「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a resist composition which can prevent production of a defect in a substrate even when the resist film is made thinner in forming a fine pattern of a semiconductor substrate or the like and by which high accuracy processing of a substrate is performed.例文帳に追加

半導体基板等の微細パタン形成において、レジスト膜の薄膜化を一層進めても、基板の欠陥形成を防止でき、高精度に基板加工できるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus for automatic focus of a phase difference detection type which achieves the speeding-up of read from two imaging areas and enhances the relative accuracy of an output circuit in a semiconductor processing stage.例文帳に追加

２つの撮像領域の読み出しを高速化し、かつ半導体プロセス工程において出力回路の相対精度を上げる位相差検出型のオートフォーカス用固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The ultrasound probe includes a micro-machined ultrasound transducer formed on the surface of a substrate using a micro-electric mechanical system techniques or other techniques with semiconductor processing.例文帳に追加

超音波プローブ（１６）は、超小型電気機械システム技術又は半導体処理に関連した他の技術を使用して基板の表面上に形成された超微小機械加工超音波トランスデューサを含む。 - 特許庁

To improve the reliability of defect detection sensitivity and an inspection result by removing the noise of a high frequency component resulting from detailed unevenness produced in the case of processing a semiconductor device circuit pattern.例文帳に追加

半導体装置回路パターンを加工する際に生ずる微細な凹凸に起因した高周波成分のノイズを除去することにより、欠陥検出感度・検査結果の信頼性を向上する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing semiconductor wafers and the like, with which the quantity of an adhesive left on the surface of an adherend after the tape is peeled can be sufficiently reduced.例文帳に追加

本発明の課題は、テープ剥離後の被着体の表面に残る粘着剤の量を十分に低減させることができる半導体ウエハ等加工用粘着テープを提供することである。 - 特許庁

Thus, average operation processing speed of the logic circuit 1 matches with the system clock speed, and the semiconductor integrated circuit eliminates a waiting time and reduces power consumption while realizing required performance from the external circuit.例文帳に追加

こうして、論理回路１の平均演算処理速度はシステムクロック速度に一致し、外部回路からの要求性能を実現しつつ、待ち時間をなくして消費電力を低減することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which can improve in-plane uniformity in etching of a processing target substrate and form an element isolation trench having a round and smooth bottom surface.例文帳に追加

被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor chip, a signal processing circuit 23 connects both ends of an antenna 11 to the earth or sets them to a high impedance state in accordance with a reception signal corresponding to an electric wave received by an antenna 21.例文帳に追加

半導体チップでは、信号処理回路２３が、アンテナ２１で受信された電波に対応する受信信号に応じて、アンテナ１１の両端を、アースに接続させ、またはハイインピーダンス状態とする。 - 特許庁

When a power supply voltage VDD becomes equal or more than a prescribed value, the first activation control device 31 performs the activation processing of the semiconductor chip 21, and outputs an activation completion signal PUOK1 when the activation is completed.例文帳に追加

第１起動制御装置３１は、電源電圧VDDが所定値以上になると、第１半導体チップ２１の起動処理を行い、起動完了時に起動完了信号PUOK１を出力する。 - 特許庁

TERMINAL LAYER SETTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT WITH A PLURALITY OF WIRING LAYER, TERMINAL LAYER SETTING PROGRAM, WIRING TERMINAL EXTENSION PROCESSING PROGRAM, AND TERMINAL-EXTENDING COMPONENT USED FOR SETTING OF TERMINAL LAYER THEREOF例文帳に追加

複数の配線層を有する半導体回路の端子層設定方法、端子層設定プログラム、配線端子延長処理プログラム、および、その端子層を設定に用いられる端子延長用コンポーネント - 特許庁

To further highly integrate a semiconductor circuit of a frame-like region of a substrate in a display device containing a peripheral circuit or a signal processing circuit having a CMOS FET.例文帳に追加

ＣＭＯＳ型ＦＥＴを有する周辺回路又は信号処理回路を内蔵した表示装置に関し、基板の額縁領域の半導体回路を従来よりもさらに高集積化すること。 - 特許庁

To provide a method for processing a group III nitride semiconductor at high speed without damaging the surface thereof while eliminating the need for using a chlorine-based gas having a high corrosive property such as Cl_2 or BCl_3.例文帳に追加

Ｃｌ_2やＢＣｌ_3等の腐食性の高い塩素系ガスを使用することなく、III族窒化物半導体を、表面にダメージを与えることなく高速で加工が可能な加工方法を提供すること。 - 特許庁

When the debug enable signal is inactive, an access signal from the debugger 100 to the semiconductor device 10 is invalid, and the security circuit 30 permits the access of the central processing unit to the memory 20.例文帳に追加

デバッグイネーブル信号がインアクティブのとき、デバッガ１００から半導体装置１０へのアクセス信号を無効にし、セキュリティ回路３０が中央演算処理装置のメモリ２０へのアクセスを許可する。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine processing pattern with high position precision without using a photomask, typically, a method relating to a contact opening in the process for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

フォトマスクを使用することなく、微細な加工パターンを高い位置精度で形成する方法、代表的には半導体装置を製造する工程の中でのコンタクト開口に関する方法を提示する。 - 特許庁

To provide a tacky adhesive film and a tape for processing semiconductor wafer in which an adhesive layer reduces softening by absorbing moisture in air and can be suppressed the occurrence of pick-up failure.例文帳に追加

接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

When a normal flash memory is constituted using one chip of a non-volatile semiconductor memory, an input buffer 13 and an address signal A19 processing logic circuit 14 are set to a disable-state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置を１チップ用いて、通常のフラッシュメモリを構成する場合は、入力バッファ１３及びアドレス信号A19加工論理回路１４がディスエーブル状態に設定される。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing, in which a semiconductor substrate is held with a sufficient electrostatic holding force and a cooling efficiency of the substrate can be improved.例文帳に追加

半導体基板を十分な静電保持力で保持するとともに、半導体基板の冷却効率を向上させることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor chip structure is provided with a first area having a first cell for storing and processing data, and a second region outside the first region having the OPC structure provided with the decoupling capacitor.例文帳に追加

半導体チップ構造が、データを記憶及び処理する第１のセルを有する第１の領域と、デカップリング・キャパシタを含むＯＰＣ構造を有する、第１の領域の外側の第２の領域とを含む。 - 特許庁

By applying a transistor whose channel is formed in an oxide semiconductor to a memory circuit in a signal processing device, data can be held (stored) even during the stop of the power supply.例文帳に追加

信号処理装置が有する記憶回路に、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタを適用することで、電力の供給を停止している間もデータの保持（記憶）を可能とする。 - 特許庁

To provide a heater device capable of uniformly heating a semiconductor wafer and of shortening the time until reaching the optimum processing temperature as compared with a conventional one and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体ウエハーの加熱を均一に行なうことができ、しかも最適処理温度に到達するまでの時間を従来のものに比して短縮することのできるヒータ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The adhesive for a semiconductor device contains (A) a thermosetting resin and (B) a filler, and includes a process of vibration processing a reduced-pressure environment.例文帳に追加

（Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）充填剤とを含む半導体用接着剤の製造方法であって、減圧下、振動処理工程を含むことを特徴とする半導体用接着剤の製造方法。 - 特許庁

The method for forming the semiconductor structure includes reacting a silicon precursor and an atomic oxygen precursor at a processing temperature of about 150°C or less to form a silicon oxide layer over a substrate.例文帳に追加

半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of performing verification of error processing operation of system software by a CPU without using special software of error generation software for operating an error generation circuit.例文帳に追加

エラー発生回路を動作させるためのエラー発生ソフトウエアという特段のソフトウエアを用いなくとも、ＣＰＵによるシステムソフトウエアのエラー処理動作検証を可能とした半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having hydrogen barrier films whereby the enough quality of a hydrogen barrier to prevent the characteristic degradation of its capacitor can be secured without generating its processing and devising troubles.例文帳に追加

プロセス上およびデバイス上の問題を引き起こすことなく、キャパシタの特性劣化を防ぐための十分な水素バリア性を確保できる水素バリア膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cassette adaptor in which the risk of an operator being injured by touching the component of semiconductor wafer processing equipment can be avoided when a cassette adaptor is used.例文帳に追加

カセットアダプタを使用した場合に，半導体ウェハ処理装置の動作中にオペレータが装置の構成部品に触れることにより怪我をする危険性を回避することが可能なカセットアダプタを提供する。 - 特許庁

To prepare a die attach film which can be used in both a wafer processing step and an IC chip bonding step to thereby achieve the step simplification and cost reduction of a semiconductor assembly step.例文帳に追加

半導体組み立て工程に際して、工程簡略化及びコスト削減のためウエハ加工工程かつＩＣチップ接着工程の両方で使用することのできるダイアタッチフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer, where a processing load can be lessened in a chamfering process, and all the surfaces of all wafers are conformed to a prescribed crystal plane when ingot materials are collectively sliced into wafers.例文帳に追加

面取り工程での加工作業の負担が少なく、かつ複数のインゴット端材の一括スライス時に、全ウェーハの面が所定の結晶面に揃う半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a design device and an automatic design method for a semiconductor integrated circuit, capable of suppressing increase in processing time and deterioration of wirability which are caused by substitution of area-preferential cells by yield-preferential cells.例文帳に追加

面積優先セルを歩留まり優先セルで置換することによる処理時間の増加、及び配線性の低下を抑制する半導体集積回路の設計装置及び自動設計方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the high-speed access of a memory is possible according to the address conversion table without not only driving a heavy-load system bus or control line outside the semiconductor chip 11 but also imposing a processing load on the CPU.例文帳に追加

また、半導体チップ１１外部の負荷の重いシステムバスや制御線を駆動したり、ＣＰＵに処理を負担させることなく、アドレス変換テーブルに従って高速にメモリをアクセスできる。 - 特許庁

The system includes a processing chamber for treating a semiconductor substrate with one or more process gases comprising water vapor, a means for delivering the water vapor or one or more precursors thereof to the processing chamber, an exhaust conduit connected to the processing chamber, an absorption spectroscopy system for sensing water vapor in a sample region, and a controller for controlling the water vapor content in the processing chamber.例文帳に追加

本装置は、半導体基板を、水蒸気を含む１または複数種のプロセスガスを用いて処理するためのプロセスチャンバーと、水蒸気または水蒸気の１もしくは複数種の前駆物質をプロセスチャンバーへ送出する手段と、プロセスチャンバーに接続された排気管と、サンプル領域において水蒸気を検出するための吸収分光装置と、プロセスチャンバー内部の水蒸気含有量を制御するための制御装置とを備える。 - 特許庁

When a controller 3 of a semiconductor storage device 1 receives a grade designation signal to designate a grade from a setting device 11, the controller executes logical block allocation processing so that flash memory chips CP whose numbers correspond to a grade designated by the received grade designation signal can execute data writing processing and data readout processing in parallel.例文帳に追加

この半導体記憶装置１のコントローラ３は、設定装置１１からグレードを指定するためのグレード指定信号を受信すると、当該受信したグレード指定信号により指定されたグレードに対応する個数のフラッシュメモリチップＣＰに対してデータ書込処理及びデータ読出処理を並列的に実行し得るように論理ブロック割当処理を実行するようにした。 - 特許庁

On receipt of a grade designation signal for designating a grade from a set unit 11, a controller 3 of a semiconductor memory unit 1 executes logic block assignment processing so that the data write processing and the data read processing can be executed in parallel to a flash memory chip CP of which the number corresponds to a grade designated by the received grade designation signal.例文帳に追加

この半導体記憶装置１のコントローラ３は、設定装置１１からグレードを指定するためのグレード指定信号を受信すると、当該受信したグレード指定信号により指定されたグレードに対応する個数のフラッシュメモリチップＣＰに対してデータ書込処理及びデータ読出処理を並列的に実行し得るように論理ブロック割当処理を実行するようにした。 - 特許庁

This layout design system of a semiconductor integrated circuit device has a library information storage device in which basic via shape list is registered, a technology database storage device indicating the optimum wiring terminal processing for each via shape of the basic via shape list registered in library information, and a central processing controller selecting the optimum wiring processing by referring to the library information storage device and the technology database storage device.例文帳に追加

基本バイア形状リストが登録されたライブラリ情報記憶装置と、ライブラリ情報に登録された基本バイア形状リストの各バイア形状に対して最適な配線終端処理を示したテクノロジーデータベース記憶装置と、ライブラリ情報記憶装置とテクノロジーデータベース記憶装置を参照して、最適な配線処理を選択する中央処理制御装置を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing gas sensor is provided with a process for bringing a substrate 12 into contact with a processing liquid 22, containing both metallic fluoro complexes and capturing agents for chemically capturing fluorine ions from the metal fluoro complexes or the processing liquid 22, containing only the capturing agent and making the metal oxide semiconductor film deposit onto the substrate 12, while adding the metallic fluoro complexes to the processing liquid 22.例文帳に追加

ガスセンサの製造方法は、金属のフルオロ錯体と金属のフルオロ錯体からフッ素イオンを化学的に捕捉する捕捉剤とを含む処理液２２、または捕捉剤のみを含む処理液２２に、基板１２を接触させ、さらに処理液２２に金属のフルオロ錯体を添加しながら、金属の酸化物半導体膜を基板１２の上に析出させる工程を備える。 - 特許庁

This method for manufacturing of a semiconductor device includes: a first step of carrying a silicon substrate into a processing chamber; a second step of supplying at least a first silane-based gas and a first etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate; and a third step of supplying at least a second silane-based gas and a second etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第三のステップと、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an adhesive film which prevents an adhesive layer to be wound from rupturing during a step of winding the adhesive layer in the preparation of a tape for processing a wafer precut-processed into a shape corresponding to that of a semiconductor wafer, and improves productivity of the precut tape for processing a wafer; and to provide a tape for processing a wafer prepared by using the same.例文帳に追加

半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の接着剤層の巻き取り工程において、巻き取られる接着剤層の破断を防止するとともに、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることが可能な接着フィルム及びその接着フィルムを使用して作製したウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

In the imaging recipe generating apparatus for SEM observation of a semiconductor pattern using a scanning type electronic microscope, a CPU (CAD image generating unit) 1251 for generating a CAD image by conversion into the image on the basis of the CAD data is constituted with an image quantizing width determining processing unit 12511, a luminosity information assignment processing unit 12512, and a pattern shape conversion processing unit 12513.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that substantially eliminates an adverse effect caused by the adhesion of unnecessary matter, generated upon effecting laser processing through laser irradiation for removing part of low dielectric film wiring lamination structural part, to the insulating film or the like on the upper surface side of a semiconductor substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部の一部を除去するためのレーザ照射によるレーザ加工を行なったときに発生する不要物が半導体基板の上面側の絶縁膜等に付着することによる悪影響をほとんど皆無とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When substrates such as semiconductor wafers W held in a processing chamber such as an outer chamber 26 are cleaned and processed, the semiconductor wafers W are cleaned with pure water as they are kept rotating at a prescribed rotational speed in an outer chamber 26 in which an atmosphere containing carbon dioxide gas of specific concentration resides.例文帳に追加

外側チャンバ２６等の処理チャンバ内に保持される半導体ウエハＷ等の基板の洗浄処理を行う際に、外側チャンバ２６内に所定濃度の二酸化炭素ガスが存在する雰囲気において、半導体ウエハＷを所定の回転数で回転させながら純水を用いて洗浄する。 - 特許庁

A tendency of inducing wiring failures in a design layout pattern of a semiconductor device by lithography and processing is quantified as a score; whether the design layout pattern is good or not is discriminated by the score; and if the pattern is discriminated as good, a transfer layout pattern transferred from the design layout pattern is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

リソグラフィとプロセスによる半導体装置の設計レイアウトパターンでの配線不良の発生しやすさをスコアとして定量化し、このスコアに基づいて設計レイアウトパターンの良否を判定し、この良否の判定が良であれば設計レイアウトパターンを転写した転写レイアウトパターンを半導体基板上に形成する。 - 特許庁

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma.例文帳に追加

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a method for producing a copolymer for semiconductor lithography, controlling a composition of a repeating unit containing a hydroxyl group in a low molecular weight region to improve shift pattern shape in a semiconductor lithography process which is a factor largely affecting a processing precision, an integration degree and yield.例文帳に追加

加工精度に大きく影響し、集積度やさらには歩留まりを左右する大きなファクターである、半導体リソグラフィー工程におけるレジストパターン形状を改善するために低分子領域における水酸基含有繰り返し単位の組成を制御した半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

While the surface of the semiconductor wafer W is held at a nearly constant processing temperature T2, even a position a little deeper than the surface is raised in temperature to some extent, so the activation of implanted ions and the recovery of an introduced defect are both achieved without thermally damaging the semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウェハーＷの表面温度を概ね一定の処理温度Ｔ２に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができるため、半導体ウェハーＷに熱的なダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる。 - 特許庁

A high-frequency power source 52 for biasing applies a semiconductor wafer W with a bias voltage (for example, not higher than 200 V) for accelerating ions and active seeds in plasma generated by exciting an etching gas (for example, HBr) introduced in a processing container 10 by a microwave introducing device 200, toward the semiconductor wafer W.例文帳に追加

バイアス用高周波電源５２は、処理容器１０内に導入されたエッチングガス（例えば、ＨＢｒ）をマイクロ波導入装置２００で励起して発生させたプラズマ中のイオン及び活性種を半導体ウェハＷの方向へ加速させるためのバイアス電圧（例えば、２００Ｖ以下）を半導体ウェハＷに印加する。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion processing method in a semiconductor element manufacturing process which forms a uniform impurity diffusion layer and can carry on an impurity diffusion process high in performance and a yield, an impurity diffusing device for use in the same method, and a semiconductor element containing a solar cell, etc., high in a yield.例文帳に追加

均一な不純物拡散層を形成し、性能や歩留まりの高い不純物拡散処理が可能な半導体素子製造工程における不純物拡散処理方法および同方法に用いる不純物拡散装置、並びに、歩留まりの高い太陽電池等を含む半導体素子を得ること。 - 特許庁