「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

A control unit 6 is formed for possessing a function to supply the washings wherein the predetermined gas is dissolved before performing drying processing to the rinsed semiconductor substrate 3.例文帳に追加

その所定のガスを溶解させた洗浄液を、洗浄処理が施された半導体基板３に乾燥処理を施す前に供給する機能を有する制御部６が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of efficiently removing a reaction product occurring in plasma processing and preventing it from attaching to the surface of a substrate to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理で発生した反応生成物を効率的に除去し、被処理基板表面への付着を防止することの出来る半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device has a mechanism for integrally managing a plurality of processings as the whole LSI200 executed by a plurality of processing units (CPU0, CPU1, RCPU, and VCPU) in the LSI200.例文帳に追加

ＬＳＩ２００内の複数のプロセシング・ユニット（ＣＰＵ０，ＣＰＵ１，ＲＣＰＵ，ＶＣＰＵ）で実行される複数の処理を、ＬＳＩ２００全体で統一的に管理する機構を備えることで、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a waste liquid processing method in a semiconductor manufacturing process in which even when the use quantity of chemical fluctuates, solidification is prevented from being generated in the discharge piping of mixed waste liquid.例文帳に追加

薬液の使用量が変動しても混合廃液の排出配管において固化を生じさせない半導体製造工程における廃液処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device, which can detect the shape variations of discharge electrodes, at an early stage, so that a film having a nonuniform thickness can be prevented from being formed on a substrate.例文帳に追加

放電電極の形状変化を早期に発見し、被処理基板の膜厚不均一を抑制できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for predicting the time when a lot process ends by collecting the operating states of the processing chambers of a semiconductor manufacturing device, and accurately determining a wafer conveyance path.例文帳に追加

半導体製造装置の処理室の稼動状態を収集し、ウェハの搬送経路を正しく求めることによりロット処理終了時間を予測する装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which the function of information processing in accordance with its application can be easily realized, and increase in management cost due to functional modification or the like can be suppressed.例文帳に追加

用途に応じた情報処理機能を容易に実現することができ、機能変更等による管理コストの増大を抑制することも可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, it can be processed efficiently in a short time, so that it can avoid popping phenomena, and also there is no loss of processing waiting time, and large effects can be obtained in shortening of the lead time of a semiconductor manufacture process.例文帳に追加

このため、ポッピング現象を避けるように効率良く短時間で処理でき、また処理待ち時間のロスがなく、半導体製造工程のリードタイム短縮に多大の効果が得られる。 - 特許庁

During a data writing/ processing, a cluster, that has been assigned in a previous time, is selected (S1) and the location of a presence and/or absence information storage region of the semiconductor memory corresponding to the selected cluster is obtained (S2).例文帳に追加

データ書き込み処理時には、前回割り当てたクラスタを選定し（Ｓ１）、選定されたクラスタに対応する半導体メモリの有無情報記憶領域の位置を取得する（Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a polishing cloth for CMP processing, a CMP device and a method for manufacturing a semiconductor device, wherein a change of a thickness of a polishing layer can be monitored in a wafer polishing or dress process.例文帳に追加

ウェハ研磨またはドレス工程による研磨層の厚さ変化をモニタすることのできるＣＭＰ加工用研磨布、ＣＭＰ装置並びに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an on-chip type monitor circuit that is only made up of digital signal processing circuits, which individually measures a current between a source and drain of an NMOS and PMOS in a semiconductor device.例文帳に追加

デジタル信号処理回路だけで構成でき、半導体装置内のＮＭＯＳおよびＰＭＯＳのソースドレイン間電流を個別に測定できるオンチップ型のモニタ回路を提供する。 - 特許庁

A peculiar vibration frequency sensor 10 is provided in a plasma processing chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and detects a shaving amount by an etching, a sputter, or the like and a change of a peculiar vibration frequency caused by a deposition, to detect a timing of the maintenance of the processing chamber.例文帳に追加

固有振動数センサ１０を半導体製造装置のプラズマ処理室内に設け、エッチング又はスパッタ等による削れ量、及びデポジションによる堆積によって生じる固有振動数の変化を検知して、処理室のメンテナンスのタイミングを検出する。 - 特許庁

To provide a thickness reduction processing method for a wafer and a method of manufacturing a semiconductor device such that when the wafer having been made thin through grinding and polishing processing is peeled from a plate, the wafer is not damaged and warpage of the wafer having been peeled is reduced.例文帳に追加

研削および研磨加工により薄厚化されたウェハを板から剥離する際、ウェハに損傷を与えることがなく、かつ剥離後のウェハの反りを小さくすることができるウェハの薄厚化加工方法および半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, when an excess portion 12 of the film 1 for processing which protrudes from the circuit surface 10a of the semiconductor wafer 10 is removed, operation efficiency is held excellent, and formation of burrs of a cut portion of the film 1 for processing and cutting wastes is suppressed.例文帳に追加

これにより、半導体ウェハ１０の回路面１０ａからはみ出ている加工用フィルム１の余剰部分１２を除去する際、作業効率を良好に保つことができると共に、加工用フィルム１の切断部分のバリや、切断屑の発生を抑制できる。 - 特許庁

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an information processing apparatus, a semiconductor device for display control and a video stream data display control method in which picture quality is finely improved with an economically advantageous configuration in a computer system for processing a moving picture.例文帳に追加

本発明は、動画を扱うコンピュータシステムに於いて、きめの細かな画質の改善を経済的に有利な構成で容易に実現できる情報処理装置、表示制御用半導体装置およびビデオストリームデータの表示制御方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To achieve an automatic design method and a computer program thereof which allow an arithmetic processing unit to easily perform processing for designing the location of a via to be disposed on a substrate surface of a semiconductor package on a virtual plane corresponding to the substrate surface.例文帳に追加

半導体パッケージの基板面上においてビアを配置すべき位置を基板面上に相当する仮想平面上で設計する設計処理を、演算処理装置により容易に実行することができる自動設計方法およびそのコンピュータプログラムを実現する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit is provided with an arithmetic unit (103) for carrying out arithmetic processing according to a prescribed program, and for outputting trace information for the arithmetic processing; and a trace compression device (200) for compressing the trace information to be output from the arithmetic unit.例文帳に追加

所定のプログラムに従って演算処理を行うと共に、その演算処理についてのトレース情報を出力可能な演算装置（１０３）と、上記演算装置から出力されたトレース情報を圧縮するためのトレース圧縮装置（２００）とを設ける。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor module and a manufacturing method therefor, capable of processing a large quantity in batch, permitting to simplify component members without impairment of the performance and reliability levels, eliminating the need for processing an electrode pattern to an optical connector for holding optical fibers or the like, and reducing the manufacturing costs.例文帳に追加

大量の一括加工を可能にすると共に、性能及び信頼性レベルを損なうことなく構成部材を簡素化でき、且つ光ファイバ等を保持するための光コネクタにパターン電極を加工する必要がなく、製造コストの低減をはかる。 - 特許庁

Once a trigger signal is input to the mean value processing continuous sampling circuit 202 from a semiconductor test device 100, the mean value processing continuous sampling circuit 202 causes an IDDQ measurement part 201 to execute the IDDQ measurement repeated by a prescribed number of times.例文帳に追加

一度半導体試験装置１００からトリガ信号が平均値処理用連続サンプリング回路２０２に入力されると、平均値処理用連続サンプリング回路２０２が規定の回数繰り返してＩＤＤＱ測定をＩＤＤＱ測定部２０１に実行させる。 - 特許庁

The semiconductor memory 1 is provided with a memory array 10 including a plurality of blocks 12, and a controller 11 for accessing a target block 12 to be processed based on the processing command from the information processor 2 to execute processing of target data stored therein.例文帳に追加

半導体メモリ１は、複数のブロック１２を含むメモリアレイ１０と、情報処理装置２からの処理命令に基づいて、処理命令の対象となる対象ブロック１２にアクセスして、そこに格納されている対象データの処理を実行するコントローラ１１とを有する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a method of manufacturing a semiconductor device whereby a natural oxide film or contaminants such as an organic matter can be removed at low temperatures to solve the problem of a method of removing the natural oxide film at high temperatures.例文帳に追加

高温で行っていた自然酸化膜除去方法の問題を改善するため、低温で自然酸化膜または有機物等の汚染物を除去できる基板処理装置、基板処理方法、および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Thus, a space between the inner wall 64 of the lower wall 62 and a side wall outer surface 56 of a substrate transporting mechanism 3 is made narrow, thereby preventing wraparound of a processing gas into a chamber lower space 69 lower than the step 65 during processing of a semiconductor wafer 10.例文帳に追加

このようにしてチャンバ下側壁６２の内壁６４と基板移動機構３の側壁外面５６との間の空間を狭くすることにより、半導体ウエハ１０の処理中、段差部６５よりも下のチャンバ下空間６９への処理ガスの回り込みを防止する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace.例文帳に追加

コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method comprises a test step of performing a predetermined testing by contacting a probe terminal with a bonding pad A of a semiconductor device, and a pad surface treatment step of performing, after the test step, processing of dissolving a surface of the bonding pad by using chemical or processing of solidifying a melted portion of the bonding pad after melted by heating the bonding pad surface using a furnace.例文帳に追加

半導体装置のボンディングパッドＡにプローブ端子を接触させ、所定の試験を行う試験工程と、試験工程の後、薬液を用いてボンディングパッド表面を溶かす処理、または、加熱炉を用いて加熱することでボンディングパッド表面を溶かした後、溶かした部分を固化する処理を行うパッド表面処理工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To secure reliability of a reading operation by providing a semiconductor memory device capable of improving reliability of high-speed transmission of data, and outputting data training patterns which are different from each other, by address information read from the data processing device and applied together with a reading training command, in a fast-operated data processing device and the semiconductor memory device.例文帳に追加

高速に動作するデータ処理装置及び半導体メモリ装置において、データの高速伝送の信頼性を高めるためのものであって、データ処理装置から読み出しトレーニング命令と共に印加されるアドレス情報によって、互いに異なるデータトレーニングパターンを出力することができる半導体メモリ装置を提供することによって、読み出し動作の信頼性を確保すること。 - 特許庁

In the semiconductor device for integrating a plurality of static circuit units processing gentle signal change, a plurality of dynamic circuit units processing abrupt signal change and at least one logic circuit unit controlling them on the same semiconductor substrate, each circuit unit is mutually collected in the other circuit areas 22-26 every kind respectively.例文帳に追加

緩やかな信号変化を取り扱う複数の静的回路ユニットと、急な信号変化を取り扱う複数の動的回路ユニットと、これらの制御を行う少なくとも一つのロジック回路ユニットとが同一の半導体基板上に集積された半導体装置において、各回路ユニットをそれぞれ、その種類毎に互いに別の回路エリア２２〜２６にまとめて配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, capable of controlling a flow of each purge gas with high accuracy, in a method of delivering a trace of the purge gases to pipes of process gasses connected to a processing package and quickly replacing the gases in the pipes.例文帳に追加

処理容器に接続されたプロセスガスの配管内に微量なパージガスを流す手法において、各パージガスの流量を高精度に制御することが出来るとともに、配管内のガス置換を素早く行うことが出来る半導体製造装置及び半導体製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, a p-type semiconductor region 3 to be an anode of SCR has a configuration in which silicifying processing is blocked thereon, other than a contact region 3s to which a plurality of conduction paths 10a-10d to an anode electrode 9 are connected.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路装置において、ＳＣＲのアノードとなるｐ型半導体領域３は、アノード電極９との導通路１０ａ〜１０ｄが複数接続されるコンタクト領域３ｓを除いて、そのシリサイド化処理がブロックされて成る構成とされている。 - 特許庁

There is provided an adhesive tape 100 for semiconductor wafer processing, which has adhesive force of less than 20 cN/25 mm when the adhesive tape is attached to a background surface of the semiconductor wafer within 1 min after the backgrinding and is then left for 14 days and is irradiated with light.例文帳に追加

本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着テープ１００では、半導体ウエハが、バックグラインド後１分以内に、バックグラインドされた面で貼り付けられた後１４日間放置されてから光が照射されたときの粘着力が、２０ｃＮ／２５ｍｍ未満である。 - 特許庁

Subsequently, the control unit 100 controls the temperature rising heater 16 to heat the interior of the reaction tube 2 housing the semiconductor wafer W to the film deposition temperature, before a thin film is formed on the semiconductor wafer W by supplying a film deposition gas into the reaction tube 2 from a processing gas introduction tube 17.例文帳に追加

次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。 - 特許庁

In the method of chamber-cleaning, the impurities on the semiconductor substrate are etched by using a plasma of a first mixed gas containing hydrogen(H_2), thereafter, the processing chamber is etched by using a plasma of a second non-hydrogen mixed gas containing no hydrogen as the semiconductor substrate is removed.例文帳に追加

本チャンバーのクリーニング方法は水素（Ｈ_２）を含む第１混合ガスのプラズマを利用して半導体基板上の不純物をエッチングした後、半導体基板が取除かれた状態で水素を含まない非水素系第２混合ガスのプラズマを利用して処理チャンバーをエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using a COF tape, capable of sufficiently stabilizing the shape of a wiring by forming it using down-set processing, wherein the wiring constitutes a connection terminal to be connected to an Au bump of a semiconductor element by means of gold-tin eutectic bonding.例文帳に追加

半導体素子のＡｕバンプと金錫共晶接合により接続される接続端子部を構成する配線をダウンセット加工して成形したときに、配線の形状をその成形により十分安定化させることができる、ＣＯＦテープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The Fe-based electrode layer takes in the carbon as a by-product of a sinter processing process for the ohmic electrode to suppress an increase in contact resistance between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode, caused by accumulation of carbon on a junction interface between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode.例文帳に追加

Ｆｅ系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがＳｉＣ半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してＳｉＣ半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that prevents an electric discharge from being generated between a substrate such as a semiconductor wafer and a base of a lower electrode or its neighboring structure, and improves a yield to improve productivity, and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基板と、下部電極の基材又はその周辺の構造物との間で放電が発生することを防止することができ、歩留まりを向上させて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device 1 has a wafer 10 that is a workpiece, a hermetic type container FOUP 20 housing a wafer 10, an etching device 30 serving as a semiconductor processing device, and an EFEM 40 which transfers the wafer 10 in a sealed state between the FOUP 20 and the etching device 30.例文帳に追加

半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。 - 特許庁

To provide: an organic semiconductor device having suitable layer constitution that gives no damage to an active layer, especially, during the formation of an interlayer dielectric and through-hole processing in an active substrate composed of an organic transistor; a method of manufacturing the same; and an active matrix display device using the organic semiconductor device.例文帳に追加

有機トランジスタからなるアクティブ基板作製において、特に層間絶縁膜の形成やスルーホール加工によって活性層にダメージを与えない最適な層構成の有機半導体装置及びその製造方法、並びに該有機半導体装置を用いたアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

To utilize, for remote maintenance and diagnosis, data of processing results of a detection apparatus, and data generated from other than the subject apparatus of tracking information, etc., of a product in process, besides data collected by a semiconductor production apparatus as data for maintenance and diagnosis of the semiconductor production apparatus.例文帳に追加

本発明は、半導体製造装置の保守・診断用データとして、半導体製造装置自体で収集されたデータ以外に、検査装置の処理結果データや、仕掛品トラッキング情報等の対象となる装置以外から発生するデータを遠隔保守・診断に活用することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which is adaptive even in cases of assembly processes varying in processing temperatures, further adapts itself even if the device is made non-rewritable by a user, eliminates the need for respectively developing different semiconductor memory devices and can suppress the cost for development.例文帳に追加

処理温度が異なる組立工程の場合にもそれぞれ適応でき、さらに、ユーザーによって書き換え不可能とする場合にも適応し、異なる半導体記憶装置をそれぞれ開発する必要が無く、開発コストを抑えることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the thermal processing apparatus, the semiconductor wafers are conveyed in the heating furnace and individual semiconductors never stay only at a specified position, so even when the temperature distribution in the heating furnace is not uniform, all the semiconductor wafer can be given the same thermal hysteresis.例文帳に追加

この熱処理装置にでは、半導体ウエハが搬入口から搬出口まで加熱炉内を搬送され、各々の半導体が特定の位置のみに留まることがないので、加熱炉内の温度分布が均一でなくとも、全ての半導体ウエハに同じ熱履歴を与えることができる。 - 特許庁

The manufacturing method for a semiconductor device is constituted such that a sacrifice film is formed all over the semiconductor substrate provided with a trench, and subsequently by removing the sacrifice film with isotropic etching, and the trench opening and the corner of the trench bottom are made roundish by shape processing.例文帳に追加

トレンチを備えた半導体基板全面に犠牲膜を形成し、次いで等方性エッチングにより犠牲膜を除去することにより、トレンチ開口部及びトレンチ底面のコーナーを丸みを帯びた形状に加工することを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。 - 特許庁

Gate electrodes 22 are formed on an upper surface, both right and left side surfaces and bottom surface of a semiconductor layer 11a for channel formation formed by processing a semiconductor substrate 11 into a Fin shape and a channel region is included which is surrounded on four sides by the gate electrodes 22.例文帳に追加

半導体基板１１をＦｉｎ状に加工して形成されたチャネル形成用半導体層１１ａの上面、左右両側面及び底面にゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２により４面を囲まれるチャネル領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

Processing gas ejected in the horizontal direction from the ejection port 17a reaches the semiconductor wafer 12 surely and does not flow linearly from the ejection port 17a toward an exhaust port 18 but flows between the semiconductor wafers 12 along the upper and lower faces thereof.例文帳に追加

この噴射口１７ａから水平方向に噴射された処理ガスは、確実に半導体ウェーハ１２に到達すると共に、半導体ウェーハ１２の間を半導体ウェーハ１２の上下の面に沿って流れて、噴射口１７ａから排気口１８に向けて直線的に流れることがない。 - 特許庁

In the projection light processing unit 28, the power signals with the peak values at rising and falling being set in accordance with a threshold on the correlation characteristics between temperatures and lifetimes of a plurality of semiconductor light source elements are supplied to the plurality of semiconductor light source elements so that they are driven for light emission.例文帳に追加

投影光処理部28は、上記複数の半導体光源素子の温度と寿命の相関特性上の閾値に応じて立上り時及び立下り時の波高値を設定した電力信号を上記複数の半導体光源素子に対して供給し、発光駆動させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device including a cutting process of removing a part of the resin insulating layer, formed on a principal surface of a semiconductor substrate, through cutting processing using a cutting tool includes a process of cutting the part of the resin insulating layer having a metal film laminated on a surface as the cutting process.例文帳に追加

半導体基板の主面上に形成した樹脂絶縁層を、バイトを用いた切削加工により一部除去する切削工程を備えた半導体装置の製造方法であり、切削工程として、表面に金属膜が積層された樹脂絶縁層の部分を切削する工程を含む。 - 特許庁