「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a non-contact semiconductor chip with a random number generator capable of realizing random number generation with high random nature even in the case of generating random numbers at predetermined communication intervals, such as retry processing at the time of data collision and mutual authentication processing of communication data, in non-contact data communication.例文帳に追加

非接触データ通信においてデータ衝突時のリトライ処理や通信データの相互認証処理など、所定の通信間隔で乱数を発生させる場合でも、高いランダム性で乱数発生を実現できる乱数発生器を備えた非接触半導体チップ提供する。 - 特許庁

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: loading a substrate on which a high dielectric film is formed into a processing chamber; heating and modifying the high dielectric film by irradiating the substrate with microwave; and taking out the substrate from the processing chamber.例文帳に追加

高誘電体膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、基板にマイクロ波を照射することにより、高誘電体膜を加熱して改質する工程と、基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a processing element capable of reducing the occupied area in a semiconductor chip and a re-configurable circuit capable of minimizing the chip size and operating at a high speed, in a processing element capable of changing a circuit structure dynamically and the re-configurable circuit having it.例文帳に追加

本発明は、動的に回路構造を変更できるプロセッシングエレメント及びそれを備えたリコンフィギャラブル回路に関し、半導体チップ内の占有面積を低減できるプロセッシングエレメントと、チップサイズの小型化を図ることができ、高速動作が可能なリコンフィギャラブル回路とを提供することを目的とする。 - 特許庁

In accordance with completion of processing in a step 20a corresponding to a previous step between steps 20a and 20b of different contamination classes, the ID of a conveyer container 50 for conveying a semiconductor wafer 40a as an object to be processed after the end of processing to the next step is changed.例文帳に追加

汚染クラスの異なる工程２０ａ、２０ｂ間で、直前工程に該当する工程２０ａでの処理が終了したことに対応して、次工程に処理終了後の被処理物としての半導体ウエハ４０ａを搬送する搬送容器５０のＩＤを変更する。 - 特許庁

This detection device of the leakage current spot of a semiconductor chip is characterized by being equipped with an application means 13 for applying a material melting by heat and changing the reflection state of light on at least one side of the semiconductor chip 11, an optical microscope 12 for observing the material applied surface of the semiconductor chip 11, and an image processing device 14 electrically connected to the optical microscope 12.例文帳に追加

加熱により溶けて光の反射状態を変化させる物質を、半導体チップ１１の少なくとも片面に塗る塗布手段１３と、前記半導体チップ１１の物質塗布面を観察する光学顕微鏡１２と、この光学顕微鏡１２に電気的に接続された画像処理装置１４とを具備することを特徴とする半導体チップの漏洩電流箇所の検出装置。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which is not restricted by stress due to the difference in coefficient of thermal expansion between a heat spreader and a semiconductor chip, eliminates the need to consider the storage stability of an adhesive and the uniform dispersibility of a filler, eliminates the need for a tool for thermocompression bonding and avoids the resulting damage to the semiconductor chip, and shortens the processing time.例文帳に追加

ヒートスプレッダと半導体チップとの間の熱膨張係数の差に起因する応力による制限を受けず、接着剤の保存安定性及びフィラーの均一分散性を考慮する必要が無く、熱圧着用ツールを不要にしてそれに起因する半導体チップの損傷を回避し、処理時間の迅速化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When thin film transistors such as a switch transistor 5 and a drive transistor 6 used as driving elements in an EL panel 1 are manufactured, semiconductor films 5b and 6b which are enhanced in crystallinity are formed by subjecting a base film 16 to plasma processing as preprocessing for forming a semiconductor layer 9b of crystalline silicon to serve as semiconductor films 5b and 6b where channels are formed.例文帳に追加

ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。 - 特許庁

The adhesive film for a semiconductor wafer processing includes a mold release layer, the adhesive layer, an isolation layer, and the base film in order on a carrier tape, and is used to process the semiconductor wafer, wherein each of the adhesive layer, isolation layer and base film is formed in a wafer shape of substantially the same size with the semiconductor wafer to be processed.例文帳に追加

本発明の半導体加工用接着フィルムは、キャリアテープ上に、離型層、接着剤層、分離層及び基材フィルムをこの順に有してなる、半導体ウェハの加工に用いられる接着フィルムであって、接着剤層、分離層及び基材フィルムが、加工する半導体ウェハと略同一の大きさのウェハ形状に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device 1 includes: an input means 2; a division means 4 for dividing image data input from an input means 2, into a desired size; an output means 5 which is newly disposed on a semiconductor circuit for outputting the output of one of the division means 4 to an external part; and a processing means 6 which processes the output of the other one of the division means 4 in the semiconductor circuit.例文帳に追加

入力手段２と、入力手段２から入力された画像データを所望のサイズに分割する分割手段４と、分割手段４の一方の出力を外部に出力する半導体集積回路に新たに設けた出力手段５と、分割手段４の他方の出力を半導体集積回路内で処理する処理手段６とを具備する。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

The tuning fork resonator 100 includes: an SOI substrate 1 including a substrate 2, an oxide layer 3 formed above the substrate 2, and a semiconductor layer 4 formed above the oxide layer; a tuning fork type vibration section 10 comprising a semiconductor layer formed by applying processing to the semiconductor layer 4 and the oxide layer 3; and a drive section 20 for generating bending vibration of the vibration section 10.例文帳に追加

音叉振動子１００は、基板２と、該基板２の上方に形成された酸化物層３と、該酸化物層の上方に形成された半導体層４と、を有するＳＯＩ基板１と、前記半導体層４と前記酸化物層３を加工して形成された、半導体層からなる音叉型の振動部１０と、前記振動部１０の屈曲振動を生成するための駆動部２０と、を含む。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of forming a source electrode 20, a gate electrode 24, and a drain electrode 22 on a nitride semiconductor layer 19, respectively; a step of forming a silicon nitride film 26 on the nitride semiconductor layer; and a step of processing an upper surface of the silicon nitride film between the gate electrode and the drain electrode using a solution containing a hydrofluoric acid.例文帳に追加

窒化物半導体層１９上に、ソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２をそれぞれ形成する工程と、前記窒化物半導体層上に窒化シリコン膜２６を形成する工程と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面をフッ酸を含む溶液を用い処理する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for temporarily protecting the surface of a metal plate, a glass plate, a plastic plate and the like and an adhesive sheet for processing electronic components, and more precisely, a peelable adhesive agent used for the adhesive sheet for fixing a semiconductor in a dicing step or a back-grinding step of a semiconductor wafer, a semiconductor substrate and the like.例文帳に追加

金属板、ガラス板、プラスチック板等の一時的な表面保護用の粘着シートや電子部品加工用粘着シートに関して、更に詳しくは半導体ウエハまたは、半導体基板等のダイシング工程やバックグラインド工程の半導体固定用の粘着シート等の粘着剤として用いられる剥離性粘着剤を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor comprises processes of: preparing a semiconductor chip 10 formed with a ball bump 20 whose leveling processing has not be carried out; also preparing a substrate 30 formed with an electric connection part 32 on a surface; and mounting the semiconductor chip 10 on the substrate 30, and bringing the ball bump 20 into contact with the electric connection part 32.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、レベリング処理のされていないボールバンプ２０が形成された半導体チップ１０を用意する工程と、表面に電気的接続部３２が形成された基板３０を用意する工程と、半導体チップ１０を基板３０に搭載して、ボールバンプ２０と電気的接続部３２とを接触させて電気的に接続する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a substrate for a semiconductor package or a pressure jig for a lead frame wherein after animal glue is encapsulated with baking, deformation is reduced, and a waste processing rate caused by the failure of a common surface is reduced.例文帳に追加

膠の封入、ベーキングをしたあとで反りを低降させ、共用面不良によって招かれた廃棄処分レートを減らすセミコンダクターパッケージの基板又はリードフレームの加圧ジグを提供する。 - 特許庁

A rotatable sceptor 3 for supporting a semiconductor wafer W is set in a procession chamber 2 of an opitaxial growing device 1, and gas inlet ports 8a-8c are formed at the side of the processing chamber 2.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１の処理チャンバ２内には、半導体ウェハＷを支持する回転可能なサセプタ３が設置され、処理チャンバ２の側部にはガス導入口８ａ〜８ｃが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor processing system and its operating method for preventing surely a worker from missing a chance to check whether there is abnormality on a machined object to be first treated.例文帳に追加

１番先に処理される被加工部材についての異常の有無を作業者が確認する機会を失うことを確実に防止することができる半導体製造設備及びその使用方法を提供する。 - 特許庁

Next, a hole 7 having a circular cross section reaching the rear side is formed from the side of the wiring layer 4 of the semiconductor substrate 2 by dry-etching using RIE or plasma, or by a processing means such as a laser or the like.例文帳に追加

次に、ＲＩＥやプラズマによるドライエッチング又はレーザ等の加工手段によって、半導体基板２の配線層４側から、裏面側に達する円形の断面を有するホール７を形成する。 - 特許庁

In a processing chamber, there is arranged inside a susceptor 11 on the anode side for holding a substrate Waf such as a semiconductor wafer and a glass substrate, with at least a feeding system 12 and an exhaust system 13 of a discharge gas connected to it.例文帳に追加

処理チャンバ１０は、内部に半導体ウェハ、ガラス基板など基板Ｗａｆを保持するアノード側のサセプタ１１を配し、少なくとも放電ガスの供給系１２及び排気系１３が繋がる。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁

To provide a resistance switch element operating with two terminals by using silicon allowing various processing techniques, and capable of very accurately controlling an electric characteristic or the like of an electrode itself; and a semiconductor device.例文帳に追加

加工手法が多様で電極自身の電気特性などを非常に精密に制御する事ができるシリコンを用いて、２端子で動作する抵抗スイッチ素子及び半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

Wiring processing in each block is executed on the basis of the connection information about a semiconductor integrated circuit by utilizing the wiring regions in adjacent different layers in break with the block frame of the block.例文帳に追加

半導体集積回路の接続情報に基づいて、ブロックのブロック枠にとらわれることなく、隣接する異なる階層の配線領域を利用して、各ブロックの配線処理を実施する。 - 特許庁

To provide a storage device preventing the deterioration of processing capacity even if data stored in a memory is frequently updated and to provide a semiconductor test device equipped with the storage device.例文帳に追加

メモリに記憶されているデータの更新を頻繁に行う場合であっても処理能力の低下を防止するとができる記憶装置、及び当該記憶装置を備える半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a mechanism capable of reducing a difference in processed dimensions caused by a difference in density of a pattern, when processing the pattern formed on a semiconductor substrate by chemical reaction with a reactive gas.例文帳に追加

半導体基板に形成されたパターンを、反応性ガスとの化学反応により加工する場合に、当該パターンの疎密差に伴う加工寸法差を低減することができる仕組みを提供する。 - 特許庁

Therefore, this invention is applicable to a recording medium such as an optical disk and a semiconductor memory, and also applicable to a device performing processing such as recording, reproduction, and transfer on the recording medium.例文帳に追加

本発明は、光ディスクや半導体メモリ等の記録媒体に適用可能であり、また、その記録媒体に対する処理、例えば、記録、再生、転送等の処理を実行する装置に適用可能である。 - 特許庁

The measured result processing device 15 decides whether or not a damage ratio of a semiconductor device enters to a stabilization period, based on the measured results from the burn-in devices 11-13.例文帳に追加

測定結果処理装置１５は各バーンイン装置１１〜１３からの測定結果に基づいて各バーンイン装置１１〜１３の半導体デバイスの故障率が安定期に入ったかどうか判定する。 - 特許庁

To prevent a semiconductor substrate from being irradiated with laser light even if there is irradiating laser light which is intense enough to cut or degenerate a metal thin-film resistance body during laser trimming processing.例文帳に追加

レーザトリミング処理時において金属薄膜抵抗体を切断又は変質させるのに十分な強度のレーザ光が照射されてもレーザ光が半導体基板に照射されるのを防止する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a circuit substrate 10 for processing an electrical signal having a frequency of millimeter wave and a transmission line 14 that is connected to the circuit substrate 10 via a wire 12 and transmits the electrical signal.例文帳に追加

ミリ波の周波数を有する電気信号を処理する回路基板１０と、ワイヤ部１２を介して回路基板１０に接続され、電気信号を伝送する伝送線路１４とを備える。 - 特許庁

To provide a liquid crystal panel wherein semiconductor devices or the like formed on a substrate can be prevented from being broken due to static electricity generated in a panel manufacturing step such as rubbing processing of an orientation film.例文帳に追加

配向膜のラビング処理などのパネル製造工程で発生する静電気によって基板上に形成された半導体素子などが破壊されるのを防止した液晶パネルを提供すること。 - 特許庁

To provide a GaN substrate which has a small processing margin and is easy to uniformly process and a method of manufacturing the same, and to provide methods of manufacturing a GaN layer bonded substrate and a semiconductor device using the GaN substrate.例文帳に追加

加工しろが小さく一様な加工が容易なＧａＮ基板およびその製造方法、かかるＧａＮ基板を用いたＧａＮ層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

By doing so, copper can be appropriately embedded since the aspect ratio of the opening 15 does not become very high, and the frequency of processing accompanied with reversing the front and the rear sides of the semiconductor substrate 10 can be reduced.例文帳に追加

このようにすると開孔１５のアスペクト比が極端に高くならないので銅が良好に埋め込まれ、また半導体基板１０の表裏反転を伴う工程処理回数が低減できる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus formable of a conductive film, which is dense, includes low concentration of source-derived impurities and has low resistivity, at a higher film-forming rate, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device, which can perform high-speed transfer and high-speed read/write processing at a reduced manufacturing cost by reducing the size of each buffer RAM to a one-sector size.例文帳に追加

各バッファＲＡＭのサイズを１セクタサイズ相当に低減し、製造コストが安価で、高速転送が可能であるとともに、書き込み・読出しの高速処理が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of accurately carrying out the AD conversion of an externally supplied analog signal in the low power consumption mode of a central processing unit.例文帳に追加

本発明は、中央処理装置の低消費電力モード時に外部から供給されるアナログ信号の正確なＡＤ変換を行うことができる半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device technique shortening a processing time of Si anisotropic wet etching for forming a bridge structure by removing an Si (100) substrate itself under a membrane part and beam parts.例文帳に追加

メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。 - 特許庁

An internal voltage adjusting circuit 100 of the semiconductor memory device performs processing in first to third periods that is obtained by dividing a period from power on to deactivation of a RESETB (reset bar) signal.例文帳に追加

半導体記憶装置の内部電圧調整回路１００は、電源が投入されてからＲＥＳＥＴＢ信号が非活性化されるまでの期間を第１〜第３期間に分けて処理する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor and a processing apparatus for a substrate that uniformly film a plurality of substrates in silicon carbide epitaxial film growth carried out under a high-temperature condition.例文帳に追加

高温条件下で行われる炭化珪素エピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる半導体製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the system for analyzing integrated circuit layouts and designs by calculating variations of a number of objects to be created on a semiconductor wafer as a result of different processing conditions.例文帳に追加

異なる処理条件の結果として、半導体のウェハ上に作成された複数の対象物の変動を算出することによる集積回路のレイアウトおよび設計解析のためのシステム。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of improving the degradation of the film deposition rate, and adequately adjusting the composition ratio, and a substrate processing apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜レートの低下を改善することができ、組成比を適切に調整することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To suppress the damage of a magnetic element and to prevent oxidation of a conductive member existing in a lower layer without using an ashing process for processing a lower electrode film when a semiconductor device equipped with the magnetic element is manufactured.例文帳に追加

磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape sticking method and an adhesive tape sticking device that precisely stick an adhesive tape for support on a back surface of a semiconductor wafer although being compact and improved in processing speed.例文帳に追加

小型化で処理速度を向上させつつも支持用の粘着テープを半導体ウエハの裏面に精度よく貼り付ける粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vaporizer unit for liquid material vaporization that is unlikely to produce particles by suppressing supply of mingled mist in a delivered material gas, and a gas transport path and a semiconductor processing system including the same.例文帳に追加

送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。 - 特許庁

In a step S1, a laser processing device removes a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer at the circumferential edge of the thin film solar cell panel, using a SHG laser beam and a fundamental wave laser beam.例文帳に追加

ステップＳ１において、レーザ加工装置は、SHGレーザ光および基本波レーザ光を用いて、薄膜太陽電池パネルの周縁の透明電極層、半導体層、裏面電極層を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can cope with the case when various circuits such as a signal processing circuit and a high power circuit are mixed and mounted in one chip, and can suppress thickening of a SOI (Silicon On Insulator) layer.例文帳に追加

信号処理回路や大電力回路のような様々な回路を混載する場合にも１チップで対応でき、かつ、ＳＯＩ層の厚膜化を抑制できる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁