「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

This corrosion-resistant material is a material exposed to plasma in manufacturing a semiconductor and a polyimide substrate and in plasma- processing liquid crystal, and is made of a base material such as ceramic, glass, metal, or metal base composite material and a magnesium oxide film arranged on the surface of the base material to improve its corrosion resistance.例文帳に追加

プラズマに曝される半導体製造、ポリイミド基板製造、液晶プラズマ処理等の部材を、セラミックス、ガラス、金属あるいは金属基複合材料からなる基材とその基材表面に配向したマグネシウム酸化物膜とにより構成することによって部材の耐蝕性を向上する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, for suppressing contamination caused by metal in a treatment chamber and damage of quartz members while suppressing a decrease in film forming speed in a thin film forming step immediately after dry cleaning in the treatment chamber, and improving an apparatus operation rate, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

処理室内のドライクリーニング直後の薄膜形成工程における成膜速度の低下を抑制しつつ、処理室内の金属汚染や石英部材の破損を抑制すると共に、装置稼働率を向上させる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The CMP process and the film deposition process when manufacturing a semiconductor predicts the amount of polishing, where the residual level difference generated after CMP polishing becomes not more than a prescribed value, by an information processing unit, and deposits the same thickness film as or a thicker film than the amount of polishing in advance before polishing by a CMP apparatus.例文帳に追加

半導体製造におけるＣＭＰプロセスおよび膜堆積プロセスにおいて、ＣＭＰ研磨後に生じる残留段差が規定値以内となる研磨量を情報処理装置で予測し、その研磨量と同一もしくはより厚い膜をＣＭＰ装置で研磨する以前に予め堆積させる。 - 特許庁

The semiconductor test device detects a test efficiency value being the optimum value in numerical values exceeding a reference test efficiency value and the matching time corresponding to the test efficiency value by comparing each of the test efficiency values at each matching time with the reference test efficiency value, and performs processing setting them at a matching time out time.例文帳に追加

そして、各マッチ時間ごとの試験効率値のそれぞれを基準試験効率値と比較して基準試験効率値を超える数値の中で最適値となる試験効率値と、この試験効率値に対応するマッチ時間を検出し、マッチタイムアウト時間に設定する処理を行う。 - 特許庁

To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加

全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a carrying device where a turning radius is not increased in the case of performing turning operation supporting an object to be carried such as a large substrate, and where the installing area of the whole device is not increased in the case of incorporating the carrying device in a vacuum processing device such as a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

サイズの大きな基板等の搬送対象物を支持して旋回動作を行う場合に旋回半径が大きくならず、搬送装置を半導体製造装置等の真空処理装置に組み込んだ場合に装置全体の設置面積が大きくならない搬送装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage apparatus and signal processing system in which error correction capability can be enhanced, a write-in time or/and a read-out time can be shortened, or a redundancy memory can be dispensed with or can be reduced, can be miniaturized, and a manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

エラー訂正能力を強化でき、書き込み時間または／および読み出し時間を短縮化でき、また、冗長メモリを不要にあるいは削減することができ、ひいては、小型化を図れ、コスト低減を図ることが可能な半導体記憶装置および信号処理システムを提供する。 - 特許庁

For depositing a gate oxide film 8, such as tantalum oxide film, etc., on the surface of a work W such as semiconductor wafer, etc., a raw material of tantalum pentachloride solid at room temperature is dissolved in a solvent, e.g. diethyl sulfur in a coordinate bond condition, and it is vaporized and fed into a processing chamber.例文帳に追加

半導体ウエハ等の被処理体Ｗの表面に、タンタル酸化膜などのゲート酸化膜８を堆積するに際して、原料として常温で固体の五塩化タンタルを溶媒、例えばジエチル硫黄に配位結合状態で溶解させて、これを気化して処理室へ供給する。 - 特許庁

To provide a stem for semiconductor package and the manufacturing method of the same, superior in heat dissipating properties and facilitated in assembling work, such as bonding of a cap by resistance welding or the like, while not receiving restrictions in the configuration, arrangement or the like of a heat sink due to problem in processing.例文帳に追加

熱放散性に優れ、抵抗溶接によってキャップを接合する等の組み立て作業が用にでき、加工上における問題によって放熱体の形状、配置等に制約が受けることがない半導体パッケージ用ステムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the load port 2 which becomes an interface when wafers are supplied to a semiconductor processing device 3, a sliding mechanism which slides in the direction perpendicular to a carrier transporting direction is provided on a carrier base CB which transports a carrier housing wafers toward the pod opener 22 which automatically opens/closes the carrier.例文帳に追加

半導体プロセス装置３にウェハを供給する際のインターフェイスであるロードポート２において、ウェハを格納するキャリアを自動で開閉する機構であるポッドオープナー２２にむけてキャリアを搬送するキャリアベースＣＢに、搬送方向と直交する方向にスライドするスライド機構を備える。 - 特許庁

In a semiconductor processing adhesive sheet having at least a base material layer and an adhesive layer, a displacement amount in a holding power test (in conformity with JIS Z0237, a shearing load: 1 kg, a measurement time period: 30 min) is 100 μm or more and 800 μm or less.例文帳に追加

少なくとも基材層と粘着層とを有する半導体加工用粘着シートであって、保持力試験（ＪＩＳＺ０２３７準拠、せん断荷重：１ｋｇ、測定時間：３０ｍｉｎ）における変位量が１００μｍ以上８００μｍ以下である半導体加工用粘着シート。 - 特許庁

To improve an image processing speed, and realize concurrent operations in a screen, easiness in manufacturing process simultaneously with improvement in image quality, improvement of manufacturing yield, and suppression of current consumption for simultaneously driving all pixels or many pixels in a semiconductor module provided with a MOS solid-state imaging device.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像装置を備えた半導体モジュールにおいて、画像処理スピードの向上、画面内の同時性の実現、画質向上と同時に、製造プロセスの容易化、歩留り向上を図り、また全画素または多数画素を同時に駆動するときの消費電流の抑制を可能にする。 - 特許庁

To provide a small and inexpensive imaging system in which an image processing clock advantageous for taking measures against EMI can be generated at a correct timing at the time of drive controlling a semiconductor laser for the imaging system comprising an optical scanning means performing deflection scanning of a photosensitive body with laser light.例文帳に追加

感光体に対しレーザ光を偏向走査させる走査光学手段を備えた画像形成装置用の半導体レーザ等を駆動制御する上で、低廉・小型な構成でＥＭＩ対策上も有利な画像処理クロックを適正なタイミングで生成できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A monitoring device 1 includes: a sensor 2; an interface 3 to which the sensor 2 is connected, and which comprises an oscillator using a wide band gap semiconductor; and an arithmetic unit 4 arranged separately from the interface 3, and processing an oscillation signal output from the interface 3.例文帳に追加

本発明のモニタリング装置１は、センサ２と、このセンサ２が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース３と、インターフェース３とは別に配置され且つインターフェース３から出力された発振信号を処理する演算装置４とを備えている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for accurately measuring the trial of the cuff of a fine pattern, and also to provide a semiconductor device manufacturing control system for deciding the processing accuracy on the basis of shape information, such as the height of pattern, tapering angle, amount of trail, and roughness.例文帳に追加

微細パターンのボトム部の裾引き形状を正確に計測する方法および計測装置を提供するとともに、パターン高さ、テーパー角、裾引き量およびラフネス等の形状情報に基づいて加工精度を判定する半導体デバイスの製造管理システムを提供する。 - 特許庁

This protective sheet for processing a semiconductor wafer comprises a pressure-sensitive adhesive sheet made by laminating a radiation- curable pressure-sensitive adhesive layer on a base film, wherein the base film surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer has an average roughness Ra (μm) greater than 0.01.例文帳に追加

基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムの放射線硬化型粘着層と接着する面の平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａであることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。 - 特許庁

The standard deviation and the mean value of brightness of a picture element in image data forming a device pattern of a semiconductor wafer picked up by an image pickup part 2 are calculated by a CPU 31 in an image correction processing part 3, and the standard deviation and the mean value of brightness of the image data is corrected.例文帳に追加

画像補正処理部３内のＣＰＵ３１により、画像撮像部２で撮像された半導体ウェハのデバイスパターンである画像データの画素の明るさの標準偏差及び平均値を計算し、画像データの明るさの標準偏差及び平均値を補正する。 - 特許庁

To provide a starter control device capable of being structured easily when it is consolidated with an auxiliary switch, preventing the starter from being left turning even in case a semiconductor relay goes in breakdown in the shortcircuited condition, and of driving the starter even when its arithmetic processing part has gone in breakdown.例文帳に追加

補助スイッチとスタータ制御装置を一体化する際の構造を容易にするとともに、半導体リレーがショート状態で破壊した場合にもスタータが廻り放し状態になることを防止し、また、演算処理部が破壊した場合にもスタータを駆動させることができるスタータ制御装置を得る。 - 特許庁

A design device reads power supply terminal information 23a defining a power supply terminal which supplies/stops a power supply voltage as an internal node from a library 23, and performs the mapping processing of the power supply terminal information of a functional block by using power supply voltage information 22 of the semiconductor device in a step 35.例文帳に追加

設計装置は、ステップ３５において、電源電圧を供給停止する電源端子を内部ノードとして定義した電源端子情報２３ａをライブラリ２３から読み出し、半導体装置の電源電圧情報２２を使用して機能ブロックの電源端子情報のマッピング処理を行う。 - 特許庁

When a CPU(Central Processing Unit) 37 executes a module PM-1 with concealment, while the CPU 37 accesses to an internal memory 32, a switch circuit 34 and a selective circuit 36 are made into non-connected states so as to intercept an access from the outside of a semiconductor chip 31 to a CPU data bus 40.例文帳に追加

ＣＰＵ３７が、秘匿性のあるモジュールＰＭ＿１を実行する場合に、ＣＰＵ３７が内部メモリ３２にアクセスしている間、スイッチ回路３４および選択回路３６を非接続状態にして、半導体チップ３１の外部からＣＰＵデータバス４０へのアクセスを遮断する。 - 特許庁

If a quadruple signal is inputted in the semiconductor integrated circuit, each input signal ID1, is inputted in a binary signal generating circuit 50 through an input pad 40, and converted into two binary digital signals SI1 and SI2, and then inputted in the signal processing circuit 10.例文帳に追加

また、４値の信号が半導体集積回路１に入力された場合には、各入力信号ＩＤ_i は、入力パッド４０を介して２値信号生成回路５０に入力され、２本の２値のデジタル信号Ｓ_I1，Ｓ__I2に変換され、信号処理回路１０に入力される。 - 特許庁

A host computer 7 which is a control device performs the device control scheduling of semiconductor manufacturing devices 1-3 which are processing devices, and then determines power consumption limit values of respective manufacturing devices 1-3 and outputs commands to the manufacturing devices 1-3 through a communication line 6.例文帳に追加

制御装置としてのホストコンピュータ７は、加工装置としての半導体製造装置１、２、３の装置制御スケジューリングを行なった後に半導体製造装置１、２、３の消費電力制限値を決定して半導体製造装置１、２、３に通信ライン６を通して指令する。 - 特許庁

In a disc-shaped semiconductor wafer 10, the outer circumference edge of which has been subjected to chamfering processing, in order to prevent the occurrence of a crack and a chip on a wafer end face 11 in grinding the rear face, more than one crack and chip prevention grooves 12 are provided along the entire circumference of the wafer end face 11 in the circumference direction.例文帳に追加

外周縁部に面取加工を施した円盤状の半導体ウェハ１０において、裏面研削の際にウェハ端面１１における割れや欠けの発生を防止すべく、ウェハ端面１１の周方向に１周に亘って１箇所以上の割れ欠け防止溝１２を設けたものである。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of giving a high quality-polished surface where a metal layer is efficiently removed and the generation of defects in polishing such as a metal residue, dishing, and erosion are suppressed in manufacturing a semiconductor device formed of wiring materials such as metals of copper, copper alloy and the like.例文帳に追加

銅または銅合金等の金属を配線材料とする半導体装置の製造において、金属層が効率的に除去され、かつ金属残り、ディッシング、エロージョン等の研磨不良の発生が抑制された高品位の被研磨面を与えることができる、基板処理方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of operations including the start and end of processes of a manufacturing device which manufactures the semiconductor device, the start and end of device transfer between processing chambers into the manufacturing device or to other manufacturing devices, and suspension during the device transfer or in and out actions of storage are regarded as events.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する製造装置の処理の開始と終了、当該製造装置内の処理室間あるいは他の製造装置へのデバイス移送の開始と終了、前記デバイス移送の途中の待機または保管のインとアウトを含む複数の動作の各動作をイベントとする。 - 特許庁

In a semiconductor LSI 100 that sequentially performs predetermined processing on data input successively, a host CPU 110, a plurality of sequencers and a data engine 190 are connected in a hierarchical manner with the host CPU 110 at top and the data engine at 190 bottom.例文帳に追加

継続的に入力されるデータに対して所定の処理を順次行う半導体ＬＳＩ１００において、ホストＣＰＵ１１０、複数のシーケンサ、データエンジン１９０は、ホストＣＰＵ１１０とデータエンジン１９０を夫々最上段と最下段にして階層的に接続されている。 - 特許庁

Subsequently, the controller 100 controls the heater 16 to heat the inside of the reaction tube 2 to a predetermined temperature, and then controls the MFC control unit to supply ethylene into the heated reaction tube 2 from a processing gas introduction tube 17, so that amorphous carbon films are formed on the semiconductor wafers W.例文帳に追加

そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 - 特許庁

To provide a chuck table cleaning method, a chuck table cleaning apparatus, and a semiconductor wafer planar processing apparatus for easily removing silicone dust adhered to an adsorption surface of a chuck table, and thereby recovering the adsorption surface of the chuck table in a non-contaminated condition.例文帳に追加

チャックテーブルの吸着面に付着したシリコンダストを容易に除去することができ、これによりチャックテーブルの吸着面を汚れていない状態に再生することができるチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas jetting mechanism for uniformly jetting gas even for a comparatively wide plane and also provide a substrate processing apparatus for uniformly jetting a gas such as the gas mixing hexamethyldisilane to a semiconductor wafer and a substrate such as glass substrate by utilizing the gas jetting mechanism.例文帳に追加

比較的広い面に対しても均一に気体を噴射させることのできる気体噴出機構、および、この気体噴出機構を利用して、半導体ウェーハやガラス基板のような基板に、ヘキサメチルジシラン混入ガス等の気体を均一に噴射、処理することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The encryption decoding circuit inside of the semiconductor for encryption decoding communication can be used as a cipher processing circuit for recording when an apparatus independently operates.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４用の暗号復号回路を内蔵している暗号復号通信用半導体装置に複数の外部インターフェースを設けて、暗号復号通信用半導体装置内の暗号復号回路を、機器単独で動作する際の記録用の暗号化処理回路として使用可能にした。 - 特許庁

To provide a treatment method used for separating and recovering useful components containing silicon scraps with little burden and at low cost for regeneration and reuse, by favorably performing solid-liquid separation on a waste liquid from silicon cutting, discharged in a processing step using a crystal silicon as a base material such as semiconductor device fabrication.例文帳に追加

半導体素子製造など結晶シリコンを基材とする加工工程で排出されるシリコン切削廃液を良好に固液分離し、シリコン切削屑などの含有された有用成分を低負担且つ低コストで分離回収し再生と再利用に供する処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a polishing device which can be applied to a dry-in/dry-out type polishing device and respond to cleaning of semiconductor wafers accompanying miniaturization, having three or more cleaning steps in a cleaning process without spoiling processing capacity per unit time and per unit footprint.例文帳に追加

ドライイン／ドライアウト方式のポリッシング装置に適用可能であり、単位時間あたり及び単位設置面積あたりの処理能力を損なうこと無く、洗浄工程における洗浄段数を３段以上備え、微細化に伴う半導体ウエハのクリーン化に対応できるポリッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition and an adhesive sheet that have excellent antistatic properties or excellent electric conductivity and have excellent removability, specifically to provide an adhesive composition and an adhesive sheet that are used for processing a semiconductor wafer and have antistatic properties, electric conductivity, and removability.例文帳に追加

優れた帯電防止性または導電性ならびに再剥離性を有する粘着剤組成物、及び粘着シート、詳しくは半導体ウエハ加工などに用いられる帯電防止性または導電性ならびに再剥離性を有する粘着剤組成物及び粘着シートを提供する。 - 特許庁

A design apparatus calculates a parasitic capacity between power supply pads 44a, 44b to which an inner circuit 32 is connected in the design processing of the semiconductor device provided with the inner circuit 32 corresponding to a function and compares the parasitic capacity value with a capacity threshold stored in a library.例文帳に追加

設計装置は、機能に応じた内部回路３２を備えた半導体装置の設計処理において、内部回路３２が接続された電源パッド４４ａ，４４ｂ間の寄生容量値を算出し、この寄生容量値とライブラリに格納されている容量しきい値とを比較する。 - 特許庁

To realize a high-input and high-output traveling wave semiconductor photodetector wherein a plurality of photodetectors are periodically arranged on a waveguide and the light absorption efficiency of the photodetector is raised, and the photodetectors are formed without finely processing the pohotodetectors.例文帳に追加

複数の光検出器を周期的に導波路上に配置した進行波型光検出器で、微細加工を行うことなく光検出器を作製し、光吸収効率を向上させ、高耐入力かつ高出力の進行波型半導体光検出器を実現させる。 - 特許庁

To provide a surface processing tool of a long material in which, after a surface process at one surface side of a long material such as a semiconductor laser bar, etc., the surface process at the other surface of the long material is immediately carried out without turning over the material.例文帳に追加

半導体レーザバー等の長尺材料の片面側の表面処理が完了した後に、各長尺材料の裏返し作業をすることなく、直ちに長尺材料の反対面側の表面処理を行うことができるような長尺材料の表面処理用治具を提供すること。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 10 includes a constant current circuit 500 to which write or erase is performed by a current which is subjected to constant current control in writing or erasure in electric processing to the memory cell Mmn in a memory cell array section 100.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置１０は、メモリセルアレイ部１００におけるメモリセルＭｍｎに対しての電気的処理による書き込みあるいは消去において、定電流制御された電流によって書き込みあるいは消去が行われる定電流回路５００を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light emitting diode array with little variation in the luminescence intensity of each luminescent part, wherein a semiconductor substrate constituent re-adheres little to the luminescent part surface of the light emitting diode array, even in the case of division into an individual light emitting diode array region by using a laser processing apparatus.例文帳に追加

レーザ加工により個別の発光ダイオードアレイ領域に分割しても発光ダイオードアレイの発光部表面に半導体基板構成物が再付着することが少なく、各発光部の発光強度のバラツキが少ない発光ダイオードアレイの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit includes: an attenuator (10) that attenuates an input signal with a variable attenuation amount; a source follower (20) that receives an output of the attenuator (10); and amplification means (30) that performs filtering processing on an output of the source follower (20) and that amplifies it with a variable gain.例文帳に追加

半導体集積回路は、入力された信号を可変減衰量で減衰させるアッテネータ（１０）と、アッテネータ（１０）の出力を受けるソースフォロワ（２０）と、ソースフォロワ（２０）の出力に対してフィルタリング処理を行ってから可変ゲインで増幅する増幅手段（３０）とを備えている。 - 特許庁

To provide a CMP processing system capable of improving a polishing speed, prolonging the service life of a slurry for CMP and improving safety by employing a new structure to the polishing cloth used for conducting CMP, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using this system.例文帳に追加

ＣＭＰを行う際に用いられる研磨布に新規な構造のものを採用することによって研磨速度の向上及びＣＭＰ用スラリの長寿命化、安全性の改善を図ることができるＣＭＰ処理システム及びこのシステムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer transferring device having simplified constitution and mechanism capable of facilitating processing and assembly, capable of simplifying a manufacturing process and reducing a manufacturing cost by minimizing the use of precision components, and capable of making an interval between each finger adjustable by an adjustment of a cum.例文帳に追加

構成と構造が単純化され、加工及び組み立てが容易で、精密部品の使用を最小化して製作過程の簡素化と原価低減をすることができ、カムの調整によって各フィンガーの間隔を調節可能にすることができる半導体ウエハ移送装置を提供すること。 - 特許庁

A method for controlling the semiconductor processing apparatus including: a controller; and at least one device to be controlled by the controller, which includes an interface for communicating with the device, the interface including an internal clock for measuring a time interval for communication.例文帳に追加

制御器、及び該制御器により制御される少なくともひとつのデバイスを含む半導体処理装置であって、該制御器は該デバイスと通信するためのインターフェイスを備え、該インターフェイスは通信用の時間インターバルを測定するための内部クロックを有するところの装置を制御する方法が与えられる。 - 特許庁

The electronic apparatus 1 includes: a first storage unit 53 which has a nonvolatile semiconductor memory 16 inhibiting overwriting on already written data during data writing processing and stores actual data and management data corresponding to the actual data; a second storage unit 54 where it is possible to overwrite data to a certain value during the data writing processing; and a control unit 52 which controls data access to the first storage unit 53.例文帳に追加

電子機器１は、データ書込み処理において既に書込まれたデータに対する上書きが禁止されている不揮発性半導体メモリ１６を有し、実データおよび当該実データに対応した管理データを記憶する第１記憶部５３と、データ書込み処理において任意の値へのデータ上書きが可能な第２記憶部５４と、第１記憶部５３に対するデータアクセスを制御する制御部５２とを有する。 - 特許庁

An expanding apparatus 10 that processes a semiconductor wafer W including a plurality of chips C integrated with an inner circumferential side of a ring frame RF via an adhesive sheet S as a processing target object W1, includes a supporting means 12 for supporting the processing target object W1, an abutting means 13 capable of abutting on the undersurface side of the adhesive sheet S, and a driving means 14 for lifting and lowering the supporting means 12.例文帳に追加

リングフレームＲＦの内周側に接着シートＳを介して一体化された複数のチップＣを含む半導体ウエハＷを処理対象物Ｗ１とするエキスパンド装置１０であって、同装置は、処理対象物Ｗ１を支持する支持手段１２と、接着シートＳの下面側に当接可能な当接手段１３と、支持手段１２を昇降させる駆動手段１４とを含む。 - 特許庁

To reduce the occupied area and manufacture costs of an ASIC for processing a communication signal by carrying out fail safe processing when a collision of vehicles or the like occurs, in a semiconductor integrated circuit, electronic control apparatus and control method for controlling a device to be electronically controlled by outputting a predetermined voltage signal with the communication signal transmitted from a microcomputer and driving an output driver circuit.例文帳に追加

マイクロコンピュータから送信される通信信号により所定の電圧信号を出力し、出力ドライバ回路を駆動して電子被制御機器を制御するための半導体集積回路、電子制御装置および制御方法に関し、車両等の衝突が発生したときにフェイルセーフ処理を実行し、通信信号を処理するＡＳＩＣの占有面積と製造コストを節減することを目的とする。 - 特許庁