「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor apparatus applicable to a real time system for preventing missing of stored data during power interruption, preventing the occurrence of a through-current during power restoration and wherein high speed processing and low power consumption are realized by steeply raising power.例文帳に追加

電源遮断時の保持データの消滅を防止し、また電源復帰時の貫通電流を防止し、急峻に電源を立ち上げることで、高速化と低消費電力化を図った、リアルタイムシステムに適用可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To perform film deposition processing with high in-plane uniformity in an ALD in which a plurality of semiconductor wafers are arranged along the circumferential direction of a table in a vacuum chamber and two reactant gases are sequentially supplied to the surface of the substrates for film deposition.例文帳に追加

真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the increase of a mounting area is suppressed and a functional block with insufficient processing speed and a functional block comprising a logic circuit can be relieved, the increase of the power consumption of which is suppressed, and in which a power supply can be easily designed.例文帳に追加

実装面積の増大を抑制し、処理速度不足の機能ブロックやロジック回路からなる機能ブロックも救済でき、消費電力の増大を抑えて電源設計を容易にすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a coating processing device capable of recovering a coating liquid excessively supplied, for example, at the time of forming a coating film using the coating liquid such as a resist liquid on the surface of a glass substrate for liquid crystal display or a substrate such as a semiconductor wafer.例文帳に追加

例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板や半導体ウエハ等の基板の表面にレジスト液等の塗布液を用いて塗布膜を形成する際、余剰に供給された塗布液の回収を可能とする塗布処理装置を提供する。 - 特許庁

Thus, this structure can prevent the intrusion of the water contents and impurities to the fuse part 3a with no blowing processing applied thereto and suppress the occurrence of defects such as corrosion thereby improving the long-term reliability of the semiconductor circuit device.例文帳に追加

これにより、切断処理がなされなかったヒューズ部３ａへの、水分や不純物の浸透を防ぎ、腐食等の不具合が発生することを抑制することができ、半導体回路装置の長期信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a semiconductor substrate which allows a stable processing and does not require changes in the manufacturing conditions in each step by minimizing a change in the adhesiveness of the tape by the storage condition and the time, does not cause soiling of the back side of a chip and reduces chipping of the chip in dicing and improves the yield for a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板加工用粘着テープにおいてその保管条件、経過時間に伴う粘着特性の変化を極力少なくし、各工程において製造条件の変更などを伴わず、安定した加工が可能であり、また、粘着剤とフィルム基材との密着性を上げることによりチップの裏面汚染をなくすとともにダイシング時のチップの欠けを減らすことが可能であり、半導体基板製造工程における歩留まりが向上する半導体基板加工用粘着テープを提供すること。 - 特許庁

To provide a defect inspection device and its method capable of executing inspection by discriminating an adhering foreign matter from scratches having various shapes generated on the surface when abrading or grinding such as CMP or the like is applied to a processing object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor manufacture or magnetic head manufacture.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

To achieve electrical information processing and signal transmission at an ultra high speed as fast as the switching speed of an inverter on a chip of the semiconductor integrated circuit, in a semiconductor integrated circuit and a printed wiring board; and to suppress generation and leakage of an unnecessary electromagnetic wave caused by the switching operation of an on-chip inverter and entry of the unnecessary radiowave into the on-chip inverter.例文帳に追加

この発明は、半導体集積回路および印刷配線基板において、半導体集積回路のチップ上のインバータのスイッチング速度に匹敵する電気による超高速での情報処理や信号伝送を可能とするとともに、オンチップインバータのスイッチング動作に近する不要電磁波の発生と漏洩、オンチップインバータへの不要電磁波の侵入を抑圧する。 - 特許庁

A device for processing an optical signal is made up of a Raman waveguide 11 which functions as a semiconductor Raman amplifier; a semiconductor laser diode 4 which serves as a pumping light source for exciting the Raman waveguide 11; an optical circulator 8; and a photoelectric conversion circuit 6 for exclusively extracting a synchronously amplified optical pulse signal of a desired channel, as an electric pulse signal from an output optical pulse signal of the Raman waveguide 11.例文帳に追加

半導体ラマン増幅器として機能するラマン導波路１１、このラマン導波路１１を励起するポンプ光源としての半導体レーザダイオード４、光サーキュレータ８、及び、ラマン導波路１１の出力光パルス信号から同期増幅された所望のチャンネルの光パルス信号のみを電気信号パルスとして取り出す光電変換回路６から構成されている。 - 特許庁

To provide a composition for a thermosetting silicone resin capable of forming a semi-cured state that permits sealing processing of an optical semiconductor element while suppressing generation of a hydrogen gas as an inflammable gas and suppressing thickening or gelation, a silicone resin sheet which is a semi-cured product of the composition, a resin cured product obtained by further curing the sheet, and an optical semiconductor device sealed with the sheet.例文帳に追加

可燃性ガスである水素ガスの発生を抑制し、増粘やゲル化を抑制できる、光半導体素子の封止加工が可能な半硬化状態を形成できる熱硬化性シリコーン樹脂用組成物、該組成物の半硬化物であるシリコーン樹脂シート、該シートをさらに硬化させた樹脂硬化物、及び該シートにより封止されている光半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A technique of processing a high-quality organic field effect device comprises steps of: depositing from a solution an organic semiconductor layer 3; and depositing from a solution a layer 2 of low permittivity insulating material forming at least a part of a gate insulator, such that the low permittivity insulating material is in contact with the organic semiconductor layer 3, in which the low permittivity insulating material is of relative permittivity from 1.1 to below 3.0.例文帳に追加

溶液から有機半導体層３を堆積させる工程、および、溶液から低誘電率絶縁材料の層２を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層３と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する工程を含み、上記低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．１から３．０未満とする。 - 特許庁

This absorption spectrometric apparatus for the semiconductor manufacturing process includes: a channel switching mechanism 50 connected to an exhaust channel of a processing chamber 39 in the semiconductor manufacturing process; and an absorption spectrometric apparatus 51 for multiple reflection type moisture concentration measurement for detecting an absorbance change caused by gas by multiple reflection in the cell of laser light from a laser light source, and measuring the moisture concentration in process gas.例文帳に追加

半導体製造プロセス用吸光分析装置は、半導体製造プロセスの処理チャンバ３９の排気流路に接続された流路切換え機構５０と、レーザ光源からのレーザ光をセル内で多重反射させてガスによる吸光度変化を検出してプロセスガス中の水分濃度を測定する多重反射型水分濃度計測用吸光分析計５１とを備えている。 - 特許庁

A thermal reaction chamber for semiconductor wafer processing operations comprises: a susceptor 36 for supporting a semiconductor wafer 38 within the chamber 32, provided with a plurality of via holes 68 formed vertically therethrough; a displacing means 34 for displacing the susceptor vertically between a first and a second position; and a plurality of wafer support elements 66, each of which is suspended to be vertically moveable within said holes 68.例文帳に追加

半導体ウエハ処理操作の為の熱反応チャンバであって、チャンバ３２内には半導体ウエハ３８を支持し、垂直に形成された複数の貫通孔６８を有するサセプタ３６と、このサセプタを第１と第２の位置間で垂直に変位させる変位手段３４と、複数のウエハ支持要素６６があって、各々が前記孔６８内で垂直に移動自在に吊り下げられている。 - 特許庁

In a semiconductor device having a heat resistant resin film formed on a semiconductor element and an epoxy based resin compound formed thereon, surface of the heat resistant resin film on which the epoxy based resin compound is formed is subjected to plasma processing by using nitrogen atom containing gas which contains at least one kind of nitrogen, ammonia and hydrazine.例文帳に追加

半導体素子上に形成する耐熱性樹脂膜とその上に積層するエポキシ系樹脂化合物層とを有する半導体装置において、エポキシ系樹脂化合物層を積層する耐熱性樹脂膜の表面を、窒素、アンモニア、ヒドラジンの少なくとも１種を含有する窒素原子含有ガスを用いてプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar battery element having a diffusion layer 2 and an anti-reflection layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 removes a damage layer 11 by performing chemical treatment after forming on the semiconductor layer 1 the damage layer 11 penetrating the anti-reflection layer 3 by performing physical processing above the anti-reflection film 3.例文帳に追加

半導体基板１の表面に、拡散層２と反射防止膜３を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜３上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板１に前記反射防止膜３を貫通したダメージ層１１を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層１１を除去することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for designing semiconductor integrated circuits in which more realistic process variations can be taken into account when designed, increased performance and design convergence of a semiconductor integrated circuit can be provided without setting design margins that are more than needed, enhanced quality can be expected through the securement of necessary margins, simple calculations, and high-speed processing are attained.例文帳に追加

設計時に、より現実的なプロセスばらつきを考慮でき、必要以上の設計マージンを設定することなく、半導体集積回路の性能向上や設計収束性が期待でき、また必要なマージンの確保によって品質向上も期待できるとともに、計算が簡単で高速処理が可能な設計方法および半導体集積回路の設計装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate-processing apparatus has a rotary member that rotates around a rotation axis and a plurality of holding members which are arranged along a circle having a center corresponding to the rotation axis of the rotary member and which rotate along with the rotary member, wherein the holding members each has a washing unit for washing a semiconductor substrate held by a rotary holding apparatus that rotates around an axial center of the holding member.例文帳に追加

回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive sheet scarcely generates filamentous cut scraps, has good expand balance in MD (machine direction) and TD (trans direction) in expanding at room temperature, and causes little transfer of the adhesive agent to the adhesive layer-pasting surface of a semiconductor chip and, accordingly, the sheet is suitable as a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer and forming an electronic part.例文帳に追加

本発明の粘着シートは、細糸状の切削屑が生じにくく、室温でエキスパンドする際に、ＭＤ（マシン・ディレクション）とＴＤ（トランス・ディレクション）のエキスパンドバランスに優れ、半導体チップの粘着剤層貼り付け面に粘着剤が移行しにくいという効果を奏するため、半導体ウエハを加工して電子部品とするための粘着シートとして好適に用いられる。 - 特許庁

When an air vent hole 762 for discharging the air in the semiconductor package to the outside during various reflow processing of air in the semiconductor package is formed on a lid adhesive material 760, a method of avoiding to arrange signal traces 712 immediately below the air vent 762 is employed or a conductive surface 770 is formed between the air vent 762 and the signal traces 712, thereby maintaining the impedance of the signal traces substantially constant.例文帳に追加

半導体パッケージ内空気を種々リフロー処理の間、外部に逃がす通気口の孔７６２を蓋接着材７６０に形成する場合、通気口７６２下に信号トレース７１２を配置しないようにする方法や、通気口７６２と信号トレース７１２との間に導電面７７０を形成することにより信号トレースのインピーダンスを実質的に一定に保つ。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device manufactures a semiconductor device, by using a substrate treatment device, having passed through a process of supplying the whole of a reaction gas used in processing a substrate to a reaction vessel for removing an element contained in the cleaning gas supplied, into the reaction vessel, after a process of supplying the cleaning gas into the reaction vessel to clean the inside of the reaction vessel.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 - 特許庁

With a semiconductor package 3 formed with a Hall element 31, a processing circuit, and a connecting terminal 34 to the outside by molding resin material arranged to position the Hall element 31 inside the conductor part 23 of the bus bar 2, the bus bar 2 and semiconductor package 3 are integrally formed by molding resin material to expose both ends of the bus bar 2.例文帳に追加

ホール素子３１と、処理回路と、外部との接続端子３４とが樹脂材料によるモールド成形により形成されてなる半導体パッケージ３が、バスバー２の導体部２３の内部にホール素子３１が位置するように配置された状態で、バスバー２の両端部が露出するように、バスバー２と半導体パッケージ３とが樹脂材料によるモールド成形により一体に形成される。 - 特許庁

To provide a surface-hydrophobizing method having consistency with a processing process after the method, and enabling a surface damage to be repaired more readily and efficiently; to provide a surface-hydrophobizing composition usable for the repair of the surface damage; to provide a semiconductor device including a layer subjected to the surface hydrophobizing treatment; and to provide a method for producing the semiconductor device.例文帳に追加

その後の加工プロセスとの整合性を有し、かつ、表面のダメージをより簡便にかつ効率良く修復する事ができる表面疎水化法、ならびに表面のダメージの修復に使用可能な表面疎水化用組成物、及び前記表面疎水化方法によって、表面疎水化処理が施された層を含む半導体装置及びその製造方法、を提供する。 - 特許庁

The information processing apparatus for the semiconductor manufacturing system comprises an information acquiring means for referring the change of manufacturing condition in the apparatus and referring the change of the measured data acquired by the apparatus, and a database building means for building the database for maintaining and managing the semiconductor manufacturing system, in relation to the change of the referred manufacturing condition and the change of the measured data with each other.例文帳に追加

製造装置における製造条件の変化を参照すると共に、測定装置が取得した測定データの変化を参照する情報取得手段と、前記参照された製造条件の変化と前記測定データの変化とを互いに関連づけて、前記半導体製造システムの保守管理用データベースを構築するデータベース構築手段とを備える。 - 特許庁

This semiconductor element includes: a communication section 101 for communicating with the authentication device; memory 102 storing first memory registering in advance information about user's biological information as biological registration information, second memory registering identification information for identifying a radio communication device, and third memory for storing remaining trial times information showing the failure possible times of biometric authentication processing; and an arithmetic processing section 103 performing the biometric authentication processing.例文帳に追加

半導体素子は、認証装置との間で通信可能な通信部１０１と、利用者の生体情報に関する情報を生体登録情報として予め登録する第１のメモリと、無線通信装置を識別する識別情報を登録する第２のメモリと、生体認証処理の失敗可能回数を示す残り試行回数情報を記憶する第３のメモリを格納するメモリ１０２と、生体認証処理を行う演算処理部１０３とを備える。 - 特許庁

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition which can fix a substrate such as a semiconductor wafer tentatively on a support uniformly at an optional pasting thickness, exhibiting good heat resistance and adhesivity at the time of processing the substrate, can remove the substrate easily from the support after processing and can neatly remove the adhesive adhered on the substrate.例文帳に追加

半導体ウエハーなどの基板を、支持体に任意の貼り合わせ厚みで均一に仮止めすることができる接着剤組成物であって、基板の加工処理時には、良好な耐熱性および接着性を示し、加工処理後には、支持体から基板を容易に剥離することができ、基板に付着した接着剤をきれいに除去することができる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

To avoid the facilities from becoming enormous, when a plurality of types of surface processes are effected by a plasma surface processor, in which a semiconductor substrate such as a silicon wafer, etc., fed into a core chamber is mounted in the surface processor of a plasma processing unit connected to this core chamber via a gate value, and the surface processing is effected by plasma therein.例文帳に追加

コアチャンバー１内に送り込んだシリコンウエハー等の半導体基板８を、このコアチャンバー１にゲート弁３を介して接続したプラズマ処理ユニット２の表面処理室２ａ内に装填して、ここでプラズマによる表面処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備が膨大になることを回避する。 - 特許庁

When it is not determined that the wrong judgment prevention flasher drive conditions are satisfied (when it is determined that low-need flasher drive conditions are satisfied or when it is not determined that low-need flasher drive conditions are satisfied), the control unit 60 executes ZPD processing, and does not execute switching control of the semiconductor switches 52, 54 during execution of the ZPD processing.例文帳に追加

一方、制御ユニット６０は、誤判断防止フラッシャ駆動条件が成立したと判断しなかった場合（低必要性フラッシャ駆動条件が成立したと判断した場合あるいは低必要性フラッシャ駆動条件が成立したと判断しなかった場合）、ＺＰＤ処理を実行し、そのＺＰＤ処理を実行している間、半導体スイッチ５２及び５４の切替制御を実行しない。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing device processing a substrate 3000 by impressing a gas with voltage for making the gas plasmatic, the particles positively charged in a processing chamber 2100 are trapped or induced by an electrode 15, a grid 13 and a cover 3600, etc., supplied with a negative a potential as soon as a cathode voltage supply is stopped so as to prevent the particles from arriving at the substrate 3000.例文帳に追加

ガスに電圧を印加してプラズマ化することで基板３０００を加工する半導体製造装置において、カソード電圧の停止した瞬間に処理室２１００内の正に帯電したパーティクルを負電位を与えた電極１５、グリッド１３、カバー３６００等によって、トラップまたは誘導するなどして、パーティクルが基板３０００上へ到達することをを防止する。 - 特許庁

In communication equipment, a tape drive device, a library device, an auto-loader and a reader, communication processing is made possible and communication impossibility due to disagreement of communication methods is eliminated by switching a communication processing part and an antenna means in accordance with the various communication methods adopted in the semiconductor memory mounted on a tape cassette or other recording medium cassettes.例文帳に追加

通信装置、テープドライブ装置、ライブラリ装置、オートローダー装置、リーダー装置において、テープカセットその他の記録媒体カセットに装備された非接触式半導体メモリに採用されている各種の通信方式に対応して、通信処理部及びアンテナ手段を切り換えて通信処理を行うことができるようにし、通信方式の不一致による通信不能ということを解消する。 - 特許庁

To provide an automatic wiring design method for executing wiring design processing for designing, on a virtual plane, a position of fan-out wire to be led from a bonding pad on a substrate surface of a semiconductor package without clearance error or wasteful wiring space by an arithmetic processor, and a computer program for making a computer execute the wiring design processing.例文帳に追加

半導体パッケージの基板面上においてボンディングパッドから引き出されるファンアウト配線の位置を基板面上に相当する仮想平面上においてクリアランスエラーや無駄な配線スペースが生じないよう設計する配線設計処理を、演算処理装置により実行する自動配線設計方法、およびこの配線設計処理コンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムを実現する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device and a substrate processing method which can suppress formation of a water mark in a surface of a substrate to be processed and corrosion of a copper interconnection exposed in a surface of the substrate to be processed when the substrate to be processed such as a semiconductor wafer is subjected to cleaning treatment by cleaning liquid containing hydrofluoro ether.例文帳に追加

半導体ウエハ等の被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいは被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

When an interrupt occurs during the automatic writing or automatic erasure, a microcomputer with a built-in nonvolatile semiconductor memory temporarily stops automatic writing or automatic erasure by using a microcomputer interrupt request signal as an input from the outside equipment which controls the automatic writing and automatic erasure processing of the flash memory, and automatically performs an operation that receives interrupt processing.例文帳に追加

フラッシュメモリの自動書き込み、自動消去処理を制御する外部からの入力としてマイコンの割り込み要求信号を用いることにより、自動書き込みや自動消去中に割り込みが発生すると自動書き込み、自動消去を一時中断し、割り込み処理を受け付けるといった作業を自動で行うことができる不揮発性半導体メモリ内蔵のマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁

The processing tray 12 is provided with a one-side fixing/holding part 13 on its one side to hold at least one semiconductor wafer W, and anther-side fixing/holding part 14 on another side that is engaged with the one-side fixing/holding part 13 of the other processing tray 12 to be segregated from the external environment and to form a housing space for fixing and holding the sheet.例文帳に追加

処理トレイ１２は、その一側面に少なくとも１枚の半導体ウエハＷを保持する一側固定保持部１３を備えると共に他側面に他の処理トレイ１２の上記一側固定保持部１３と互いに嵌合することで外部環境と隔離して上記薄板を固定して保持する収納空間を形成する他側固定保持部１４を備えた。 - 特許庁

To provide a cup-like grinding stone for semiconductor wafer rear surface rough grinding which can enhance the grinding efficiency by improving sharpness without requiring specially complicated manufacturing process and restrain generation of grinding damage which is an obstacle in finishing grinding in a following process, and to provide a suitable grinding processing method that uses rough grinding processing by such a rough grinding cup-like grinding stone.例文帳に追加

特別複雑な製造加工を要することなく、切れ味を向上させることで研削能率を高め、かつ次工程の仕上げ研削での障害になるような研削ダメージの発生を抑制できる半導体ウェーハ裏面粗研削用のカップ型砥石、及びそのような粗研削用カップ型砥石による粗研削加工を利用した好適な研削加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solder bump by reflow processing using a reducing atmosphere and for preventing the outward scattering of solder in small spherical shape by reaction of crushed voids in the molten solder in the reflow processing and preventing the solder from being solidified while including the voids, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device with the solder bump.例文帳に追加

還元性雰囲気を用いたリフロー処理により半田バンプを製造する方法であって、当該リフロー処理において、溶融した半田中のボイドが潰れた反動で小さい球状の半田が外部に飛び散ることを防止し、更に、前記ボイドを内包したまま半田が固化されることを防止する方法及び前記半田バンプを備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor memory 20 has: a memory part 21 having a physical access area 21A storing the boot code of the host system 4 and a logical access area 21B; and a memory controller 22 performing changeover processing between a read/write to the physical access area and a read/write to the logical access area.例文帳に追加

ホストシステム４のブートコードを記憶する物理アクセス領域２１Ａと、論理アクセス領域２１Ｂとを有するメモリ部２１と、物理アクセス領域に対するリードライトと、論理アクセス領域に対するリードライトとの切り替え処理を行うメモリコントローラ２２とを具備する。 - 特許庁

To achieve electrical information processing and signal transmission on a semiconductor LSI chip and a printed wiring board at an ultra high speed as fast as the switching speed of an inverter on the chip, and also to suppress the generation and leakage of an unnecessary electromagnetic.例文帳に追加

この発明は、半導体LSIチップ上およびプリント回路基板上で、半導体LSIチップ上のインバータのスイッチング速度に匹敵する電気による超高速での情報処理や信号伝送を可能とするとともに、不要電磁波の発生と漏洩を抑止する。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus enabling thermal processing depending on a variation in amorphous film thickness to improve uniformity of in-plane crystallinity of a large substrate having a semiconductor thin film, and also to provide a method of manufacturing a thin film employing the same and a thin-film transistor.例文帳に追加

半導体薄膜を有する大型基板の面内結晶性の均一性を高めるため、アモルファス膜厚変動に応じた熱処理が可能なレーザーアニール装置と、これを用いた半導体薄膜の製造方法、および薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

When coded data exist in the data (Y in S22), an encryption program stored in advance in a semiconductor memory is started on the basis of the coded data, and encryption processing is applied to the data stored in the image memory (S23) and thereafter the resulting data are transmitted to a terminal (S24).例文帳に追加

上記データに符号化データが存在する場合には（Ｓ２２のＹ側），符号化データに基づいて，半導体メモリに予め記憶された暗号化プログラムを起動し，画像メモリに記憶したデータに暗号化処理を施した後（Ｓ２３），端末装置へ送信する（Ｓ２４）。 - 特許庁

This semiconductor device has: the RAMs respectively storing data related to the operation setting corresponding to two operational states with the same data structure; and a selector changing over a reference destination of a CPU (Central Processing Unit) to the RAM with a prescribed power supply voltage value as a threshold value.例文帳に追加

半導体装置に、二つの動作状態それぞれに対応する動作設定に関するデータを、それぞれ同じデータ構造で格納したＲＡＭと、所定の電源電圧値を閾値としてＣＰＵのＲＡＭの参照先を切り替えるセレクタとを備える。 - 特許庁

Semiconductor memory holds execution codes of the CPU, data, and display data for a liquid crystal controller, and is used also for temporary storing operating at decoding processing of moving picture data such as MEPG, and is further used for holding the decoded moving picture data.例文帳に追加

半導体メモリがＣＰＵの実行用コードとデータと、液晶コントローラ用の表示データを保持するとともに、ＭＥＰＧなどの動画データの復号化処理をする際の作業用一時記憶として利用され、かつ復号化された動画データを保持するために利用される。 - 特許庁

To provide a wafer holding ring and a method of manufacturing the same in which deterioration in mechanical strength with the fine polishing damages at the processing surface and breakdown due to thermal stress can be prevented, and also to provide a heat treatment method for semiconductor wafer provided with the same wafer holding ring.例文帳に追加

被加工面の微細な研磨傷などによる機械的強度の低下や熱応力による破損を防止したウェハ保持リング及びその製造方法、およびこのウェハ保持リングを備えた半導体ウェハの加熱処理方法を提供することである。 - 特許庁