「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a signal processing semiconductor integrated circuit adopting the direct conversion system that suppresses production of a DC offset due to a leaked noise from a local oscillator in the case of transit to a reception mode so as to enhance the reception sensitivity.例文帳に追加

ダイレクトコンバージョン方式の信号処理用半導体集積回路において、受信モードに移行する際に局部発振器からの漏洩ノイズによるＤＣオフセットの発生を抑え、受信感度を向上させることができるようにする。 - 特許庁

A zero intermediate frequency (ZIF) conversion technique may be combined with digitally-controlled selectivity filtering and digital signal processor (DSP)-based signal impairment processing, to yield multi-standard tuner capable of semiconductor integration.例文帳に追加

ゼロ中間周波数（ＺＩＦ）変換技術は、デジタル制御選択性フィルタリングおよびデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）による信号欠陥処理と組み合わせられることにより、半導体集積化が可能なマルチ基準チューナを得ることができる。 - 特許庁

To provide a driver module structure and a method of manufacturing a driver module which can reduce costs by facilitating processing of a heat radiation body while maintaining heat radiation by ensuring adhesion between the heat radiation body and a semiconductor device.例文帳に追加

放熱体と半導体装置との密着性を確保することで放熱性を維持しつつ、放熱体の加工を容易とすることで、コストの抑制を図ることができるドライバモジュール構造およびドライバモジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a sealing resin composition having a good flame retardant property, processing property, moisture resistance and reliability by using a phosphorous-based flame-retardant which contain particularly neither halogen (chlorine, bromine) nor oxidized metal, and to provide a semiconductor-sealing device.例文帳に追加

特にハロゲン（塩素、臭素）化合物および酸化金属を含有しない、新規なリン系難燃剤の使用により、難燃性、成形性、耐湿性、信頼性のよい封止用樹脂組成物及び半導体封止装置を提供する。 - 特許庁

To make a plate temperature promptly reach and be set at a new target temperature even when transient heat exchange is generated between a chamber and a plate at the time of changing the target temperature of a temperature adjustment plate inside a semiconductor processing chamber.例文帳に追加

半導体処理チャンバ内の温度調節プレートの目標温度を変更したときに、チャンバとプレートとの間に過渡的な熱交換が生じても、プレート温度を速やかに新しい目標温度に到達させて整定させる。 - 特許庁

To provide a substrate processing method of forming an opening which has a size that fills the need for downsizing a semiconductor device, and is transferred to a film to be etched in the mask layer or the intermediate layer of a substrate to be processed.例文帳に追加

処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク層又は中間層に形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate support boat which is hardly warped even if thin pillars are used, excellent in processing precision, and capable of preventing the occurrence of particles and shortening the time required for making a semiconductor substrate uniform in temperature through its surface.例文帳に追加

本発明の目的は、細い柱でも反りが生じず、加工精度が高く、パーティクルの発生を防止し、かつ半導体基板面内の温度が均一になるまでの時間が短縮される基板支持ボートを与えることである。 - 特許庁

To provide a semiconductor-optical fiber laser device of a new form capable of simultaneously oscillating plural wavelengths at a very high speed to be used as a light source for a very high speed optical signal processing and the light source for optical communication.例文帳に追加

超高速光信号処理用光源や光通信用光源として使用されるための複数波長を超高速で同時に発振させることができる新形態の半導体−光ファイバレーザ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric capacitor capable of reducing the leakage current between the upper electrode and the lower electrode thereof and capable of forming the ferroelectric capacitor by package processing, and to provide a manufacturing method of a semiconductor memory.例文帳に追加

上部電極と下部電極と間のリーク電流を低減でき、一括加工により強誘電体キャパシタを形成できる強誘電体キャパシタの製造方法及び半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical disk device which achieves stable recording to a DVD by performing recovery processing in consideration of recording in a Video mode without preparing large capacity of semiconductor memory when an error occurs during recording in the Video mode.例文帳に追加

Ｖideoモードでの記録中にエラーが発生した場合、大容量の半導体メモリを設けることなく、Ｖideoモードでの記録を考慮したリカバリ処理を行い、ＤＶＤへの安定した記録を実現する光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method reinforcing etching resistance of a mask layer and improving a flexibility in working of a layer to be processed when forming an opening pattern of a dimension satisfying a request for downsizing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed is the semiconductor sensor device which includes a sensor chip 101 for detecting physical stress applied from outside and a circuit element 102 for processing an output signal thereof, and has those components 101 and 102 incorporated in a hollow housing 103.例文帳に追加

外部から加えられた物理的ストレスを検出するセンサチップ１０１と、その出力信号を処理する回路素子１０２とを備え、これらの部品１０１，１０２が中空のハウジング１０３に内蔵された半導体センサ装置に関する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of completing writing by a smaller number of processing times without reducing writing accuracy in the writing of a memory cell capable of storing binary or more data.例文帳に追加

２値以上のデータを記憶可能なメモリセルの書き込み処理において、書き込み精度を低下させることなく、より少ない処理回数で書き込み処理を完了させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fitting structure of a semiconductor device that secures a sufficient creepage distance between lead terminals while eliminating the need for lead processing, and obtains a high breakdown voltage.例文帳に追加

本発明は半導体素子の取付構造に係り、リード加工を不要としつつリード端子間の十分な沿面距離を確保することができ、高耐圧を得ることが可能な半導体素子の取付構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched.例文帳に追加

続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a wiring board with a built-in semiconductor chip for simplifying a manufacture process and eliminating the lack of current capacity without increasing a body size while a power transistor and a signal processing circuit portion coexist in a chip.例文帳に追加

チップ内にパワートランジスタと信号処理回路部とが混在しながらも、製造工程を簡素化でき、且つ、体格を増大せずに電流容量の不足を解消することができる半導体チップ内蔵配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a light-weight reaction absorption device and a high-quality semiconductor assembly device having short processing time and high productivity by use of the reaction absorption device.例文帳に追加

本発明は、軽量化を図った反動吸収装置を提供すること、あるいは軽量化を図った反動吸収装置を用い、更に処理時間を短い生産性或いは品質の高い半導体組立装置を提供することである。 - 特許庁

The plasma processor includes: an electrostatic chuck 5 for holding the object of processing (for example, a semiconductor wafer 4) by electrostatic chucking force; and a DC voltage application portion (DC power source 3) for applying a DC voltage for electrostatic chucking to the electrostatic chuck 5.例文帳に追加

処理対象物（例えば、半導体ウェハ４）を静電吸着力によって保持する静電チャック５と、静電チャック５に静電吸着用直流電圧を印加する直流電圧印可部（直流電源３）を備える。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor wafer, capable of thinning a wafer while evenly keeping a thickness of the wafer without corroding electrodes, even if a through-electrode is exposed when a supporting member is partitioned.例文帳に追加

ウエーハの厚さを均一に保ったままウエーハを薄肉化できるとともに、支持部材の分割時に貫通電極が露出していても分割時に電極が腐食する恐れのない半導体ウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor film made of IGZO-based amorphous oxide is manufactured by performing annealing processing under a condition satisfying an expression (2) after forming a film of an IGZO-based amorphous oxide layer by sputtering under a condition satisfying an expression (1).例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を下記式（１）を満足する条件でスパッタ成膜した後に、下記式（２）を満足する条件でアニール処理することにより、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる半導体膜を製造する。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, respective master devices M0 through Mn are connected to a plurality of buses B0 through B4, and output a processing request to a slave device 30 to a controller 20 via one allocated bus among the plurality of buses.例文帳に追加

半導体装置１００において、各マスタ装置Ｍ０〜Ｍｎは、複数のバスＢ０〜Ｂ４に接続され、複数のバスのうちの割当てられた１本のバスを介してスレーブ装置３０に対する処理要求をコントローラ２０に出力する。 - 特許庁

A lower heating element 4 which heats the semiconductor wafer W arranged in the processing chamber 2 from below is not area-divided and forms a single lower heating zone 41, and a lower heater 6 is arranged in the lower heating zone 41.例文帳に追加

処理室２に配置された半導体ウエハＷを下方から加熱する下加熱体４には、当該加熱体４を領域分割することなく単一の下加熱ゾーン４１を形成し、下加熱ゾーン４１に下ヒータ６を配置する。 - 特許庁

The surface electrode and back electrode can be simultaneously subjected to the sintering processing at high temperature (for example, 900°C or above) needed for the back Ni-based electrode to have the ohmic junction with the semiconductor substrate, so the manufacturing processes can be simplified.例文帳に追加

裏面Ｎｉ系電極が半導体基板とオーミック接合するために必要な高温（例えば９００℃以上）で、表面電極と裏面電極のシンター処理を同時に行うことができるため、製造工程が簡略化される。 - 特許庁

To provide a flip-chip connection method which can prevent damage on a chip active surface caused by fine dust by completely packing an underfill resin between a chip and a substrate even if the height of a gold stud bump reduces in accordance with a narrow pitch processing of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップの狭ピッチ化に伴い金スタッドバンプの高さが減少しても、チップ−基板間へアンダーフィル樹脂を完全充填し、微小塵によるチップアクティブ面の損傷を防止できるフリップチップ接続方法を提供する。 - 特許庁

The method for processing the bipolar junction transistor comprises the steps of forming at least three layers on a semiconductor substrate, sequentially forming an embedding collector region for the BJT and a source region for the MOSFET, and then forming two windows or trenches on the layer.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも３つの層を形成し、ＢＪＴ用の埋め込みコレクタ領域およびＭＯＳＦＥＴ用のソース領域を順番に形成した後、この層に２つのウインドウまたはトレンチを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate 3, a plurality of first modified regions 60a are formed by focusing a condensing point F at a prescribed position between a backside 3b and the signal processing circuit section 9 and applying laser beams La.例文帳に追加

半導体基板３には、裏面３ｂと信号処理回路部９との間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって第１の改質領域６０ａが複数形成されている。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device allowing observation by an electron microscope to be rapidly carried out by correctly detecting a foreign substance in a film without causing LMIS pollution; a sample processing method; and a semiconductor inspection device.例文帳に追加

ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

The mold for imprint-processing 12 is composed by covering the mold with perfluoropolyether 11 having a functional group chemically reacted with the material 10 of the mold, and is used for the pattern formation of a semiconductor device or micro-optical element.例文帳に追加

金型の材料１０と化学的に反応する官能基を有するパーフルオロポリエーテル１１で被覆してなるものであり、半導体素子又は微小光学素子のパターン形成に用いることを特徴とするインプリント加工用モールド１２。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and a substrate manufacturing method, capable of suppressing decomposition of a silicon (Si) source gas in a gas supply nozzle and deposition of Si on a part such as the inner wall of the gas supply nozzle.例文帳に追加

ガス供給ノズル内でのＳｉ原料ガスの分解や、ガス供給ノズルの内壁面等へのＳｉの析出を抑制することが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When wafers from a cassette E are subjected to lithography processing by the system for manufacturing the semiconductor device in an in-line configuration, a first wafer is only passed through a coating device A without being coated, and fed directly to an exposure device B, where optimization alignment operation of the first wafer is carried out.例文帳に追加

カセットＥからのウエハをインライン化した半導体装置の製造システムでリソグラフィ処理する場合、１枚目のウエハは塗布装置Ａを素通りさせ、直接露光装置Ｂに投入し最適化アライメト作業がなされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of preventing a dummy pattern from bending and preventing a part of the dummy pattern from missing even if a mechanical stress is applied to the dummy pattern during CMP processing and the pattern layout method thereof.例文帳に追加

ＣＭＰ処理においてダミーパターンに機械的ストレスが作用しても、ダミーパターンが折れ曲がったり、ダミーパターンの一部が欠落したりすることを抑制できる半導体集積回路およびそのパターンレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for securing a wafer in which the variations in processing accuracy can be reduced among the wafers, with the wafer protected properly against damages, and to provide a process for manufacturing a semiconductor chip of high productivity.例文帳に追加

ウエハ毎に発生し得る加工精度のバラツキを低減することができ、しかもウエハの破損を良好に防止することが可能なウエハの固定方法、ならびに、生産性の高い半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which a trench capacitor and an element separation area can be formed without thickening resist film thickness and increasing a transformation difference in the processing of an element separating groove and the microfabrication of an element and the improvement of characteristics can be served.例文帳に追加

レジスト膜厚を厚くすることなく、且つ素子分離用溝の加工での変換差を大きくすることなく、トレンチキャパシタと素子分離領域を形成することができ、素子の微細化及び特性向上に寄与する。 - 特許庁

To provide a focus ring capable of improving an in-surface uniformity of a surface and reducing the occurrence of deposition on a backside surface of a peripheral portion of a semiconductor wafer compared to a conventional case, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハの周縁部裏面側に対するデポジションの発生を従来に比べて低減することのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist patterning method yielding finer resist patterns than resolution of an exposure apparatus and capable of processing, in a relatively short process, even a multilayer photoresist film (having a plurality of layers), and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

露光装置の解像度に比べて微細なレジストパターンが得られると共に、多層（複数層）のフォトレジスト膜を用いても比較的に短いプロセスで処理できるレジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and its fabricating method, in which a signal processing transistor can be formed without being influenced by the forming conditions of a PIN diode for photoelectric conversion and the characteristics of the transistor can be adjusted easily.例文帳に追加

光電変換用ＰＩＮダイオードの形成条件に影響されることなく、信号処理用のトランジスタを形成することが可能で、トランジスタの特性調整が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus for semiconductor device including an infrared spectroscopic analyser exhibiting small analysis errors for measured values of gas concentration of an exhaust gas exhausted from a gas processing chamber, and a gas concentration analysis method using the apparatus.例文帳に追加

ガス処理チャンバーから排出される排出ガスのガス濃度の測定値に関して、分析誤差が少なくなる赤外分光分析装置含む半導体装置の製造装置及びそれを用いたガス濃度分析方法を提供する。 - 特許庁

A virtual device 150 conducts processing for generating, in a pseudo form, the analog waveform output from the semiconductor device, using a file stored in a file storage part 151 or a function registered in a function registration part 152.例文帳に追加

このとき、仮想デバイス１５０は、ファイル格納部１５１に格納されているファイル、あるいは関数登録部１５２に登録されている関数を用いて、半導体デバイスから出力されるアナログ波形を擬似的に生成する処理を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor disk device that can reliably store data sent by a writing command from a central processing unit and temporarily stored in a buffer, even if driving voltage fails.例文帳に追加

駆動電圧に異常が生じた場合においても、中央処理装置からの書き込み指令に基づき送出され、バッファに一時的に蓄積されている状態のデータを確実に格納することのできる半導体ディスク装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor testing apparatus capable of reducing a processing time for collecting measurement data of all pin electronics cards into a control unit, without increasing the memory area in which the measurement data of the pin electronics cards are stored.例文帳に追加

ピンエレクトロニクスカードの測定データを格納するメモリ領域を増大させることなく制御ユニットに全ピンエレクトロニクスカードの測定データを収集するための処理時間を短縮できる半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

To improve the adhesion and durability of the film stacks during subsequent elevated temperature processing in a method for forming modulated tantalum/tantalum nitride diffusion barrier stacks on semiconductor device substrate used in interconnect structure.例文帳に追加

配線構造に使用される半導体デバイスの基板上に、調節されたタンタル／窒化タンタルの拡散障壁の積み重ねを形成する方法において、後の高温の加工中における膜の積み重ねの付着性及び耐久性を改善する。 - 特許庁

Further, the semiconductor wafer 1 is made thin in the state wherein the dicing tape 4 is stuck on the surface of the insulating layer 3, so grinding swarf in the dicing can be prevented from sticking on the insulating resin layer 3 without requiring any special processing.例文帳に追加

また、絶縁性樹脂層３の表面にダイシングテープ４を貼り付けた状態で半導体ウエハ１の薄化を行うので、特別な処理を要せずにダイシング時の研削屑が絶縁性樹脂層３に付着することを防止できる。 - 特許庁

A judging device 32 judges whether the manufacture of the semiconductor device is carried on or quit, or whether corrections are made from the computed yield value, and changes processing parameters of the manufacturing device when it is judged that corrections are to be made.例文帳に追加

判断装置３２は、演算された歩留まり値に基づき、半導体装置の製造を続行するか、終了するか、修正するかを判断し、修正するものと判断された場合、製造装置の処理パラメータを変更する。 - 特許庁

To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加

ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にＣｕ配線を形成するＣＭＰ処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature heightening/lowering unit and a temperature heightening/lowering test handler, that increase or decrease temperatures of a large amount of semiconductor devices at a time, and achieve a high-speed processing as the whole system.例文帳に追加

高温テスト及び低温テストを実施するハンドラにおいて、一度に大量の半導体装置の高温化又は低温化を可能とし、装置全体としての高速処理を実現した高低温化ユニット及び高低温化テストハンドラを提供する。 - 特許庁