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semiconductor processingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4100件
The present invention is directed to structures and methods of manufacturing such structures for providing optical connections between spaced-apart, opposing surfaces of substrates having optically active areas that are compatible with semiconductor processing steps.例文帳に追加
本発明は、半導体プロセス工程と互換性のある、光学的に活性の領域を有する基板の離間した対向する面の間に光接続を与える構造及びかかる構造の製造方法に関連する。 - 特許庁
A drive signal to drive a semiconductor laser 43 is then generated by an exposure light control part 10 from the an image signal (a density value) outputted from an image processing part 507 and the correction value calculated as above.例文帳に追加
そして、露光制御部10により、画像処理部507から出力された画像信号(濃度値)と上記算出された補正値とに基づいて、半導体レーザ43を駆動するための駆動信号が生成される。 - 特許庁
The sensing system 100 remotely controlled for processing a semiconductor substrate and loaded into a slot of a substrate holder is used to measure the alignment of the substrate holder such as a wafer boat in a batch reactor such as a furnace.例文帳に追加
半導体基板を処理するために、リモートコントロールされ、基板ホルダのスロット内に挿入されたセンサシステム100が、リアクター等のバッチリアクター内において、ウェハボート等の基板ホルダのアライメントを測定するために用いられる。 - 特許庁
To provide a thermosetting adhesive composition which has resistance superior to solder cracking even in high-temperature solder reflow processing of approximately 260°C used for lead-free solder; and to provide a semiconductor package using the same.例文帳に追加
鉛フリー半田に用いられるような260℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。 - 特許庁
Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加
次に、ビット線拡散層9上にシリコン酸化膜10を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のSTI領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an LEC process compound semiconductor single crystal capable of preventing the occurrence of a crack in a processing process and the occurrence of a slip in an epitaxial growth process by stably and effectively removing the internal strain.例文帳に追加
安定かつ効果的に内部歪みを除去して、加工工程でのクラックの発生及びエピ工程でのスリップの発生を防止できるLEC法化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an adhesive film capable of reducing occurrence of a reflow crack on a package even when it is picked up in a state that a pressure sensitive adhesive is adhered to an adhesive layer; and to provide a tape for processing a semiconductor wafer.例文帳に追加
粘着剤が接着剤層に付着した状態でピックアップされた場合であっても、パッケージにリフロークラックが生じるのを低減することができる粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which allows rapid formation of a conductive film, which has a low concentration of impurities permeated from a material owing its dense structure, and a low resistivity, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加
緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することである。 - 特許庁
To solve a problem wherein, since there is the case where a pupil diameter of an objective lens used for a semiconductor inspection device or a laser processing device exceeds a field of view detected by Shack-Hartmann sensor, an aberration of the whole pupil cannot be measured by one-time imaging.例文帳に追加
半導体検査装置やレーザ加工装置に用いられる対物レンズの瞳径は、シャックハルトマンセンサの検出視野を超える場合があるので、1回の撮像では瞳全体の収差を測定することはできない。 - 特許庁
The method of processing the semiconductor wafer also includes a step of fracturing the supporting member of an adhered wafer along the deterioration layer formed in the supporting member by applying external force to the adhered wafer.例文帳に追加
半導体ウエーハの加工方法は更に、貼り合わせウエーハに外力を付与して、貼り合わせウエーハの支持部材を支持部材の内部に形成された変質層に沿って破断する支持部材破断ステップを含んでいる。 - 特許庁
To provide a cleaning and processing cloth that efficiently removes nano-particles left in a surface of a semiconductor substrate, and also accelerates discharge of cleaning liquid for preventing the reattachment and aggregation of the particles to the substrate surface.例文帳に追加
半導体基板表面に残存するナノパーティクルを効率的に除去するとともに、パーティクルの再付着や凝集を防止するために洗浄液の排出を促進することのできる洗浄加工布を提供する。 - 特許庁
To provide a range finder achieving highly accurately shading even when using a processing method capable of achieving miniaturization and low cost by integrating a ranging lens, a glass substrate, and a semiconductor chip.例文帳に追加
測距用レンズとガラス基板と半導体チップとを一体化して、小型化と低コスト化とを図ることのできる加工方法を用いた場合においても、高精度な遮光を実現することが可能な測距装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate heat treatment apparatus which can control a temperature distribution of a susceptor disposed by lamination even when a horizontal magnetic flux is provided to the susceptor, and can carry out heat treatment by batch processing.例文帳に追加
サセプタに対して水平磁束を与える場合であっても積層配置されたサセプタの温度分布制御を可能とし、かつバッチ処理による熱処理を可能とする半導体基板熱処理装置を提供する。 - 特許庁
To improve uniformity of a dose even when a beam current of an ion beam has periodic variation during batch type ion implantation processing, and to make uniform characteristics of a semiconductor device manufactured using the same.例文帳に追加
バッチ式イオン注入処理において、イオンビームのビーム電流に周期変動が存在する場合にもドーズ量の均一性を向上させ、それを用いて製造される半導体装置の特性を均一化する。 - 特許庁
The pattern formation method for a resist in micromachining of manufacture of a photomask or semiconductor is characterized such that pattern formation of the resist is performed by generating mist of the developer and processing liquid.例文帳に追加
フォトマスクまたは半導体製造の微細加工におけるレジストのパターン形成方法において、現像液及び処理液をミスト状に発生させてレジストのパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁
A main circuit 10 of the semiconductor integrated circuit 100 is configured so as to receive an upper side bias current Ip and a lower side bias current In and perform prescribed signal processing in a state that they are balanced.例文帳に追加
半導体集積回路100のメイン回路10は、上側バイアス電流Ipと下側バイアス電流Inを受け、それらがバランスした状態において所定の信号処理を行うよう構成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which writing can be ensured for all memory cells independently of dispersion in property of the memory cells caused by a manufacturing error or the like, also, a writing processing time and power consumption can be reduced.例文帳に追加
製造誤差等によるメモリセルの特性のバラツキによらずに全てのメモリセルに対して書き込みを保証でき、かつ、書き込み処理時間および消費電力を抑制できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A heater 9 of a resistance heating type is provided around the outer periphery of a processing chamber 3 to heat an atmosphere within the chamber 3 and to increase the temperature of the entire semiconductor substrate 1 to a level nearly corresponding to the temperature (HF: 50°C) of the chemical solution.例文帳に追加
処理チャンバー3の外周に抵抗加熱方式のヒーター9を配置し、処理チャンバー3内の雰囲気を熱し、半導体基板1全体を薬液温度(HF:50℃)と同じ50℃相当にまで上昇させる。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a semiconductor device which can reduce degradation in processing profile of a film being processed or roughening of a pattern while exhibiting faithfulness to design, and can be applied even to a dual damascene process.例文帳に追加
本発明は、被加工膜の加工形状の悪化やパターンの荒れを低減し、設計デザインに対し忠実で、且つデュアルダマシン工程等にも適用可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To allow omission of a series of processing such as transmission of writing/reading operation with respect to a fail memory in the case where a semiconductor device to be measured is tested, of which a high speed test for a flash memory, etc. is unnecessary.例文帳に追加
フラッシュメモリなどのように高速の試験を行う必要のない被測定半導体デバイスを試験する場合におけるフェイルメモリへの書込み・読出転送という一連の処理を省略できるようにする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of processing even a plurality of wafers scarcely giving rise to air bubble mixing and wafer damage in an underfill scheme using a sheet-like thermosetting resin composition.例文帳に追加
シート状熱硬化性樹脂組成物を用いたアンダーフィル方式において、複数のウエハであっても、気泡の混入およびウエハ損傷をほとんど生じずに処理できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Hence, when a semiconductor substrate is adhered with the print wiring substrate 1 by heating the adhesive layer 4, the cured layer 6 prohibits the adhesive from flowing into the opening, resulting in higher processing precision of the opening.例文帳に追加
これにより、接着フィルム層を加熱してプリント配線基板と半導体基板とを接着する際に、硬化層6が接着剤の開口部への流入を防ぎ、開口部の加工精度を向上することができる。 - 特許庁
To provide a system and method for plasma processing of an article to be processed under prescribed temperature control, in order to bring about satisfactory semiconductor characteristics, and to provide a cluster tool.例文帳に追加
本発明は、良好な半導体特性をもたらすために所定の温度制御の下で被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置及び方法並びにクラスターツールを提供することを例示的目的とする。 - 特許庁
The flow of gases can be regulated by a controller and a series of gas control valves to form and introduce the preselected gaseous mixture into the processing chamber as plasma to be exposed to the semiconductor wafer surface.例文帳に追加
ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。 - 特許庁
Then, the design device executes logical simulation by inputting a signal to turn off a power source to the power supply terminal after mapping processing based on a net list 21 of the semiconductor device by referring to the library 23 in a step 36.例文帳に追加
そして、設計装置は、ステップ36において、ライブラリ23を参照し、半導体装置のネットリスト21に基づいて、マッピング処理後の電源端子に電源をオフする信号を入力して論理シミュレーションを実行する。 - 特許庁
To provide a method for processing test data of a semiconductor which can detect abnormality in a fabricating process even if the number of defective products is small, and quickly research causes of generating the defective products.例文帳に追加
不良品の発生数が少ない場合でも、製造工程の異常を検出することができ、不良品の発生原因の調査を早期に行うことができる半導体試験データ処理方法を提供する。 - 特許庁
By preventing diffusion of metal, the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes 17 and 18 remain substantially unchanged during e.g. thermal processes in further processing of the device.例文帳に追加
これにより、金属拡散が防止され、第1および第2の制御電極17、18の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 - 特許庁
A holding section 7 for holding a semiconductor wafer W in a horizontal state in executing heating processing by flash light irradiation from a flash lamp FL is configured by mounting a susceptor 72 on a metallic hot plate 71 having a built-in heater.例文帳に追加
フラッシュランプFLからフラッシュ光を照射して加熱処理を行うときに半導体ウェハーWを水平姿勢に保持する保持部7はヒータを内蔵するホットプレート71の上にサセプタ72を載置して構成される。 - 特許庁
A semiconductor integrated circuit 1 comprises an A/D converter 121 including a sample-and-hold circuit 1211 and an A/D conversion circuit 1212, a central processing unit 21, a clock generation unit 30, and a sample-and-hold signal generation circuit 123.例文帳に追加
半導体集積回路1は、サンプル・ホールド回路1211とA/D変換回路1212とを含むA/D変換器121、中央処理ユニット21、クロック生成ユニット30、サンプル・ホールド信号生成回路123を具備する。 - 特許庁
In the production line of a semiconductor integrated circuit device equipped with a sheet processor, starting order in processing articles is changed for a longer homogeneous length, in a process other than a homogeneous batch sheet processor.例文帳に追加
枚葉処理装置を備えた半導体集積回路装置の生産ラインにおいて、同質バッチ枚葉処理装置以外の工程にて、製品の着工順番を変更することにより、同質長を長くするものである。 - 特許庁
Further, the semiconductor device includes a switching element which enables a comparison circuit in which comparison processing between data stored in the holding circuit and reference data input from the outside does not need to be performed to become forcibly inactive.例文帳に追加
また、保持回路に蓄えられた記憶データと、外部から入力される参照データの比較処理を行う必要がない比較回路を、強制的に非活性状態とするスイッチング素子を備える構成とする。 - 特許庁
The second light source shape is such a light source shape that optimizes processing tolerance for forming an on-substrate pattern adapted to a pattern layout formed on the semiconductor device and adapted to at least the two pattern layouts.例文帳に追加
第2の光源形状は、前記半導体装置に形成するパターンレイアウトおよび前記少なくとも2つのパターンレイアウトに応じた基板上パターンを形成する際のプロセス裕度が最適化される光源形状である。 - 特許庁
To provide a data processor and image processor capable of enhancing security by preventing the leak of data, and a nonvolatile semiconductor storage device capbale of reducing the processing load on a side using a memory.例文帳に追加
データの漏洩を防止してセキュリティを高めることが可能なデータ処理装置、画像処理装置、及び、メモリを使用する側の処理負荷を低減させることが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide an accurate and efficient system that measures and/or controls the mass and/or amount of contaminations in a gas sample which deteriorates the performance of an optical element used in a semiconductor processing apparatus.例文帳に追加
半導体処理装置中に使用される光学素子の性能を減少させる、ガス試料内の汚染物の質および/もしくは量を測定そして/もしくは管理する、正確で効率的なシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device wherein VRAM allocated with video memory can be used for a part of main memory without lowering processing speed and an LCD controller are integrated, and a microcomputer and electronic equipment.例文帳に追加
処理速度を低下させずに主記憶の一部にビデオメモリを割り当てたVRAMを使用可能なマイクロプロセッサとLCDコントローラを集積した半導体集積回路装置、マイクロコンピュータ及び電子機器を提供すること。 - 特許庁
The processing tape for the semiconductor wafer having bump electrodes projecting from its main surface includes a release layer, an adhesive material layer, a bonding material layer, and a base film that are stacked in increasing order on one surface of a carrier film.例文帳に追加
突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用テープであって、キャリアフィルムの片面に離型層、接着材層、粘着材層、基材フィルムをこの順で有してなる加工用テープ。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of preventing deterioration of the surface morphology of a Ni-containing film caused by dependence on a foundation and of forming a continuous film in a thin film region.例文帳に追加
Niを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁
In a processing (ST1), RTL (Register Transfer Level) data 32 described by the RTL and expressing a plurality of registers is generated using a hardware description language to a design specification 31 of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加
処理(ST1)では、半導体集積回路の設計仕様31に対してハードウェア記述言語を用いてRTL(Registor Transfer Level)で記述され、複数のレジスタを表すRTLデータ32を生成する。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus including a substrate conveyance function correcting positional displacement of a wafer in an FOUP (Front Opening Unified Pod) loaded in a semiconductor manufacturing apparatus only by altering a conveyance method without providing an expensive device mechanism.例文帳に追加
半導体製造装置に投入されたFOUP内のウェハ位置ずれを、高価な装置機構を装備せずに、搬送方式を改造するだけで補正することができる基板搬送機能を備えた基板処理装置 - 特許庁
The variation in temperature which is caused by the effects is not easily corrected only by controlling a zone heater, however, it provides critical processing dimension control and is a deciding factor of the overall quality of a resulting semiconductor.例文帳に追加
これらの影響により生じる温度ばらつきは、ゾーン・ヒーターの調節だけでは容易に修正されないが、限界加工寸法制御そしてその結果半導体の総合品質の主な決定要因である。 - 特許庁
Then, top layer wiring processing is carried out on the basis of the connection information about the semiconductor integrated circuit as in each block by utilizing the wiring regions in adjacent different layers in break with the block frame of the block.例文帳に追加
その後、各ブロック同様に半導体集積回路の接続情報に基づいて、ブロックのブロック枠にとらわれることなく、隣接する異なる階層の配線領域を利用して、トップ階層配線処理を行う。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, wherein movement of a bonding pad caused in bonding processing is suppressed without widening a wiring interval, manufacturing efficiency is excellent, and a die size and the whole device can be made small.例文帳に追加
配線間隔を広げることなくボンディング処理時に発生するボンディングパッドの移動を抑制することができ、製造効率に優れ、また、ダイサイズ並びに装置全体の小型化が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
The database center 10 has an ID registering function, an ID canceling function, and a charge balance processing function and exchanges an ID, user information, and charge balance information with semiconductor makers and users through the communication network 20.例文帳に追加
データベースセンタ10はID登録機能及びID解除機能及び課金残高処理機能を有し、半導体メーカ及びユーザと通信網20を介しID及びユーザ情報及び課金残高情報を交換する。 - 特許庁
In the semiconductor ion sensor, the polarity of the resin on the surface of the resin coating 11 is heightened by processing the resin coating by gas in the ionized state, and the elution quantity of the ionophore from the surface of the resin coating 11 into a test solution is reduced.例文帳に追加
樹脂皮膜を電離状態のガスで処理することによって、樹脂皮膜11の表面の樹脂の極性を高め、樹脂皮膜11の表面から被検液へのイオノフォアの溶出量を低減する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method capable of efficiently forming a plurality of circuits of the same shape and a plurality of discriminating marks for discriminating the circuits of the same shape from each other on a single processing board through a step and repeat exposure method.例文帳に追加
ステップ・アンド・リピート露光方法を用いて、1枚の加工基板上に複数同形の回路と、複数同形の回路を識別するための複数識別記号と、を効率的に形成する製造方法を提供する。 - 特許庁
The magnetometric sensor comprises a Hall element 50, made of a semiconductor thin film or a magnetic thin film, and signal-processing circuits (51, 52, 53, 54, R1, R2) for outputting a tertiary digital signal in response to the level of the detection signal.例文帳に追加
半導体薄膜または磁性薄膜からなるホール素子50と、ホール素子50からの検出信号を入力し、該検出信号のレベルに応じた3値デジタル信号を出力する信号処理回路(51,52,53,54,R1,R2)とを備える。 - 特許庁
To provide a thermosetting adhesive composition which excels in the resistance to solder cracking by such a high temperature solder reflow processing at about 260°C as being used for lead free solder, as well, and to provide a semiconductor package that uses the composition.例文帳に追加
鉛フリー半田に用いられるような260℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック製に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus that can raise the processing speed by controlling a timing for transferring image data when the image data stored in an auxiliary memory means is developed in a semiconductor image memory to form an image.例文帳に追加
本発明は補助記憶手段に格納した画像データを半導体画像メモリに展開して画像形成する際の画像データ転送タイミングを調整して処理速度を高速化する画像形成装置を提供する。 - 特許庁
Thus, a series of processing in the readout of storage data of a nonvolatile semiconductor memory is pipelined, and the access with low latency is allowed even when there is the contention of access requests from the plurality of CPUs.例文帳に追加
それにより、上記不揮発性半導体メモリの記憶データの読み出しにおける一連の処理をパイプライン化することができ、複数CPUからのアクセス要求が競合した場合にも、低レイテンシのアクセスが可能とされる。 - 特許庁
To provide a small-sized, stable, and highly efficient short-wavelength laser light source required for performing high-density recording, image processing, etc., on optical disks by stably exciting an optical wavelength converting element by locking the wavelength of a semiconductor laser.例文帳に追加
半導体レーザの波長ロックにより光波長変換素子の安定な励起を行い、光ディスクの高密度記録や画像処理等で要求されている小型且つ安定で高効率な短波長光源を提供する。 - 特許庁
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