「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

With respect to the processing method of the nitride semiconductor substrate, first, there is prepared a disk-like nitride semiconductor substrate 20 having a plurality of stripe regions 12 each of which comprises a defect concentrating region having a crystal-defect density higher than the ones of its peripheral single-crystal regions 14.例文帳に追加

この窒化物半導体基板の加工方法では、まず、周囲の単結晶領域１４よりも結晶欠陥密度が高い欠陥集中領域からなる複数のストライプ領域１２を備えた円盤状の窒化物半導体基板２０を準備する。 - 特許庁

The semiconductor substrate processing apparatus comprises a stage 10 which holds a semiconductor substrate 1; a rotating shaft 12 which is attached to the lower surface of the stage 10 for rotating the stage 10, with the fitting position variable; and a chemical supplying means 16 which supplies chemical on the semiconductor substrate 1 held by the stage 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体基板処理装置は、半導体基板１を保持するステージ１０と、ステージ１０を回転させるためにステージ１０の下面に取り付けられ、かつ取付位置が可変である回転軸１２と、ステージ１０に保持された半導体基板１上に薬液を供給する薬液供給手段１６とを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device having a test function capable of testing process operations by use of a various-purpose logic tester when testing the semiconductor integrated circuit device in a semiconductor integrated circuit device for processing a data signal while inputting a data signal in response to a high-speed clock.例文帳に追加

本発明は、高速のクロックに対応したデータ信号が入力されるとともに該データ信号を処理する半導体集積回路装置において、該半導体集積回路装置をテストする際に汎用のロジックテスタを使用してその処理動作のテストを行うことが可能なテスト機能を有する半導体集積回路装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing memory medium for manufacturing a semiconductor memory medium of a simple structure, in which contents data memorized in the semiconductor memory medium can be easily understood, and an information processing system capable of easily preparing detailed information regarding the contents data memorized in the semiconductor memory medium.例文帳に追加

ユーザにとって、半導体記憶媒体に記憶されたコンテンツデータが把握しやすく、簡単な構造の半導体記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法を提供すること、半導体記憶媒体に記憶されたコンテンツデータに関する詳細な情報を、より簡単にユーザに提供することができる情報処理システムを提供すること。 - 特許庁

In the method for processing a group III nitride semiconductor, a hydrogen plasma 10 is generated between an application electrode 2 having a high frequency power applied thereto and the surface of a group III nitride semiconductor 6 in an atmosphere containing a rare gas as a carrier gas so that the hydrogen plasma 10 causes the surface of the group III nitride semiconductor 6 to be etched.例文帳に追加

キャリアーガスとして希ガスを含有する水素混合ガスの雰囲気下で、高周波電力が印加される印加電極２とIII族窒化物半導体６の表面との間に水素プラズマ１０を発生させ、前記水素プラズマ１０によって前記III族窒化物半導体６の表面をエッチング加工するIII族窒化物半導体の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a thermosetting resin composition for reflecting light, having a rigidity to the extent that the composition can be pulverized at around room temperature and reducing fully the attachment thereof to a processing apparatus or a molding apparatus; a substrate for mounting an optical semiconductor using a thermosetting resin composition; a method for producing a substrate for mounting the optical semiconductor; and an optical semiconductor device.例文帳に追加

室温付近において粉砕できる程度の剛性を有し、加工装置や成型装置への付着を十分に低減した光反射用熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体搭載用基板及び光半導体搭載用基板の製造方法、並びに光半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which the timing of the exchange of data between a memory and a logic part is optimized, operation performance and operation speed are improved, while current consumption is reduced, in the semiconductor integrated circuit in which the memory and the logic part are formed on a single semiconductor chip and a plurality of data processing are simultaneously carried out.例文帳に追加

メモリ部とロジック部とが単一の半導体チップ上に形成されて複数のデータ処理を同時におこなう半導体集積回路における、メモリ部とロジック部とのデータのやり取りのタイミングが最適化されて、動作性能及び動作速度が向上されるとともに消費電流が軽減される半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing method which is capable of easily discriminating the front and rear of a wafer from one another without increasing man-hours and making the control of thickness of a film difficult after the polish of a semiconductor wafer is finished, and protecting the rear of the wafer against marks in transit after the polish of a semiconductor wafer is finished.例文帳に追加

工数を増加させることなく且つ膜厚の制御を困難にすることなく、ウエハの研磨終了後の搬送の際にウエハの裏表を容易に識別することができるとともに、ウエハの研磨終了後の搬送中にウエハの裏面にキズが付けられるのを防止することができる、半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor device 2 is mounted on the island 10 of a lead frame 9, a detector 11 which detects the amount of the second deviation of the semiconductor device 2 mounted on the island 10 from a target mounting position on the island 10, and a correction circuit 12 which statistically processes the amount of the second deviation and feeds back a processing result for the calculation of position correction on the semiconductor device 2.例文帳に追加

半導体素子２をリードフレーム９のアイランド１０に搭載するにあたり、アイランド１０に搭載した半導体素子２とアイランド１０上の搭載目標位置との第２のずれ量を検出するずれ検出部１１と、この第２のずれ量の値を統計処理し、半導体素子２の位置補正計算にフィードバックする補正回路１２とを有する。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device has processes of forming wiring 102 and 108 on the semiconductor device 100 formed a fixed circuit, forming a resin layer 112 whose surface is approximately flat, and processing the back surface of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置の製造方法であって，所定回路が形成された半導体基板１００表面上に配線１０２，１０８を形成する工程と，前記配線上に，その表面が略平坦な樹脂層１１２を形成する工程と，前記樹脂層１１２を形成した後，前記半導体基板１００の裏面を加工する工程と，を有する。 - 特許庁

This manufacturing method further includes the steps of: forming a photo-thermal conversion film on the support substrate; sticking a semiconductor substrate to the support substrate so that the photo-thermal conversion film extends to the outside from the semiconductor substrate; performing contamination prevention processing for the photo-thermal conversion film; and separating the support substrate and the semiconductor substrate.例文帳に追加

支持基板上に光熱変換膜を形成する工程と、半導体基板より外側に光熱変換膜が延在するように半導体基板を前記支持基板に張付ける工程と、光熱変換膜に汚染防止処理を行う工程と、支持基板と半導体基板とを分離させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Using a compound semiconductor that has a low device resistance and a large electron mobility as a sensor unit 2, the compound semiconductor sensor unit 2 and an integrated circuit unit 3 that performs an operation by processing electrical signals from the compound semiconductor sensor unit 2 are hybridized in a same package.例文帳に追加

素子抵抗が小さく、電子移動度の大きな化合物半導体をセンサ部２に用いて、化合物半導体センサ部２と化合物半導体センサ部２からの電気信号を処理して演算を行う集積回路部３とを同一パッケージ内にハイブリッド形成することにより、これまでにない小型で、簡易なパッケージで室温動作可能な赤外線センサＩＣを実現できる。 - 特許庁

To provide a method for activating an impurity element added to a semiconductor film in heat treatment for short time and performing a gettering processing on the semiconductor film without deforming a substrate in the manufacturing processor of a semiconductor device where the substrate having low heat resistance such as glass is used, and to provide a heat treatment device where such heat treatment is realized.例文帳に追加

ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a step of forming a conductor film as an electrode to the first principal surface S1 and the second principal surface S2 located in the opposite side along the thickness direction of a semiconductor wafer 1 on which an element is formed, the semiconductor wafer 1 is accommodated in the manner that the entire part of at least the second principal surface S2 of the semiconductor wafer 1 is stored within a processing chamber 4.例文帳に追加

素子を形成した半導体ウェハ１の第１主面Ｓ１と厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第２主面Ｓ２に電極としての導体膜を形成する工程であり、まず、半導体ウェハ１のうち少なくとも第２主面Ｓ２の全部が処理室４内に収まるように、半導体ウェハ１を収容する。 - 特許庁

To prevent or to suppress an occurrence of pits on a semiconductor substrate caused by hydrofluoric acid processing as preliminary cleaning of an annealing process for activating impurities for well formations, or out diffusions of impurities from a semiconductor substrate in a method for manufacturing a semiconductor device including an element isolation region in which an insulating film is formed in a trench.例文帳に追加

トレンチ内に絶縁膜が形成された素子分離領域を備える半導体装置を製造する方法において、ウェルを形成するための不純物を活性化するアニール処理の前洗浄としてのフッ化水素酸処理によって半導体基板にピットが発生することや、半導体基板から不純物がアウトディフュージョンすることを防止または抑制する。 - 特許庁

The lead bruise inspection device is to inspect a lead of a semiconductor device such that a semiconductor device having a plurality of leads which jut from a package and are arranged in a row is installed on a semiconductor device installation part in a dark room, an image of the leads is taken by a camera while illumination light irradiates to the leads, and the image signal is picturized by a image processing device.例文帳に追加

本発明のリード打痕検査装置は、パッケージから突出し列をなす複数のリードを有する半導体装置を暗室の半導体装置載置部に載置し、前記リードに照明光を照射した状態で、前記リードをカメラで撮像すると共に、その撮像信号を画像処理装置で画像化する半導体装置のリード打痕検査装置である。 - 特許庁

The method is to form a semiconductor material of low-resistance p-type compounds on a substrate, and includes (a) a stage which forms a semiconductor material of p-type impurity-doped group III-V compounds on the substrate and (b) a stage which carries out a micro wave processing on the semiconductor material of the p-type impurity-doped group III-V compounds.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

In a method for producing a semiconductor integrated circuit device, when a plurality of semiconductor integrated circuit devices, in which a circuit pattern having a linear pattern is provided and at least a part of production process is common, is produced, dry etching is performed to a film for processing with controlling dry etching conditions depending on circumferential length per unit area of the linear pattern in each of the semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加

ライン状パターンを有する回路パターンを備えており、製造工程の少なくとも一部が共通する複数の半導体集積回路装置を製造する際に、各半導体集積回路装置におけるライン状パターンの単位面積当たりの周縁長に応じてドライエッチング条件を調整しながら被加工膜に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method of processing a substrate, which removes a natural oxide film or a contaminant such as an organic substance at a low temperature, and also to provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

低温で自然酸化膜または有機物等の汚染物を除去できる基板処理装置、基板処理方法、および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

An atomized plasma 13 is spouted out of the port 12 of the tube 7, whereby the plasma is sprayed onto a substrate 15 for processing which has a semiconductor element 14 mounted thereon.例文帳に追加

反応管７の吹き出し口１２からジェット状のプラズマ１３を吹き出して半導体素子１４が搭載された被処理基板１５に吹き付けるプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To shorten a time when a comparison output returns to a stationary initial value for the next comparison processing in a CMOS (Complementary Mental-oxide Semiconductor) image sensor adopting a single slope integrated AD conversion system.例文帳に追加

シングルスロープ積分型のＡＤ変換方式を採用したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、比較出力が次の比較処理用の定常初期値に戻る時間を、短くできるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with an etching process capable of applying a pattern work, uniform in the surface and excellent in accuracy without depending upon the roughness and fineness of a processing pattern.例文帳に追加

加工パターンの疎密に依存することなく面内均一に精度良好なパターン加工行うことが可能なエッチング工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of increasing a processing capacity of a manufacturing line of a solar cell by forming an optical confinement shape and exposing a low-density layer of an impurity in a semiconductor region in one step.例文帳に追加

光閉じ込め形状形成と半導体領域の不純物の低濃度層の露出とを、１工程で行うことで、太陽電池の製造ラインの処理能力を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor heater which has high rigidity, does not generates warpage, ensures the high heat conductivity of a processing object mounting surface, improves the uniformity of heat, and quickly cools a chip.例文帳に追加

高剛性で反りの心配がなく、かつ被処理物搭載面の熱伝導率が高く、均熱性の向上や、チップの急速な冷却ができる半導体加熱装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing a substance such as semiconductor wafer, which can prevent deposition of a reaction by-product on a substrate transportation outlet and prevent partial contamination.例文帳に追加

基板搬入出口への反応副生成物の付着を防止し、パーティクル汚染等を防止できる半導体ウエハ等の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, which controls the generation of active species and the uniformity of a plasma process, prevents a change in the characteristics of a semiconductor element, and optimizes process conditions in a separate manner.例文帳に追加

活性種発生制御、均一性制御、半導体素子特性変化防止、プロセス処理条件の適正化が、それぞれ独立に制御できるプラズマ処理装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate with superior drying property by fixing recovery time, regardless of the fluctuations of processing capacity and also fixing the exposure time of an object to be processed, based on it.例文帳に追加

処理容量の変動にも拘わらず、リカバリータイムを一定とし、これを基準とする被処理物の暴露時間も一定として、乾燥性に優れる半導体基板を提供する。 - 特許庁

A heating assembly 12 for heating a semiconductor substrate 24 in the processing chamber 22 of a reactor 10 is equipped with a plurality of heater supports 28 and a plurality of heating devices 26 supported by the heater supports 28.例文帳に追加

反応器１０の処理チャンバ２２内の半導体基板２４の加熱アセンブリ１２は、複数のヒータ支持体２８とヒータ支持体で支持された複数の加熱デバイス２６を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can increase cycle time under the restriction of chip size where an MPU(micro processing unit) and a DRAM as a secondary cache memory are mounted on the same chip.例文帳に追加

チップサイズの大きさという制約の下で、サイクル時間の高速化を実現し易い、同一チップ上にＭＰＵと２次キャッシュメモリとしてのＤＲＡＭが搭載された半導体装置を提供する。 - 特許庁

By structuring the substrate processing device like that, a part of the back surface of the semiconductor wafer supported by a support member can be made different in the heat treatment executed in the heat treatment module for every heat treatment.例文帳に追加

このような構成にすることで、熱処理モジュールで行われる熱処理では熱処理毎に半導体ウエハの裏面を支持部材により支持する部位を異ならせることができる。 - 特許庁

A control part 50 of a thermal processing apparatus 1 controls the apparatus so as to deposit SiO_2 films on semiconductor wafers W, and determines whether the SiO_2 films satisfy an in-plane uniformity and an inter-plane uniformity.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部５０は、半導体ウエハＷにＳｉＯ_２膜を成膜し、ＳｉＯ_２膜が面内均一性及び面間均一性を満たすか否かを判別する。 - 特許庁

A handling unit 20 takes a substrate to be processed next out of a load port and delivers it to a pre-alignement unit 30 while a substrate processing device processes a plurality of semiconductor wafers 1.例文帳に追加

ハンドリングユニット２０は、基板処理装置が複数の半導体ウェーハ１を処理している間に、次に処理される基板をロードポートから取り出してプリアライメントユニット３０へ供給する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape having a low water absorption rate and a wide range of adhesion processing temperature from which a thin product is easily manufactured, and a semiconductor device formed using the tape.例文帳に追加

吸水率が低く且つ接着加工温度が広く、さらに、薄厚製品の製造が容易な接着テープ及び該テープを用いて形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for semiconductor and glass substrate which reduces operator's additional operations, saves the labor, reduces the cost, and is advantageous in shortening a conveyance distance.例文帳に追加

作業者の作業付加を低減するとともに、省人化および低コスト化を図り、かつ、搬送距離の短縮を図る上で有利な半導体およびガラス基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To enhance efficiency of vapor phase epitaxial growth processing by shortening the time when a reactor is occupied by a semiconductor wafer during vapor phase epitaxial growth process in vapor phase epitaxial growth device and method.例文帳に追加

気相成長装置及び気相成長方法において、気相成長処理時に半導体ウェハが反応炉を占める時間を短縮し、気相成長処理の効率向上を図ること。 - 特許庁

To provide a processing method of semiconductor chip test data which does not increase the data volume more than necessary and can easily and quickly conduct a comparative analysis of each wafer within a lot.例文帳に追加

データ容量を必要以上に大きくすることなく、またロット内の各ウェーハの比較解析が容易且つ速やかに行える半導体チップ検査データの処理方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit 3 comprises a CPU 31, a memory interface 32, a digital broadcast processing section 33 connected to two tuners 2a, 2b for receiving one-seg broadcast, and a display controller 34.例文帳に追加

半導体集積回路３は、ＣＰＵ３１、メモリインターフェース３２、ワンセグ放送を受信する２個のチューナー２ａ、ｂに接続のデジタル放送処理部３３、表示コントローラ３４を具備する。 - 特許庁

The method comprises a stage of forming an interlayer insulating film 402 on a semiconductor substrate top 401, and a stage of processing heat treatment for removing outgassing sources contained in the interlayer insulating film 402.例文帳に追加

半導体基板上４０１に層間絶縁膜４０２を形成する段階と、層間絶縁膜４０２に含まれたアウトガッシングソースを除去するために熱処理を施す段階とを含む。 - 特許庁

Thus, the current detecting unit 17 momentarily detects the occurrence of the insulation breakdown even when the insulation breakdown of the lower electrode 12 takes place during the processing of a semiconductor substrate WF wherein plasma is generated.例文帳に追加

これにより、プラズマの生成される半導体基板ＷＦの処理中において、下部電極１２の絶縁破壊が起こったとしても、瞬時に電流検知器１７が検知する。 - 特許庁

To provide an inexpensive semiconductor device using a packaging substrate in a double-layer structure assuring the stabilization and low signal noise of a power supply system for mounting a memory device and a data processing device.例文帳に追加

メモリデバイスとデータ処理デバイスを搭載するのに電源系の安定化と低信号ノイズを保証した２層構造の実装基板を用いた低コストな半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve maintenance of an overall manufacturing system when the form for system which controls under a unitary management, a plurality of processors for processing a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer or the like.例文帳に追加

半導体ウエハ等の被処理基板を処理する複数の処理装置を一元管理の下で制御するシステム形態とした場合の、製造システム全体の保守性の向上を図る。 - 特許庁

A method for processing a semiconductor base material wherein a base material having single crystal on its surface is heat-treated in a reducing atmosphere at a temperature not higher than a melting point of the single crystal.例文帳に追加

表面に単結晶を有する基体を該単結晶の融点以下の温度において還元性雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体基材の加工方法。 - 特許庁

To provide a power management system and a power management method for a semiconductor integrated circuit whose total power is small, and whose power fluctuation is small by reducing the processing load on a power control system.例文帳に追加

電力制御システムの処理負荷を少なくし、総電力が小さく、電力の変動が小さい半導体集積回路の電力管理方式及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device capable of improving uniformity of a heat treatment among a plurality of wafers located in the vertical direction in a reaction container; and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

反応容器内の鉛直方向にある複数のウエハ相互間の熱処理均一性を向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor wafer W is in a standby state before being carried in the chamber 6, on the other hand, the holding unit 7 is moved to a receiving and delivery position farther from the chamber window 61 than the processing position.例文帳に追加

一方、半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入される前の待機状態のときには保持部７を処理位置よりもチャンバー窓６１から離間した受渡位置に移動させる。 - 特許庁