、及び、連結部材を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide the framework structure of a building capable of omitting a portion of the foundation directly below the external corner portion of the building by arranging trussed columns at the external corner portions of the building thereby scattering the stress at the external corner portion to each plane of the structure by the trussed column.例文帳に追加

建築物の出隅部にトラス柱を平面略L字状に配設することで、出隅部の応力をトラス柱により構成する各構面に分散させ、建築物の出隅部直下部分の基礎を省略できる、建築物の架構構造を提供する。 - 特許庁

In this composite material formed by bonding the fiber-reinforced plastic to a metal, the lamination is performed so that their adhesion face is positioned outside the range of ±5% of total thickness from a neutral plane on which a maximum shear stress occurs by bending deformation.例文帳に追加

金属に繊維強化プラスチックが接着されてなる複合材料において、両部材の接着面を、曲げ変形により最大せん断応力が生じる中立面から、総厚みの±5%の厚みの範囲外に位置する積層構成とする。 - 特許庁

In the X-Y plane of the tape cutting apparatus 200 wherein disused tapes 32 are disposed, the second roller 82 is disposed at such an angle that stress including the component of a direction A1 different from the length direction of each disused tape 32 is applied to each disused tape 32.例文帳に追加

第2のローラ82は、テープ切断装置200内において廃テープ32が配置されるX−Y平面内で、廃テープ32の長さ方向とは異なる方向A1の成分を含む応力を、廃テープ32に加えるような角度に配置されている。 - 特許庁

In the flexure substrate for suspension where the front and rear surface of wiring of a flying lead part is exposed, a concentration of stress is eased to solve the problem by forming an opening so constituted as to distribute a force applied to the wiring at an opening end edge part of the flying lead part in a plane direction and a thickness direction of the wiring.例文帳に追加

フライングリード部の配線表裏面が露出したサスペンション用フレキシャー基板において、フライングリード部の開口端縁部において配線に加わる力を、配線の平面方向や厚さ方向に分散させる構成にした開口を形成することで、応力の集中を緩和させて、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a wiring board capable of preventing disconnection between a surface conductor provided on a principal surface of an insulating board and a via conductor provided inside the insulating board when stress by thermal expansion difference between the surface conductor and the via conductor is generated in the direction in parallel with the principal plane at a connection part between the surface conductor and the via conductor.例文帳に追加

絶縁基板の主面に設けられた表面導体と絶縁基板の内部に設けられたビア導体との接続部分においてそれらの熱膨張差による応力が上記主面に平行な方向に発生した場合に、表面導体とビア導体との間の断線を防止することができる配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a reinforcing construction method for a purline-cross beam connection part in an under road girder type steel railway bridge, capable of reducing remarkably an out-of-plane deformation and a stress of an upper flange of the purline causing a fatigue crack, in order to prevent the fatigue crack from being generated in the purline-cross beam connection part of the steel railway bridge, and a device therefor.例文帳に追加

鋼鉄道橋の縦桁・横桁連結部における疲労き裂の発生を防ぐために、疲労き裂の原因となる縦桁の上フランジの面外変形および応力を大幅に低減させる下路桁形式の鋼鉄道橋における縦桁・横桁連結部の補強工法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Using a steel plate or a coated steel plate whose ratio of crystalline plane between the crystal face of ferrite {100} in the parallel surface to the rolling surface of the steel plate and the crystal face {111} is 1.0 or more, the press forming is performed imparting a tensile stress of 40 to 100% against the material tensile strength to the longitudinal wall portion.例文帳に追加

鋼板のプレス加工成形方法において、圧延面に平行な面におけるフェライトの{100}結晶面と{111}結晶面の比が1.0以上である鋼板又はめっき鋼板を用いて、縦壁部に材料引張強さの40〜100%の引張応力を付与しながら成形を行うことを特徴とする、成形品の寸法精度に優れたプレス成形方法。 - 特許庁

Steel frame members 2 formed to collect steel materials for in-plane bending reinforcement are disposed continuously in the direction of a height at the end position of the reinforced concrete earthquake-resisting wall 1a on a flat surface to enlarge a stress center distance in the direction of an arrow Y determining the resisting force to the bending moment and reduce a scale as a resisting element to the bending moment.例文帳に追加

平面上、鉄筋コンクリート造耐震壁1aの端部位置に、面内曲げ補強のための鋼材を集約させた形の鉄骨部材2を高さ方向に連続させて配置し、曲げモーメントに対する抵抗力を決めるY方向の応力中心間距離を拡大すると共に、曲げモーメントに対する抵抗要素としての規模を縮小する。 - 特許庁

Glass substrates 10 are placed on heat-resistant setters 11 (Neoceram N-0(R)) having plate form with excellent flatness one for each setter and annealed by placing four dummy setters 12 around the heat-resistant setter 11 to produce 12 glass substrates having a residual stress of 4 kg/cm2 in the plane direction.例文帳に追加

ガラス基板10を、板状で平坦性に優れた耐熱性セッター(日本電気硝子株式会社製ネオセラムN−0)11上に1枚づづ載置し、さらに耐熱性セッター11の周囲に、4枚のダミーセッター12を配置した状態でアニールすることによって、平面方向の残留応力が4kg/cm^2 のガラス基板を12枚作製した。 - 特許庁

In the metal plate manufacturing method for cooling the traveling metal plate by a cooling apparatus, the out-of-plane deformation is suppressed by restricting the metal plate from both sides in an area in which a compressive stress is exerted in the plate width direction by cooling the metal plate or an area in the vicinity thereof.例文帳に追加

走行する金属板を冷却装置で冷却する金属板の製造方法において、金属板の冷却により板幅方向での圧縮応力が発生している領域またはその近傍領域で、金属板両面側から拘束することにより面外変形を抑制することを特徴とした金属板の製造方法。 - 特許庁

To provide a GaAs single crystal wafer reduced in the influence of the warp of the wafer itself and the nonuniformity of wafer in-plane temperature for the thermal treatment in a device manufacturing process using the wafer, and generating no slip defects, which needs no relaxation of the residual stress by incorporation of dislocation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、GaAs単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いGaAs単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Thus, both the mutually opposite end surfaces 3 and 3 of the meander restriction guide 2 are cut obliquely at a specific angle to the circumferential direction and syphered in plane view, so even when the seamless belt 1 is repeatedly flexed at a roll part, the stress is concentrated on the join of the meander restriction guide 2 and no breakage is caused.例文帳に追加

蛇行規制ガイド2の相対向する両端面3・3を周方向に対し所定の角度でそれぞれ斜めにカットし、蛇行規制ガイド2の両端面3・3を平面視でそぎはぎするので、シームレスベルト1がロール部分で繰り返し屈曲されても、蛇行規制ガイド2の継目に応力が集中し、破断するおそれがない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the film thickness of silicon grease on the composition plane of a base plate and a radiating fin can be made uniform when coupling the base plate and the radiating fin by bolts and reliability can be improved by suppressing stress applied to an insulating substrate in the semiconductor device in which the base plate and the radiating fin are coupled by interposing heat conductive grease between the both.例文帳に追加

この発明は、ベース板と放熱フィンとの間に熱伝導性グリースを介在させて両者を結合した半導体装置において、ベース板と放熱フィンとをボルトで結合する際に、ベース板と放熱フィンとの接合面のシリコングリースの膜厚を均一にでき、絶縁基板に加わる応力が抑制され、信頼性を向上できる半導体装置を得る。 - 特許庁

During heat treatment in which a blank (intermediate material) B having a lubrication hole 14 formed is heated and quenched, quenching is stopped when the temperature of a portion from the track plane (outer surface) 12 of the outer race (bearing part)1 to a depth where the maximum shearing stress acts, is lowered to the MS point and then the blank B is air-cooled.例文帳に追加

潤滑孔14を形成した後のブランク(中間素材)Bを加熱して急冷する熱処理の際に、外輪(軸受部品)1の軌道面(表面)12から最大せん断応力が作用する深さに対応する部分の温度が上記MS点まで冷却された時点で当該ブランクBに対する急冷を停止して空冷する。 - 特許庁

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加

C面サファイア単結晶基材1aの上にMOCVD法によってAlNからなる表面層1bをエピタキシャル形成した後、該積層体を1300℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁

During laser material processing, the portions of the wafer 11 on the opposite sides of a scheduled cut line 5 mesh each because of these cracks, and thereby internal stress occurring in the direction parallel with the thickness direction of the wafer 11 and perpendicular to a plane including the line 5 can be reduced by forming the reform region.例文帳に追加

従って、レーザ加工時に、これらの割れにより、ウェハ11における切断予定ライン5を挟んだ両側の部分がそれぞれ噛み合い、よって、改質領域が形成されることで発生するウェハ11の厚さ方向に平行であり且つライン5を含む面に対して垂直な方向に生じる内部応力を低減させることができる。 - 特許庁

例文

A user inputs data on the precast concrete plate, serving as an examination object, into a personal computer in a text format; and a system computer automatizes the computation of the sectional performance and allowable stress of the precast concrete in accordance with the input data, automatically examines the safety of the precast concrete plate by plane frame analysis corresponding to diverse load and supporting conditions, and displays an examination result on the personal computer.例文帳に追加

利用者は検討対象であるプレキャストコンクリート板に関するデータをテキスト形式でパソコンに入力し、システムコンピュータはこの入力データに基づきプレキャストコンクリート板の断面性能及び許容応力の算出を自動化すると共に、多様な荷重条件及び支持条件に対応する平面フレーム解析によりプレキャストコンクリート板の安全性を自動的に検討し、検討結果を上記パソコンに表示する。 - 特許庁

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