「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

When capacity becomes necessary to suppress an influence of the voltage variation, the reverse surface side of the semiconductor substrate 2 is subjected to back grind processing to expose the electrode 15, and a capacitance element such as a decoupling capacitor is connected thereto.例文帳に追加

電圧変動の影響を抑えるために容量が必要になったときには、半導体基板２の裏面側をバックグラインド処理し、その電極１５を露出させ、そこにデカップリングコンデンサ等の容量素子を接続する。 - 特許庁

To provide a memory controller, a semiconductor integrated circuit apparatus, a microcomputer, and electronic equipment in which reading and writing for an SDRAM can be guaranteed when critical processing is performed without missing the number of times required for refreshing.例文帳に追加

リフレッシュに必要な回数を逃す事無く、かつクリティカルな処理を行う場面でＳＤＲＡＭへの読み書きを保証することができるメモリコントローラ、半導体集積回路装置、マイクロコンピュータ及び電子機器の提供。 - 特許庁

An inactive liquid 64a such as pure water is discharged from a hump processing liquid discharge nozzle 55 at a predetermined pressure to be sprayed onto a region where a hump 3a occurs while a semiconductor substrate 1 is being rotated.例文帳に追加

半導体基板１を回転させながら、ハンプ処理用流体吐出ノズル５５から、純水等の不活性な液体６４ａを所定の圧力をもって吐出させ、ハンプ３ａが発生している領域へ噴き付ける。 - 特許庁

To provide a die bonding method in which solder can be prevented from bleeding or flowing to the outside of a semiconductor mounting region on a member to be bonded without processing the member to be bonded.例文帳に追加

被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法を提供すること。 - 特許庁

In the present invention, pore processing is performed on at least one surface of a semiconductor wafer by using a gas evaporated from a mixed liquor containing hydrofluoric acid, nitric acid and sulfuric acid to obtain a solar cell wafer.例文帳に追加

本発明は、フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスにより半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理して太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device 17 for processing signals at in frequency higher than the self-resonant frequency is mounted on a ceramic board 13 by wire bonding or the like, and the ceramic board 13 is installed on the resin board 2.例文帳に追加

また、セラミックス基板１３には、この自己共振周波数よりも高い周波数の信号を処理する半導体素子１７をワイヤボンディング等によって実装し、この基板１３を樹脂基板２に搭載する。 - 特許庁

The interlayer insulating film group 3 and the metal via 11 in the laser processing region R_2 are irradiated with a laser beam to form a trench 10a having a base 10a_1 composed of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次いで、被レーザ加工領域Ｒ_２における層間絶縁膜群３及び金属ビア１１にレーザ光を照射して、半導体基板２から構成された底面１０ａ_１を有する溝１０ａを形成する。 - 特許庁

When semiconductor manufacture processing is normally performed, a data analyzing/model creation tool 4 extracts trace data of a necessary section from the device data, and stores the statistical analysis result of the trace data as model data.例文帳に追加

データ解析・モデル作成ツール４は、半導体製造処理が正常に行なわれたときに、装置データから必要な区間のトレースデータを抽出し、このトレースデータの統計解析結果をモデルデータとして保存しておく。 - 特許庁

Gas containing the combustible gas fed from a material gas feeding system 11 is introduced into an exhaust gas processing system 2 through a semiconductor manufacturing part 12 and through a powder filter 13 and a pressure control part 14.例文帳に追加

原料ガス供給系１１から供給される可燃性ガスを含むガスは半導体製造部１２を経由し、粉体フィルター１３、および圧力制御部１４を経由して、排気ガス処理系２に導入される。 - 特許庁

The member of the device for processing a semiconductor includes a metallic substrate having one or more coated layers, wherein the outermost layer among the coated layers is a diamond like carbon layer containing 18 to 40 at% hydrogen.例文帳に追加

本発明は、被覆層を１層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量１８〜４０ａｔ％のダイヤモンドライクカーボン層である。 - 特許庁

This reference light source 1 for the calibration is provided with an integrating sphere 11, a control processing part 12, a monitoring sensor 14, and a laser unit provided with a plurality of semiconductor lasers for generating a plurality of single wavelength reference beams or the like.例文帳に追加

校正用基準光源１は、積分球１１、制御処理部１２、モニターセンサ１４、複数の単波長基準光を発生する半導体レーザを備えるレーザユニット２等を備えて構成されている。 - 特許庁

To provide a method of packing a tape carrier for a semiconductor device by which the processing of a sheet-like tape can be made smooth in a manufacturing process at a deliver destination by reducing the warping of the tape at the time of shipping the tape.例文帳に追加

シート状テープの出荷時における反りを低減させて、納入先での製造工程における加工をスムーズに行うことを可能とする半導体装置用テープキャリアの梱包方法を提供する。 - 特許庁

To provide a peripheral processing method capable of suppressing metallic contamination generated from a peripheral and caused to a substrate to be processed in the substrate to be processed including an Si substrate, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the method.例文帳に追加

Ｓｉ基板を含む被処理基体において、周縁部から発生する被処理基体への金属汚染を抑制可能な周縁部処理方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

A method and apparatus are provided for filter-processing, injection, and collection of electric charge for semiconductor device and nonvolatile memory device applications, wherein an electric charge injection system includes the conductor-filter system and also includes the conductor-insulator system.例文帳に追加

電荷注入系は前記導体−フィルタ系を含み、前記導体−絶縁体系がさらに設けられる、半導体デバイスおよび不揮発性メモリデバイスのための、電荷のフィルタ処理、注入、捕集の方法および装置。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and a ceiling heat insulator, capable of reducing generation of cracks in the ceiling heat insulator, break of the ceiling heat insulator, and risk of fall of the ceiling heat insulator.例文帳に追加

天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。 - 特許庁

Consequently, arrival delay errors generated by distance differences from the data processing part 10 up to respective memory banks 11-1 to 11-n can be minimized, the margin of an activatable section of a control signal is increased and the malfunction of a semiconductor device can be prevented.例文帳に追加

これにより、データ処理部からメモリバンクまでの距離差によって発生する到達遅延誤差を最小化して制御信号の活性可能区間のマージンを増加させ、半導体装置の誤動作を防止する。 - 特許庁

To reduce a thermal strain that may occur to a light-shielding film during anneal processing without reducing the light-shielding capability of the light-shielding film, and thereby to prevent the occurrence of cracks in a dielectric or a semiconductor layer that may start from the light-shilding film.例文帳に追加

遮光膜の遮光性を低下させることなく、アニール処理の際に遮光膜に発生する熱歪みを低減して、遮光膜を起点とする絶縁膜や半導体層に対するクラックの発生を防止する。 - 特許庁

A detection time of a γ-ray is determined in a γ-ray signal processing part 60', based on a γ-ray detection signal output from a semiconductor radiation detector for detecting the γ-ray, and energy of the γ-ray.例文帳に追加

γ線を検出する半導体放射線検出器から出力されるγ線検出信号に基づいて、γ線信号処理部６０’でγ線の検出時刻を決定すると共に、γ線のエネルギを決定する。 - 特許庁

In the case of measuring the harmonics of a semiconductor device DUT, a contact of a switching means 10 is controlled in such a way as to switch to the side of a frequency multiplication mixing means 11 by a control signal from a processing device 2.例文帳に追加

半導体デバイスＤＵＴの高調波測定を行う場合、処理装置２からの制御信号により、切替手段１０の接点が周波数てい倍混合手段１１側に切替制御される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can perform oil immersion exposure in such a state as the quality of a resist film at the edge is identical to that at other part and can remove the edge of a resist film effectively, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

レジスト膜の縁の膜質が縁以外の膜質と同じ状態で液浸露光できると共に、レジスト膜の縁を効果的に除去できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method which can inhibit the dishing in a small amount of use of a polishing liquid and can carry out an LSI processing of high performance when chemically and mechanically polishing a workpiece in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程で被加工体を化学的機械的研磨する際に、低い研磨液の使用量でかつディッシングを抑制し、高性能のＬＳＩ加工を行うことができる研磨方法を提供すること。 - 特許庁

An apparatus status monitoring section 102 is connected in series or in parallel within the semiconductor manufacturing apparatus 105 to monitor the input and output status of wafers in a plurality of processing sections forming a wafer carrying path.例文帳に追加

装置状態監視部１０２は、半導体製造装置１０５内で直列または並列に接続され、ウエーハの搬送経路を構成する複数の処理部において、ウエーハの搬入搬出状態を監視する。 - 特許庁

A plurality of electric field radiation type recording heads 20, introduction sources 21 of near field light, and detectors 22 which are manufactured by fine processing technology of a semiconductor are arranged, and information of a plurality of bits is recorded and reproduced.例文帳に追加

これを半導体の微細加工技術により作製した複数の電界放射型の記録ヘッド２０，近接場光の導入源２１，検出器２２を配置して、複数ビットの情報を記録し再生する。 - 特許庁

To provide an accessing device for reducing a processing time for erasable block rewriting, and for forming a data storage format for realizing the life lengthening of a non-volatile memory on a semiconductor memory card.例文帳に追加

消去可能ブロック書換のための処理時間の低減化を図り、また不揮発メモリについての高寿命化を実現するようなデータ格納フォーマットを半導体メモリカード上に形成するアクセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus which can improve the soaking performance on the surface of a wafer at the time of thermal processing by suppressing the shape of the ceramic hater, especially, a variation in external diameter in a thickness direction at a room temperature.例文帳に追加

セラミックスヒーターの形状、特に常温時の厚み方向における外径の変動を抑え、加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape that makes it easy to peel between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer without thrusting a pin up in a step of picking up a semiconductor element with an adhesive layer in the form of an individual piece.例文帳に追加

個片化した接着剤層付き半導体素子をピックアップする工程で、ピンの突き上げによることなく、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をし易くしたウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To provide a package substrate which can correspond to fining processing, has small stress generated due to the difference of a thermal expansion coefficient to a semiconductor device, has high reliability and enables reduction in cost and weight.例文帳に追加

微細加工に対応することが可能であり、半導体装置との熱膨張率の差により発生する応力が小さくて信頼性が高く、かつ低コスト化及び軽量化が可能なパッケージ基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is constituted of a processor 1, a memory 2, a power managing mechanism 5, and the other function units, and the operating system transmits task execution information to the power managing mechanism 5 at the time of executing task scheduling processing.例文帳に追加

半導体集積回路はプロセッサ１、メモリ２、電力管理機構５、他複数の機能単位から構成され、オペレーティングシステムはタスク・スケジューリング処理の時に、タスク実行情報を電力管理機構５へ伝達する。 - 特許庁

To provide an arrangement wherein the density of contaminated particles is reduced so as to be smaller in a spatial unit, more sensitive in relation to the contaminated particles between two sets of the spatial unit in a processing apparatus for manufacturing a semiconductor.例文帳に追加

半導体製造用の処理装置における２つの空間ユニットのうち、汚染粒子に対してより敏感な空間ユニットにおいて、汚染粒子の密度がより小さくなるように低減する構成を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, whose availability rate can be improved, by preventing film formation inside a nozzle and by extending the exchange or maintenance cycle of the nozzle, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ノズル内部における膜の形成を抑制し、該ノズルの交換又はメンテナンス周期を延長し、もって装置の稼働率の向上を実現する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that prevents a substrate from metal contamination and also end-over-end location of an inner tube, and further prevents deposition of a reaction product, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

基板への金属汚染を抑制するとともに、インナチューブの転倒を抑制し、さらに、反応生成物の固着を防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate 2 has a hemispherical projection portion 13 formed on the backside 14 on the opposite side from the upper surface where the nitride semiconductor layers are formed by removing a processing deterioration layer on the backside 14.例文帳に追加

基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。 - 特許庁

The timing verification device reads a technology file 31 and extracts a dispersion coefficient for each cell on the basis of the condition of the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit in dispersion coefficient extraction processing (step 21).例文帳に追加

タイミング検証装置は、ばらつき係数抽出処理（ステップ２１）において、テクノロジファイル３１を読み込み、半導体集積回路の製造プロセスの条件に基づき、セル毎のばらつき係数を抽出する。 - 特許庁

The conductive impurity region 3 for transferring the electric signal from the light receiving element 14 to the signal processing circuit 15 is formed from the bottom of the trench as far as the upper surface of the semiconductor growth layer 2.例文帳に追加

受光素子１４からの電気信号を信号処理回路１５へ伝送するための導電性不純物領域３は、トレンチの底部から半導体成長層２の上面まで至るように形成されている。 - 特許庁

The signal processing IC 2 and semiconductor IC 3 are fixed on the same surface of a flexible substrate 1 and put back to back when the flexible substrate 1 is folded.例文帳に追加

フレキシブル基板１の同一面上に信号処理ＩＣ２及び半導体ＩＣ３とが固定され、信号処理ＩＣ２と半導体ＩＣ３とは、フレキシブル基板１が折り曲げられた状態において背面が重なっている。 - 特許庁

To provide a method for laying out a semiconductor integrated circuit, in which error free power supply net wiring can be laid out accurately by single layout processing while reducing the total labor for layout.例文帳に追加

１回のレイアウト処理で誤配線のない正確な電源ネット配線をレイアウトすることができ、レイアウト作業での全工数を少なく抑え、ることができる半導体集積回路のレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic layout apparatus in which all design rule violations due to wiring between cells are avoided without reducing the integration of a semiconductor device and sharply increasing wiring processing time.例文帳に追加

本発明は、半導体装置の集積度を低下させず、配線処理時間を大幅に増大させることなく、セル間配線によるすべてのデザインルール違反を回避することができる自動レイアウト装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which a substrate for growth can be easily peeled by wet etching processing and further improvement in light extraction efficiency and securing of mechanical strength are made compatible.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a post-processing method of metal wiring for semiconductor element in which the reliability of the wiring can be enhanced by using an aluminum oxide as the protective layer for the wiring.例文帳に追加

本発明はアルミニウム酸化膜を金属配線の保護層として使用することによって金属配線の信頼度を増進させることができる半導体素子用の金属配線の後処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition of high selectivity that the polishing rate of a tantalum compound is small though a copper polishing rate is large in the CMP processing process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure.例文帳に追加

その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.例文帳に追加

ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide a surface processing method of AlN crystal for forming a surface of proper morphology efficiently in AlN crystal, in order to efficiently obtain an AlN crystal substrate for use in a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイスに用いることができるＡｌＮ結晶基板を効率的に得るため、効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

In a state where an N- or P-type silicon substrate subjected to dopant processing is not subjected to oxidation treatment but subjected to hydrogen termination treatment, surface treatment is performed by a silane coupling reagent to obtain a surface modification semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。 - 特許庁

To provide a protective coating for protecting a dielectric material used for electrostatic clamping of a semiconductor wafer use in an integrated circuit processing apparatus, which can strongly protect the protective coating physically and chemically.例文帳に追加

集積回路処理装置において使用される半導体ウエハの静電気的クランピングに使用される誘電材を保護する保護被覆に関し、物理的及び化学的に強固な保護被覆を実現することを目的とする。 - 特許庁