「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive tape for semiconductor wafer processing includes at least an adhesive layer for circuit member connection laminated on a base film, and has a width which is ≥3 mm larger, per one side, than the width of the semiconductor wafer on which the adhesive tape is stuck on each side, and is wound in a roll shape to the width.例文帳に追加

基材フィルム上に少なくとも回路部材接続用接着剤層が積層された半導体ウエハ加工用接着テープであって、該接着テープの幅が、該接着テープを貼り付ける半導体ウエハの幅に対して片側あたり３ｍｍ以上大きく、このテープ幅でロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which can be obtained with high yield by optimizing a center line average roughness on a polishing pad surface for CMP and processing pressure at the time of polishing, reducing the total number of defects on the semiconductor substrate surface after polishing, and also reducing the ratio of scratches in the defects.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨パッド表面の中心線平均表面粗さおよび研磨時の加工圧力を適正化し、半導体基板表面の研磨後の総欠陥数を減らしかつ欠陥に占めるスクラッチの割合を低減して、高い歩留まりを得ることが可能な半導体基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor wafer manufactured by a processing method hardly causing warpage, never causing a crack, and achieving a high substrate manufacturing process yield and a high device in-plane yield in forming a mirror wafer from a nitride semiconductor crystal by executing back grinding, outer periphery grinding, and surface grinding/polishing; and to provide a device using the same.例文帳に追加

窒化物半導体結晶から裏面研削、外周研削、表面研削・研磨してミラーウエハーとする際に、反りが少なく、クラックが発生せず、基板作製プロセス歩留まりが高く、デバイス面内歩留まりが高い加工方法によって作製した窒化物系半導体ウエハ−とそれを使ったデバイスを提案する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device 1, a first removing process is started in a gate electrode layer 4A on a semiconductor substrate 2, then, the terminal of the first removing process is detected, and the time of a second removing process of a next stage different in a processing condition from the first removing process is determined based on the terminal time.例文帳に追加

半導体装置１の製造方法において、半導体基板２上のゲート電極層４Ａにおいて第１の除去処理を開始し、この第１の除去処理の終点を検出し、この終点時間に基づき、第１の除去処理に対して処理条件が異なる次段の第２の除去処理の時間を決定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that substantially eliminates an adverse effect caused by the adhesion of unnecessary matter, generated upon effecting laser processing through laser irradiation for removing part of low dielectric film wiring lamination structural part, to the insulating film or the like on the upper surface side of a semiconductor substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部の一部を除去するためのレーザ照射によるレーザ加工を行なったときに発生する不要物が半導体基板の上面側の絶縁膜等に付着することによる悪影響をほとんど皆無とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When substrates such as semiconductor wafers W held in a processing chamber such as an outer chamber 26 are cleaned and processed, the semiconductor wafers W are cleaned with pure water as they are kept rotating at a prescribed rotational speed in an outer chamber 26 in which an atmosphere containing carbon dioxide gas of specific concentration resides.例文帳に追加

外側チャンバ２６等の処理チャンバ内に保持される半導体ウエハＷ等の基板の洗浄処理を行う際に、外側チャンバ２６内に所定濃度の二酸化炭素ガスが存在する雰囲気において、半導体ウエハＷを所定の回転数で回転させながら純水を用いて洗浄する。 - 特許庁

A tendency of inducing wiring failures in a design layout pattern of a semiconductor device by lithography and processing is quantified as a score; whether the design layout pattern is good or not is discriminated by the score; and if the pattern is discriminated as good, a transfer layout pattern transferred from the design layout pattern is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

リソグラフィとプロセスによる半導体装置の設計レイアウトパターンでの配線不良の発生しやすさをスコアとして定量化し、このスコアに基づいて設計レイアウトパターンの良否を判定し、この良否の判定が良であれば設計レイアウトパターンを転写した転写レイアウトパターンを半導体基板上に形成する。 - 特許庁

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma.例文帳に追加

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor element includes a process for forming a substrate consisting of an n-type nitride semiconductor, a process for processing the rear surface side of the substrate, a process for reducing dislocation near the rear surface of the substrate, and a process for forming an n-side electrode on the rear surface of the substrate whose dislocation has been reduced.例文帳に追加

ｎ型の窒化物系半導体からなる基板を形成する工程と、前記基板の裏面側を加工する工程と、前記基板の裏面近傍の転位を低減する工程と、前記転位が低減された前記基板の裏面上にｎ側電極を形成する工程とを窒化物系半導体素子の製造方法が備える。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus suppressing slip-displacement failures of a substrate occurring during heat treatment, the occurrence of flaws on the back surface of the substrate, and manufacturing a high quality of semiconductor device (a device) and a substrate, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device, a manufacturing method of the substrate and a substrate processing method.例文帳に追加

本発明の目的は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method comprises a step of processing irregularities and a movable part of a semiconductor device with a liquid, substituting the liquid with pure water, substituting the pure water with a solvent, involving a sublimable substance in the solvent, evaporating the solvent to deposit the sublimable substance on the semiconductor device surface, and sublimating the sublimable substance to remove it.例文帳に追加

半導体装置の凹凸部や可動部を液体処理し、この液体を純水で置換した後、純水を溶剤で置換し、この溶剤中に昇華性物質を含ませ、溶剤を蒸発して半導体装置の表面に昇華性物質を析出せしめ、この昇華性物質を昇華により除去することからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, in which the adhesiveness is improved, deterioration at the end face part is suppressed, operation current increases extremely little during energization, and the life is significantly improved, when an end face coat film is formed on an edge face of a resonator formed by processing a nitride III-V compound semiconductor.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加工することにより形成される共振器端面に端面コート膜を形成する場合にその密着性を向上させ、端面劣化を抑制し、通電中の動作電流の増加を抑制し、寿命の大幅な向上が可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is such that a bump electrode 6 is formed by plating processing on the top face of the electrode pad 4, below which a semiconductor element and an interconnection are formed, and an insulating layer 3a is formed, at a location where deposition of plating does not occur, such as a scribe line 10 and the edge of a chip for eliminating deposition of plating at these places.例文帳に追加

この発明は、下方に半導体素子や配線が設けられた電極パッド４の上面にメッキ処理でバンプ電極６を設けた半導体装置であって、チップのエッジまたはスクライブライン１０に絶縁層３ａが設けられ、当該箇所にメッキの析出を無くしたことを特徴とする。 - 特許庁

A central processing unit 2 decrypts encrypted IP activation software, develops the software in a semiconductor memory 7, encrypts the serial number stored in the fuse circuit 3 in accordance with an encryption program, and judges whether the serial number is matched with the serial number encrypted beforehand and developed in the semiconductor memory 7.例文帳に追加

中央処理装置２は、暗号化されたＩＰ活性化ソフトウェアを復号化して半導体メモリ７に展開し、暗号化プログラムによってヒューズ回路３に記憶されたシリアルナンバーを暗号化し、該シリアルナンバーと半導体メモリ７に展開された予め暗号化されたシリアルナンバーとが一致するか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing apparatus which can prevent or suppress a material from scattering and contaminating the periphery or backside of a wafer such as ferroelectric material, magnetic material or other material, etc., which deteriorates transistor characteristics in processing the material fixed onto a wafer by an electrostatic chuck mechanism for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造に際して静電チャック機構により固定されるウェハ上の強誘電体、磁性材料、その他トランジスタ特性を劣化させる材料等の加工を行う際に、ウェハ周辺および裏面に材料が飛散、汚染することを防止抑制し得る半導体製造装置を提供する - 特許庁

This method comprises a step of processing a first wafer with two faces and providing at least one semiconductor layer patterned and made plane, on at least one face of these two faces, and a step of connecting a second wafer of monocrystal silicon to the semiconductor layer on the first wafer.例文帳に追加

本方法は、２つの面を有する第１のウェーハを処理し、これらの２つの面の少なくとも一方の上に少なくとも１つのパターン化されて且つ平面化された半導体層を設けるステップと、単結晶シリコンの第２のウェーハを、第１のウェーハ上の半導体層に結合させるステップとを含む。 - 特許庁

The control section 50 calculates the flow volume of the processed gas based on the processed result processing the semiconductor wafer W on the process condition and the gas film thickness-flow volume relational model, controls the flow adjustment portion 21-25, and processes the semiconductor wafer W while changing the flow volume of processed gas into the calculated flow volume of processed gas.例文帳に追加

制御部５０は、プロセス条件で半導体ウエハＷを処理した処理結果と、膜厚流量関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出し、流量調整部２１〜２５を制御して、処理ガスの流量を算出した処理ガスの流量に変更して半導体ウエハＷを処理する。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing a semiconductor device with guaranteed reliability, by preventing corrosion of Cu wiring caused by processing the Cu wiring by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method, and suppressing an increase in a wiring resistance in the semiconductor device having a damascene wiring structure.例文帳に追加

ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing equipment, where a gap is restrained from occurring between a heat block fixed to a temperature detection work and a thermocouple for eliminating the influence of gas interposed between the thermocouple and the thermal block, so as to stably measure the inner temperature of a processing chamber provided inside the semiconductor manufacturing equipment, and a processed product can be improved in quality.例文帳に追加

半導体製造装置に於いて、被温度検出体に固着される熱ブロックと熱電対との間に間隙の発生を抑制し、又熱電対と熱ブロック間に介在する気体の影響を除去し、半導体製造装置の処理室内に於ける安定した温度測定を可能とし、処理品質の向上を図る。 - 特許庁

To obtain a process for producing a semiconductor product in which variation in the pattern dimensions incident to resist regeneration processing can be reduced, finishing dimensions of a transfer pattern can be brought close to target dimensions in a lithography process, and dimensional variation of semiconductor devices is suppressed between lots or within a lot in production.例文帳に追加

半導体製品の製造方法に関し、レジスト再生処理を経ることで生じるパターン寸法変動の低減を可能にし、リソグラフィ工程に於ける転写パターンの完成寸法を本来の目的寸法に近付け，また、ロット間或いはロット内に於ける半導体装置毎の寸法ばらつきを小さくする。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device 1 comprises: a wafer 10 that is a work piece; a front opening unified pod (FOUP) 20 that is a hermetically sealed container and houses the wafer 10; and an equipment front end module (EFEM) 40 transferring the wafer 10 between an etching apparatus 30 serving as a semiconductor processing device and the FOUP 20 in a sealing state.例文帳に追加

半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method which can relieve distortion stress applied to a metal bump and improve mounting reliability while underfill resin between a semiconductor chip and a mounting substrate is made unnecessary, evade damage to a peripheral device or the like containing the mounting substrate in the case or recovery processing, and realize low cost.例文帳に追加

半導体チップと実装基板との間のアンダーフィル樹脂を不要としながらも、金属バンプに働く変形応力を緩和して実装信頼性を向上させ、実装基板を含む周辺デバイス等に対する再生処理時のダメージを回避し、低コストを実現できる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a dicing die bonding tape which can obtain good cutting ability capable of direct die bonding of a dicing tape and a semiconductor element with little whisker cut waste, etc. when the wafer is laminated and diced in a tape for processing the wafer used to process the wafer to manufacture a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は半導体装置を製造するにあたり、ウエハの加工のために使用されるウエハ加工用テープであって、ウエハが貼合されてダイシングされる際のヒゲ状切削屑等が少なく良好な切削性を得ることができるダイシングテープおよび半導体素子のダイレクトダイボンディングを可能とするダイシングダイボンドテープを提供する。 - 特許庁

To provide a tape for wafer processing for improving a pickup success ratio of a semiconductor chip in a pickup process by facilitating removal between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer, and for preventing the break of the thin semiconductor chip when enlarging a pin push-up force or a push-up height.例文帳に追加

粘着剤層と接着剤層との間の剥離を容易にすることで、ピックアップ工程における半導体チップのピックアップ成功率を向上させるとともに、ピンの突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることによる薄い半導体チップの破損を防止することが可能なウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

A baking unit equipped with a hot plate 2 which heats a semiconductor wafer, a dummy wafer 7 which recovers sublimates from chemicals applied to a processing target semiconductor wafer 7, and a cleaning unit which cleans the dummy wafer 5 from which sublimates are recovered to recycle it, are provided.例文帳に追加

半導体ウェーハを加熱するホットプレート２を備えたベークユニットと、このベークユニットに交換可能に設けられ処理対象半導体ウェーハ７に塗布された薬液からの昇華物を回収するダミーウェーハ５と、この昇華物を回収したダミーウェーハ５を洗浄して再生するためのクリーニングユニットとを設ける。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

After the divided semiconductor wafer is stuck on the flexible supporting substrate via a double-sided adhesive tape, and the predetermined wafer processing is carried out; the supporting substrate is peeled off along with the double-sided adhesive tape from the semiconductor wafer while maintaining the planarity of the semiconductor wafer and curving the supporting substrate along a roll-shaped guide member.例文帳に追加

両面粘着テープを介して、可撓性を有する支持基板に、分割した半導体ウエハを貼り合わせて所定のウエハ加工を行った後、半導体ウエハの平面性を保持しつつ、ロール状のガイド部材に沿って支持基板を湾曲させながら、半導体ウエハから支持基板を両面粘着テープと共に剥離することを特徴とする半導体ウエハの処理方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the method for processing a semiconductor wafer, by polishing the surface of the semiconductor wafer at a prescribed polishing pressure slidingly with polishing cloth to implement plasma-etching of the polished surface, polishing is carried out with a polishing pressure at a peripheral part of the semiconductor wafer smaller than that at the central part, whereby the peripheral part is raised and only the peripheral part is subjected to plasma etching.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

The inspection device for inspecting a plurality of semiconductor elements by using parallel processing through being connected to them, respectively, comprises a drive circuit for outputting a drive signal to the semiconductor elements; a correlated double sampling circuits for eliminating the noise of the image signals outputted from the semiconductor elements; and a serial processing circuit for converting the signals outputted from the respective correlation double sampling circuits into a single serial signal.例文帳に追加

本発明は、複数の半導体素子を並列処理によって検査する半導体素子の検査装置であって、検査の対象となる複数の半導体素子のそれぞれに接続され、半導体素子に駆動信号を出力する駆動回路と、半導体素子のそれぞれに接続され、該半導体素子から出力される画像信号のノイズを除去する相関２重サンプリング回路とを備え、相関２重サンプリング回路のそれぞれから出力される出力信号を一つのシリアル信号に変換するシリアル処理回路が設けられている。 - 特許庁

Since the configuration of discriminating the propriety taking the tolerable error into account is provided in inside the semiconductor device is this way, the propriety discrimination processing conventionally complicated can be simplified and the test time and the cost can be reduced.例文帳に追加

このように、許容誤差を考慮した良否判定を行う構成を装置内部に備えたことにより、従来複雑だった良否判定処理を簡素化し、テスト時間及びコストを低減することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor production system in which process gas flow can be controlled such that a sufficiently good temperature uniformity can be realized in the plane of a wafer loaded in a processing container.例文帳に追加

本発明は、処理容器内に装填したウェーハ面内の十分に良好な温度均一性が実現されるようにプロセスガスの流れを制御することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The mechanical movable component 150 is configured as a resonator, and the semiconductor element 111 configures a circuit for driving the resonator 150 and/or a circuit for processing an electric signal to be acquired from the resonator 150.例文帳に追加

前記機械的可動部品１５０が共振子であり、前記半導体素子１１１が前記共振子１５０を駆動する回路及び／又は前記共振子１５０から得られる電気信号を処理する回路を構成する。 - 特許庁

Then, in condition that the processing container 10c is shut off with a shutter 10h, the water at the surface of the semiconductor substrate wafer 100 is washed off by the steam of chemicals for drying in high concentration, for example, IPA steam 25.例文帳に追加

その後、処理槽１０ｃをシャッター１０ｈで遮断した状態で高濃度の乾燥用薬液の蒸気、例えばＩＰＡ蒸気２５により半導体基板ウェハ１００の表面の水を洗い落とす。 - 特許庁

To provide a system for processing radiation detection capable of highly accurate window analysis through the use of a radiation detector constituted of a plurality of semiconductor cells and the use of both a pulse computation mode and an integration mode jointly.例文帳に追加

本発明は、複数の半導体セルで構成された放射線検出器を用い、パルス計測モードと積分モードを併用して高精度のウインドウ解析が可能な放射線検出処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that gives consideration to a moisture absorption amount of a low dielectric constant film and a desorption amount of an absorbent material so that uniform processing may be done while reducing a difference from pattern to pattern in low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜でのパターン差を低減して均一な加工を行なうため、低誘電率膜の吸湿量と吸湿物質の脱離量を考慮した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the parallel I/F 112 outputs to the DSP 120 a group of register values stored by a register group 13 for storing information about processing of a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor 110 when the image data are not output to the outside.例文帳に追加

さらに、パラレルI/F１１２は、CMOSセンサ１１０の処理に関する情報を記憶するレジスタ群１３が記憶しているレジスタ値群を、画像データを外部に出力していないタイミングで、DSP１２０に出力する。 - 特許庁

To reduce power consumption of an interface control semiconductor integrated circuit having a plurality of protocol processing circuits which process protocols of an AV (audio visual) system and a PC (personal computer) system, etc. regarding data transfer based on IEEE 1394 standard.例文帳に追加

ＩＥＥＥ１３９４規格に準拠したデータ転送に係る、ＡＶ系やＰＣ系などのプロトコルを処理するプロトコル処理回路を複数有するインタフェース制御半導体集積回路の消費電力を低減する。 - 特許庁

The fastener 38 of a captured type capable of attaching a lamp inside a radiantly heated semiconductor processing reactor, is captured within an eyelet terminal 32 on each end of the lamp, thereby rotatably securing the fastener 38 to the lamp.例文帳に追加

放射加熱された半導体加工リアクタ内にランプを取り付け得る被捕捉型の締結具３８は、ランプの各端部のハトメ形末端部３２内に捕捉され、これにより、締結具３８が、ランプに回転式に留められる。 - 特許庁

To provide a method and a device for manufacturing a multi-chip module, which is capable of carrying out a processing operation at a high speed and where inter-chip wirings are made micronized, and the circuit patterns of built-in semiconductor chips are aligned and arranged with high accuracy.例文帳に追加

チップ間配線が微細化され、組込む半導体チップの回路パターン位置を高精度に位置調整して配置し、かつ処理速度の速いＭＣＭの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

A level voltage processing unit 26 reads and checks the reception level of receiving channels by the output of a field-strength meter (S meter) properly varying a voltage applied to the semiconductor devices of a band-pass filter 4.例文帳に追加

レベル電圧処理部２６が受信チャネルについて、バンドパスフィルタ４の各半導体素子に印加する電圧を適宜増減変更しながら、電波強度計（Ｓメータ）出力による受信レベルを読み込んで確認する。 - 特許庁

A method of processing a semiconductor wafer segments a wafer, which has at least partially circular peripheral edge, along scribing lines in a lattice shape, and includes a first step and a second step.例文帳に追加

この半導体ウェハの加工方法は、少なくとも一部に円形の外周端縁を有するウェハを、格子状の分断予定ラインに沿って分断するための方法であって、第１工程及び第２工程を含んでいる。 - 特許庁

To provide a lead frame capable of preventing a lead terminal from being extended by applying pressure in bending processing of the lead terminal and of reducing the size of a unit part corresponding to one semiconductor device.例文帳に追加

リード端子の曲げ加工時にリード端子が圧延されるのを防止することができ、かつ、１つの半導体装置に対応した単位部分のサイズの縮小化を図ることができるリードフレームを提供すること。 - 特許庁

To provide a wafer processing unit for manufacturing a semiconductor device capable of improving the uniformity of a treatment process by minimizing a temperature change of a wafer treatment solution supplied onto a wafer rotating by a spin chuck.例文帳に追加

スピンチャックによって回転するウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することで処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。 - 特許庁

In this detector unit 2, a plurality of bonded substrates 20, having respectively a detector substrate 20A, including the semiconductor radiation detector 21 and a signal processing substrate 20B including an integrated circuit, are stored in a casing 30.例文帳に追加

検出器ユニット２は、半導体放射線検出器２１を含む検出器基板２０Ａおよび集積回路を含む信号処理基板２０Ｂを有する複数の結合基板２０を、筺体３０内に笑納する。 - 特許庁