「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a 300 mm test wafer, in which the evaluation of a performance data for a semiconductor manufacturing apparatus, and an evaluation apparatus, etc. is ensured, and the design specification inhibits layer peeling within a laser mark, and the damage to the surface is not produced after a CMP processing.例文帳に追加

半導体製造装置、評価装置などの性能データ評価を確実にするための３００ｍｍテストウエハであり、レーザマーク内で膜剥離が生じない設計仕様とし、ＣＭＰ処理後に表面の傷が生じない３００ｍｍテストウエハを提供する。 - 特許庁

Energy light irradiation for obtaining a polycrystalline silicon film is conducted twice, and the first irradiation is made in a vacuum having no oxide film removal processing of a semiconductor film surface, or is made in the atmosphere or in the ambience in which any gas is filled up to the exclusion of vacuum.例文帳に追加

多結晶シリコン膜を得るためのエネルギー光照射を２回とし、その１回目は半導体膜表面の酸化膜除去処理なしで真空中にて行う、または大気中あるいは何らかのガスを充填した真空を除く雰囲気にて行う。 - 特許庁

Then, while the semiconductor wafer W is rotated centrally on its central axis, a partially continuing high brightness region is detected by the mark readout optical system (102b) to judge the region as a mark formation region by image processing, and then the rotation of the wafer W is stopped.例文帳に追加

次いで、前記半導体ウェハW を、その中心軸線を中心に回転させて一部に連続する高輝度領域をマーク読取り光学系(102b)で検出し、画像処理して高輝度領域をマーク形成領域であると判断し、同ウェハW の回転を停止させる。 - 特許庁

Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.例文帳に追加

次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも１つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁

This film substrate used for adhesive tapes for processing semiconductor wafers is characterized in that the film substrate comprises a resin composition consisting mainly of a propylenic copolymer and has a tensile elastic modulus of 50 to 250 MPa.例文帳に追加

本発明のフィルム基材は、半導体ウエハ加工用粘着テープに用いるフィルム基材であって、該フィルム基材は、主としてプロピレン系共重合体を含む樹脂組成物で構成され、該フィルム基材の引張弾性率が５０〜２５０ＭＰａであることを特徴とする。 - 特許庁

The signal processing circuit 27 includes correction means for correcting the quantity of electricity outputted from a semiconductor gas sensor 15 in response to detection temperature at a temperature sensor 30 that is temperature detection means such that erroneous operation of the air cleaner 2 due to temperature variations is prevented.例文帳に追加

信号処理回路２７は、温度検出手段たる温度センサ３０での検出温度に応じて温度変動による空気清浄機２の誤動作が防止されるように半導体式ガスセンサ１５から出力された電気量を補正する補正手段を有している。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a composition for polishing, having a sufficiently large polishing rate of a tantalum compound compared to that of copper and substantially hardly causing polishing of SiO_2 in a CMP processing process of a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of the tantalum compound and an insulation layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

A first insulating film 2 and a second insulating film 3 are formed on a semiconductor substrate 1, a second insulating film pattern 7 is formed by a first resist pattern 6 with space width F, and then spacer processing is performed to form a third insulating film pattern 8 with spacer width F/2.例文帳に追加

半導体基板１上に第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜３を形成し、スペース幅Ｆの第１のレジストパターン６により第２の絶縁膜パターン７を形成した後、スペーサ加工を施しスペース幅Ｆ／２の第３の絶縁膜パターン８を形成する。 - 特許庁

Moreover, since the TiWN is excellent in the barrier performance even at a high temperature region, the reaction can be prevented between the Al in the Al-containing ohmic electrode 2 and the Au in the Au wire electrode 7 even when a high temperature anneal processing is applied to the semiconductor device 100.例文帳に追加

また、ＴｉＷＮは高温域においてもバリア性に優れていることから、半導体装置１００に高温アニール処理を施しても、Ａｌ含有オーミック電極２中のＡｌとＡｕ配線電極７中のＡｕとの反応を防止することができる。 - 特許庁

A red light-emitting diode R is installed on a semiconductor substrate 1 by carrying out etching processing, and a green light-emitting diode G and a blue light-emitting diode B as different bodies are fixed via attachment electrodes 11 and 12 on an insulating film 13 installed at the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にエッチング処理して赤色の発光ダイオード部Ｒを設け、該基板１に設けた絶縁膜１３上に貼付け電極１１，１２を介して別体の緑色の発光ダイオード部Ｇ及び青色の発光ダイオード部Ｂを固着する。 - 特許庁

By thus performing plasma processing using the gas containing the halogen element and the gas containing the inert gas, the metal oxide film pattern where the lower section linewidth is decreased can be obtained, and this allows the integration of a semiconductor device to be improved.例文帳に追加

このようにハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理することにより、下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを獲得することができ、これにより、半導体素子の集積度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit simulation method and a simulator, with which the accuracy of circuit connection information with RC outputted from layout after automatic arrangement and wiring processing and a logic delay simulation using the information can be improved.例文帳に追加

本発明は、自動配置配線処理後のレイアウトから出力されるＲＣ付き回路接続情報、およびこれを用いた論理遅延シミュレーションの精度向上を図ることができる半導体集積回路シミュレーション方法およびシミュレータを提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor substrate manufacturing method comprises forming the SiGe film on the substrate having a silicon layer on its surface, forming a mask pattern having grating-shaped grooves on the SiGe film, injecting ions to the substrate through the mask pattern, and then performing heat processing.例文帳に追加

表面にシリコン層を有する基板上に、ＳｉＧｅ膜を形成し、該ＳｉＧｅ膜上に格子状の溝を有するマスクパターンを形成し、該マスクパターンをとおして基板にイオン注入し、熱処理を行う半導体基板の製造方法が提供される。 - 特許庁

The control processing part 12 lights the plurality of semiconductor lasers on sequentially, and controls an operation for monitoring the intensities of single wavelength reference beams emitted from an output opening 11a after reflected multiply by the integrating sphere 11.例文帳に追加

制御処理部１２は、前記複数の半導体レーザを順次点灯させ、積分球１１によって多重反射された上で出力開口１１ａから放射される単波長基準光の強度を、モニターセンサ１４によってモニターさせる動作を制御する。 - 特許庁

Above the group of processing containers 1, a crucible 2 for forming a gallium melt mixed with very small amounts of silicon and gallium phosphor is provided, and the melt is supplied from the crucible 2 to a semiconductor substrate W of each container 1.例文帳に追加

処理容器１群の上方には、Ｎ型不純物である微量のシリコンとガリウム燐とを混入させたガリウムの溶融物を作製するるつぼ２が配置されており、このるつぼ２から各処理容器１の半導体基板Ｗに前記溶融物が供給される。 - 特許庁

To solve a problem that energy must be absorbed from a wide range since, in the present situation of wind power generation, power is transmitted by generating power by enlarging a single wind mill and processing a semiconductor, and thus wind having a limit in output is generally low in energy density.例文帳に追加

風力発電の現状は単一の風車を大きくし発電し半導体処理をして送電するものであるから出力に限界ができている風はエネルギー密度が小さいといはれているから、広いはんいから、エネルギーを吸収しなければらない。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having first and second memory architectures with different structures as memory architectures being able to constitute and in which either of the first and the second memory architectures can be selected by option processing, and a memory system utilizing the device.例文帳に追加

構成可能なメモリアーキテクチャとして、相異なる構造の第１及び第２メモリアーキテクチャを含み、オプション処理により第１及び第２メモリアーキテクチャのうち何れか一つが選択できる半導体メモリ装置及びこれを利用したメモリシステムを提供する。 - 特許庁

When arm current of the voltage drive-type semiconductor elements 1A and 1B exceeds a prescribed value, the gate drive means 10A and 10B turn off the gate pulses, which the gate drive means 10A and 10B output by a local processing in the gate drive means 10A and 10B.例文帳に追加

ゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂは、夫々が駆動する電圧駆動型半導体素子１Ａ、１Ｂのアーム電流が所定値を超えたとき、ゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂ内のローカル処理によりゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂが出力するゲートパルスをオフする。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus and method for semiconductor wafers capable of increasing a time for processing substrates at a desired treat ment temperature, by accurately estimating the temperature of a holding plate surface and thus quickly heating the holding plate surface to the desired treat ment temperature.例文帳に追加

正確に保持板表面の温度を推定し、基板の熱履歴とは無関係に、保持板表面が短時間で所望の処理温度に達し、基板を所望の処理温度で処理する時間を長くできる半導体ウエハの熱処理装置及び方法の提供。 - 特許庁

Thus, a plurality of semiconductor units 56 is thermally press-fitted in a batch process instead of individual processing, so, even if there exists difference of time to complete each process, the time difference is absorbed for improved efficiency in a manufacturing process.例文帳に追加

このように個々の半導体ユニット５６について熱圧着を行うのではなく、複数の半導体ユニット５６に対してバッチ処理を行うので、各工程の完了時間に差があっても、この時間差を吸収し、製造工程の効率向上を図ることができる。 - 特許庁

To solve such a problem that, when wafers are stored and processed in a library development table in a semiconductor manufacturing equipment according to a recipe library number indicated by a scheduling device, they are analyzed and developed one by one and the start time of wafer processing is delayed as a result.例文帳に追加

スケジュール装置より指示されるレシピライブラリ番号に基づき、半導体製造装置にてライブラリ展開テーブルに格納しながらウエハ処理を実行するとき、ウエハ１枚毎に解析／展開処理を行っているため、ウエハ処理の開始時間に遅れがでている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a wiring layer 25A having the largest film thickness is disposed on a lower layer of a fourth insulating layer 26 subjected to planarization processing, thus greatly relieving a step by the wiring layer 25A on the surface of the fourth insulating layer 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、最も膜厚が厚くなる配線層２５Ａが、平坦化処理の施される第４の絶縁層２６の下層に配置されることで、第４の絶縁層２６表面には、配線層２５Ａによる段差が大幅に緩和される。 - 特許庁

To provide a method of forming a marking on a semiconductor substrate, wherein scattered particles due to the marking are prevented from being produced, the processing speed is as fast as or higher than that of a laser marking, and visibility is excellent, and to provide a marked substrate having the novel marking which is not seen before.例文帳に追加

マーキングによる飛散粒子の発生を防止でき、加工速度もレーザーマークと同等以上であり、視認性も良好な半導体基板へのマーキングの形成方法と、従来にない新たなマーキングを有するマーク付き半導体基板を提供する。 - 特許庁

In a pre-process for processing a substrate before forming a gate oxide film on a silicon carbide semiconductor substrate, while keeping the temperature of the substrate in a range from the room temperature to 1200 degree centigrade and applying ultraviolet rays to the substrate, the substrate is exposed to ozone to form the interface between oxide film/silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から１２００℃の範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行って酸化膜／炭化珪素界面の作成する。 - 特許庁

To provide a method for correcting optical proximity effect permitting to efficiently extract a mask pattern for OPC (Optical Proximity Effect Correction) within a short time and capable of subjecting the extracted mask pattern to the OPC processing at the time of forming a semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体集積回路を形成する場合のＯＰＣの対象とすべきマスクパターンを短時間の内に効率良く抽出できるようにし、かつ、抽出されたマスクパターンを精度良くＯＰＣ処理できる光学的近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming a high dielectric film by means of semiconductor process equipment comprises the steps of positioning a semiconductor substrate in a chamber in the process equipment, forming a tantalum component containing film on the substrate, and converting the tantalum component containing film into a tantalum nitride oxide film by processing it in the reaction gas.例文帳に追加

本発明の高誘電体膜形成方法は、半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A signal processing circuit 100 applicable to a waveform generator or a waveform measuring device comprises semiconductor relays 120a to 120l switching signal paths, and a control unit 142 temporarily passing a larger current than a current flowing during waveform generation or waveform measurement to the semiconductor relays 120a to 120l on the signal paths.例文帳に追加

本発明の代表的な構成は、波形発生器または波形測定器に適用される信号処理回路１００であって、信号経路の切替を行う半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌと、信号経路上の半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌに、波形発生時または波形測定時に流れる電流よりも大きな電流をその直前に一時的に流す制御部１４２と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a layout method for semiconductor integrated circuit in which integration of semiconductor chip can be enhanced while shortening the design period, by providing a processing step for performing automatic placement and routing of basic cells allowed to be placed in an automatic layout area including an area between megamacros by providing the basic cells additionally with information for allowing placement in an area prohibiting placement of basic cell except the megamacro.例文帳に追加

配置許容基本セルに対してはメガマクロを除いた基本セル配置禁止領域での配置を許可する情報を付加して、メガマクロ間の領域を含む自動レイアウト領域における配置許容基本セルの自動配置・配線を行う処理工程を備え、半導体チップの集積度を向上し、かつ設計期間を短縮することが可能な半導体集積回路のレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

The evaluating method for the crystal defect of the semiconductor single-crystal substrate is performed at least by detecting the crystal defect obviously developed on the surface of the thermally processed semiconductor single-crystal substrate after thermally processing it under a hydrogen atmosphere at 800 to 1,100°C.例文帳に追加

半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 - 特許庁

To determine actual position of a semiconductor wafer in a circular pocket of a rotation susceptor and if a error occurs, to detect and resolve the error and its cause, in a method of identifying improper position of the semiconductor wafer located in the pocket of the susceptor while heat treatment is performed in a processing chamber which is heated by a source of near infrared ray and which is penetrable to near infrared ray emission.例文帳に追加

近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。 - 特許庁

To provide a processing method for compensating or suppressing the defects left or created within an implantation layer by adding a process of irradiation of accelerated particles including elements belonging to a lower group of the periodic table out of the constituent elements of compound semiconductor material, when performing the valence electron control of the above compound semiconductor material by irradiation of particles including impurity atoms and anneal treatment for activation.例文帳に追加

不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体材料の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記化合物半導体材料の構成元素のうち小さな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁

This heat treatment equipment is equipped with halogen lamps 22 which preheat a semiconductor wafer W, xenon flash lamps 21, which heat the semiconductor wafer W preheated by the halogen lamps 22 up to a processing temperature by irradiating the wafer W with flashes, and a control unit 50 which controls the preheating temperature by the halogen lamps 22, according to the light volume of flashes radiated from the xenon flash lamps 21.例文帳に追加

熱処理装置は、半導体ウエハーＷを予備加熱するハロゲンランプ２２と、半導体ウエハーＷに対して閃光を照射することによりハロゲンランプ２２で予備加熱された半導体ウエハーＷを処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ２１と、キセノンフラッシュランプ２１から出射される閃光の光量に応じて対応するハロゲンランプ２２による予備加熱温度を制御する制御部５０とを備える。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for wafer processing capable of preventing degradation of marking aptitude or contamination of a semiconductor device by removing gaseous contaminants generated by thermal decomposition of a wafer or a protective film efficiently, when marking the rear surface or the protective film by pasting the rear surface of a semiconductor wafer or the protective film side of a wafer with a protective film to the adhesive sheet and then radiating laser light from the adhesive sheet side.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面側、あるいは保護膜付ウエハの保護膜側を粘着シートに貼付し、粘着シート側からレーザー光を照射してウエハ裏面あるいは保護膜にマーキングする際に、ウエハや保護膜の熱分解によって発生するガス状の汚染物質を効率よく除去し、マーキング適性の低下や、半導体装置の汚染を防止しうるウエハ加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

Stress relief processing is lightened by changing a plurality of contact conditions or/and performing grinding in parallel such that grinding marks occurring in correspondence with contact conditions of the rotating grinder and a rotating semiconductor wafer are compounded in different directions or/and in two types or more of pattern when the rear surface of the semiconductor wafer is ground with the rotating grinder and then back ground.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面を回転する研削具により研削しバックグラインディング加工するのに、研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはおよびパターンが２種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することにより、上記の目的を達することができる。 - 特許庁

Pad electrodes 32 and 36 to which bonding wire is connected are provided on the front surface of the imaging semiconductor 20 and the front surface of the signal processing semiconductor chip 22, respectively and the pad electrodes 36 are provided adjacently to an area where the imaging part of the solid-state image pickup element 30 is arranged, when the chip 20 and the chip 22 are laminated.例文帳に追加

撮像用半導体チップ２０の表面及び信号処理用半導体チップ２２の表面にはボンディングワイヤが接続されるパッド電極３２，３６がそれぞれ設けられ、撮像用半導体チップ２０と信号処理用半導体チップ２２とが積層された際に、固体撮像素子３０の撮像部が配置された領域に隣接してパッド電極３６が設けられている固体撮像装置によって上記課題を解決できる。 - 特許庁

A controller 4 has a function which controls the nonvolatile semiconductor memory transmitting to the nonvolatile semiconductor memory instructions for executing processing following instructions from the outside, receives from the outside data-writing instructions along the direction where address increases, and specifies final writing domain at the time of writing for the data-writing instructions, and has a function for the outside to read-out address information of the final writing domain.例文帳に追加

コントローラ４は、外部からの命令に従った処理を行なうための命令を不揮発性半導体メモリに送信して不揮発性半導体メモリを制御し、外部からアドレスが増加する方向に沿ったデータ書き込み命令を受け付け、データ書き込み命令に対する書き込み時の最終書込み領域を特定する機能および最終書込み領域のアドレス情報を外部が読み出すための機能を有する。 - 特許庁

The high frequency semiconductor device is provided with the semiconductor chip on which circuits for processing high frequency signals are formed and function elements for generating magnetic fields and terminals are formed on its outer peripheral part and a lead frame to be electrically connected to the terminals through bumps and the lead frame is arranged on the outer peripheral part so as to transmit magnetic flux generated from the function elements without covering the function elements.例文帳に追加

本発明の高周波半導体装置は、高周波信号を処理する回路が形成され、磁界を発生する機能素子と端子とが外周部に形成された半導体チップと；前記端子とバンプにより電気的に接続されるリードフレームとを具備し：このリードフレームは前記機能素子から生じる磁束を透過させるよう前記機能素子を覆うことのなく前記外周部上に配置されたことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a photopolymerizable composition, having both high sensitivity and processing stability and suitable for use as a planographic printing plate material which can directly make a printing plate from digital data, particularly by recording using a solid-state laser and a semiconductor laser which emit ultraviolet light, visible light or infrared light.例文帳に追加

高感度と現像処理安定性を両立でき、特に紫外光、可視光、赤外光を放射する固体レーザ及び半導体レーザ光を用いて記録することによりデジタルデータから直接製版可能な平版印刷用版材として好適な光重合性組成物を得る。 - 特許庁

To provide a temperature measuring method and a measurement device, capable of precise measuring the surface temperature of an object to be measured and the like and of continuously supervising the measured temperature, concerning the thermometry of an object to be measured, such as a semiconductor wafer under the special environment in a processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバ内等の特殊な環境下にある半導体ウェハー等の被測定物の温度測定に関し、被測定物の表面温度等の温度を正確に測定し、その測定温度を連続的に監視できる温度測定方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

This Pachinko ball shooting device is provided with a rotation angle sensor 202 detecting the rotation angle of an operating handle 160; a semiconductor distortion gage 204 detecting distortion when a plunger 102 shoots a Pachinko ball 180; and a microcomputer 200 processing a detected result and giving a command or the like based on a processed result.例文帳に追加

操作ハンドル１６０の回転角度を検出する回転角度センサ２０２と、プランジャ１０２がパチンコ球１８０を打突する時の歪みを検出する半導体歪みゲージ２０４と、検出結果の処理及び処理結果に基づく指令等を行うマイクロコンピュータ２００等を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element which can form a dielectric film without lowering a step temperature or pressure to avoid the reduction of a step processing quantity, can facilitate the composition adjustment of the dielectric thin film, and can suitably improve a leak current characteristic.例文帳に追加

工程温度や圧力を下げずに誘電膜を形成することができるようになって、工程処理量を減少させないことができ、また、誘電体薄膜の組成調節が容易で、漏れ電流の特性を改善することに好適な半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The data processing unit comprises semiconductor treatment equipment 1 that performs treatment to a wafer, a data collection unit 2 that collects treatment data generated by the treatment, and a data copy unit 4a that extracts, the treatment data collected in the data collection unit and creates a copy of the treatment data.例文帳に追加

ウエハに加工処理を施す半導体処理装置１と、前記加工処理に伴い生成される処理データを収集するデータ収集装置２と、前記データ収集装置に収集した前記処理データを抽出して前記処理データの複製を作成するデータ複製装置４ａを備えた。 - 特許庁

The layout verification apparatus includes: a voltage potential recognition processing section that recognizes the voltage potential of a conductive layer based on graphic data of a layout; and a reference verification section of voltage potential dependence design that verifies the layout of the semiconductor apparatus based on the recognized potential of the conductive layer.例文帳に追加

本発明の一態様は、レイアウトの図形データに基づいて、導電層の電位を認識する電位認識処理部と、認識された前記導電層の電位に基づいて、前記半導体装置のレイアウトを検証する電位依存設計基準検証部とを備えたレイアウト検証装置である。 - 特許庁

If a quadruple signal is inputted in the semiconductor integrated circuit, each input signal ID1, is inputted in a binary signal generating circuit 50 through an input pad 40, and converted into two binary digital signals SI1 and SI2, and then inputted in the signal processing circuit 10.例文帳に追加

また、４値の信号が半導体集積回路１に入力された場合には、各入力信号ＩＤ_i は、入力パッド４０を介して２値信号生成回路５０に入力され、２本の２値のデジタル信号Ｓ_I1，Ｓ__I2に変換され、信号処理回路１０に入力される。 - 特許庁