「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor board includes an underlayer wire 13 on a base film 11, and a position detecting channels 15 indicating a reference position of the processing pattern as well as a contact hole 14 is pattern-formed on an interlayer insulation film 12 formed on the upper surface.例文帳に追加

この半導体基板は、下地膜１１上に下層配線１３を有し、その上面に形成された層間絶縁膜１２には、コンタクトホール１４とともにその加工パターンの基準位置を示す位置検出溝１５がパターン形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus for improving throughput in processes of a substrate by reducing the time required for cleaning of a substrate holder or the substrate held by the substrate holder, to provide a gas introducing apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

基板保持体もしくは基板保持体に保持された基板の清浄化に要する時間を短縮し、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser processing device enabling the various ways of irradiating laser beams such as laser beam welding of a straight line, a circle, a ring (a doughnut shape) and the like, and uniform laser irradiation; and easily responding to failures of semiconductor laser elements or optical fibers.例文帳に追加

直線、円形や、リング（ドーナツ型）等のレーザ光溶接等の多様なレーザ光の照射の仕方が可能であり、そのレーザ光照射に均一なレーザ光照射が可能であり、半導体レーザ素子や光ファイバが故障しても容易に対応できる 。 - 特許庁

Then a region 5a of the first SAM film 5 to be coated with a polymeric organic semiconductor film is removed through ozone processing, and a second self-assembled monolayer (second SAM film 6) having a phenethyl group is formed in the region 5a.例文帳に追加

続いて、第１ＳＡＭ膜５における高分子有機半導体膜を塗布すべき領域５ａをオゾン処理を施すことで削除し、その領域５ａに、フェネチル基を有する第２の自己組織化単分子膜（第２ＳＡＭ膜６）を形成した。 - 特許庁

The adhesive film for processing a semiconductor wafer in which a bump electrode is formed to protrude from a main surface contains a separation layer and an adhesive layer on a base material tape in this order.例文帳に追加

本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは、突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に有してなることを特徴とする。 - 特許庁

To achieve a resistor element capable of obtaining a sufficient resistance value without inducing processing defects of a gate electrode and deterioration in the characteristics of a MISFET in a semiconductor device including the resistor element and the MISFET having the gate electrode containing metal.例文帳に追加

抵抗素子と、金属を含むゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴとを備えた半導体装置において、ゲート電極の加工不良及びＭＩＳＦＥＴの特性の劣化を招くことなく、十分な抵抗値が得られる抵抗素子を実現する。 - 特許庁

To provide a sample table that maintains smoothness of a contact face by lapping and stably holds a semiconductor wafer by forming the contact face into a substantially concave shape, and to provide a microwave plasma processing apparatus with the same.例文帳に追加

ラッピング加工によって接触面の平滑性を保ち、かつ接触面を略凹形状にすることによって、半導体ウエハを安定的に保持することができる試料台及び該試料台を備えたマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.例文帳に追加

真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a waste disposal can be executed so that an environmental load substance such as As is not included in a remainder material after screening processing, and available resources included in the remainder material can be effectively recycled.例文帳に追加

廃棄処理の際に、選別処理後の残材にＡｓのような環境負荷物質が含まれないようにすることができ、その残材に含まれている有効な資源のリサイクルを効果的に行うことができるような半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In write processing from the semiconductor device 10 to the external device 20, the control circuit 105 turns off the pull-down resistor RD 103 and cancels the fixation of the level, and a DQS output DQSO is supplied to an output buffer gate 106, on the other hand.例文帳に追加

半導体装置１０から外部デバイス２０への書き込み処理時では、制御回路１０５がプルダウン抵抗ＲＤ１０３をオフにしてレベル固定を解除する一方、出力バッファゲート１０６にはＤＱＳ出力ＤＱＳＯが供給される。 - 特許庁

A digital processing circuit 11 and a latch circuit 12 are formed on a single semiconductor substrate by being integrated with a CD-ROM decoder 19 composed of an input interface circuit 13, an error correcting/detecting circuit 14 and an output interface circuit 15.例文帳に追加

デジタル処理回路１１及びラッチ回路１２を、入力インタフェース回路１３、誤り訂正／検出回路１４及び出力インタフェース回路１５からなるＣＤ−ＲＯＭデコーダ１９と共に単一の半導体基板上に集積化して形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can prolong the life of a heating apparatus while downsizing, and can improve the throughput by lowering the temperature in a furnace quickly, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device and a heating apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、装置の小型化を図りつつ加熱装置の寿命を長くし、炉内温度を迅速に低下させてスループットを向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a solid state laser which controls a laser oscillation controller by an external controller to reduce the power consumption of a laser processing system even during ceasing oscillation of a solid state laser unit, and prolongs the life of a semiconductor laser.例文帳に追加

固体レーザの発振停止中でも、外部制御装置からレーザ発信制御部を制御することによりレーザ加工システムの消費電力を低減し、且つ半導体レーザの長寿命化を可能にする半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

When this comparison results in non-coincidence and the error is detected, an encryption processing circuit 42 encrypts the secret information data and the secret CRC data by using a secret key stored in a secret key register 41 and outputs them outside the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

比較結果が不一致でありエラーが検出された場合、暗号処理回路４２は、機密情報データと機密ＣＲＣデータを秘密鍵レジスタ４１に格納された秘密鍵を用いて暗号化し、半導体集積回路外部に出力する。 - 特許庁

A third conductive layer having an extension part extending along a first principal surface of the first conductive layer on the side opposite to the second semiconductor layer and containing at least one of aluminum, argentine and rhodium is formed by processing the highly-reflective conductive film.例文帳に追加

高反射導電膜を加工して、第１導電層の第２半導体層とは反対の側の第１主面に沿って延在する延在部を有し、アルミニウム、銀及びロジウムの少なくともいずれかを含む第３導電層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit has an external output buffer (53), a latch circuit (90) which latches data to be output from the external output buffer synchronously with an external clock signal (100), and a processing circuit (20) of data to be latched into the latch circuit.例文帳に追加

半導体集積回路は、外部出力バッファ（５３）と、前記外部出力バッファから出力すべきデータを外部クロック信号（１００）に同期してラッチするラッチ回路（９０）と、前記ラッチ回路にラッチすべきデータの処理回路（２０）とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device that increases protection performance about data processing procedures and processed data by making it difficult to reproduce data through the observation of a consumed current waveform, without increasing consumed current unduly.例文帳に追加

消費電流を不必要に増大させることなく、消費電流波形を観測することによるデータの再生を困難にして、データ処理の手順や処理されるデータの保護性能を向上させた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a receiving apparatus, transmitting apparatus and semiconductor integrated circuit for radio signal processing with the same incorporated therein in which offset between differential signals and between orthogonal signals is decreased and production yield can be improved.例文帳に追加

差動信号間および直交信号間のオフセットを減少させるとともに、製造歩留まりを向上させることが可能な受信装置および送信装置並びにこれを内蔵した無線信号処理用半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

In the adhesive sheet for semiconductor processing having an adhesive layer (2) on at least one surface of a base film (1), the base film contains polyethylene having a density of 0.915 g/cm^3 or lower.例文帳に追加

基材フィルム（１）の少なくとも片面に粘着剤層（２）を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ^3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。 - 特許庁

To provide a resin-sealed semiconductor apparatus and its manufacturing method which can make wiring on a position of a substrate directly under a die pad, hardly cause mold defects such as unfilling and voids of a sealing resin, allow easy processing and molding of leads, and improve the flatness of external terminals.例文帳に追加

ダイパッドが位置する直下の基板に配線することができ、封止樹脂の未充填やボイド等の成形品欠陥が発生し難く、リードの加工成形が容易であり、外部端子の平坦度を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a mark forming method of a semiconductor device capable of making a lower face of a silicon substrate other than its recess flat, even when an unnecessary material is formed to the lower face of the silicon substrate in the case of forming a mark comprising the recess through laser processing by emission of a laser beam to the lower face of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の下面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成したとき、シリコン基板の下面に不要物が形成されても、シリコン基板の凹部以外の下面を平坦化することができるようにする。 - 特許庁

To provide a sheet polishing device of a semiconductor wafer, which is capable of reducing a time required for attaching/detaching a wafer to or from a polishing head so as to shorten a wafer processing time as a whole and to reduce a polishing cost.例文帳に追加

半導体ウエハの枚葉式研磨装置において、研磨ヘッドへのウエハの着脱にかかる時間を縮減し、全体としてのウエハの処理時間を短縮してコストを低減することが可能な半導体ウエハの枚様式研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which includes a process for forming a silicon oxide film that can be formed at low temperature, and has superior surface flatness, recessed part burying properties, and step coverage, and also has a superior film forming speed; and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which a recovery current change ratio dI/dt of a diode can be suppressed to a low value, only by processing to shorten a life time to the entirety of a cathode layer without necessity of aiming at a specific region of the cathode layer.例文帳に追加

カソード層の特定領域を狙う必要がなく、カソード層の全体に対してライフタイムを短くする処理を行うだけで、ダイオードのリカバリー電流変化率ｄI／ｄｔを小さく押えることができる半導体装置を実現する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor storage device (1) includes a nonvolatile storing part (11), and a controller (12) capable of controlling refresh processing for rewriting data of each block to be an erasure unit of the nonvolatile storing part in a block different from the block.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置（１）は、不揮発性記憶部（１１）と、上記不揮発性記憶部の消去単位とされるブロック毎のデータを、当該ブロックとは異なるブロックに書き直すためのリフレッシュ処理を制御可能なコントローラ（１２）とを含む。 - 特許庁

To provide a method of cleaning a reaction tube, improved in sealing, preventing the leakage of a cleaning gas from a reaction furnace, and enabling use of HCl gas as a cleaning gas in a vertical furnace for high temperature processing of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置の高温処理用縦型炉に於いてシール性を向上させ、クリーニングガスが反応炉より漏出することを防止し、クリーニングガスとしてＨＣｌガスの使用を可能とした反応管のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device, wherein the main face of an MEMS chip having a movable part and the back face of an IC chip having a circuit for electrically processing a detection signal from the MEMS chip are arranged facing a predetermined space.例文帳に追加

可動部を有するＭＥＭＳチップの主面と、ＭＥＭＳチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するＩＣチップの裏面とが所定の間隔を置いて対向するように配置された半導体装置の信頼性を向上する。 - 特許庁

A method for regulating the flatness of the ball terminal of the semiconductor package comprises the steps of taking out the object package 1 from a tray stocker 3 conveyed to a taking-out position 5a by a first pickup mechanism 7, moving the package 1 to an image processing inspecting unit 9, and measuring the flatness of the ball terminal vertex position.例文帳に追加

取り出し位置５ａに搬送されたトレイストッカー３から、第１のピックアップ機構７により目的の半導体パッケージ１を取り出し、画像処理検査装置９に移動させ、ボール端子頂点位置の平坦度を計測する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor devices capable of preventing occurrence of shape abnormity of a base to be processed due to a mask shape in the case of processing the base to be processed, and suppressing the degraded yield of the devices due to the shape abnormity of the base to be processed.例文帳に追加

被処理基体を加工する際に、マスク形状に起因する被処理基体の形状異常の発生を防止でき、被処理基体の形状異常によるデバイスの歩留まり低下を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor testing apparatus reads out all of the 5-bit from a one-time readout, from the storage positions of data storage sections 108a, 108b and 108c according to the constraint of the readout with a data arithmetic section 110 and performs determination processing of data with a determining section 111.例文帳に追加

そして、データ演算部１１０により読み出しの制限に従ってデータ格納部１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃの格納位置から１回の読み出しで５ビット全てのデータを読み出し、判定部１１１によりデータの判定処理を行う。 - 特許庁

To provide a clean room and a cleaning method for maintaining high-degree cleanliness suitably usable for an operation room, an intensive care unit, a bioclean room, a semiconductor manufacturing device, a food processing factory, a drug manufacturing factory or various research and evaluating facilities.例文帳に追加

手術室、集中治療室、バイオクリーンルーム、半導体製造装置、食品製造工場、医薬品製造工場、又は各種研究評価施設等に好適に利用できる高度の清浄を維持する清浄化室及び清浄化方法の提供。 - 特許庁

To provide wet stripping/cleaning method and equipment in which damage on an underlying film, e.g. a metal thin film or a semiconductor thin film, formed on a substrate is reduced even if the concentration of oxidation species and reduction species is increased in order to increase the processing speed.例文帳に追加

処理速度の増加を目的として、酸化種および還元種の濃度を増加させても、基板上に形成された金属薄膜または半導体薄膜などの下地膜のダメージが少ないウェット剥離洗浄方法および装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor data processing device is provided with: test circuits (7, 8) for generating a test pattern in a CPU and internal circuits, testing them and maintaining the test results; a test control circuit (6) for activating the test circuits; a test start register (9); a test status register (10); and a test general register (11).例文帳に追加

ＣＰＵ及び内部回路にテストパターンを発生してテストを行って結果を保持するテスト回路(７，８)と、テスト回路を起動するテスト制御回路（６）と共に、テスト起動レジスタ（９）、テスト状態レジスタ(１０)、及びテスト汎用レジスタ(１１)を備える。 - 特許庁

To provide a three dimensional porous structure suitably applicable to a semiconductor device, a light transmissive substrate, and a micro-electromechanical mechanism, etc. by processing a non-porous layer into a structure capable of selectively and finely having a composite function; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

選択的に且つ微細に複合機能を持ちえる構造に非多孔質層を加工し、半導体素子、光透過性基板、微小電気機械機構等に好適に応用可能な三次元多孔質構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the yield of a semiconductor device by maintaining a processing shape even when an anisotropic plasma etching state for metal (especially, a wiring plate) is restarted after being interrupted for some reason.例文帳に追加

金属（特に配線箇所）の異方性プラズマエッチング工程において、何らかの事情により工程が中断された後に工程を再開しても、その加工形状を維持することができ、半導体装置の歩留まりを向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a microwave processing device of semiconductor oscillation with an FET of normally ON type which is not destructed by opening and closing of a door and fluctuations of voltage, and does not cause microwave leakage with high safety and reliability.例文帳に追加

ノーマリーＯＮ型のＦＥＴをもった半導体発振のマイクロ波処理装置でドアの開閉や電圧の動揺なのでも破壊しないでかつマイクロ波漏洩をおこさないようにした安全性および信頼性の高いたマイクロ波処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, which facilitates peeling off a dicing sheet after finishing a dicing process and can sharply reduce contamination adhesion, even in an apparatus for bonding a dicing sheet directly to the underside of a wafer.例文帳に追加

本発明は、ウエハ裏面直後にダイシングシートを貼合させる装置においても、ダイシング工程終了後容易に剥離でき、汚染物質の付着を著しく少なくできる半導体ウエハ加工用粘着シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

There is provided an adhesive tape for processing a semiconductor wafer, in which an adhesive agent layer is stacked on a base material which is formed of two or more layers including a polyester layer and a polyolefin layer, and the outermost layer of the base material is a polyolefin layer.例文帳に追加

基材上に粘着剤層が積層されており、前記基材が、ポリエステル層および、ポリオレフィン層を含む２層以上からなり、前記基材の最外層がポリオレフィン層であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープである。 - 特許庁

The base film of a film for processing a semiconductor wafer includes the base film and an adhesive layer formed on the base film, and the softening point of the base film is equal to or less than 60°C.例文帳に追加

本発明の半導体ウエハ加工用フィルムの基材フィルムは、前記基材フィルムと前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層とを有する半導体ウエハ加工用フィルムの基材フィルムであって、前記基材フィルムの軟化点が６０℃以下である。 - 特許庁

To provide a processing device capable of reducing its installation space even though an oxide film forming means is added, efficiently forming an oxide film in a short period of time, and preventing a damage of a semiconductor wafer involved in its conveyance.例文帳に追加

酸化膜形成手段を増設しても加工装置の設置スペースを低減できるとともに，短時間で効率的に酸化膜を形成でき，さらに，搬送に伴う半導体ウェハの破損を防止することが可能な加工装置を提供すること。 - 特許庁

By thermally processing the semiconductor chip 103 and a wiring board 140 for flip-chip mounting, the thermo-setting resin 171 with no defects such as cracking is so disposed as to cover the wiring layer 151 and a part of the wiring substrate 140.例文帳に追加

この半導体チップ１０３と配線基板１４０とをフリップチップ実装するための熱処理を行うことで、配線層１５１と配線基板１４０の一部とを覆うようにクラック等の損傷のない熱硬化樹脂部材１７１が配設される。 - 特許庁

If the external storage is a semiconductor memory and a prescribed capacity is usable, a part of print processing which has been performed with a printer driver formerly is performed with the printer 10 by using the external storage as a working area.例文帳に追加

外部ストレージが半導体メモリであって、所定の容量を使用することができる場合には、従来プリンタドライバで行なっていた印刷処理の一部を、外部ストレージを作業領域として利用することによりプリンタ１０で行なうようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a wafer processing system for forming silicon germanium film excellent in film thickness and germanium ratio in-plane and plane-to-plane uniformity by a low-pressure CVD method by using mono-silane and mono-germanium.例文帳に追加

モノシランとモノゲルマンとを使用して、減圧ＣＶＤ法によって、膜厚およびゲルマニウム比率の面内・面間均一性が良好なシリコンゲルマニウム膜を基板上に形成する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device of improved productivity by suppressing the amount of use of germanium material and enhancing bonding strength to a metal film in the case of forming a boron doped silicon germanium film along with a substrate processing apparatus.例文帳に追加

ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Dilute exposures to these anions can initiate significant decomposition and effect for product stability and long-term shelf-life for semiconductor processing for the use of silicon oxide, silicon oxynitride and silicon nitride films.例文帳に追加

これらのアニオンに低濃度で曝露しても、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素膜の使用に関する半導体の加工において、重大な分解を生じ、そして製品安定性及び長期間の有効期間に重大な影響が生じうる。 - 特許庁