「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of forming a polysilicon film 3 on an insulating film 2, irradiating the polysilicon film 3 with an inactive ion beam, introducing impurities into the polysilicon film 3, subjecting the polysilicon film 3 to a thermal treatment, and forming a polysilicon pattern 3a positioned on the insulating film 2 through a means of subjecting the polysilicon film 3 to pattern processing.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜２上にポリシリコン膜３を形成する工程と、ポリシリコン膜３に不活性イオンを照射する工程と、ポリシリコン膜３に不純物を導入する工程と、ポリシリコン膜３を熱処理する工程と、ポリシリコン膜３をパターニングすることにより、絶縁膜２上に位置するポリシリコンパターン３ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a step of forming a first groove 110 and a second groove 120 crossing the first groove 110 on a substrate 100; a step of burying a film 200 in the first groove 110 and the second groove 120 by performing film formation processing on the substrate 100; and a step of removing the film 200 located on the substrate 100.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、基板１００に第１の溝１１０及び第１の溝１１０と交差する第２の溝１２０を形成する工程と、基板１００に対して成膜処理を行うことにより、第１の溝１１０内及び第２の溝１２０内に膜２００を埋め込む工程と、基板１００上に位置する膜２００を除去する工程とを備える。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A semiconductor processing apparatus comprises: a reactor; a susceptor arranged in the reactor for mounting a substrate, which has a through-hole in the axis line direction of the susceptor; a lift pin for lifting the substrate to the susceptor, which is arranged such that it slides in each through-hole; and means for reducing contact resistance between the lift pin and each through-hole.例文帳に追加

半導体処理装置は、反応チャンバと、基板を載置するための反応チャンバ内に配置されたサセプタであって、サセプタの軸線方向に貫通孔を有するところのサセプタと、サセプタに対して基板を持上げるための各貫通孔内でスライドするように配置されたリフトピンと、リフトピンと各貫通孔との間の接触抵抗を減少させるための手段とを含む。 - 特許庁

This humidity sensor is formed with a humidity sensing part 100 having a humidity sensitive film 50 of which an electrostatic capacitance (dielectric constant) changes by adsorption of moisture, and electrodes 31, 32 covered with the humidity sensitive film 50 and for detecting the change of the electrostatic capacitance, and a circuit element 200 for processing an output signal from the humidity sensing part 100, in an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

水分を吸着することによって静電容量（誘電率）が変化する感湿膜５０及び該感湿膜５０に覆われて、その静電容量の変化を検出するための電極３１及び３２を有する感湿部１００と、該感湿部１００の出力信号を処理する回路素子部２００とが、Ｎ型の半導体基板１０に形成されている。 - 特許庁

To obtain a high-flow thermosetting adhesive film which is bonded and cured as an adhesive material for electronic parts, semiconductor parts, etc., at a lower temperature under lower pressure in a short time than a conventional material, has excellent processability in a semicured state and excellent adhesiveness to an unsmoothed surface of circuit processing, etc., both in curing and semicuring and excellent heat resistance in curing.例文帳に追加

電子部品、半導体部品等の接着性材料として、従来の材料よりも低温低圧、短時間で接着硬化でき、半硬化時の加工性に優れ、回路加工等を施した平滑でない面に対する接着性が硬化時、半硬化時共に優れ、更に硬化時においても優れた耐熱性を持つ高フローの熱硬化性接着フィルムを提供する。 - 特許庁

For plasma cleaning in the processing container 10 in which a semiconductor wafer W is absent, a control unit 68 controls the first high-frequency power source 32 so that a first high frequency contributing to plasma generation alternates between a first period having a first amplitude for generating plasma and a second period having a second amplitude for substantially not generating the plasma in predetermined cycles.例文帳に追加

制御部６８は、半導体ウエハＷの無い処理容器１０内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間と、プラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 - 特許庁

The polishing solution for metal is constituted, containing an amino acid derivative purified by a purifying method for separating out the amino acid derivative from a processing solution which is obtained after electrodialysis performed by adding acid to an aqueous solution containing the amino acid derivative expressed by formula (I), and used for a chemical mechanical flattening of a copper wire of a semiconductor integrated circuit board.例文帳に追加

下記式(Ｉ)で表されるアミノ酸誘導体を含む水溶液に酸を添加して電気透析を行った後、得られた処理液から前記アミノ酸誘導体を析出させる精製方法によって精製された前記アミノ酸誘導体を含有し、半導体集積回路用基板の銅配線の化学的機械的平坦化に用いられることを特徴とする金属用研磨液。 - 特許庁

The tape for semiconductor processing has an adhesive layer on at least one side of a substrate, provided that the adhesive layer contains 5-20 pts.wt. fumed silica having an average particle size of from 7 nm to 2 μm based on 100 pts.wt. photocurable adhesive.例文帳に追加

真空加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤１００重量部に対して平均粒子径が７ｎｍ〜２μｍであるフュームドシリカを５〜２０重量部含有する粘着剤層を有するものである半導体加工用テープである。 - 特許庁

In the wafer washing process for semiconductor integrated circuit production, a microfiltration filter cartridge which is composed of a microporous filter membrane (a), a membrane support, a core, an outer peripheral cover and an end plate, which are all made of polysulfone type polymer, is used and (b) the filtration of the washing chemicals is started without prior moistening processing by means of alcohol with respect to the filtration of the washing chemicals.例文帳に追加

半導体集積回路製造のウエハー洗浄工程において、洗浄薬液のろ過に、（ａ）微孔性ろ過膜、膜サポート、コアー、外周カバー及びエンドプレートにより構成されており、上記構成要素の全てがポリスルホン系ポリマーでできている精密ろ過フィルターカートリッジを用い、且つ（ｂ）アルコールによる予備濡らし処理を行うことなく洗浄薬液のろ過を開始する。 - 特許庁

In manufacturing the semiconductor device (e.g. ferroelectric film), for example, a film applied with a metal alkoxide used as the ferroelectric film is formed on a substrate 100, and thermal processing using a thermal source of flames of a gas burner using a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is performed to bake the film applied with metal alkoxide and to modify the ferroelectric film (metal oxide film) to be formed.例文帳に追加

半導体装置（例えば、強誘電体膜）の製造において、基板１００上に例えば強誘電体膜となる、金属アルコキシド塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、金属アルコキシド塗布膜を焼成するとともに、形成される強誘電体膜（金属酸化膜）の改質を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step to place a work on one stage of a plurality of processing stages for dicing of the work into pieces, a step to dice the work placed thereon in the previous step, and a step to clean the work pieces diced in the previous step as well as the other stages wherein no work is placed at the same time.例文帳に追加

ワークを個片化する複数の加工ステージの一に前記ワークを載置するステップと、前記載置ステップで前記複数の加工ステージの一に載置された前記ワークを個片化するステップと、前記個片化ステップで個片化された前記ワークと、前記ワークを載置していない残る加工ステージとを同時に洗浄するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This processing method is for forming an external semiconductive layer end processed part 9, by forming a semiconductive tape wound layer with a semiconductor tape wound astride on the boundary between the end part of an external semiconductive layer 5 of the stepped end 8 formed at the end of a rubber or plastic insulated power cable 1 and the rubber or plastic insulating layer of the cable, and by heating and pressurizing the semiconductive tape wound layer.例文帳に追加

ゴム・プラスチック絶縁電力ケーブル１の端末に形成された段剥ぎ端部８で外部半導電層５の端部とゴム・プラスチックケーブル絶縁層６との境界に両者に跨がって半導電性テープを巻き付けて半導電性テープ巻層を形成し、この半導電性テープ巻層を加熱・加圧することにより外部半導電層端末処理部９を形成する。 - 特許庁

In the method for conveying a substrate employing a semiconductor production system where a substrate contained in a cassette is set in a sender S1 or S2, the substrate delivered from the sender S1 or S2 is processed through a plurality of processing units PEB to NC and contained in a cassette disposed on the side of a receiver R1 or R2, delivery timing from the sender S1 or S2 is controlled.例文帳に追加

カセットに収納された基板をセンダＳ１又はＳ２に配置し、そのセンダＳ１又はＳ２より搬出された基板を複数の処理ユニットＰＥＢ乃至ＮＣにて処理した後、レシーバＲ１又はＲ２側に配置されたカセットに収納する半導体製造装置を用いた基板搬送方法において、センダＳ１又はＳ２からの搬出タイミングの時間制御を行なう。 - 特許庁

This processing method is one which removes fine particles adhering to the surface, while physically bringing particles X into contact with the surface W of many sheets of semiconductor wafers W soaked and stored in immersed form in treatment liquid M, making use of high-speed shower and bubbles arising in the treatment liquid M while sending gas into the treatment liquid M where the particles X are mixed.例文帳に追加

粒子Ｘを混入させた処理液Ｍ中に気体を送り込みながら、それにより処理液Ｍ中に発生す高速シャワー並びに泡を利用して、処理液Ｍ中に没入状に浸漬収容されている多数枚の半導体材料Ｗの表面に前記粒子Ｘを物理的に接触させながら、該表面に付着している微粒子を取り除くようにしたことである。 - 特許庁

Fuel rod breakage determination information 31 acquired from an off-gas nuclide analysis result by a multichannel pulse height analyzer 13 based on a detection result from a Ge semiconductor detector 11, off-gas flow rate history information 32 acquired by an off-gas flowmeter 12, and a control rod operation history information 33 acquired from a control rod control device 15 are inputted into the data processing computer 14.例文帳に追加

データ処理計算機１４には、Ｇｅ半導体検出器１１からの検出結果に基づく多重波高分析器１３のオフガス核種分析結果により得られた燃料棒破損判定情報３１と、オフガス流量計１２より得られたオフガス流量履歴情報３２と、制御棒制御装置１５より得られた制御棒操作履歴情報３３とが入力される。 - 特許庁

A field emission type display 10 includes a cathode 16 with a flat type electron emission source 44, an anode 18 superficially receiving electrons emitted from the cathode 16, a coil 40 formed on at least one of the cathode 16 or the anode 18 by a semiconductor processing process and a coil power source 24 which is a driving source generating a specified magnetic field by driving the coil 40.例文帳に追加

電界放出型の表示装置１０は、平面型の電子放出源４４を有するカソード１６と、カソード１６から放出された電子を平面的に受けるアノード１８と、カソード１６、アノード１８の少なくとも一方に半導体加工プロセスによって形成されたコイル４０と、コイル４０を駆動して所定の磁場を発生せしめる駆動源であるコイル電源２４とを備える。 - 特許庁

To provide a high purity high temperature atmosphere producing method which can suppress a contact of a gas produced from a sealing tube of a quartz glass with an object to be processed, and can perform a desirable processing for the object to be processed, a device for carrying out the method and a II-VI group compound semiconductor which is heated under a high impurity high temperature atmosphere formed by the method.例文帳に追加

石英ガラスの封入管から発生するガスが被処理物と接触することを抑制し、被処理物に所望の処理を行なうことができる高純度高温雰囲気形成方法、その方法を実施するための装置、およびその方法によって形成された高純度高温雰囲気下で熱処理されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を提供する。 - 特許庁

When data processing is speeded up with raster data and layout information on components which are constituents repeatedly described on design data for semiconductor devices, the constituents, which are repeatedly described in a hierarchy of the design data and satisfies prescribed extraction conditions, are automatically extracted, as the components, from the design data to solve the problem.例文帳に追加

半導体デバイスなどの設計データ上で繰り返し記述されている構成要素を部品として、部品のラスターデータおよびレイアウト情報を持つことでデータ処理を高速化するに際し、設計データの１つの階層で繰り返し記述され、かつ、所定の抽出条件を満たす構成要素を設計データから部品として自動抽出することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device acquires focus values measured for regions having different reflectance respectively due to films formed at a lower layer than a resist 6 formed above a wafer 3, brings a focus value acquired at a second region 32 having a higher reflectance than that of a first region 31 closer to a focus value acquired at the first region 31 having a lower reflectance, and carries out exposure processing.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ウエハ３上に形成されたレジスト６より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第１の領域３１について得られたフォーカス値に、前記第１の領域３１よりも反射率が高い第２の領域３２について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。 - 特許庁

The antistatic adhesive tape for semiconductor processing includes: an antistatic layer consisting of a resin composition containing 10-45 pts.mass of an antistatic resin containing polyether based on 100 pts.mass of a base resin at least containing 40-90 wt.% polypropylene and 60-10 wt.% styrene elastomer resin; and an adhesive layer containing a base polymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in a molecule.例文帳に追加

４０〜９０質量％のポリプロピレンと６０〜１０質量％のスチレン系エラストマー樹脂とを少なくとも含むベース樹脂を１００質量部に対しポリエーテルを含む帯電防止樹脂を１０〜４５質量部含有する樹脂組成物からなる帯電防止層と、分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマーを含有する粘着剤層とを含む、帯電防止型半導体加工用粘着テープ。 - 特許庁

In each of semiconductor devices (1 to 6) for data processing, each of control parts (12, 30, 90, 120, 160) for controlling data reading, data writing and data erasing of a rewritable nonvolatile storage area (11 or 91) has an operation mode which refers to input temperature data and controls a temperature range for writing and erasing data to be narrowed than a data readable temperature range of the storage area.例文帳に追加

データ処理用半導体装置（１〜６）において、書き換え可能な不揮発性の記憶領域（１１、９１）のデータの読み出しとデータの書き込み及び消去とを制御する制御部（１２、３０、９０、１２０、１６０）は、入力した温度のデータを参照して前記記憶領域のデータの読み出し可能な温度範囲よりもデータの書き込み及び消去を行う温度範囲を狭く制御する動作モードを有する。 - 特許庁

The portable terminal 1 is mounted with a disk or semiconductor memory storing a program for executing essential functions of portable electronic equipment 2-5 by communication through a wireless line and a CPU, the CPU executing a predetermined processing based on the program read from the disk, and has the function of communicating the portable electronic equipment 2-5 through the wireless line by use of a built-in battery.例文帳に追加

携帯型端末１には、ワイヤレス回線を介して通信が行われ、携帯型電子機器２〜５の主要な機能を実行するためのプログラムが格納されたディスクや半導体メモリとＣＰＵが搭載され、ＣＰＵがディスクから読み出されたプログラムに基づいて所定の処理を実行するとともに、バッテリを内蔵し、携帯型電子機器２〜５とワイヤレス回線を介して通信する機能を備える。 - 特許庁

In a dielectric resonator type oscillator 10 provided with an oscillator IC 13 with an oscillation circuit formed on a semiconductor substrate and a dielectric substrate 14 provided with a coupled line with a dielectric resonator 16, a temperature sensing resistor 17 of a metal film is provided on the dielectric substrate by the same processing technique as that of the coupled line so as to control a circuit characteristic in accordance with its detection resistance value.例文帳に追加

半導体基板上に発振回路を形成した発振器ＩＣ１３と、誘電体共振器１６との結合線路１５を備えた誘電体基板１４を備えた誘電体共振器型発振器１０において、前記誘電体基板上に結合線路と同じ加工技術によって金属膜の感温抵抗体１７を設け、その検出抵抗値に応じて回路特性を制御するように構成した。 - 特許庁

At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加

半導体基板１を紫外光６，７を照射しながら一酸化二窒素３を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光７と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光６の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁

To provide a laser emission apparatus and method that can emit a laser beam with arranged polarization directions even when laser beams emitted from a plurality of laser oscillators are composed so as to thereby obtain isotropic crystal grains, in the case of applying this method to laser anneal of an amorphous semiconductor, and can enhance the processing efficiency and improve the productivity; and to provide a laser anneal apparatus and method.例文帳に追加

複数のレーザ発振器から出射されるレーザ光を合成しても偏光方向が揃ったレーザ光を照射することができ、これにより、非晶質半導体のレーザアニールに適用した場合に、等方的な結晶粒を得ることができるともに、処理効率を高め生産性を向上させることができるレーザ照射装置および方法、並びにレーザアニール装置および方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a plurality of the blocks which respectively include the memory cell arrays and output data signals and redundancy signals, at least one first multiplexer which selects one of a plurality of the blocks connected to a plurality of the blocks and a second multiplexer which executes redundancy processing in accordance with the data signal and redundancy signals after the block selection outputted from the first multiplexer.例文帳に追加

半導体記憶装置は、各々がメモリセルアレイを含みデータ信号と冗長信号とを出力する複数のブロックと、複数のブロックに接続され複数のブロックの１つを選択する少なくとも１つの第１のマルチプレクサと、第１のマルチプレクサから出力されるブロック選択後のデータ信号と冗長信号とに基づいて冗長処理を実行する第２のマルチプレクサを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied includes a step for generating plasma and etching a substrate by a first excitation source which is connected to a processing room and which is for generating plasma, and a second excitation source which is connected to an electrode of a stage where the substrate is placed; and a step for generating plasma and depositing the substrate by the second excitation source.例文帳に追加

エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、処理室に接続された、プラズマを生成するための第一励起源と、基板を載置するステージの電極に接続された第二の励起源とによりプラズマを生成して基板のエッチングを行うステップと、前記第二の励起源によりプラズマを生成して基板のデポジションを行うステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

For preparing exposure data in files in designing a reticle for a semiconductor manufacturing apparatus, using a CAD apparatus, unexposed parts 39 are provided, and exposure data 38 are owned commonly together with the unexposed parts 39 common in the files to allow each exposure data 26, 28, 30, 32 to be hierarchically processed, thereby reducing the exposure data quantity to make the exposure data processing efficient.例文帳に追加

ＣＡＤ装置６０を用いた半導体製造装置用のレチクル２３設計において、ファイル中に露光データを作成する際に、未露光部３９を設け、各ファイル中の共通する未露光部３９とともに露光データ３８を共有化することにより、各露光データ２６、２８、３０、３２を階層処理することを可能とし、露光データ量を削減し、露光データ処理の効率化を図ることができる。 - 特許庁

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material.例文帳に追加

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 - 特許庁

In this image processor constructed so as to absorb the difference of data processing speeds between the image data inputting sides 1 and 2 and the image data outputting side 3 by a data storing means 10 for storing image data, the data storing means 10 has a storage area capable of storing image data corresponding to a plurality of images and the storage area is also composed only of a semiconductor memory.例文帳に追加

画像データを記憶保持するデータ記憶手段１０によって画像データ入力側１，２と画像データ出力側３とのデータ処理速度の差を吸収するように構成された画像処理装置において、前記データ記憶手段１０が画像複数枚分に相当する画像データを記憶可能な記憶領域を有するとともに、その記憶領域が半導体メモリのみから構成されるようにする。 - 特許庁

The adhesive sheet for processing semiconductor wafers comprises a base material and an energy-line curing type adhesive layer formed thereon, and the energy-line curing type adhesive layer contains an energy-line curing type adhesive polymer, wherein an energy-line polymeric group is combined with a main chain or a side chain, and a photopolymerization initiator with a weight average molecular weight of 400-100,000.例文帳に追加

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着シートは、基材と、その上に形成されたエネルギー線硬化型粘着剤層とからなり、前記エネルギー線硬化型粘着剤層が、主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型粘着性重合体と、重量平均分子量４００〜１０００００の光重合開始剤とを含有することを特徴としている。 - 特許庁

In an electrochromic display element having a display layer, containing an electrochromic composition carrying an organic electrochromic compound in conductive or semiconductor particulates, on a transparent conductive substrate, a display element formed by a manufacturing method including a step of pressurization press processing after at least the transparent substrate is coated with a film containing conductive or semiconductive particulates is used for the electrochromic display element.例文帳に追加

透明導電基板上に、導電性または半導体性微粒子に有機エレクトロクロミック化合物を担持したエレクトロクロミック組成物を含んだ表示層を有するエレクトロクロミック表示素子において、少なくとも透明導電基板上に導電性または半導体性微粒子を含んだ膜を塗布した後、加圧プレス処理する工程を含む作製方法で作成した表示層をエレクトロクロミック表示素子に用いる。 - 特許庁

A semiconductor memory provided with an access sequencer for simultaneously accessing a plurality of memory cells in the direction of data lines 111 to 114 and the direction of word lines 101 to 104 at the time of a write access to the memory array 100 of the above constitution and a test decoder 300 which is a control signal generation circuit improves write access processing efficiency and shortens test access time by using the test decoder 300.例文帳に追加

前記構成のメモリアレイ１００に対して、書込みアクセスにおいてデータ線１１１，１１２，１１３，１１４方向、及びワード線１０１，１０２，１０３，１０４方向に複数のメモリセルを同時にアクセスするアクセスシーケンサ、及び制御信号生成回路としてのテストデコーダ３００を設け、前記テストデコーダ３００を用いて、書込みアクセス処理効率の向上を図り、テストアクセス時間を削減する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11 containing oxygen and carbon is formed on a semiconductor substrate, a groove part 13 is formed on the interlayer insulating film 11, an auxiliary film 14 containing predetermined first and second metallic elements is formed on the bottom and sidewall of the groove part 13, and heat processing is performed to form a wiring body layer 19 containing copper as a main component while being buried in the groove part 13.例文帳に追加

半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。 - 特許庁

The silicon nitride film formed on a substrate 19 by plasma processing and used in a semiconductor element is constituted by laminating a biased silicon nitride film 31 which is formed by applying a bias to the substrate 19, and an unbiased silicon nitride film 32 which is formed by not applying a bias to the substrate 19 when the silicon nitride film comes in contact with a film 41 who wants to avoid hydrogen supply.例文帳に追加

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁

This photodetector includes a single semiconductor substrate 10 and the sample light photodiode array 7a and reference light photodiode array 7b formed on the surface of the substrate 10 and the spectra of both sample and reference lights are respectively detected by the photodiode arrays 7a, 7b and absorbancies are calculated at every wavelength from the sample light signal and reference light signal at the same time by a signal processing circuit 9.例文帳に追加

この検出器は単一の半導体基板１０とその表面に形成されたサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bとを含み、サンプル光のスペクトル及びリファレンス光のスペクトルはサンプル光用フォトダイオードアレイ７a及びリファレンス光用フォトダイオードアレイ７bによってそれぞれ検出され、信号処理回路９により、同一時刻におけるサンプル光信号及びリファレンス光信号から波長毎に吸光度が求められる。 - 特許庁

In the cleaning method of semiconductor production equipment performing a predetermined production processing by supplying reactive gas into a chamber 10, matters adhering in the chamber are removed by exhausting the chamber 10 while supplying first inert gas heated at a first temperature and pressurized at a predetermined pressure, and second inert gas cooled to a second temperature lower than the first temperature and pressurized at a predetermined pressure alternately into the chamber.例文帳に追加

反応性ガスをチャンバー内に供給して所定の製造処理を行う半導体製造装置のクリーニング方法において，第１の温度に加熱され所定の圧力に加圧された第１の不活性ガスと，第１の温度より低い第２の温度に冷却され所定の圧力に加圧された第２の不活性ガスとを交互にチャンバー内に供給しながら，チャンバーを排気してチャンバー内に付着した付着物を除去する。 - 特許庁

The present invention is the method of cleaning for removing residue in semiconductor manufacturing processing, comprising contacting the surface to be cleaned with the aqueous formulation which has a polymer selected from the group consisting of acrylamido-methyl-propane sulfonate polymers, acrylic acid-2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid copolymer and mixtures thereof and a quaternary ammonium hydroxide having greater than 4 carbon atoms, or choline hydroxide together with an acetylinic surfactant.例文帳に追加

洗浄される表面と水系配合物とを接触させることを含む、半導体製造プロセスにおける残渣を除去するための洗浄方法であって、その水系配合物が、アクリルアミド−メチル−プロパンスルホナートポリマー、アクリル酸−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸コポリマー及びこれらの混合物からなる群から選択されるポリマー、及び４超の炭素原子を有する第四級アンモニウムヒドロキシド又は非アセチレン性界面活性剤と共に水酸化コリンを有する方法である。 - 特許庁

The manufacturing process of the adhesive tape for processing a semiconductor substrate comprises coating an adhesive agent containing a base resin, a radiation-polymerizable resin, a radiation polymerization initiator and a crosslinking agent on the surface of a film substrate which has a functional group reactive with the adhesive agent and are transparent to ultraviolet and/or electron beam and heat-treating the coated film for 1-14 days at 40-70°C.例文帳に追加

紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有し、粘着剤と反応する官能基を持つフィルム基材面上にベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、及び架橋剤を含む粘着剤を塗布してなる半導体基板加工用粘着テープの製造方法であって、粘着剤を塗布した後に４０〜７０℃の温度で１〜１４日間熱処理する工程を有することを特徴とする半導体基板加工用粘着テープの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes an input section for inputting the address and command transferred at the same timing, an internal address generating section constructed for outputting an internal address by adjusting it depending on a predetermined timing margin for processing an internal signal, and an internal command generating section constructed for outputting an internal command having a predetermined time difference from the internal address by adjusting the timing of the input command.例文帳に追加

本発明は、同一のタイミングに伝送されたアドレス及びコマンドの入力が行われる入力部；入力されたアドレスのタイミングを既設定の内部信号処理タイミングマージンに応じて調整して、内部アドレスを出力するように構成される内部アドレス発生部；及び、入力されたコマンドのタイミングを調整して、内部アドレスと既設定の時間差を有する内部コマンドを出力するように構成される内部コマンド発生部を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The inventive package can be used for a semiconductor processing a high frequency signal of 100 MHz or above.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ若しくはＣｕ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金で成る複数のメタルポストが貫設された厚さ７０μｍを超え２００μｍ以下の絶縁層と、該絶縁層に積層されたＴｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、またはそれらの合金で成る厚さ１μｍ以下の易接着層と、該易接着層に積層されたＣｕ若しくはＣｕ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金で成る厚さ１８μｍ以下の導電層でなる配線パターンを有する半導体用パッケージであって、１００ＭＨｚ以上の高周波信号を処理する半導体に使用できることを特徴とする半導体用パッケージである。 - 特許庁