「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve signal processing speed of an electronic device by leaps and bounds by making higher density of optical wiring attainable, the electronic device performing signal transmission between semiconductor devices with optical wiring.例文帳に追加

発明の目的は、光配線の高密度化を可能にすることによって、光配線によって半導体装置間の信号伝送を行う電子装置の信号処理速度を飛躍的に向上させることである。 - 特許庁

To provide a crystallization irradiation method and a crystallization irradiation device for semiconductor, wherein miniaturization and cost reduction of equipment are achieved by irradiating only necessary parts, and crystallization processing with high productivity is made possible.例文帳に追加

必要な部分のみを照射することで設備の小型化かつ安価を実現でき、生産性の高い結晶化処理が可能な半導体の結晶化照射方法および結晶化照射装置を提供する。 - 特許庁

The source and drain electrodes and the impurity doped semiconductor layer are etched in a single processing step using a protective insulation layer 145 as a mask for the purpose of forming the source and the drain electrodes 143a and 143b.例文帳に追加

又、ソース、ドレイン電極１４３ａ，１４３ｂを形成するために、保護絶縁層１４５をマスクとして用いて、前記ソース、ドレイン電極及び不純物ドープ半導体層を単一の工程(ａ single step)でエッチングする。 - 特許庁

To provide an initialization circuit of a semiconductor integrated circuit which does not need any special measures such that an external CPU holds an initialization period and also does not keep the external CPU waiting during initialization processing.例文帳に追加

外部ＣＰＵが初期化時間を保持する等の特別な対策をする必要がなく、かつ、初期化処理中において外部ＣＰＵを待たすことがない半導体集積回路の初期化回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and a method for processing an address and a command which prevent malfunction by internally ensuring a margin between both signals even when the address and command are simultaneously input.例文帳に追加

本発明は、アドレス及びコマンドが同時に入力されても、内部的に両信号間のマージンを確保することで、誤動作を防止できる半導体集積回路及びそのアドレス／コマンド処理方法を提供する。 - 特許庁

By irradiating the titanium nitride film formed on a semiconductor substrate with plasma obtained by changing a processing gas containing a rare gas or nitrogen without containing oxygen into plasma, specific resistivity of the titanium nitride film is increased.例文帳に追加

半導体基板上に形成された窒化チタン膜に対して、希ガスまたは窒素を含み、酸素を含まない処理ガスをプラズマ化して得たプラズマを照射することにより、前記窒化チタン膜の比抵抗率を増加させる。 - 特許庁

The security integrated circuit of semiconductor integrated circuit for processing conditional access television is provided with an input interface for receiving encrypted television signals and an output interface for outputting decrypted television signals.例文帳に追加

条件付きアクセステレビジョンの処理のための半導体集積回路は、暗号化されたテレビジョン信号を受信するための入力インターフェースと、復号化されたテレビジョン信号の出力のための出力インターフェースを備える。 - 特許庁

To provide a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus which can prevent the generation of damage at the time of thermal processing and improve soaking performance on the surface of a wafer by optimizing a distance between wirings of a resistive heat generator.例文帳に追加

抵抗発熱体の配線間距離を最適化することによって、加熱処理時に損傷が発生せず、しかもウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。 - 特許庁

To provide a visual appearance inspection device of a structure, wherein an inspection of blocked holes provided in a base film tape can be made at a speed to respond to a processing speed easily and automatically in the manufacturing process of a film carrier tape for a semiconductor IC.例文帳に追加

半導体ＩＣ用フィルムキャリアテープの製造工程において、ベースフィルムテープの閉塞孔の検査を加工スピードに対応した速度で、容易に、かつ自動で行える外観検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost plasma processing device capable of suppressing abnormal discharge and reducing production of particles, a semiconductor manufacturing device using the same, and a manufacturing method of a plate type product.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えることができ、パーティクルの発生を低減することができるコスト安価なプラズマ処理装置、及びこれを用いた半導体製造装置、並びに板状の製品の製造方法を提供する。 - 特許庁

By partially removing a polymer film deposited on the inner wall of a reaction chamber, using oxygen plasma after processing of a fixed lot, maintenance cycle can be prolonged and as a result, the manufacturing cost of a semiconductor device can be lowered.例文帳に追加

一定のロットを処理した後、酸素プラズマを用いて反応室内壁に堆積したポリマー膜を一部除去することによりメンテナンスサイクルを長くし、これによって半導体装置の製造コストを下げる。 - 特許庁

In this method, update for version of a control program 13a of a controller 10 of a semiconductor manufacturing device which operates processing according to a control program 13a stored in a hard disk into a new control program 13b is executed.例文帳に追加

この発明は、ハードディスクに記憶された制御プログラム１３ａに従って処理を行う半導体製造装置のコントローラ１０の制御プログラム１３ａを新しい制御プログラム１３ｂにバージョンアップする方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing arrangement of a semiconductor device capable of efficiently processing a substrate to be treated with heat, using a heat ray in a short time, regardless of the size of a surface area of the substrate to be treated.例文帳に追加

被処理基板の表面積の大きさに拘らず、熱光線を用いて短時間で効率よく、かつ、略均一に被処理基板に加熱処理を施すことができる半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a self-adhesive composition which has high initial self-adhesive force, can strongly fix an adherend, and which can be easily released by light irradiation or by heating even after subjected to a high temperature processing at 200°C or above; and a self-adhesive tape for semiconductor processing using the self-adhesive composition.例文帳に追加

高い初期粘着力を有し強固に被着体を固定可能であるとともに、２００℃以上の高温加工プロセスを経た後であっても、光の照射又は加熱により容易に剥離することができる粘着剤組成物、及び、該粘着剤組成物を用いた半導体加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a wafer alignment mark for image-processing alignment that improves deterioration in alignment accuracy caused by processes without increasing the occupation area of the alignment mark, can greatly improve overlapping accuracy, and further can increase throughput, and to provide an image-processing alignment method and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

アライメントマークの占有面積を増加させることなく、プロセス起因のアライメント精度劣化を改善し、重ね合せ精度を格段に向上でき、さらにスループットを向上させることのできる画像処理アライメント用ウェハアライメントマーク及び画像処理アライメント方法並びに半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

Furthermore, the processing of injecting electrons from the pointed end 26 of the control gate electrode 24 into the floating gate electrode 22, and the processing of injecting electrons from the pointed end 26 of the floating gate electrode 22 into the control gate electrode 24 are controlled by a voltage applied between the channel semiconductor and the control gate electrode 24.例文帳に追加

さらに、制御ゲート電極２４の尖端部２６からフローティングゲート電極２２に電子を注入する処理と、フローティングゲート電極２２の尖端部２６から制御ゲート電極２４に電子を抜き取る処理とを、チャネル半導体と制御ゲート電極２４との間に印加される電圧によって制御する。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon boat for supporting a semiconductor wafer W during thermal process comprises: a process of forming a silicon material into a boat by mechanical processing; and a process of removing or thinning a damaged layer D on the surface of the silicon material created by the mechanical processing.例文帳に追加

半導体ウェーハＷの熱処理時に半導体ウェーハを支持するシリコン製のボートの製造方法であって、機械加工によりシリコン材料をボートの形状に成形する工程と、前記機械加工で生じた前記シリコン材料の表面のダメージ層Ｄを除去又は薄くする工程とを有する。 - 特許庁

Design verification (circuit verification, simulation verification, layout verification) period can be shortened, that is required for estimating the failure part of the operation failure by the power supply drop in the semiconductor integrated circuit, processing period by FIB processing can be shortened, and analysis period can be significantly shortened.例文帳に追加

これにより半導体集積回路の電源ドロップによる動作不良の不具合箇所を推測するための、設計検証（回路検証、シミュレーション検証、レイアウト検証）時間が短縮でき、ＦＩＢ加工による加工時間の短縮も図ることが可能となり、解析時間の大幅な短縮が図れる。 - 特許庁

To provide a processing method that takes measures against the following problems: when a via hole is formed in a semiconductor substrate using a CO2YAG laser, resin residues are produced at a via hole bottom part; and then film formation by sputtering is incomplete owing to unevenness of the via hole formed by laser processing, so that metal is diffused in a resin.例文帳に追加

半導体用サブストレートにおいて、ＣＯ２ＹＡＧレーザを用いてビアホールを形成すると、ビアホール底部で樹脂残渣が生じ、レーザ加工によるビアホール内の凹凸によりスパッタが完全に皮膜形成されず、樹脂中に金属が拡散するため、これらの問題点を対策した加工方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an input part with photosensors arranged therein; and an image processing circuit, in which the photosensors capture a black image and an image of an object; and the image processing circuit produces an image having image data (Y-X) by using image data X of the black image and image data Y of the image of the object.例文帳に追加

フォトセンサが配置された入力部と、画像処理回路とを有し、前記フォトセンサは、黒画像、及び被検出物の画像を撮像し、前記画像処理回路は、前記黒画像の画像データＸ、及び前記被検出物の画像の画像データＹを用いて、画像データ（Ｙ−Ｘ）を有する画像を生成する半導体装置である。 - 特許庁

An inductively coupled plasma processing apparatus is configured such that inductively coupled plasma is generated so as to have a doughnut shape under a dielectric window 52 close to an RF antenna 54 and the doughnut-shaped plasma is dispersed in a large processing space so as to level the plasma density near a susceptor 12 (namely, on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate of a flat-panel display device or a semiconductor element, which includes a step of treating a plurality of substrates or main bodies by repetitively using a processing liquid containing a volatile component any by which the utilization efficiency of the processing liquid can be improved by easily constantly maintaining the component composition of the liquid.例文帳に追加

処理液を繰り返し用いて複数の基板または基体を処理する工程を含む平面表示装置または半導体素子の製造方法において、揮発成分を含む処理液の成分組成を容易に一定に保つことができ、これにより処理液の利用効率を向上することができるものを提供する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for manufacturing the semiconductor device from an object to be molded includes a molding die 142 which clamps the object to be molded for injection of molten resin, for molding, and an atmospheric pressure plasma processing apparatus 160 which reforms a parting surface of the molding die 142 to have hydrophobic property by atmospheric pressure plasma processing.例文帳に追加

被成形品から半導体装置を製造する製造装置は、前記被成形品を型締めして溶融樹脂を注入して成形する成形金型１４２と、大気圧プラズマ処理によって成形金型１４２のパーティング面を疎水性に改質する大気圧プラズマ処理装置１６０と、を有する。 - 特許庁

There is provided plasma etching equipment in which a sprayed film is set to be a conductor, by attaching the sprayed film to the front surface of a wall with which plasma is in contact, such as the wall of a processing chamber and mixing a conductor with the material of the sprayed film in plasma processing equipment using a plasma process by use of halogen gas for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの作成に、ハロゲン系のガスによるプラズマプロセスを用いたプラズマ処理装置において、処理室内の壁等のプラズマが接触する壁の表面に溶射膜を付け、この溶射膜の材料に導体を混入することにより、溶射膜を導体としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage in which a processing time of whole erasing processing can be shortened without performing needless rewriting even if a memory cell in which depletion is serious exists, also as distribution of threshold voltage of memory cells can be narrowed, margin to be read out can be secured sufficiently, and which is suitable for low power source voltage operation.例文帳に追加

デプリーションの深いメモリセルが存在しても余計な書き戻しが行われずに消去処理全体の処理時間を短縮でき、しかも、メモリセルの閾値電圧の分布を狭くできるために読み出しマージンを十分確保でき低電源電圧動作にも適した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high processing characteristic in which, as a polishing agent for polishing a plane having Cu and a Cu alloy applied on a semiconductor device, adhesive grains leading to a factor of surface defects such as dishing or the like are not at all included, and a practical processing speed of 200 nm/min can be attained, and an etching speed is very low.例文帳に追加

半導体デバイス上に施したＣｕ及びＣｕ合金を有する面を研磨する際の研磨液として、ディッシング等の表面欠陥発生の要因となる砥粒を全く含有せず、実用的な加工速度２００ｎｍ／ｍｉｎが達成でき、エッチング速度も極めて低い高加工特性を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring pattern determining method facilitating wiring pattern determining processing for determining an optimum wiring pattern of a plated lead wire near the peripheral edge of a semiconductor package having a multilayer structure, and a computer program for carrying out the wiring pattern determining processing in a computer.例文帳に追加

多層構造を有する半導体パッケージの周縁付近におけるめっき引き出し線の最適な配線パターンを決定する配線パターン決定処理において、その処理を容易にする配線パターン決定方法およびこの配線パターン決定処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムを実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor, a plasma processing method and an apparatus, which can reduce peeling of substances formed at plasma generation adhered on a member and a processing chamber for suppressing generation of particles, thus improving product yield or productivity.例文帳に追加

プラズマ処理において、プラズマが発生している際に生成され、処理室内部の部材上に付着する堆積物質の剥離を低減してパーティクルの発生を抑制し、製品の歩留まりや生産性を向上できるようにした半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a baking method capable of easily collectively baking a plurality of quartz products in removing metal contained in each of the quartz products by baking the quartz products as constituents of a heat processing apparatus for carrying semiconductor substrates into a reaction chamber to execute heat processing.例文帳に追加

半導体基板を反応容器内に搬入して熱処理する熱処理装置の構成部品である石英製品をベーク用の容器内にてベークし、石英製品に含まれる金属を除去するにあたって、複数の石英製品を容易に一括してベークすることができるベーク方法を提供すること。 - 特許庁

To enhance cleaning power by employing a cleaning liquid for semiconductor substrate composed of ammonia, hydrogen peroxide and ultrapure water and specifying the relationship between the processing temperature, processing time and the mol concentration ratio between ammonia and hydrogen peroxide thereby suppressing roughness on the surface of the substrate.例文帳に追加

半導体装置等の製造プロセスにおいて、基板の表面あれを発生させずに基板表面から異物を効果的に除去できる半導体基板表面の洗浄液、および当該洗浄液を用い処理後の基板表面状態を厳密に制御できる基板表面の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon member and a method of manufacturing the same, by which changes in the resistivity of the member can be reduced in a semiconductor manufacturing process, particularly, in a plasma processing process, so that uniform wafer processing is achieved, and the silicon member does not act as a source of impurity contamination to a processed wafer and so on.例文帳に追加

半導体製造工程、特に、プラズマ処理工程において、部材自体の抵抗率が変動することを抑制することができ、これにより、ウエハ処理の均一化を図ることができ、かつ、被処理ウエハ等に対する不純物汚染源とならないシリコン部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A data processor 25 for processing a signal from the semiconductor device DUT to be detected by a detector 24 comprises the data processor 25 provided with a plurality of pairs of A/D converter 30 for acquiring a detection signal and converting it into digital data and processors 31 for performing signal processing on the digital data converted by the A/D convertors 30.例文帳に追加

検波部２４が検波する半導体デバイスＤＵＴからの信号を処理するデータ処理部２５は、検波信号を取得してデジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換部３０と、Ａ／Ｄ変換部３０が変換したデジタルデータを信号処理する処理部３１とが対をなして複数組備えたデータ処理部２５を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device which recognizes an abnormality such as cracks, chips, displacements or the like of a glass substrate to be processed in a processing chamber using plasma without installing a special sensor, decreases a downtime of the processing device, and prevents a tarnsferring of the chipped glass substrate to a post-process.例文帳に追加

本発明は、プラズマを用いる処理室内において、被処理ガラス基板の割れ、欠け、位置のずれ等を異常を特別のセンサーを設置することなしに認識し、処理装置のダウンタイムの縮小や、欠けたガラス基板が後工程に搬送されてしまわないようにするための、半導体製造装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a pre-processing method for the electric inspection of a conductor pattern, the electric inspection method of a conductor pattern, a pre-processing apparatus for the electric inspection of a conductor pattern, and an electric inspection apparatus for a conductor pattern capable of enhancing inspection reliability and reliability of product quality; and to provide an inspected printed wiring board, and an inspected semiconductor device.例文帳に追加

検査の信頼性及び製品の品質に対する信頼性を高めることができる導体パターンの電気検査用前処理方法、導体パターンの電気検査方法、導体パターンの電気検査用前処理装置、導体パターンの電気検査装置、検査済みプリント配線板、及び検査済み半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor manufacture system 10, a first material A is thrown in from a first carrier unit 11 and carried via a positioning unit 15 to a first processing chamber unit 13, whereas a second material B is thrown in from a second carrier unit 12 and carried through a positioning unit 15 to a second processing chamber unit 14.例文帳に追加

半導体製造装置１０において、第１材料Ａは、第１キャリアユニット１１から投入され位置決めユニット１５を経由して第１処理室ユニット１３に搬送され、第２材料Ｂは、第２キャリアユニット１２から投入され位置決めユニット１５を経由して第２処理室ユニット１４に搬送される。 - 特許庁

To provide a purification means capable of easily removing a particle substance without clogging it to a purification device, or the like, easily carrying out the maintenance of a purification processing and equipment and sufficiently exhibiting the purification ability of a purification agent in the purification processing of harmful gas containing the particle substance discharged from a semiconductor manufacturing step.例文帳に追加

半導体製造工程等から排出される粉化物を含む有害ガスの浄化処理において、粉化物を浄化装置等に詰まらせることなく容易に除去でき、浄化処理や設備の保守が容易で、浄化剤等の浄化能力を充分に発揮させることが可能な浄化手段を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device which receives received data based on the standard of IEEE 1394 and has a synchronization FIFO 11 which synchronizes the received data input based on a receiving clock signal with an internal clock signal, a decoding processing part 12 which performs decoding processing of the received data synchronized by the synchronization FIFO 11 and a shaping FIFO 13 which outputs the received data decoded by the decoding processing part 12 at fixed timing.例文帳に追加

IEEE1394の規格に基づいて受信データを受信する半導体装置であって、受信クロック信号に基づいて入力される前記受信データを内部クロック信号に同期化させる同期化ＦＩＦＯ１１と、同期化ＦＩＦＯ１１で同期化された受信データをデコード処理するデコード処理部１２と、デコード処理部１２でデコードされた受信データを一定のタイミングで出力する整形ＦＩＦＯ１３を備えた。 - 特許庁

A flat panel X-ray detector includes: a semiconductor layer for converting X rays into a charge; a plurality of divided electrodes for collecting the charge converted by the semiconductor layer as a detection signal; a switching element for reading the collected detection signal; two amplifier array circuits for processing the read detection signal; and a light irradiating section for irradiating the divided electrodes in the semiconductor layer with a light.例文帳に追加

フラットパネル型Ｘ線検出器は、Ｘ線を電荷に変換する半導体層と、この半導体層で変換された電荷を検出信号として収集する複数個の分割電極と、収集した検出信号を読み出すためのスイッチング素子と、読み出した検出信号を処理する２個のアンプアレイ回路と、半導体層の分割電極が設けられている一方面へ向けて光を照射する光照射部とを備えている。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor integrated circuit device includes a CPU (2) capable of performing operation processing, and a flag configuration register unit (9) capable of forming an interrupt request signal to the CPU based on an oscillation state flag indicating the state of the external oscillator.例文帳に追加

そして、演算処理を実行可能なＣＰＵ（２）と、上記外部発振器の状態を示す発振状態フラグに基づいて上記ＣＰＵに対する割り込み要求信号を形成可能なフラグ設定レジスタ部（９）とを設ける。 - 特許庁

To provide a punching tool for processing a lead of a semiconductor device with which no diamond film is peeled even if a deformed portion of a base material which is caused by thermal expansion at forming of the diamond film is removed and adjusted to a specified dimension.例文帳に追加

ダイヤモンド膜形成時の熱膨張による基材の変形部分を除去して所定の寸法に調整しても、ダイヤモンド膜の剥離を生じさせることがない半導体装置のリード加工用パンチ工具を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature heightening/lowering unit and a temperature heightening/lowering test handler, that increase or decrease temperatures of a large amount of semiconductor devices at a time, and achieve a high-speed processing as the whole system.例文帳に追加

高温テスト及び低温テストを実施するハンドラにおいて、一度に大量の半導体装置の高温化又は低温化を可能とし、装置全体としての高速処理を実現した高低温化ユニット及び高低温化テストハンドラを提供する。 - 特許庁

To provide a flip-chip connection method which can prevent damage on a chip active surface caused by fine dust by completely packing an underfill resin between a chip and a substrate even if the height of a gold stud bump reduces in accordance with a narrow pitch processing of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップの狭ピッチ化に伴い金スタッドバンプの高さが減少しても、チップ−基板間へアンダーフィル樹脂を完全充填し、微小塵によるチップアクティブ面の損傷を防止できるフリップチップ接続方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a conventional vision chip, an SIMD processor for image processing or the like that a relation of trade-off is present between the performance of PE and the number of pixels and thereby it is difficult to provide a more versatile semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

従来のビジョンチップや画像処理用ＳＩＭＤプロセッサ等においては、ＰＥの性能と画素数の間にトレードオフの関係が存在し、より汎用性の高い半導体集積回路装置の提供を困難にさせている。 - 特許庁

The method for processing the bipolar junction transistor comprises the steps of forming at least three layers on a semiconductor substrate, sequentially forming an embedding collector region for the BJT and a source region for the MOSFET, and then forming two windows or trenches on the layer.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも３つの層を形成し、ＢＪＴ用の埋め込みコレクタ領域およびＭＯＳＦＥＴ用のソース領域を順番に形成した後、この層に２つのウインドウまたはトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of keeping a plasma environment more uniform than usual and enables a plasma expansion ring arranged in a processing chamber to be easily replaced and to lengthen its service life, and to provide a semiconductor device manufacturing method and an Si ring.例文帳に追加

より均一なプラズマ環境を維持でき、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの交換容易性、長寿命化対策が得られるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁