「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide accurate vibration measurement by simplifying an optical system and a signal processing system to prevent miscount from occurring in a downsized and weight-reduced device for measuring semiconductor laser digital vibration, and to extract the characteristics of vibration.例文帳に追加

光学系及び信号処理系を簡略化し、小型軽量化した半導体レーザデジタル振動計測装置で発生するミスカウントを抑止して正確な振動測定を提供し、かつ振動の特性を抽出することを目的とする。 - 特許庁

To provide a fluid heater capable of suppressing a generation of particles in a route in which a fluid to be heated flows and being used to heat a gas or the fluid in a substrate processing device of a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate.例文帳に追加

被加熱流体が流れる経路中におけるパーティクルの発生を抑えることができ、半導体基板や液晶基板の基板処理装置においてガスや液体を加熱するのに使用することができる装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor integrated circuit device includes a CPU (2) capable of performing operation processing, and a flag configuration register unit (9) capable of forming an interrupt request signal to the CPU based on an oscillation state flag indicating the state of the external oscillator.例文帳に追加

そして、演算処理を実行可能なＣＰＵ（２）と、上記外部発振器の状態を示す発振状態フラグに基づいて上記ＣＰＵに対する割り込み要求信号を形成可能なフラグ設定レジスタ部（９）とを設ける。 - 特許庁

After a step of the CMP process of polishing the formed film on the semiconductor wafer by the polishing cloth, while the slurry containing polishing particles is supplied, a step of hydrophile-processing the surface of the polishing cloth is executed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするＣＭＰ処理工程の後に、研磨布表面を親水性処理する工程を実施する。 - 特許庁

Consequently, even the warp of the object 19 to be processed occurs in the step for forming the glass members 18, the processing is eliminated in the step for removing the insulating film 14, which can manufacture the semiconductor device having a small deformation.例文帳に追加

従って、ガラス部材１８を形成する工程で処理対象物１９に反りが生じたとしても、絶縁膜１４を除去する工程で処理が解消されるので、変形量の小さい半導体装置を製造することができる。 - 特許庁

To provide a memory controller 10 which is highly efficient in the error correcting processing of data stored in a memory part 30 configured of a plurality of memory cells 31 each of which is classified into each block 33 and to provide a semiconductor storage device 2.例文帳に追加

それぞれが、いずれかのブロック３３に分類可能な複数のメモリセル３１から構成されたメモリ部３０に記憶するデータの誤り訂正処理の効率が良いメモリコントローラ１０および半導体記憶装置２を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing deterioration of the surface morphology of an Ni-containing film caused by dependence on an under layer and of forming a continuous film in a thin film region, and to provide a method and an apparatus of processing a substrate.例文帳に追加

Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a conventional vision chip, an SIMD processor for image processing or the like that a relation of trade-off is present between the performance of PE and the number of pixels and thereby it is difficult to provide a more versatile semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

従来のビジョンチップや画像処理用ＳＩＭＤプロセッサ等においては、ＰＥの性能と画素数の間にトレードオフの関係が存在し、より汎用性の高い半導体集積回路装置の提供を困難にさせている。 - 特許庁

After a Ti film 6 is formed on the semiconductor wafer 1, a first film-forming gas containing TiCl4 and NH3 as a main component is introduced into a processing chamber, a first TiN film 7 is formed on the Ti film by a thermal CVD method.例文帳に追加

半導体ウェハ１上にＴｉ膜６を成膜した後、処理チャンバ内にＴｉＣｌ_4とＮＨ_3を主成分とする第１の成膜ガスを導入し、Ｔｉ膜上に第１のＴｉＮ膜７を熱ＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

Then, the laser output from a semiconductor laser light source is determined based on the determined resist sensitivity and the rotational speed of the wafer due to a wafer rotating unit is determined, and the periphery portion exposure processing is executed according to the determined values thereof.例文帳に追加

その後、判定されたレジスト感度に基づいて、半導体レーザ光源からのレーザ出力が決定されるとともに、ウェハ回転部によるウェハ回転速度が決定され、その決定値に従って周縁部露光処理が実行される。 - 特許庁

To provide a high speed semiconductor integrated circuit which is applied to a variety of field effect transistors, can form a general integrated circuit or a specified electric circuit and has wide application area, and a method for improving the processing speed of the circuit.例文帳に追加

種々の電界効果トランジスタに適用して、一体的な集積回路或いは特定の電気回路を形成でき、広い応用範囲を有する高速半導体集積回路及び回路の処理速度を高める方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device capable of effectively removing the roughness of the surface on the fringe of a substrate and films which stick to the fringe and contaminate the substrate in the process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程などにおいて、基板の周縁部等に発生する表面荒れや基板の周縁部等に付着し汚染源となる膜を効果的に除去することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing tool which can remove processing strain existing in backside of a semiconductor wafer by polishing it highly effectively with high polishing quality without generating substances to be disposed as industrial waste in large quantities.例文帳に追加

産業廃棄物として処理すべき物質を大量に生成せしめることなく、半導体ウエーハの裏面を高効率及び高研磨品質で研磨し、そこに存在していた加工歪を除去することができる研磨工具を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system for changing bus width of a bus connected to a memory cell in a nonvolatile semiconductor memory device dynamically in accordance with an operation mode from a controller, to improve data processing performance while reducing current consumption.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置内のメモリセルに接続されるバスのバス幅を、コントローラから動作モードに応じて動的に切り替えることを可能にして、データ処理性能を向上し消費電流を低減するメモリシステム。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device in a structure for enabling wiring along the flow of signal processing without requiring any bypass wiring and routing wiring even in horizontal or vertical wiring.例文帳に追加

左右方向及び上下方向のいずれに配線する場合であっても迂回配線や引き回し配線を行うことなく、信号処理の流れに沿って配線を行なうことが可能な構造の半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁

A holding section 7 for holding a semiconductor wafer in executing heating processing by irradiation of flash light from above is configured by mounting a quartz susceptor 72 on a metallic hot plate 71 having a built-in resistance heating wire 76 as a heater.例文帳に追加

上方からフラッシュ光を照射して加熱処理を行うときに半導体ウェハーを保持する保持部７はヒータたる抵抗加熱線７６を内蔵する金属製のホットプレート７１の上に石英のサセプタ７２を載置して構成される。 - 特許庁

To lower the production cost of semiconductor devices by increasing in use of dummy substrates and controlling scattering of fragments of breakage at the time of substrate processing such as cleaning using a drum type rotating cleaning system.例文帳に追加

ドラム式回転洗浄装置を用いた洗浄等の基板処理の際において、ダミー基板の使用回数を増加させると共に破損した場合の破片の飛散を抑制することにより、半導体装置の製造コストを低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit that enhances a degree of freedom of waveform generation in pulse waveform generation without the need for increasing a circuit scale, lightens a processing load on a CPU even in a periodic modulation operation and causes no response delay.例文帳に追加

回路規模を増大させることなく、パルス波形生成における波形生成の自由度を向上でき、さらに周期変調動作でもＣＰＵの処理負荷が軽く、レスポンスが遅くならない半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which shortens the download time when data are downloaded from an external memory to an on-chip RAM and never lowers the throughput of a central arithmetic processing unit during the downloading.例文帳に追加

外部メモリからオンチップＲＡＭ上にデータをダウンロードする場合に、ダウンロード時間を短くするとともに、ダウンロード中に中央演算処理ユニットの処理能力を低下させない半導体集積回路装置を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device which has the mesa structure formed by the dry etching includes a stage (A) of plasma-processing a surface exposed by the dry etching in an atmosphere including nitrogen plasma.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory provided with a detecting circuit which can obtain a result by processing for a short time, and which can detect at high speed not only that all verified read-out results are valid or not, but the number of fail.例文帳に追加

短時間の処理で結果が得られ、且つベリファイ読み出し結果が全部パスしたかどうかだけでなく、フェイル数を高速に検出できる検知回路を備えた半導体記憶装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a substrate processing method for forming an opening, which is used for imprinting on etching objective film, on a mask film or an intermediate film while allowing the size of the opening satisfy a requirement for miniaturization of a semiconductor device with respect to a substrate to be processed.例文帳に追加

処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁

A detection time of a γ-ray is determined in a γ-ray signal processing part 60', based on a γ-ray detection signal output from a semiconductor radiation detector for detecting the γ-ray, and energy of the γ-ray is determined therein.例文帳に追加

γ線を検出する半導体放射線検出器から出力されるγ線検出信号に基づいて、γ線信号処理部６０’でγ線の検出時刻を決定すると共に、γ線のエネルギを決定する。 - 特許庁

The optical processing device has an optical input area, an active area 13 formed of a semiconductor, an optical output area, and electrode means 17 and 18 which can control the carrier distribution or electric field distribution of the active area 13.例文帳に追加

光プロセシングデバイスは、光入力領域、半導体から成る活性領域１３、光出力領域および活性領域１３のキャリア分布あるいは電界分布を制御することが可能な電極手段１７、１８を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a resist underlay film from the above composition for forming a resist underlay film on a substrate; forming a resist film thereon; forming a resist pattern by exposure and development; etching the underlay film through the resist pattern; and processing the semiconductor substrate through the patterned underlay film.例文帳に追加

基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、露光と現像によりレジストパタ−ンを形成する工程、レジストパタ−ンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパタ−ン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To largely shorten a delay optimization processing time regarding a delay optimizing method of a semiconductor integrated circuit optimizing delay of passes among flip-flops so that passes among flip-flops in the semiconductor integrated circuit designed with a scan pass method do not violate hold in both of a normal motion mode and a test operation mode.例文帳に追加

スキャンパス方式で設計した半導体集積回路内のフリップフロップ間のパスが通常動作モードおよびテスト動作モードの両モードにおいてホールド違反とならないようにフリップフロップ間のパスの遅延を最適化する半導体集積回路の遅延最適化方法に関し、遅延最適化処理時間の大幅な短縮化を図ることができるようにする。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.例文帳に追加

半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is manufactured by giving a process S1 for measuring characteristics of the semiconductor integrated circuit, a process S2 for distributing them for a plurality of purposes based on the result of measurement S1, and a process S5 for performing work or processing on at least one or more purposes in a plurality of purposes for adapting them to the purposes.例文帳に追加

半導体集積回路の特性を測定する工程Ｓ１と、この測定Ｓ１の結果に基づいて、複数の用途に振り分ける工程Ｓ２と、これら複数の用途のうち、少なくとも１つ以上の用途について、その用途に適合させるために、加工もしくは処理を行う工程Ｓ５とを有して半導体集積回路の製造を行う。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

The degasification processing is performed by performing heat treatment on the semiconductor wafer 21 under a predetermined condition and a time condition, under an atmosphere where a nitrogen concentration is increased, for example, and in a state of facing the top face side (device surface side) of the semiconductor wafer 21, on which wiring 15, an external connection electrode 16 and the like are formed, downward (reversed).例文帳に追加

脱ガス処理は、例えば、窒素濃度を高くした雰囲気下で、かつ、配線１５や外部接続用電極１６などが形成された半導体ウエハ２１の上面側（デバイス面側）を下方に向けた状態（裏返した状態）で、半導体ウエハ２１を所定の温度条件及び時間条件で加熱処理することにより行われる。 - 特許庁

To provide a substrate for semiconductor devices, which is used for manufacturing a thin-type semiconductor device subjected to back grinding machining and back CMP processing, and in which adequate backgrinding is performed, a grinding speed is increased, and the efficiency of a productivity is improved.例文帳に追加

裏面研削加工および裏面ＣＭＰ処理が施されて製造される薄型半導体デバイスに用いられる半導体デバイス用基板であって、裏面研削を過不足なく行うことが可能であるとともに、研削加工の高速化を図ることができて、生産効率を向上させることができる半導体デバイス用基板を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which even when a crystal defect included in a polysilicon film is electrically and substantially inactivated, processing temperature is not limited in subsequent processes, and an excellent interface can be formed between an active layer and a gate insulating layer, and to provide a semiconductor device and an electrooptical device.例文帳に追加

、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

Further, while using the patterned photo resist 14 as a mask, the reflection prevention film 13 and polymer layer 12 are etched under such a condition that the etching speed of the polymer layer 12 is higher than that of the reflection prevention film 13 and more higher than that of the semiconductor substrate 11, so that a mask for processing the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

続いて、パターニングされたフォトレジスト１４をマスクとして、ポリマー層１２のエッチング速度が反射防止膜１３のエッチング速度よりも速く、半導体基板１１のエッチング速度よりもさらに速くなる条件で、反射防止膜１３及びポリマー層１２をエッチングし、半導体基板１１に処理を施す際のマスクを形成する。 - 特許庁

A BIOS 3 reads the characteristic dispersion information stored on the ROM 5 when it is started, finds the optimal value of the buffer capability of each of semiconductor memories on the basis of that characteristic dispersion information and performs setting processing for suitably controlling the buffer capability of each of semiconductor memories via a local bus to a memory controller 4.例文帳に追加

ＢＩＯＳ３は、起動された際にＲＯＭ５に記憶されている特性ばらつき情報を読み込み、その特性ばらつき情報に基づいて、各半導体メモリのバッファ能力の最適値を求め、各半導体メモリのバッファ能力を適度に調整するための設定処理をローカルバスを通じてメモリコントローラ４に対して行う。 - 特許庁

To provide a sheet type adhesive having excellent adhesive force between a semiconductor chip and a lead frame, a package board or the like, and capturing ionic impurities in an adhesive layer, to provide a tape for processing a wafer, the tape produced by using the sheet type adhesive, and to provide a semiconductor device manufactured by using the sheet type adhesive.例文帳に追加

半導体チップとリードフレームやパッケージ基板等との間の接着力に優れ、かつ、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤、及び、該シート状接着剤を用いて作製したウエハ加工用テープ、並びに、該シート状接着剤を用いて作製された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, which has high storage stability under various kinds of environments; capability of preventing an adherend from contamination even after use; and excellent followability to a level difference formed by a circuit pattern and also great stability of a floating amount over time when attached on a surface where the circuit pattern of the semiconductor wafer is formed.例文帳に追加

種々の環境下における保存安定性に優れ、使用後においても、被着体に対する汚染を防止することができ、また、半導体ウエハの回路パターン形成面に貼り合せた際に、回路パターンが形成する段差への追従性が優れており、かつ経時での浮き量安定性に優れた半導体ウエハ加工用粘着シートを提供する。 - 特許庁

When it is determined that wrong judgment prevention flasher drive conditions are satisfied regardless of whether stopper position detection operation execution conditions are satisfied or not, a control unit 60 performs switching control of on/off of semiconductor switches 52, 54, and does not execute ZPD processing while performing the switching control of on/off of the semiconductor switches 52, 54.例文帳に追加

制御ユニット６０は、ストッパ位置検出動作実行条件の成立・不成立にかかわらず、誤判断防止フラッシャ駆動条件が成立したと判断した場合には、半導体スイッチ５２及び５４のオンオフを切替制御し、これら半導体スイッチ５２及び５４のオンオフを切替制御している間、ＺＰＤ処理を実行しない。 - 特許庁

To provide a novel heat resistant resin used preferably for a substrate for dust removal in a substrate-processing apparatus such as for a semiconductor device which excels in performances of transportability and a vacuum-reaching time, and dust removal properties, and usable under a condition possibly involving the generation of serious disadvantages due to silicone contamination such as for HDD application and some semiconductor applications.例文帳に追加

搬送性、真空到達時間などの性能とともに、除塵性に優れた、半導体装置などの基板処理装置内の除塵用基板に好適に使用され、ＨＤＤ用途や一部半導体用途などシリコーンの汚染により重大な障害が発生し得る状況下においても使用可能な新規な耐熱性樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal and a method for producing the same for preventing the occurrence of a crack when growing a GaN single crystal, when processing the grown GaN single crystal into a substrate and the like, and when forming at least a single semiconductor layer on the substrate-like GaN single crystal to produce a semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate, a substrate holding apparatus, an analysis apparatus, a program, a detection system, a semiconductor device, a display apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus, which can detect or analyze information regarding the temperature of a substrate that can be used in an environment where the substrate has a high temperature and prevent decrease in the flexibility in the processing work of the substrate.例文帳に追加

基板の温度といった情報を検出または解析する基板、基板保持装置、解析装置、プログラム、検出システム、半導体デバイス、表示装置、および半導体製造装置であって、基板が高温になる環境でも用いることができ、かつ、この基板に対する加工作業の自由度の低下を防止できるものを提供する。 - 特許庁

A signal processing LSI is disposed at the center of the principal plane of a semiconductor substrate, and an input/output section for transmitting and receiving optical wavelength divided and multiplexed light is mounted in the form of MCM in the periphery of the principal plane of the semiconductor substrate, to be integrated into a single package, reducing the wire length and expanding physical signal band of a connection wire.例文帳に追加

信号処理ＬＳＩを半導体基板の主表面の中央部内に配置し、その半導体基板主表面の周辺に光波長多重光を送受信する入出力部をマルチチップ実装することにより単一パッケージに集積化し、配線長の低減と接続配線の物理的信号帯域を拡大することができる。 - 特許庁

The present polishing equipment of semiconductor wafer forms a processing chamber which is arranged extendedly in an aperture of head body and in partition from exterior between it and the head body, comprises a roughly circular membrane holding the semiconductor wafer with an inner circumference lower surface, and prepares an air temperature controlling means for controlling a temperature of air directly pressurizing the membrane with air pressure.例文帳に追加

本半導体ウェーハの研磨装置は、ヘッド本体の開口部に張設されてヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成するとともに、内周部下面で半導体ウェーハを保持するほぼ円形のメンブレンとを有し、メンブレンを直接空気圧により加圧する空気の温度を制御する空気温度制御手段を備える。 - 特許庁

In a manufacturing method for a semiconductor device having a device isolating embedded oxide film, after an isolating trench is formed in a silicon semiconductor substrate, the embedded oxide film is embedded using the same plasma CVD apparatus in the isolating trench, by executing successive film formation processings altering processing conditions (deposition/ sputtering ratio) plurality of times.例文帳に追加

素子分離埋め込み酸化膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン半導体基板に分離溝を形成した後に、同一のプラズマＣＶＤ装置を用いて、処理条件（デポジション／スパッタリング比）を変更した複数回の連続した成膜処理を実行することにより、前記分離溝に埋め込み酸化膜を埋設する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor wafer, when manufacturing a semiconductor wafer having a thin film on one main surface of a substrate, a sacrificial layer is provided on the other surface of the substrate before forming the thin film, and processing with an acid or alkali solution is performed, to substantially dissolve and eliminate the sacrificial layer after forming the thin film.例文帳に追加

本発明による半導体ウエハの製造方法は、基板の一方の主面に薄膜を有する半導体ウエハを製造するにあたり、前記薄膜を形成する前に、前記基板の他方の主面に犠牲層を設け、前記薄膜を形成した後に、酸またはアルカリ溶液で処理して前記犠牲層を実質的に溶解・除去することを特徴とする。 - 特許庁

In this semiconductor device production method for executing the processing of a series of manufacturing processes in each lot consisting of the prescribed number of semiconductor substrates, a vacancy Le is formed in the leading lot L1 of plural lots standing by before respective manufacturing processes, and a preferential substrate Wa is successively shifted to the vacancy Le and processed.例文帳に追加

所定の複数枚の半導体基板を１ロットとして、ロット単位で一連の製造工程における処理が行なわれる半導体装置の生産方法において、各製造工程の前に待機しているロットのうちの先頭ロットＬ1 に空席Ｌｅを設け、優先基板Ｗａをこの空席Ｌｅに順次移し替えて処理を行なう。 - 特許庁