「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a device for manufacturing a semiconductor substrate, specifically a substrate manufacturing method for processing the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。 - 特許庁

With regard to a group of wafers planned to be processed by the devices 3, 4 for manufacturing a semiconductor, a wafer processing ratio for each of the processing paths is determined based on the acquired processing result for each of the processing paths.例文帳に追加

取得された処理経路ごとの処理結果に基づいて、半導体製造装置３、４により処理予定の一群のウェーハについて、上記処理経路ごとのウェーハ処理比率を決定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a through electrode and a method of manufacturing the semiconductor device capable of significantly reducing a processing time and a processing cost.例文帳に追加

貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、処理時間及び処理コストを大幅に低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of heating a part in a processing chamber of a semiconductor manufacturing apparatus that heats the part in the processing chamber efficiently with simple constitution, and to provide the semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for sealing, in which a seal component, capable of keeping a first portion of a semiconductor processing chamber at a first pressure while keeping a second portion of the semiconductor processing chamber at a second pressure, is applied to joining members having different thermal expansion coefficients.例文帳に追加

半導体処理チャンバにおいて、第１の部分を第１の圧力に、第２の部分を第２の圧力にするシール部材を熱膨張係数の異なる部材間に適用。 - 特許庁

This semiconductor processing component is formed of SiC, and an outer surface portion of the semiconductor processing component has a surface impurity level that is not greater than 10 times an internal impurity level.例文帳に追加

半導体加工用部品はＳｉＣで形成され、および、この半導体加工用部品の外側表面部分が、内部不純物レベルの１０倍以下である表面不純物レベルを有する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a radiation curable semiconductor which exhibits good antistatic properties in semiconductor processing, and hardly allows an adhesive to remain on an adherend in pickup.例文帳に追加

半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet that is used in processing article such as a semiconductor wafer that causes neither contamination nor breakage of the semiconductor wafer during the processing.例文帳に追加

半導体ウエハ等の製品を加工する際に使用される粘着シートであり、加工中に半導体ウエハ等を汚染したり破損することがない粘着シートを提供すること。 - 特許庁

In the method for designing the semiconductor integrated device, simulation processing (step S1) for the semiconductor integrated device is performed and transaction data are stored by transaction data storing processing (step S2).例文帳に追加

本発明の半導体集積装置の設計方法では、半導体集積装置のシミュレーション処理（ステップＳ１）を行い、トランザクションデータをトランザクションデータ記憶処理（ステップＳ２）にて記憶する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor manufacturing equipment wherein sufficient hole coverage is ensured while shortening the whole sputtering processing time by shortening Al sputtering processing time.例文帳に追加

Ａｌスパッタ処理時間を短縮し全体のスパッタ処理時間を短縮しつつ、十分なホールカバレッジを確保する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To a semiconductor material, the damage processing orthogonal to the processing distortion direction of the processed layer formed by slice processing is performed.例文帳に追加

前記ダメージ加工には、レーザ光、サンドブラスター、高圧水、ダイヤモンドワイヤ、或はダイヤモンドワイヤで造られたブラシを用いた加工や、純水氷結粒子の衝突加工が好適である。 - 特許庁

To accurately detect influence of processing dispersion or damage associated with plasma processing including a solvent treatment after processing, in relation to a scribe corner monitor, a semiconductor wafer and a monitoring method.例文帳に追加

スクライブコーナモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法に関し、処理後の溶剤処理を含めたプラズマ処理に伴う加工バラツキや、ダメージの影響を精度良く検出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which variation in processing size can be reduced between different plasma processing apparatus, and to provide a power supply circuit, and a plasma processing apparatus.例文帳に追加

異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a state before processing and a different processing state can be set for a redundant relieving circuit independently of fuse processing.例文帳に追加

ヒューズ加工処理とは無関係に、冗長救済回路に対して加工前の状態や、異なる加工状態を設定する事が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

According to the determined wafer processing ratio for each of the processing paths, processing to the group of wafers planned to be processed is executed in the devices 3, 4 for manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

そして、決定された処理経路ごとのウェーハ処理比率に従って、半導体製造装置３、４において、上記処理予定の一群のウェーハに対する処理を実施する。 - 特許庁

To provide a method and a device for elevating the temperature of a substrate quickly to a predetermined processing temperature and for sustaining the predetermined processing temperature in processing of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の処理において、基板を所定の処理温度まで迅速に昇温して該所定の処理温度に保つ方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a signal processing circuit, an antenna circuit that is connected to the signal processing circuit, and a storage means that supplies electric power to the signal processing circuit.例文帳に追加

半導体装置は、信号処理回路と、信号処理回路に接続されたアンテナ回路と、信号処理回路に電力を供給する蓄電手段を有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING LIQUID SUPPRESSING ADSORPTION OF METAL THERETO, PREPARING METHOD FOR PROCESSING LIQUID, AND PROCESSING METHOD THEREFOR USING THE SAME例文帳に追加

半導体基板への金属の吸着を抑制した半導体基板用処理液及びこの処理液の調製方法並びにこれを用いた半導体基板の処理方法 - 特許庁

To provide a processing tape for a semiconductor wafer which tape does not cause a drop in the performance of an adhesive layer and is fit for a semiconductor wafer back grinding process, a semiconductor wafer dicing process, and a semiconductor chip flip-flop mounting.例文帳に追加

接着材層の性能低下を招かない、半導体ウェハのバックグラインド工程、半導体ウェハのダイシング工程、半導体チップのフリップチップ実装に適した半導体ウェハの加工用テープを提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor substrate which makes the surface of a semiconductor element on the opposite side from a semiconductor circuit-formed side flat, realizing a good connection of the semiconductor element with a circuit board.例文帳に追加

半導体回路の形成面とは反対側表面が平坦になり、回路基板との良好な接続を実現することができる半導体素子を得ることができる半導体基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor package in which a heat radiating member can be arranged in the vicinity of a semiconductor device without performing processing of a substrate after resin molding the semiconductor device, and provide a manufacturing method of the semiconductor package.例文帳に追加

半導体素子を樹脂モールドした後に基板の加工を行なうことなく放熱部材を半導体素子の近傍に配置することのできる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a film substrate which has excellent expandability and has excellent performances required for adhesive tapes for processing semiconductor wafers, such as the high recovery of adhesive tapes for processing semiconductor wafers, after expanded, and to provide an adhesive tape using the same and used for processing semiconductor wafers.例文帳に追加

本発明の目的は、エキスパンド性に優れ、かつエキスパンド後の半導体ウエハ加工用粘着テープの復元率が高い等の半導体ウエハ加工用粘着テープに要求される性能に優れたフィルム基材およびそれを用いた半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することにある。 - 特許庁

A prediction unit 461 calculates a predicted processing time of processing on each of wafers stored in a plurality of carriers by one semiconductor manufacturing apparatus belonging to the semiconductor production line including a time needed for arrangement processing when the plurality of carriers reach the semiconductor manufacturing apparatus 5.例文帳に追加

予測部４６１は、複数のキャリアが半導体生産ラインに属する一の半導体製造装置５に到着した際に、当該キャリアに収容されたウェーハに対する当該半導体製造装置における処理の予想処理時間を、段取り処理に要する時間を含めて算出する。 - 特許庁

To efficiently manufacture a semiconductor wafer processing tape by applying an adhesive only to required portions and reducing cutting processes of an adhesive layer as far as possible, as for a method of manufacturing the semiconductor wafer processing tape and the semiconductor processing tape manufactured by the method.例文帳に追加

半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び当該製造方法により製造される半導体ウエハ加工用テープにおいて、必要な部分にのみ接着剤を塗布し、接着剤層のカット工程をできるだけ削減することで、該半導体ウエハ加工用テープを効率良く製造する。 - 特許庁

While ejecting antistatic processing liquid from a processing liquid supply nozzle 40 to a developed semiconductor wafer SW with an ejection width not narrower than the width dimension of the semiconductor wafer SW, the processing liquid supply nozzle 40 is moved relatively from one end side to the other end side of the semiconductor wafer SW and the antistatic processing liquid is supplied onto the semiconductor wafer SW.例文帳に追加

現像処理後の半導体ウエハＳＷに対して、処理液供給ノズル４０から半導体ウエハＳＷの幅寸法以上の吐出幅で帯電防止処理液を吐出しつつ、該処理液供給ノズル４０を半導体ウエハＳＷの一端側から他端側に向けて相対移動させて、半導体ウエハＳＷ上に帯電防止処理液を供給する。 - 特許庁

To provide a processing method for a semiconductor wafer wherein, after a divided semiconductor wafer is mounted on a supporting substrate and predetermined wafer processing is carried out, the supporting substrate can be peeled off from the semiconductor wafer regardless of the thickness of the semiconductor wafer without producing wafer cracking.例文帳に追加

分割した半導体ウエハを支持基板に搭載して所定のウエハ加工を行った後、半導体ウエハから支持基板を、半導体ウエハの厚みによらず、ウエハ割れを起こすことなしに剥離することができる半導体ウエハの処理方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A first semiconductor device including a first memory circuit determined as a non-defective product and a second semiconductor device including a second memory circuit and a signal processing circuit for carrying out signal processing according to a program, the second semiconductor device being determined as a non-defective product, are selected and assembled as an integral semiconductor device.例文帳に追加

良品とされた第１メモリ回路を有する第１半導体装置と、良品とされた第２メモリ回路と、プログラムに従った信号処理を行う信号処理回路とを含む第２半導体装置を選別して、一体的な半導体装置として組み立てる。 - 特許庁

Accordingly, scratches, cracks, and the like, can be prevented from occurring to the back side (lower side) of the processing object, when the processing object, such as, the semiconductor wafer is supported.例文帳に追加

これにより、半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止する。 - 特許庁

To provide a processing technology capable of efficiently reducing the effect of heterogeneity by processing a semiconductor wafer in which the heterogeneity exists.例文帳に追加

不均質性が存在する半導体ウエハを処理して不均質性の影響を効率的に軽減できる処理技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device, along with a substrate processing apparatus, capable of efficiently vaporizing a liquid raw material supplied into a processing chamber.例文帳に追加

処理室に供給する液体原料を効率よく気化する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor processing apparatus or the processing content thereof is varied, only the control variables calculating program 210 is required to be varied.例文帳に追加

半導体処理装置やその処理内容が変更された場合には、制御変数計算プログラム２１０のみを変更すれば足りる。 - 特許庁

To prevent erroneous transfer due to wafer displacement of a wafer processing container of a semiconductor manufacturing apparatus, and to prevent anomalies during wafer processing.例文帳に追加

半導体製造装置のウェハー加工容器内のウェハー位置ズレによる搬送ミスを防止し、さらにウェハー加工における異常も防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor visual inspection apparatus for diagnosing detailed functions of an image processing device including an image processing substrate.例文帳に追加

画像処理基板を含む画像処理装置のきめの細かい機能診断を行うことができる半導体外観検査装置を提供する。 - 特許庁

PROCESSING GAS SUPPLYING METHOD AND DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIA例文帳に追加

処理ガス供給方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法、処理ガス供給装置、基板処理装置、および記録媒体 - 特許庁

METHOD FOR DATA PROCESSING OF DESIGN PATTERN OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM WITH DATA PROCESSING PROGRAM RECORDED THEREON例文帳に追加

半導体集積回路の設計パターンのデータ処理方法、及びデータ処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

After a surface of a second substrate 21 is subjected to rubbing processing, an organic semiconductor layer 14 is formed on the surface having been to the rubbing processing.例文帳に追加

第二の基材２１の表面をラビング処理した後、ラビング処理が施された面の上に有機半導体層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a circuit configuration can be dynamically reconfigured, and which can simultaneously execute pipeline processing and sequential processing.例文帳に追加

パイプライン処理と逐次処理とを同時に実行可能な動的に回路構成が再構成可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor circuit (1) is provided with data processing means (11), which includes a plurality of data processing sections (10), a working memory (12), and a transmission circuit (14).例文帳に追加

半導体回路（1）には、複数のデータ処理部（10）を含むデータ処理手段（11）と作業用メモリ（12）と伝達回路（14）とが設けられる。 - 特許庁

A signal processing circuit 15 for processing an electric signal from the light receiving element 14 is formed on the semiconductor growth layer 2.例文帳に追加

受光素子１４からの電気信号を処理するための信号処理回路１５が半導体成長層２上に形成されている。 - 特許庁

A processing chamber can be configured as a thermal stack module within a wafer track cell for exposing a semiconductor wafer surface to a processing plasma.例文帳に追加

処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。 - 特許庁

A showerhead electrode and wafer chuck assembly may be positioned within the processing chamber for effecting plasma-enhanced processing of the semiconductor wafer.例文帳に追加

シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。 - 特許庁

To reduce potential variations in a power supply ground system of an internal circuit in discharge processing in a semiconductor circuit device that discharges a power supply voltage.例文帳に追加

ディスチャージ処理において、内部回路の電源グランド系の電位変動を低減する。 - 特許庁

The adhesive sheet can be used e.g. for processing semiconductor wafers.例文帳に追加

前記再剥離用粘着シートは、例えば半導体ウエハ加工用粘着シートとして使用できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor processing system, which generates an uniform accumulated film by a uniform gas flow pattern.例文帳に追加

均一なガスフローパターンにより均一な堆積フィルムを生じる半導体処理システムを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH FUNCTION OF INSTANTLY DETECTING SELF-ALIGNMENT CONTACT HOLE DEFECT AND PROCESSING METHOD THEREFOR例文帳に追加

自己整合コンタクトホール欠陥即時検出機能付き半導体装置及びその製造方法 - 特許庁