「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

The peeling device is made up of a table 11 for supporting a processing object D in which a semiconductor wafer W and a glass plate P are bonded via an adhesive sheet S, a vibrating means 12 for vibrating the processing object D, and a peel force applying means 13 for applying a peel force to the semiconductor wafer W and the glass plate P.例文帳に追加

半導体ウエハＷとガラス板Ｐとが接着シートＳを介して接着された処理対象物Ｄを支持するテーブル１１と、処理対象物Ｄに振動を付与する振動付与手段１２と、半導体ウエハＷ及びガラス板Ｐに剥離力を付与する剥離力付与手段１３とを備えて剥離装置が構成されている。 - 特許庁

The equipment 10 performing heat treatment of a semiconductor processing substrate 1 comprises a treatment container 3 which is heated internally during heat treatment with the semiconductor processing substrate 1 of heat treatment object being arranged therein, a heater 15 for heating the treatment container 3 internally, and a unit 5 for supplying steam into the treatment container 3.例文帳に追加

半導体処理基板１に対して熱処理を行う熱処理装置１０であって、内部に熱処理対象の半導体処理基板１が配置され、熱処理時に内部が加熱される処理容器３と、処理容器３の内部を加熱する加熱装置１５と、処理容器３の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給装置５と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit 110 has the chip discrimination-information recording section 112 recording the discrimination information 132 related to the semiconductor integrated circuit 110 while having a changeover circuit 113 selecting a processing information 134 processed by the processing circuit 111 or the discrimination information 132 and outputting it to the output device 120.例文帳に追加

また、半導体集積回路１１０は、半導体集積回路１１０に関する識別情報１３２を記録するチップ識別情報記録部１１２を有するとともに、プロセッシング回路１１１によって処理された処理情報１３４または識別情報１３２を選択して出力装置１２０に出力する切り替え回路１１３を有している。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing apparatus comprises a load-lock chamber 1 where a substrate is interchanged with outside, a processing chamber 2 where the substrate undergoes a prescribed process, and a transfer chamber 3 through which the substrate is transferred between the load-lock chamber 1 and the processing chamber 2.例文帳に追加

半導体製造装置は、外部との間で基板のやりとりを行うロードロック室１と、基板に所定の処理を施す処理室２と、前記ロードロック室１と処理室２との間で基板の搬送を行う搬送室３とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor processing apparatus, respective members provided in a processing chamber 2, i. e. a gas introduction opening 8, the inner wall 2a, a shower nozzle 17, a stage 3, and an exhaust port 5, are covered with a material containing nickel by deposition or electroplating.例文帳に追加

本発明の半導体処理装置は、処理室２内に設けられた各部材、すなわち、ガス導入口８、内壁２ａ、シャワーノズル１７、ステージ３、排気口５を、蒸着あるいは電気めっき等の方法でニッケルを含む材料で覆ったものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily form a contact connected to a pattern of a processing film on an upper layer of the pattern of the processing film serving as a line-and-space pattern less than an exposure resolution limit of the photolithography method.例文帳に追加

フォトリソグラフィ法の露光解像限界未満のラインアンドスペースパターンとなる被加工膜のパターンの上層に、その被加工膜のパターンと接続するコンタクトを容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing device such as an etching device which is capable of preventing deposits from falling down separating from an exhaust line to adhere as particles to the surface of a semiconductor wafer which is located below, where the deposits are attached to the inner wall of the exhaust line provided at an upper part of the processing device.例文帳に追加

上方に形成されている排気ラインの内壁に付着したデポ物が剥離して落下し、下方に存在する半導体ウエハの表面にパーティクルとして付着することを防止できるエッチング装置のような処理装置を得ること。 - 特許庁

The grinding auxiliary device comprises a data processing means (3) to process data of the electric resistance rate of a work for a semiconductor wafer ; a speaker (4), serving as an alarming means, operated by an alarm signal from the data processing means (3); alarm lamps (5A and 5B); and a CRT (6).例文帳に追加

半導体ウェーハのワークの電気抵抗率のデータを処理するデータ処理手段（３）と、データ処理手段（３）からの警報信号により作動する警報手段としてのスピーカ（４）、警告灯（５Ａ，５Ｂ）およびＣＲＴ（６）を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of making reading of security data and a data processing procedure based on consumed current analysis difficult for effectively preventing leakage and unauthorized use of the security data without any reduction in processing speed of the circuit as a whole.例文帳に追加

回路全体で処理速度を低下させることなく、消費電流解析によるセキュリティデータやデータ処理手順の解読を困難にし、セキュリティデータの漏洩や不正利用を効果的に防止できる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method which enables leakage detection when by-products counterflow from a pump provided on a gas exhaust line and particles are generated thereby improving a processing quality and yield of a substrate.例文帳に追加

ガス排気ラインに設けられたポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The whole surface of a sensor chip is exposed to the measuring environment on its one surface side 3 and its one surface side 5 has sensing electrodes 7 and 8 and a signal processing circuit part 9 for processing the signals from the sensing electrodes after a semiconductor film 6 is formed to the sensor chip.例文帳に追加

センサチップの一面3側はその全面を測定環境下にさらし、一面5側には半導体膜6を形成後、センシング電極7,8、および該センシング電極からの信号を処理するための信号処理回路部9が形成されている。 - 特許庁

An epitaxial growth device 10A of a sheet form type processes semiconductor wafers or silicon wafers W sheet by sheet and is equipped with a processing chamber 12 of quartz glass and a wafer support susceptor 14A arranged in the processing chamber 12.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１０Ａは半導体ウェハであるシリコンウェハＷを一枚ずつ処理する枚葉式であり、例えば石英ガラスで構成された処理チャンバ１２と、この処理チャンバ１２内に配置されたウェハ支持用のサセプタ１４Ａとを備えている。 - 特許庁

To provide an image processing circuit capable of improving the visibility of an output image by eliminating a flicker component of an input image, a semiconductor device configured by integrating the image processing circuit, and an image processor using the same.例文帳に追加

本発明は、入力画像のフリッカ成分を除去し、出力画像の視認性を高めることが可能な画像処理回路、これを集積化して成る半導体装置、並びに、これを用いた画像処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus where an IP address of a device controller is automatically assigned without the need for the device controller for a processing chamber to set again the IP address and the IP address uniquely decides a connected position of the processing chamber.例文帳に追加

本発明は、処理チャンバ用装置コントローラ側でＩＰアドレスを再設定することなく、装置コントローラのＩＰアドレスが自動割付され、ＩＰアドレスによって処理チャンバの連結位置が一意に決まる半導体製造装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing apparatus comprises a load-lock chamber 1 where a substrate is interchanged between there and outside, a processing chamber 2 where a prescribed process is conducted onto the substrate, and a transfer chamber 3 through which the substrate is transferred between the load-lock chamber 1 and the processing chamber 2.例文帳に追加

半導体製造装置は、外部との間で基板のやりとりを行うロードロック室１と、基板に所定の処理を施す処理室２と、前記ロードロック室１と処理室２との間で基板の搬送を行う搬送室３とを備える。 - 特許庁

To provide a method for processing an SiC film, capable of suppressing the formation of a sub-trench at the edge of a bottom part of a trench while improving the flatness of a side face of the trench, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device, in which the processing method is used.例文帳に追加

トレンチ側面の平坦性を向上させつつ、トレンチ底部のエッジにおけるサブトレンチの形成を抑制できるＳｉＣ膜の加工方法およびその加工方法が用いられる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A region (and a neighboring region thereof) having a sidewall portion exposed between source-drain electrodes 17, of a semiconductor layer 14 formed in a lower layer of a channel protection layer 15 provided in the thin film transistor TFT is subjected to oxidation processing by oxygen plasma processing.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。 - 特許庁

A memory area (222) for parameter blocks, which are used to change register configuration, is formed on a non-volatile semiconductor memory (22) to perform configuration processing for the register on the basis of the parameter blocks in reset exception processing of a microprocessor (24).例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ（２２）に、レジスタの設定の変更を可能とするパラメータブロックの記憶エリア（２２２）を形成し、マイクロプロセッサ（２４）のリセット例外処理において上記パラメータブロックに基づいて上記レジスタの設定処理が行われるようにする。 - 特許庁

Consequently, control for supplying the clocks to protocol processing circuits to be used and for interrupting the clocks to protocol processing circuits which are not used is made possible and the power consumption of the interface control semiconductor integrated circuit is reduced.例文帳に追加

したがって、使用すべきプロトコル処理回路にはクロックを供給し、使用されないプロトコル処理回路へのクロックを遮断するといった制御が可能となり、インタフェース制御半導体集積回路の消費電力を低減することができる。 - 特許庁

A laser anneal processing method radiates pulse laser beams on a non-single crystal semiconductor film to perform anneal processing, wherein the pulse laser beams are energy-controlled such that the maximum peak height of pulse waveform of the laser beams reach a given height.例文帳に追加

非単結晶半導体膜上にパルスレーザ光を照射してアニール処理を行うレーザアニール処理方法において、前記レーザ光のパルス波形の最大ピーク高さが所定の高さとなるように、前記パルスレーザ光のエネルギー制御を行う。 - 特許庁

A cluster semiconductor processing apparatus includes wafer handling chambers 5 and 6 having a polygonal base including multiple sides for wafer processing chambers and two adjacent sides for wafer loading/unloading chambers as viewed in a direction of an axis of the wafer handling chambers 5 and 6.例文帳に追加

クラスタ型半導体処理装置は、ウエハ搬送チャンバの軸線方向に見て、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の隣接する２つの側面を含む多角形ベースを有するウエハ搬送チャンバを含む。 - 特許庁

To provide a method of exposure-processing a semiconductor using an updated correction in case the correction obsolesced, judging whether a specified time has passed (obsolesced) or not, after the correction of an exposer is computed the last time, at the point of time of exposure-processing it.例文帳に追加

露光処理する時点において、露光装置の補正値が前回算出された後、所定時間経過した（陳腐化した）かどうかを判定して、陳腐化した場合に、更新された補正値を用いて露光処理する方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process control system for semiconductor device calculates a recipe, indicative of the conditions for controlling the processing of a semiconductor production apparatus by an operation that uses manufacturing data acquired in the manufacturing process of semiconductor device and a prescribed algorithm, and transmits a previously prepared alternative recipe to a manufacturing management system for managing the semiconductor manufacturing apparatus, when the recipe cannot be derived.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセス制御システムは、半導体装置の製造プロセスにおいて取得する製造データと所定のアルゴリズムを用いて行う演算によって半導体製造装置の処理を制御する制御条件を示すレシピの計算をし、前記レシピが導出できなかったときに、半導体製造装置の管理を行う製造管理システムに、予め用意した代替レシピを送信する。 - 特許庁

An epitaxial wafer comprising a layered nitride semiconductor crystal formed on the dissimilar substrate through a buffer layer wherein the nitride semiconductor crystal is formed by vapor phase epitaxy, a principal surface of the dissimilar substrate on which the nitride semiconductor is formed is made uneven by processing, and void spaces are formed between the concave part of the uneven surface and the nitride semiconductor crystal is prepared.例文帳に追加

異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。 - 特許庁

To provide a GaN single-crystal mass and its manufacturing method regarding which crack occurrence is controlled, when making the GaN single-crystal mass grow and processing the grown GaN semiconductor device into a substrate, etc., and to provide a semiconductor device and its manufacturing method, when forming at least a single-layer semiconductor layer on the substrate-like GaN single-crystal mass and manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This force detection device 1 is equipped with a semiconductor substrate 20 provided on the surface with a force detection part 60 for generating an electric signal corresponding to a working force, a semiconductor circuit substrate 220 provided on the surface with a circuit part 222 for processing the electric signal, and insulating blocks 50, 250 provided between the surface of the semiconductor substrate 20 and the surface of the semiconductor circuit substrate 220.例文帳に追加

力検知装置１は、作用する力に応じた電気信号を生成する力検知部６０が表面に設けられている半導体基板２０と、前記電気信号を処理する回路部２２２が表面に設けられている半導体回路基板２２０と、半導体基板２０の前記表面と半導体回路基板２２０の前記表面の間に設けられている絶縁性のブロック５０、２５０とを備えている。 - 特許庁

To restrain a temperature difference between the periphery of a contact portion to the substrate supporting part of a semiconductor substrate and a portion except it even to the semiconductor substrate of different reflectance when a rapid thermal processing device is subjected to spike anneal treatment for a rapid rising and falling tempearture in a short time.例文帳に追加

急速熱処理装置において、短時間に高速に昇降温するスパイクアニール処理を行う場合に、異なる反射率の半導体基板に対しても、半導体基板の基板支持部との接触箇所周辺とそれ以外の箇所の温度差を抑制する。 - 特許庁

To provide a molded article of a perfluoro-elastomer exhibiting good non-tackiness and non-adhesiveness even under a severe environment such as high temperature or vacuum and suitable as a rubber material especially for a semiconductor production apparatus, semiconductor transportation apparatus, food processing apparatus, medical part, etc.例文帳に追加

高温、真空といった厳しい環境下で良好な非粘着性や非固着性を発現し、特に半導体製造装置、半導体搬送装置、食品加工装置、医療部品等のゴム材料として好適なパーフルオロエラストマー成形体を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor, capable of always maintaining a process at a fixed etching rate and accurately processing with low micro loading effects, high selectivity, high reproducibility and a method for treating the surface of a substrate to be treated, by using the apparatus for manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

常に一定のエッチングレートでプロセスを維持することができ、低マイクロローディング効果、高選択性、高再現性、高精度加工を可能とする半導体製造装置および該半導体製造装置を用いた被処理基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

To improve conversion efficiency by suppressing regrowth of a natural oxide film removed in a cleaning processing step, removing the natural oxide film on a semiconductor surface and removing a damage layer under the semiconductor surface when an antireflective film of a solar cell is formed.例文帳に追加

太陽電池の反射防止膜の成膜において、洗浄処理工程で除去した自然酸化膜が再成長することを抑制し、半導体表面の自然酸化膜を除去すると共に半導体表面下のダメージ層を除去して交換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide an information processor having a disk device and a non-volatile semiconductor memory which controls to guarantee the consistency of data and the continuity of processing when switching the disk device and the non-volatile semiconductor memory by carrying out the switching according to the designation of a user or environmental conditions.例文帳に追加

ディスク装置と、不揮発性半導体メモリとを有する情報処理装置において、その切り替えを、ユーザの指定、あるいは、環境条件にしたがっておこない、その切り替え時に、データの一貫性と処理の継続を保証する制御をおこなえるようにする。 - 特許庁

To achieve an antistatic adhesive sheet that not only securely protects a surface of a semiconductor wafer without giving bad effect thereto but also maintains antistatic characteristics even if the antistatic status is changed in response to the semiconductor wafer processing.例文帳に追加

半導体ウエハに対して悪影響を及ぼすことなしに半導体ウエハの表面を確実に保護するとともに、半導体ウエハの加工に応じて状態が変化する場合においても優れた帯電防止性能を維持できる帯電防止性粘着シートを実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents a remainder of a vacant wiring groove pattern with a conductive layer left when removing the conductive layer on an outer edge of a substrate with a edge rinse processing, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

基板の周縁部上の導電層をエッジリンス処理により除去する際に生じる導電層の除去された空の配線溝パターンが空の状態で残存することを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily evaluate a function at a high speed without mounting a semiconductor integrated circuit used for image processing of an image forming apparatus or the like on the image forming apparatus and without increasing the number of pins on the semiconductor integrated circuit and nets on a substrate.例文帳に追加

画像形成装置等の画像処理に使用する半導体集積回路を画像形成装置に実装することなく、また、半導体集積回路のピン数や基板上のネットを増加させることなく、容易にかつ高速に機能評価できるようにする。 - 特許庁

The present invention relates to a method for producing a plurality of semiconductor wafers by processing a single crystal, in which the single crystal has a central longitudinal axis with an orientation that deviates from a sought orientation of a crystal lattice of the semiconductor wafers.例文帳に追加

この発明は、単結晶を加工することによって多数の半導体ウェハを製造する方法であって、上記単結晶の長手方向中心軸は、上記半導体ウェハの結晶格子の要求方位からずれた方位を有する、方法に関する。 - 特許庁

To provide adhesive sheets of ultra violet (UV) curing type capable of being cured by UV irradiation with low irradiation intensity and in a short tome and contributing to save energy improve the productivity as a material for processing, fixing semiconductor wafers or protecting the surface of semiconductor wafers.例文帳に追加

紫外線照射による硬化を低照射強度でまた短時間で行うことができ、半導体ウエハの加工用、固定用または表面保護用などとして、省エネルギ—化や生産性の向上に寄与できる紫外線硬化型の粘着シ—ト類を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which can inhibit, in calcination processing of an encapsulation layer, formation of voids during the encapsulation and density ununiformity of a filler for an encapsulation material, and to provide a semiconductor device manufacturing apparatus used for the manufacturing method.例文帳に追加

封止層の焼成処理に際して、封止層中にボイドが形成されたり、封止材用フィラーの密度が不均一になることを抑制することができる半導体装置の製造方法、及び、その製造方法に用いる半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving electrostatic breakdown voltage without having any effect on the processing conducted on the basis of an input potential applied from an external side, and also to provide a module including a plurality of such semiconductor devices and an electronic apparatus including such module.例文帳に追加

外部から受ける入力電位に基づいて行なう処理に影響を与えることなく静電耐圧を向上させる半導体装置、そのような半導体装置を複数備えるモジュール、およびそのようなモジュールを備える電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which includes an active layer made of semiconductor and is given by a large influence on its laser characteristic associated with oxidization, and can establish a gain-coupled DFB structure without processing an active layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化によるレーザ特性への影響が大きい半導体を活性層とする半導体レーザ素子において、活性層を加工することなく利得結合型ＤＦＢ構造を得ることができる半導体レーザ素子及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor mounting polyimide film which is free of elongation, warpage, or curling during the step of processing a TAB tape or a flexible printed board and, further, is high in temperature resistance during the step of reflow soldering for semiconductor mounting.例文帳に追加

ＴＡＢテープやフレキシブルプリント基板への加工工程において、伸びが生じることがなく、そりやカールすることのない、さらには半導体実装工程においてハンダリフロー時の耐熱温度の高い半導体実装用ポリイミドフィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

Arrangement of a data system terminal of a semiconductor memory device to a memory access terminal of a semiconductor data processing device is decided so that wiring of data and data strobe system (RTdq/dqs) is shorter than wiring of command address system (RTcmd/add).例文帳に追加

データ及びデータストローブ系統の配線（ＲＴｄｑ／ｄｑｓ）がコマンド・アドレス系統の配線（ＲＴｃｍｄ／ａｄｄ）よりも短くなるように、半導体データ処理デバイスのメモリアクセス端子に対す半導体メモリデバイスのデータ系端子の配置が決定されている。 - 特許庁

To switch a disk device and a nonvolatile semiconductor memory according to user's specification or environmental conditions and to perform control for guaranteeing consistency of data and continuation of processing when switching them in an information processor having the disk device and the nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

ディスク装置と、不揮発性半導体メモリとを有する情報処理装置において、その切り替えを、ユーザの指定、あるいは、環境条件にしたがっておこない、その切り替え時に、データの一貫性と処理の継続を保証する制御をおこなうえるようにする。 - 特許庁

To provide a remover composition which exhibits very low corrosiveness to the materials of an insulating film, a metallic film, etc., constituting a semiconductor device in a step for producing the device and removes residue produced in the processing of a semiconductor and a photoresist.例文帳に追加

半導体素子の製造工程において、半導体素子を構成する絶縁膜や金属膜等の材料に対する腐食性が極めて低く、かつ半導体素子の処理の際に生じる残留物やフォトレジストを好適に除去する剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a computer-readable storage medium storing a program for executing layout processing of a semiconductor integrated circuit and a layout method of semiconductor integrated circuit, capable of suppressing increase in capacitance value by dummy metal.例文帳に追加

本発明の課題は、ダミーメタルによる容量値の増加を抑えるようにした半導体集積回路のレイアウト処理を実行するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体及び半導体集積回路のレイアウト方法を提供することを目的とする。 - 特許庁