「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive tape for semiconductor wafer processing includes at least an adhesive layer for circuit member connection laminated on a base film, and has a width which is ≥3 mm larger, per one side, than the width of the semiconductor wafer on which the adhesive tape is stuck on each side, and is wound in a roll shape to the width.例文帳に追加

基材フィルム上に少なくとも回路部材接続用接着剤層が積層された半導体ウエハ加工用接着テープであって、該接着テープの幅が、該接着テープを貼り付ける半導体ウエハの幅に対して片側あたり３ｍｍ以上大きく、このテープ幅でロール状に巻かれた半導体ウエハ加工用接着テープ。 - 特許庁

To provide an antistatic adhesive tape for semiconductor processing, which causes little contamination on an adherend and little aging of an adhesive property as well as little influence to a surface of the adherend during dicing or back grinding treatment of a semiconductor component, and which can exhibit antistatic properties after ultraviolet curing even if an adhesive layer is thick.例文帳に追加

被着体の汚染や粘着物性の経時変化が少なくかつ半導体部品のダイシングやバックグラインド処理においても被着体面への影響が少なく、粘着剤層が厚くても紫外線硬化後の帯電防止性能を発現できる帯電防止性半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which can be obtained with high yield by optimizing a center line average roughness on a polishing pad surface for CMP and processing pressure at the time of polishing, reducing the total number of defects on the semiconductor substrate surface after polishing, and also reducing the ratio of scratches in the defects.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨パッド表面の中心線平均表面粗さおよび研磨時の加工圧力を適正化し、半導体基板表面の研磨後の総欠陥数を減らしかつ欠陥に占めるスクラッチの割合を低減して、高い歩留まりを得ることが可能な半導体基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for processing a semiconductor which can effectively crystallize an amorphous silicon laminated on a different type substrate, such as a glass board and can thereby manufacture a semiconductor device which needs a film thickness thicker than a substrate for a TFT, a solar cell, etc.例文帳に追加

ガラス基板等の異種基板上に積層させた非晶質シリコンをより効果的に結晶化させることができ、これによって、ＴＦＴ用基板や太陽電池等のより厚い膜厚を必要とする半導体装置の作製を可能とする半導体加工方法および半導体加工装置の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor element includes a process for forming a substrate consisting of an n-type nitride semiconductor, a process for processing the rear surface side of the substrate, a process for reducing dislocation near the rear surface of the substrate, and a process for forming an n-side electrode on the rear surface of the substrate whose dislocation has been reduced.例文帳に追加

ｎ型の窒化物系半導体からなる基板を形成する工程と、前記基板の裏面側を加工する工程と、前記基板の裏面近傍の転位を低減する工程と、前記転位が低減された前記基板の裏面上にｎ側電極を形成する工程とを窒化物系半導体素子の製造方法が備える。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus suppressing slip-displacement failures of a substrate occurring during heat treatment, the occurrence of flaws on the back surface of the substrate, and manufacturing a high quality of semiconductor device (a device) and a substrate, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device, a manufacturing method of the substrate and a substrate processing method.例文帳に追加

本発明の目的は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method comprises a step of processing irregularities and a movable part of a semiconductor device with a liquid, substituting the liquid with pure water, substituting the pure water with a solvent, involving a sublimable substance in the solvent, evaporating the solvent to deposit the sublimable substance on the semiconductor device surface, and sublimating the sublimable substance to remove it.例文帳に追加

半導体装置の凹凸部や可動部を液体処理し、この液体を純水で置換した後、純水を溶剤で置換し、この溶剤中に昇華性物質を含ませ、溶剤を蒸発して半導体装置の表面に昇華性物質を析出せしめ、この昇華性物質を昇華により除去することからなる。 - 特許庁

A measuring means is provided, which measures within the projection type display system the characteristics of semiconductor light emitting elements 1, 2, 3 constituting its light source; and a processing means is provided, which processes and characterizes the data measured by the measuring means for a judgement on the characteristics or state, or on changes therein, of the semiconductor light emitting elements.例文帳に追加

光源である半導体発光素子１，２，３の素子特性を当該投射型表示装置内部で測定する測定手段と、該測定手段で測定された測定データを処理・判定することにより当該半導体発光素子の特性状況もしくは特性変化を判断する処理手段とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing system for improving the manufacturing yield of a semiconductor by drastically making uniform the thickness distribution of a photoresist film on a wafer, for reducing the deviation of the line width of a pattern, and efficiently suppressing the contamination of the wafer in a housing by dust or the like.例文帳に追加

ウェハ上のフォトレジスト膜の厚さ分布が格段に均一になってパターンの線幅の偏差が減少し、しかも塵埃等によるハウジング内におけるウェハの汚染を効率よく抑制することによって、半導体の製造収率を向上させることができる半導体ウェハプロセッシングシステムを提供すること。 - 特許庁

Disclosed is the method for manufacturing the field-effect semiconductor device which includes a stage of changing the physical or chemical state of the carbon nanotubes by performing plasma processing for the carbon nanotubes when the field-effect semiconductor such as a field-effect transistor 6 using carbon nanotubes for the channel layer 5 is manufactured.例文帳に追加

カーボンナノチューブをチャネル層５に用いた電界効果トランジスタ６等の電界効果半導体装置を製造するに際し、前記カーボンナノチューブに対してプラズマ処理を行うことによって前記カーボンナノチューブの物理的又は化学的状態を変化させる工程を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing apparatus which can prevent or suppress a material from scattering and contaminating the periphery or backside of a wafer such as ferroelectric material, magnetic material or other material, etc., which deteriorates transistor characteristics in processing the material fixed onto a wafer by an electrostatic chuck mechanism for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造に際して静電チャック機構により固定されるウェハ上の強誘電体、磁性材料、その他トランジスタ特性を劣化させる材料等の加工を行う際に、ウェハ周辺および裏面に材料が飛散、汚染することを防止抑制し得る半導体製造装置を提供する - 特許庁

This method comprises a step of processing a first wafer with two faces and providing at least one semiconductor layer patterned and made plane, on at least one face of these two faces, and a step of connecting a second wafer of monocrystal silicon to the semiconductor layer on the first wafer.例文帳に追加

本方法は、２つの面を有する第１のウェーハを処理し、これらの２つの面の少なくとも一方の上に少なくとも１つのパターン化されて且つ平面化された半導体層を設けるステップと、単結晶シリコンの第２のウェーハを、第１のウェーハ上の半導体層に結合させるステップとを含む。 - 特許庁

A central processing unit 2 decrypts encrypted IP activation software, develops the software in a semiconductor memory 7, encrypts the serial number stored in the fuse circuit 3 in accordance with an encryption program, and judges whether the serial number is matched with the serial number encrypted beforehand and developed in the semiconductor memory 7.例文帳に追加

中央処理装置２は、暗号化されたＩＰ活性化ソフトウェアを復号化して半導体メモリ７に展開し、暗号化プログラムによってヒューズ回路３に記憶されたシリアルナンバーを暗号化し、該シリアルナンバーと半導体メモリ７に展開された予め暗号化されたシリアルナンバーとが一致するか否かを判定する。 - 特許庁

The control section 50 calculates the flow volume of the processed gas based on the processed result processing the semiconductor wafer W on the process condition and the gas film thickness-flow volume relational model, controls the flow adjustment portion 21-25, and processes the semiconductor wafer W while changing the flow volume of processed gas into the calculated flow volume of processed gas.例文帳に追加

制御部５０は、プロセス条件で半導体ウエハＷを処理した処理結果と、膜厚流量関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出し、流量調整部２１〜２５を制御して、処理ガスの流量を算出した処理ガスの流量に変更して半導体ウエハＷを処理する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, in which the adhesiveness is improved, deterioration at the end face part is suppressed, operation current increases extremely little during energization, and the life is significantly improved, when an end face coat film is formed on an edge face of a resonator formed by processing a nitride III-V compound semiconductor.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加工することにより形成される共振器端面に端面コート膜を形成する場合にその密着性を向上させ、端面劣化を抑制し、通電中の動作電流の増加を抑制し、寿命の大幅な向上が可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is such that a bump electrode 6 is formed by plating processing on the top face of the electrode pad 4, below which a semiconductor element and an interconnection are formed, and an insulating layer 3a is formed, at a location where deposition of plating does not occur, such as a scribe line 10 and the edge of a chip for eliminating deposition of plating at these places.例文帳に追加

この発明は、下方に半導体素子や配線が設けられた電極パッド４の上面にメッキ処理でバンプ電極６を設けた半導体装置であって、チップのエッジまたはスクライブライン１０に絶縁層３ａが設けられ、当該箇所にメッキの析出を無くしたことを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device 1, a first removing process is started in a gate electrode layer 4A on a semiconductor substrate 2, then, the terminal of the first removing process is detected, and the time of a second removing process of a next stage different in a processing condition from the first removing process is determined based on the terminal time.例文帳に追加

半導体装置１の製造方法において、半導体基板２上のゲート電極層４Ａにおいて第１の除去処理を開始し、この第１の除去処理の終点を検出し、この終点時間に基づき、第１の除去処理に対して処理条件が異なる次段の第２の除去処理の時間を決定する。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing a semiconductor device with guaranteed reliability, by preventing corrosion of Cu wiring caused by processing the Cu wiring by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method, and suppressing an increase in a wiring resistance in the semiconductor device having a damascene wiring structure.例文帳に追加

ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing equipment, where a gap is restrained from occurring between a heat block fixed to a temperature detection work and a thermocouple for eliminating the influence of gas interposed between the thermocouple and the thermal block, so as to stably measure the inner temperature of a processing chamber provided inside the semiconductor manufacturing equipment, and a processed product can be improved in quality.例文帳に追加

半導体製造装置に於いて、被温度検出体に固着される熱ブロックと熱電対との間に間隙の発生を抑制し、又熱電対と熱ブロック間に介在する気体の影響を除去し、半導体製造装置の処理室内に於ける安定した温度測定を可能とし、処理品質の向上を図る。 - 特許庁

To obtain a process for producing a semiconductor product in which variation in the pattern dimensions incident to resist regeneration processing can be reduced, finishing dimensions of a transfer pattern can be brought close to target dimensions in a lithography process, and dimensional variation of semiconductor devices is suppressed between lots or within a lot in production.例文帳に追加

半導体製品の製造方法に関し、レジスト再生処理を経ることで生じるパターン寸法変動の低減を可能にし、リソグラフィ工程に於ける転写パターンの完成寸法を本来の目的寸法に近付け，また、ロット間或いはロット内に於ける半導体装置毎の寸法ばらつきを小さくする。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device 1 comprises: a wafer 10 that is a work piece; a front opening unified pod (FOUP) 20 that is a hermetically sealed container and houses the wafer 10; and an equipment front end module (EFEM) 40 transferring the wafer 10 between an etching apparatus 30 serving as a semiconductor processing device and the FOUP 20 in a sealing state.例文帳に追加

半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method which can relieve distortion stress applied to a metal bump and improve mounting reliability while underfill resin between a semiconductor chip and a mounting substrate is made unnecessary, evade damage to a peripheral device or the like containing the mounting substrate in the case or recovery processing, and realize low cost.例文帳に追加

半導体チップと実装基板との間のアンダーフィル樹脂を不要としながらも、金属バンプに働く変形応力を緩和して実装信頼性を向上させ、実装基板を含む周辺デバイス等に対する再生処理時のダメージを回避し、低コストを実現できる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a dicing die bonding tape which can obtain good cutting ability capable of direct die bonding of a dicing tape and a semiconductor element with little whisker cut waste, etc. when the wafer is laminated and diced in a tape for processing the wafer used to process the wafer to manufacture a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は半導体装置を製造するにあたり、ウエハの加工のために使用されるウエハ加工用テープであって、ウエハが貼合されてダイシングされる際のヒゲ状切削屑等が少なく良好な切削性を得ることができるダイシングテープおよび半導体素子のダイレクトダイボンディングを可能とするダイシングダイボンドテープを提供する。 - 特許庁

To provide a tape for wafer processing for improving a pickup success ratio of a semiconductor chip in a pickup process by facilitating removal between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer, and for preventing the break of the thin semiconductor chip when enlarging a pin push-up force or a push-up height.例文帳に追加

粘着剤層と接着剤層との間の剥離を容易にすることで、ピックアップ工程における半導体チップのピックアップ成功率を向上させるとともに、ピンの突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることによる薄い半導体チップの破損を防止することが可能なウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

A baking unit equipped with a hot plate 2 which heats a semiconductor wafer, a dummy wafer 7 which recovers sublimates from chemicals applied to a processing target semiconductor wafer 7, and a cleaning unit which cleans the dummy wafer 5 from which sublimates are recovered to recycle it, are provided.例文帳に追加

半導体ウェーハを加熱するホットプレート２を備えたベークユニットと、このベークユニットに交換可能に設けられ処理対象半導体ウェーハ７に塗布された薬液からの昇華物を回収するダミーウェーハ５と、この昇華物を回収したダミーウェーハ５を洗浄して再生するためのクリーニングユニットとを設ける。 - 特許庁

In the method for processing a semiconductor wafer, by polishing the surface of the semiconductor wafer at a prescribed polishing pressure slidingly with polishing cloth to implement plasma-etching of the polished surface, polishing is carried out with a polishing pressure at a peripheral part of the semiconductor wafer smaller than that at the central part, whereby the peripheral part is raised and only the peripheral part is subjected to plasma etching.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

After the divided semiconductor wafer is stuck on the flexible supporting substrate via a double-sided adhesive tape, and the predetermined wafer processing is carried out; the supporting substrate is peeled off along with the double-sided adhesive tape from the semiconductor wafer while maintaining the planarity of the semiconductor wafer and curving the supporting substrate along a roll-shaped guide member.例文帳に追加

両面粘着テープを介して、可撓性を有する支持基板に、分割した半導体ウエハを貼り合わせて所定のウエハ加工を行った後、半導体ウエハの平面性を保持しつつ、ロール状のガイド部材に沿って支持基板を湾曲させながら、半導体ウエハから支持基板を両面粘着テープと共に剥離することを特徴とする半導体ウエハの処理方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The inspection device for inspecting a plurality of semiconductor elements by using parallel processing through being connected to them, respectively, comprises a drive circuit for outputting a drive signal to the semiconductor elements; a correlated double sampling circuits for eliminating the noise of the image signals outputted from the semiconductor elements; and a serial processing circuit for converting the signals outputted from the respective correlation double sampling circuits into a single serial signal.例文帳に追加

本発明は、複数の半導体素子を並列処理によって検査する半導体素子の検査装置であって、検査の対象となる複数の半導体素子のそれぞれに接続され、半導体素子に駆動信号を出力する駆動回路と、半導体素子のそれぞれに接続され、該半導体素子から出力される画像信号のノイズを除去する相関２重サンプリング回路とを備え、相関２重サンプリング回路のそれぞれから出力される出力信号を一つのシリアル信号に変換するシリアル処理回路が設けられている。 - 特許庁

To provide a peripheral processing method capable of suppressing metallic contamination generated from a peripheral and caused to a substrate to be processed in the substrate to be processed including an Si substrate, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the method.例文帳に追加

Ｓｉ基板を含む被処理基体において、周縁部から発生する被処理基体への金属汚染を抑制可能な周縁部処理方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

A method and apparatus are provided for filter-processing, injection, and collection of electric charge for semiconductor device and nonvolatile memory device applications, wherein an electric charge injection system includes the conductor-filter system and also includes the conductor-insulator system.例文帳に追加

電荷注入系は前記導体−フィルタ系を含み、前記導体−絶縁体系がさらに設けられる、半導体デバイスおよび不揮発性メモリデバイスのための、電荷のフィルタ処理、注入、捕集の方法および装置。 - 特許庁

An apparatus status monitoring section 102 is connected in series or in parallel within the semiconductor manufacturing apparatus 105 to monitor the input and output status of wafers in a plurality of processing sections forming a wafer carrying path.例文帳に追加

装置状態監視部１０２は、半導体製造装置１０５内で直列または並列に接続され、ウエーハの搬送経路を構成する複数の処理部において、ウエーハの搬入搬出状態を監視する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape that makes it easy to peel between a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer without thrusting a pin up in a step of picking up a semiconductor element with an adhesive layer in the form of an individual piece.例文帳に追加

個片化した接着剤層付き半導体素子をピックアップする工程で、ピンの突き上げによることなく、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をし易くしたウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which writing can be ensured for all memory cells independently of dispersion in property of the memory cells caused by a manufacturing error or the like, also, a writing processing time and power consumption can be reduced.例文帳に追加

製造誤差等によるメモリセルの特性のバラツキによらずに全てのメモリセルに対して書き込みを保証でき、かつ、書き込み処理時間および消費電力を抑制できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A heater 9 of a resistance heating type is provided around the outer periphery of a processing chamber 3 to heat an atmosphere within the chamber 3 and to increase the temperature of the entire semiconductor substrate 1 to a level nearly corresponding to the temperature (HF: 50°C) of the chemical solution.例文帳に追加

処理チャンバー３の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、処理チャンバー３内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度（ＨＦ：５０℃）と同じ５０℃相当にまで上昇させる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device which can reduce degradation in processing profile of a film being processed or roughening of a pattern while exhibiting faithfulness to design, and can be applied even to a dual damascene process.例文帳に追加

本発明は、被加工膜の加工形状の悪化やパターンの荒れを低減し、設計デザインに対し忠実で、且つデュアルダマシン工程等にも適用可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To allow omission of a series of processing such as transmission of writing/reading operation with respect to a fail memory in the case where a semiconductor device to be measured is tested, of which a high speed test for a flash memory, etc. is unnecessary.例文帳に追加

フラッシュメモリなどのように高速の試験を行う必要のない被測定半導体デバイスを試験する場合におけるフェイルメモリへの書込み・読出転送という一連の処理を省略できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that gives consideration to a moisture absorption amount of a low dielectric constant film and a desorption amount of an absorbent material so that uniform processing may be done while reducing a difference from pattern to pattern in low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜でのパターン差を低減して均一な加工を行なうため、低誘電率膜の吸湿量と吸湿物質の脱離量を考慮した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the parallel I/F 112 outputs to the DSP 120 a group of register values stored by a register group 13 for storing information about processing of a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor 110 when the image data are not output to the outside.例文帳に追加

さらに、パラレルI/F１１２は、CMOSセンサ１１０の処理に関する情報を記憶するレジスタ群１３が記憶しているレジスタ値群を、画像データを外部に出力していないタイミングで、DSP１２０に出力する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that prevents a substrate from metal contamination and also end-over-end location of an inner tube, and further prevents deposition of a reaction product, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

基板への金属汚染を抑制するとともに、インナチューブの転倒を抑制し、さらに、反応生成物の固着を防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the configuration of discriminating the propriety taking the tolerable error into account is provided in inside the semiconductor device is this way, the propriety discrimination processing conventionally complicated can be simplified and the test time and the cost can be reduced.例文帳に追加

このように、許容誤差を考慮した良否判定を行う構成を装置内部に備えたことにより、従来複雑だった良否判定処理を簡素化し、テスト時間及びコストを低減することができる。 - 特許庁

Then, in condition that the processing container 10c is shut off with a shutter 10h, the water at the surface of the semiconductor substrate wafer 100 is washed off by the steam of chemicals for drying in high concentration, for example, IPA steam 25.例文帳に追加

その後、処理槽１０ｃをシャッター１０ｈで遮断した状態で高濃度の乾燥用薬液の蒸気、例えばＩＰＡ蒸気２５により半導体基板ウェハ１００の表面の水を洗い落とす。 - 特許庁

To provide a system for processing radiation detection capable of highly accurate window analysis through the use of a radiation detector constituted of a plurality of semiconductor cells and the use of both a pulse computation mode and an integration mode jointly.例文帳に追加

本発明は、複数の半導体セルで構成された放射線検出器を用い、パルス計測モードと積分モードを併用して高精度のウインドウ解析が可能な放射線検出処理システムを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor ion sensor, the polarity of the resin on the surface of the resin coating 11 is heightened by processing the resin coating by gas in the ionized state, and the elution quantity of the ionophore from the surface of the resin coating 11 into a test solution is reduced.例文帳に追加

樹脂皮膜を電離状態のガスで処理することによって、樹脂皮膜１１の表面の樹脂の極性を高め、樹脂皮膜１１の表面から被検液へのイオノフォアの溶出量を低減する。 - 特許庁