「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a die bonding method in which solder can be prevented from bleeding or flowing to the outside of a semiconductor mounting region on a member to be bonded without processing the member to be bonded.例文帳に追加

被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法を提供すること。 - 特許庁

In the present invention, pore processing is performed on at least one surface of a semiconductor wafer by using a gas evaporated from a mixed liquor containing hydrofluoric acid, nitric acid and sulfuric acid to obtain a solar cell wafer.例文帳に追加

本発明は、フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスにより半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理して太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device 17 for processing signals at in frequency higher than the self-resonant frequency is mounted on a ceramic board 13 by wire bonding or the like, and the ceramic board 13 is installed on the resin board 2.例文帳に追加

また、セラミックス基板１３には、この自己共振周波数よりも高い周波数の信号を処理する半導体素子１７をワイヤボンディング等によって実装し、この基板１３を樹脂基板２に搭載する。 - 特許庁

The interlayer insulating film group 3 and the metal via 11 in the laser processing region R_2 are irradiated with a laser beam to form a trench 10a having a base 10a_1 composed of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次いで、被レーザ加工領域Ｒ_２における層間絶縁膜群３及び金属ビア１１にレーザ光を照射して、半導体基板２から構成された底面１０ａ_１を有する溝１０ａを形成する。 - 特許庁

Gas containing the combustible gas fed from a material gas feeding system 11 is introduced into an exhaust gas processing system 2 through a semiconductor manufacturing part 12 and through a powder filter 13 and a pressure control part 14.例文帳に追加

原料ガス供給系１１から供給される可燃性ガスを含むガスは半導体製造部１２を経由し、粉体フィルター１３、および圧力制御部１４を経由して、排気ガス処理系２に導入される。 - 特許庁

The variation in temperature which is caused by the effects is not easily corrected only by controlling a zone heater, however, it provides critical processing dimension control and is a deciding factor of the overall quality of a resulting semiconductor.例文帳に追加

これらの影響により生じる温度ばらつきは、ゾーン・ヒーターの調節だけでは容易に修正されないが、限界加工寸法制御そしてその結果半導体の総合品質の主な決定要因である。 - 特許庁

Then, top layer wiring processing is carried out on the basis of the connection information about the semiconductor integrated circuit as in each block by utilizing the wiring regions in adjacent different layers in break with the block frame of the block.例文帳に追加

その後、各ブロック同様に半導体集積回路の接続情報に基づいて、ブロックのブロック枠にとらわれることなく、隣接する異なる階層の配線領域を利用して、トップ階層配線処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, wherein movement of a bonding pad caused in bonding processing is suppressed without widening a wiring interval, manufacturing efficiency is excellent, and a die size and the whole device can be made small.例文帳に追加

配線間隔を広げることなくボンディング処理時に発生するボンディングパッドの移動を抑制することができ、製造効率に優れ、また、ダイサイズ並びに装置全体の小型化が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The database center 10 has an ID registering function, an ID canceling function, and a charge balance processing function and exchanges an ID, user information, and charge balance information with semiconductor makers and users through the communication network 20.例文帳に追加

データベースセンタ１０はＩＤ登録機能及びＩＤ解除機能及び課金残高処理機能を有し、半導体メーカ及びユーザと通信網２０を介しＩＤ及びユーザ情報及び課金残高情報を交換する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can perform oil immersion exposure in such a state as the quality of a resist film at the edge is identical to that at other part and can remove the edge of a resist film effectively, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

レジスト膜の縁の膜質が縁以外の膜質と同じ状態で液浸露光できると共に、レジスト膜の縁を効果的に除去できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of electric field radiation type recording heads 20, introduction sources 21 of near field light, and detectors 22 which are manufactured by fine processing technology of a semiconductor are arranged, and information of a plurality of bits is recorded and reproduced.例文帳に追加

これを半導体の微細加工技術により作製した複数の電界放射型の記録ヘッド２０，近接場光の導入源２１，検出器２２を配置して、複数ビットの情報を記録し再生する。 - 特許庁

To provide a polishing method which can inhibit the dishing in a small amount of use of a polishing liquid and can carry out an LSI processing of high performance when chemically and mechanically polishing a workpiece in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程で被加工体を化学的機械的研磨する際に、低い研磨液の使用量でかつディッシングを抑制し、高性能のＬＳＩ加工を行うことができる研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus which can improve the soaking performance on the surface of a wafer at the time of thermal processing by suppressing the shape of the ceramic hater, especially, a variation in external diameter in a thickness direction at a room temperature.例文帳に追加

セラミックスヒーターの形状、特に常温時の厚み方向における外径の変動を抑え、加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。 - 特許庁

To provide a package substrate which can correspond to fining processing, has small stress generated due to the difference of a thermal expansion coefficient to a semiconductor device, has high reliability and enables reduction in cost and weight.例文帳に追加

微細加工に対応することが可能であり、半導体装置との熱膨張率の差により発生する応力が小さくて信頼性が高く、かつ低コスト化及び軽量化が可能なパッケージ基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is constituted of a processor 1, a memory 2, a power managing mechanism 5, and the other function units, and the operating system transmits task execution information to the power managing mechanism 5 at the time of executing task scheduling processing.例文帳に追加

半導体集積回路はプロセッサ１、メモリ２、電力管理機構５、他複数の機能単位から構成され、オペレーティングシステムはタスク・スケジューリング処理の時に、タスク実行情報を電力管理機構５へ伝達する。 - 特許庁

In the case of measuring the harmonics of a semiconductor device DUT, a contact of a switching means 10 is controlled in such a way as to switch to the side of a frequency multiplication mixing means 11 by a control signal from a processing device 2.例文帳に追加

半導体デバイスＤＵＴの高調波測定を行う場合、処理装置２からの制御信号により、切替手段１０の接点が周波数てい倍混合手段１１側に切替制御される。 - 特許庁

To provide a semiconductor production system in which process gas flow can be controlled such that a sufficiently good temperature uniformity can be realized in the plane of a wafer loaded in a processing container.例文帳に追加

本発明は、処理容器内に装填したウェーハ面内の十分に良好な温度均一性が実現されるようにプロセスガスの流れを制御することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The mechanical movable component 150 is configured as a resonator, and the semiconductor element 111 configures a circuit for driving the resonator 150 and/or a circuit for processing an electric signal to be acquired from the resonator 150.例文帳に追加

前記機械的可動部品１５０が共振子であり、前記半導体素子１１１が前記共振子１５０を駆動する回路及び／又は前記共振子１５０から得られる電気信号を処理する回路を構成する。 - 特許庁

The fastener 38 of a captured type capable of attaching a lamp inside a radiantly heated semiconductor processing reactor, is captured within an eyelet terminal 32 on each end of the lamp, thereby rotatably securing the fastener 38 to the lamp.例文帳に追加

放射加熱された半導体加工リアクタ内にランプを取り付け得る被捕捉型の締結具３８は、ランプの各端部のハトメ形末端部３２内に捕捉され、これにより、締結具３８が、ランプに回転式に留められる。 - 特許庁

To reduce power consumption of an interface control semiconductor integrated circuit having a plurality of protocol processing circuits which process protocols of an AV (audio visual) system and a PC (personal computer) system, etc. regarding data transfer based on IEEE 1394 standard.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４規格に準拠したデータ転送に係る、ＡＶ系やＰＣ系などのプロトコルを処理するプロトコル処理回路を複数有するインタフェース制御半導体集積回路の消費電力を低減する。 - 特許庁

To provide a method and a device for manufacturing a multi-chip module, which is capable of carrying out a processing operation at a high speed and where inter-chip wirings are made micronized, and the circuit patterns of built-in semiconductor chips are aligned and arranged with high accuracy.例文帳に追加

チップ間配線が微細化され、組込む半導体チップの回路パターン位置を高精度に位置調整して配置し、かつ処理速度の速いＭＣＭの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The magnetometric sensor comprises a Hall element 50, made of a semiconductor thin film or a magnetic thin film, and signal-processing circuits (51, 52, 53, 54, R1, R2) for outputting a tertiary digital signal in response to the level of the detection signal.例文帳に追加

半導体薄膜または磁性薄膜からなるホール素子５０と、ホール素子５０からの検出信号を入力し、該検出信号のレベルに応じた３値デジタル信号を出力する信号処理回路（５１，５２，５３，５４，Ｒ１，Ｒ２）とを備える。 - 特許庁

To provide a thermosetting adhesive composition which excels in the resistance to solder cracking by such a high temperature solder reflow processing at about 260°C as being used for lead free solder, as well, and to provide a semiconductor package that uses the composition.例文帳に追加

鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック製に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that can raise the processing speed by controlling a timing for transferring image data when the image data stored in an auxiliary memory means is developed in a semiconductor image memory to form an image.例文帳に追加

本発明は補助記憶手段に格納した画像データを半導体画像メモリに展開して画像形成する際の画像データ転送タイミングを調整して処理速度を高速化する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of efficiently forming a plurality of circuits of the same shape and a plurality of discriminating marks for discriminating the circuits of the same shape from each other on a single processing board through a step and repeat exposure method.例文帳に追加

ステップ・アンド・リピート露光方法を用いて、１枚の加工基板上に複数同形の回路と、複数同形の回路を識別するための複数識別記号と、を効率的に形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

The member of the device for processing a semiconductor includes a metallic substrate having one or more coated layers, wherein the outermost layer among the coated layers is a diamond like carbon layer containing 18 to 40 at% hydrogen.例文帳に追加

本発明は、被覆層を１層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量１８〜４０ａｔ％のダイヤモンドライクカーボン層である。 - 特許庁

In a processing (ST1), RTL (Register Transfer Level) data 32 described by the RTL and expressing a plurality of registers is generated using a hardware description language to a design specification 31 of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

処理（ＳＴ１）では、半導体集積回路の設計仕様３１に対してハードウェア記述言語を用いてＲＴＬ（Ｒｅｇｉｓｔｏｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ）で記述され、複数のレジスタを表すＲＴＬデータ３２を生成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus including a substrate conveyance function correcting positional displacement of a wafer in an FOUP (Front Opening Unified Pod) loaded in a semiconductor manufacturing apparatus only by altering a conveyance method without providing an expensive device mechanism.例文帳に追加

半導体製造装置に投入されたＦＯＵＰ内のウェハ位置ずれを、高価な装置機構を装備せずに、搬送方式を改造するだけで補正することができる基板搬送機能を備えた基板処理装置 - 特許庁

When semiconductor manufacture processing is normally performed, a data analyzing/model creation tool 4 extracts trace data of a necessary section from the device data, and stores the statistical analysis result of the trace data as model data.例文帳に追加

データ解析・モデル作成ツール４は、半導体製造処理が正常に行なわれたときに、装置データから必要な区間のトレースデータを抽出し、このトレースデータの統計解析結果をモデルデータとして保存しておく。 - 特許庁

This reference light source 1 for the calibration is provided with an integrating sphere 11, a control processing part 12, a monitoring sensor 14, and a laser unit provided with a plurality of semiconductor lasers for generating a plurality of single wavelength reference beams or the like.例文帳に追加

校正用基準光源１は、積分球１１、制御処理部１２、モニターセンサ１４、複数の単波長基準光を発生する半導体レーザを備えるレーザユニット２等を備えて構成されている。 - 特許庁

To provide an accessing device for reducing a processing time for erasable block rewriting, and for forming a data storage format for realizing the life lengthening of a non-volatile memory on a semiconductor memory card.例文帳に追加

消去可能ブロック書換のための処理時間の低減化を図り、また不揮発メモリについての高寿命化を実現するようなデータ格納フォーマットを半導体メモリカード上に形成するアクセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of packing a tape carrier for a semiconductor device by which the processing of a sheet-like tape can be made smooth in a manufacturing process at a deliver destination by reducing the warping of the tape at the time of shipping the tape.例文帳に追加

シート状テープの出荷時における反りを低減させて、納入先での製造工程における加工をスムーズに行うことを可能とする半導体装置用テープキャリアの梱包方法を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic layout apparatus in which all design rule violations due to wiring between cells are avoided without reducing the integration of a semiconductor device and sharply increasing wiring processing time.例文帳に追加

本発明は、半導体装置の集積度を低下させず、配線処理時間を大幅に増大させることなく、セル間配線によるすべてのデザインルール違反を回避することができる自動レイアウト装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which a substrate for growth can be easily peeled by wet etching processing and further improvement in light extraction efficiency and securing of mechanical strength are made compatible.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate 2 has a hemispherical projection portion 13 formed on the backside 14 on the opposite side from the upper surface where the nitride semiconductor layers are formed by removing a processing deterioration layer on the backside 14.例文帳に追加

基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。 - 特許庁

Thus, a series of processing in the readout of storage data of a nonvolatile semiconductor memory is pipelined, and the access with low latency is allowed even when there is the contention of access requests from the plurality of CPUs.例文帳に追加

それにより、上記不揮発性半導体メモリの記憶データの読み出しにおける一連の処理をパイプライン化することができ、複数ＣＰＵからのアクセス要求が競合した場合にも、低レイテンシのアクセスが可能とされる。 - 特許庁

To provide a surface processing method of AlN crystal for forming a surface of proper morphology efficiently in AlN crystal, in order to efficiently obtain an AlN crystal substrate for use in a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイスに用いることができるＡｌＮ結晶基板を効率的に得るため、効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a post-processing method of metal wiring for semiconductor element in which the reliability of the wiring can be enhanced by using an aluminum oxide as the protective layer for the wiring.例文帳に追加

本発明はアルミニウム酸化膜を金属配線の保護層として使用することによって金属配線の信頼度を増進させることができる半導体素子用の金属配線の後処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition of high selectivity that the polishing rate of a tantalum compound is small though a copper polishing rate is large in the CMP processing process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

Then, after thermal processing is performed as required, resist coating, patterning, etching and the like are performed, a dopant dispersion region 10 is formed by ion implantation or the like to form the semiconductor device of MOS structure.例文帳に追加

その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.例文帳に追加

ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide a method for laying out a semiconductor integrated circuit, in which error free power supply net wiring can be laid out accurately by single layout processing while reducing the total labor for layout.例文帳に追加

１回のレイアウト処理で誤配線のない正確な電源ネット配線をレイアウトすることができ、レイアウト作業での全工数を少なく抑え、ることができる半導体集積回路のレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

The signal processing IC 2 and semiconductor IC 3 are fixed on the same surface of a flexible substrate 1 and put back to back when the flexible substrate 1 is folded.例文帳に追加

フレキシブル基板１の同一面上に信号処理ＩＣ２及び半導体ＩＣ３とが固定され、信号処理ＩＣ２と半導体ＩＣ３とは、フレキシブル基板１が折り曲げられた状態において背面が重なっている。 - 特許庁

In a state where an N- or P-type silicon substrate subjected to dopant processing is not subjected to oxidation treatment but subjected to hydrogen termination treatment, surface treatment is performed by a silane coupling reagent to obtain a surface modification semiconductor silicon substrate.例文帳に追加

ドーパント処理されたＮ−またはＰ−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。 - 特許庁

Then, nitrogen gas is supplied into the processing tube 48 through a pipeline formed of a nitrogen gas supply pipe 34, and the semiconductor substrate 54 is heated in an atmosphere of steam-free nitrogen gas to diffuse boron.例文帳に追加

次に、窒素ガス供給管３４によって形成される管路を通して窒素ガスをプロセスチューブ４８内に供給し、水蒸気を含まない窒素ガスのみの雰囲気中で半導体基板５４を加熱し、ボロンを拡散する。 - 特許庁