「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

On the basis of the decision, the broadcast processing section 33 determines the capacity size of a buffer memory to be used for the processing operations, and after the determination, a buffer memory region having the capacity size is secured on an external volatile semiconductor memory device 13.例文帳に追加

この判断に基づき、送処理部３３は処理動作に使用するバッファメモリの容量サイズを決定して、その決定の後、外部揮発性半導体記憶装置１３に容量サイズのバッファメモリの領域を確保する。 - 特許庁

To provide: a dicing operation device that suppresses a defect occurrence rate in an LSI mounting step and enhances processing precision in manufacture; a semiconductor device component constituting method; and a method for recognizing a level difference formed with an object of dicing processing.例文帳に追加

ＬＳＩ実装工程における不具合発生率の抑止と製造時の加工精度を高めたダイシング作業装置と半導体装置部品構成方法、並びにダイシング処理対象物との段差認識方法を提供する。 - 特許庁

This makes it possible to hold the processing liquid on the substrate, without being affected by the surface condition of the substrate, and manufacturing of a semiconductor device and a liquid crystal display, without using unnecessary processing liquid is achieved.例文帳に追加

これにより基板の表面状態の変化に左右されずに基板上に処理液を保つことが可能であるので、不要な処理液を使用しないで半導体装置や液晶表示装置を製造することが可能になる。 - 特許庁

The specification recipe ID of a lot type as an object of processing are automatically acquired from a device server by the use of a host personal computer, and the recipe ID is transmitted to a semiconductor manufacturing device (e.g., etching device) 1, to give a processing start instruction.例文帳に追加

ホストパソコン２を使用して装置オンラインサーバ７から、処理対象のロットの型格のレシピＩＤを自動取得し、このレシピＩＤを半導体製造装置（例えば、エッチング装置）１に送信して処理開始指示を行う。 - 特許庁

To enhance the uniformity of the amount of processing on a wafer, especially, in the inner area and the periphery of the wafer, while keeping high processing efficiency, concerning the planalizing technique of the surface pattern of the wafer used in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の製造工程で用いられるウェハの表面パターンの平坦化技術に関して、高い加工能率を維持したまま、ウェハ面内、特にウェハ周辺部での加工量の均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a holding table constituted simple and capable of holding a held article regardless of size and shape, restraining electric power for working, etc. and reducing cost, a processing device of the held article and a processing device of a semiconductor wafer.例文帳に追加

サイズや形状にかかわらず被保持物品を保持することができ、作業用の電力等を抑制し、コスト削減が可能なシンプルな構成の保持テーブル、被保持物品の処理装置、及び半導体ウェーハの処理装置を提供する。 - 特許庁

This nitride semiconductor structure is provided with a sapphire substrate having processing structures of a recess portion and a projection portion on its surface in advance; a nitride semiconductor buffer layer formed on at least the projection portion on the substrate; and a nitride semiconductor layer formed on the semiconductor structure having an uneven portion by the sapphire substrate and the nitride semiconductor buffer layer.例文帳に追加

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer processing method and a double-faced adhesive sheet used for it, which are capable of protecting a semiconductor wafer against damages and warpage in a thinning process and easily restraining air bubbles from penetrating into an interface between the semiconductor wafer and a support wafer of a hard material.例文帳に追加

半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シートに関し、薄型加工工程おける半導体ウエハの破損や反りの発生を抑制することができるとともに、簡易に半導体ウエハと硬質材料の支持ウエハの界面に入る可能性のある気泡を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photodetector incorporated semiconductor device which can have a large ratio of photosensitivity, specially, to two wavelengths, can be manufactured through a consistent manufacturing process for semiconductor device without forming deep diffusion, and can individually extract corresponding electric signals by processing lights of two wavelengths by one semiconductor element.例文帳に追加

特に２つの波長に対する受光感度比を大きくとれ、しかも深い拡散を作る必要がなく、一貫した半導体装置の製造プロセスで製作でき、１つの半導体素子で異なる２つの波長の光を処理して、別々に対応する電気信号を取り出すことが出来る受光素子内蔵半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a packaging method of a semiconductor chip for preventing short-circuiting in wiring without correcting misalignment even if there is the positional misalignment between a substrate-side terminal of a substrate and a connection terminal of a semiconductor chip to a certain degree when packaging the semiconductor chip onto the substrate, and for facilitating the data processing of a discharge pattern.例文帳に追加

基板上に半導体チップを実装するに際して、基板の基板側端子と半導体チップの接続端子との間にある程度の位置ズレがある場合でも、位置ズレを補正することなく配線のショートを防止し、吐出パターンのデータ処理を容易にした、半導体チップの実装方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride-based semiconductor layer includes a step of applying nitride processing to one main surface of the sapphire substrate at a temperature of 800-1,200°C before forming the nitride-based semiconductor layer, and a step of forming the nitride semiconductor layer by an organic metal vapor phase growing method on the surface of the nitride-processed sapphire substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 - 特許庁

This manufacturing method of a heat spreader for a semiconductor comprises a first process, where a recess which houses a semiconductor is provided to a metal thin plate in the thickwise direction and a second process where the contacting surface of the recess, with which the semiconductor is brought into contact is turned smooth by a processing means.例文帳に追加

本発明の半導体用ヒートスプレッダーの製造方法は、金属薄板の厚み方向に半導体が収容される凹部を形成する工程と、前記工程により形成された凹部の半導体との接触面を平滑に加工する加工手段による仕上げ工程とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor film 3 formed on the substrate 2 is irradiated with laser light 21 in a non-oxidative processing atmosphere containing hydrogen gas 31 and while a temperature of the substrate 2 is held not higher than a fusion point, the semiconductor film 3 is heated to not lower than 1,000°C to be fused, and then solidified to crystallize the semiconductor film 3.例文帳に追加

水素ガス３１を含み且つ非酸化性の処理雰囲気中で基板２上に形成された半導体膜３にレーザ光１を照射し、基板２の温度を融点以下に保持したまま、半導体膜３を１０００℃以上に加熱して溶融させその後凝固させることにより、半導体膜３を結晶化させる。 - 特許庁

The method for forming a low resistance p-type compound semiconductor material on a substrate comprises a step (a) for forming a III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities on a substrate, and a step (b) for subjecting the III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities to microwave processing.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

In particular Penang started out as a tourist city and was designated as an export processing zone in 1972. Numerous semiconductor manufacturers subsequently branched out into this area, primarily American (National Semiconductor, Hewlett Packard, Motorola, Intel), but also including Japanese companies like Hitachi. By around 1980, Penang had become one of Asia’s leading semiconductor production and export bases.例文帳に追加

特に、観光都市であったペナンは、1972年に輸出加工区に指定されて以降、ナショナル・セミコンダクター、ヒューレッド・パッカード、モトローラ、インテルといった米国系を中心に、日立製作所等の日系を含めた半導体メーカーが進出し、1980年頃にはアジアでも有数の半導体の生産、輸出拠点となった。 - 経済産業省

A plasma 13 is generated between a cylindrical rotary electrode 2 and the surface of a group III nitride semiconductor 6, in the gas atmosphere containing chlorine under the atmospheric pressure or near it, so that the plasma 13 contacts the surface of the group III nitride semiconductor 6 for processing the surface of the group III nitride semiconductor 6.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下の塩素含有ガス雰囲気中で、円筒型回転電極２とIII族窒化物半導体６の表面との間でプラズマ１３を生成して、プラズマ１３をIII族窒化物半導体６の表面と接触させることにより、III族窒化物半導体６の表面を加工する。 - 特許庁

A film forming method of forming the antireflective film of a silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface of the solar cell includes a preprocessing step of cleaning the semiconductor surface by ion irradiation through plasma processing using N_2 gas and inert gas, and a film forming step of forming the silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface through plasma processing after the preprocessing step.例文帳に追加

太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をＮ_２ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜を成膜する成膜工程とを備える。 - 特許庁

The equipment for cleaning a semiconductor substrate such as a wafer (W) comprises a processing chamber 100, a rotatable supporting section 200 arranged in the processing chamber 100 and being arranged with the semiconductor substrate, a nozzle 400 for supplying organic solvent, and a dry gas supply nozzle 500 for supplying organic solvent in vapor state into the processing chamber.例文帳に追加

ウェーハ（Ｗ）などの半導体基板を洗浄する装置であって、処理室１００と、前記処理室内１００に配置され、前記半導体基板を配置するための回転可能な支持部２００と、有機溶剤を供給するための有機溶剤供給ノズル４００と、前記処理室内に蒸気状態の有機溶剤を供給するための乾燥ガス供給ノズル５００と、を含むことを特徴とする洗浄装置。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, in which the connecting terminal of a semiconductor chip and the connecting terminal of an electronic component accompanying the chip are easily and connected immediately to a conductor pad on the surface of a wiring board, without using Pb-containing solder without requiring much processing.例文帳に追加

半導体チップと該チップに付随する電子部品との接続端子を配線基板表面の導体パッドに、公害の元凶となるＰｂ入りのはんだを用いずに手数を掛けずに容易かつ迅速に接続できる半導体装置を得る。 - 特許庁

In addition, since the end of the adhesive tape 106 is distant from the outer periphery of a semiconductor wafer 102, it is possible to inhibit the effect of fluttering of the end of the adhesive tape 106, occurring during polishing processing, on the semiconductor wafer 102.例文帳に追加

さらに、粘着テープ１０６の端部が半導体ウエーハ１０２の外周部分から離れているため、研磨加工時に生じる粘着テープ１０６の端部のバタツキが半導体ウエーハ１０２に影響を及ぼすことを抑制することができる。 - 特許庁

Subsequently, an n-type impurity layer 65 is formed on the surface insulating film, and a p-type impurity layer 95 is formed on the rear insulating film respectively by printing, the impurity is diffused by heat-processing, and an n++ semiconductor layer and a p++ semiconductor layer are formed.例文帳に追加

次に，表面絶縁膜上にｎ型不純物層６５，裏面絶縁膜上にｐ型不純物層９５を，印刷法にて各々形成し，熱処理により不純物を拡散し，ｎ++半導体層及びｐ++半導体層を形成する。 - 特許庁

To reduce costs by simplifying manufacturing processes and shortening processing time, and readily and surely realize improvement in transmission characteristics by preventing breakage of wiring, in a semiconductor device in which semiconductor chips are stacked.例文帳に追加

半導体チップを積層してなる半導体装置において、製造工程を簡素化し、工程時間を短縮させてコストの低減を図るとともに、配線の断線を防止し、伝送特性の向上を容易且つ確実に実現することを可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a circuit board containing a conductive core board capable of easily processing with the core board for improved deflection of the core board and adhesion to a resin layer.例文帳に追加

導電性のコア基板を含む回路基板に半導体チップが実装される構造の半導体装置において、コア基板の加工が容易である共に、コア基板の反りや樹脂層との密着性を改善できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To process and flatten the substrate surface of a Ga (gallium)-element containing compound semiconductor with high surface accuracy in a practical processing time, the compound semiconductor containing, e.g., GaN, GaAs, and GaP which have been increasingly demanded as materials of light emitting devices and electronic devices.例文帳に追加

発光デバイスや電子デバイスの材料として重要性が高まっているＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ等のＧａ（ガリウム）元素を含有する化合物半導体の基板表面を、実用的な加工時間で、かつ表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

A dicing step of cutting a wafer (semiconductor wafer) 40 along a scribe region 40b to obtain a plurality of semiconductor chips includes a laser processing step of irradiating the scribe region 40b with a laser beam before cutting the wafer 40.例文帳に追加

ウエハ（半導体ウエハ）４０をスクライブ領域４０ｂに沿って切断して、複数の半導体チップを取得するダイシング工程において、ダイシング工程は、ウエハ４０を切断する前に、スクライブ領域４０ｂにレーザを照射するレーザ加工工程を含む。 - 特許庁

A transfer 1 which transfers a suction nozzle 10 holding a semiconductor element S while repeating a cycle of advancing and stopping it and a processor 2 which is provided to the stopping position of the suction nozzle 10 and conducts operation processing on the semiconductor element S, are provided.例文帳に追加

半導体素子Ｓを保持する吸着ノズル１０を進行及び停止させるサイクルを繰り返しながら搬送する搬送部１、吸着ノズル１０の停止位置に設けられ、半導体素子Ｓに工程処理を施す処理部２を有する。 - 特許庁

To provide a guard ring capable of determining whether the electrostatic charge has occurred in the amount which may have the adverse effect on integrated circuits in the pre-processing step of a semiconductor wafer, as well as to provide a pre-processed semiconductor wafer equipped with such a guard ring.例文帳に追加

半導体ウェハの前処理工程で集積回路に悪影響を与えるような量の静電気の発生があったか否かを判別することが可能なガードリング、およびこのガードリングを備えた前処理済み半導体ウェハを得ること。 - 特許庁

Next, a second groove 30, whose width is narrower than that of a first groove 29, is formed on the semiconductor wafer 22, which remains in the part of the first groove 29, and the low dielectric constant film 5 through laser processing by laser irradiation from the lower surface side of the semiconductor wafer 21.例文帳に追加

次に、半導体ウエハ２１の下面側からのレーザ照射によるレーザ加工により、第１の溝２９の部分に残存する半導体ウエハ２２および低誘電率膜５に、第１の溝２９よりも幅狭の第２の溝３０を形成する。 - 特許庁

To provide a wafer processing tape with which intervals between semiconductor chips as individual pieces can be widened uniformly and sufficiently, and expanding force which is large enough to part a semiconductor wafer into chips can be obtained in an expand step.例文帳に追加

エキスパンド工程において、個片化された半導体チップ同士の間隔を均一に十分に広げることが可能で、半導体ウエハをチップ単位に分断するのに十分なエキスパンド力を得ることが可能なウエハ加工用テープを提供する。 - 特許庁

To improve mechanical strength of a thinned semiconductor element without increasing a manufacturing cost in a manufacturing method of a semiconductor device performing back grind processing on a rear face in a back grind process.例文帳に追加

本発明はバックグラインド工程において背面に対しバックグラインド処理が実施される半導体装置の製造方法に関し、製造コストを上昇させることなく、薄型化された半導体素子の機械的強度を向上することを課題とする。 - 特許庁

Then, by supplying plasma 13 blew by the plasma processing apparatus A into the gap 30 between the semiconductor chip 14 and the mounting substrate 15, the surface of semiconductor chip 14 and the surface of mounting substrate 15 and the surface of bump 16 are cleaned.例文帳に追加

この後、プラズマ処理装置Ａから吹き出されるプラズマ１３を半導体チップ１４と実装基板１５の間隙３０に供給することによって半導体チップ１４の表面と実装基板１５の表面とバンプ１６の表面を洗浄する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a semiconductor wafer which is excellent in chuck table absorptive properties at the time of grinding, does not break a semiconductor wafer even by thin grinding, and suppresses an amount of warping and an amount of flexure at that time.例文帳に追加

研削時のチャックテーブル吸着性に優れ、薄厚研削においても半導体ウエハが割れることがなく、また、そのときの反り量や撓み量についても抑制することが可能となる半導体ウエハ加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer handling apparatus which is capable of processing the front and back sides and the peripheral face of a semiconductor wafer by a single unit and superior in productivity and mass productivity, and holds the wafer in a clean state without adhesion of dust, etc., to the wafer surface.例文帳に追加

単一の装置でウェハの表裏面や周面を処理することを可能とし、 生産性及び量産性に優れ、しかもウェハ表面に塵などの付着がなく清浄な状態を保持する半導体ウェハのエッジハンドリング装置を提供する。 - 特許庁

As a result, it is possible to secure stability during polishing processing of the semiconductor wafer 102, and the adhesive accuracy of the semiconductor wafer 102, adhesive tape 106, and a support substrate 108, which is required for suppressing the chipping or the like, is relaxed.例文帳に追加

この結果、半導体ウエーハ１０２を研磨加工する際の工程の安定性を得ることができ、チッピング等を抑制するために求められていた半導体ウエーハ１０２、粘着テープ１０６、支持基板１０８の粘着精度が緩和される。 - 特許庁

To provide a device and method for processing a semiconductor wafer, capable of adhering a stripping tape to an adhesive sheet to make the adhesive sheet peelable, so that part of the adhesive sheet protruded from a semiconductor wafer may not be stuck to a mounting sheet.例文帳に追加

半導体ウエハからはみ出した接着シート部分がマウントシートに接着してしまうことがないように剥離用テープを接着シートに貼付して当該接着シートを剥離可能な半導体ウエハ処理装置及び処理方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress a chipping surrounding an element when a laser processing rate is increased in the case where a laser process is adapted for, for example, cutting of a semiconductor wafer having an insulating film at a low inductivity, and to enhance the quality of a semiconductor element or a production yield.例文帳に追加

例えば低誘電率絶縁膜を有する半導体ウェーハの切断にレーザ加工を適用するにあたり、レーザ加工速度を高めた際の素子周囲のチッピングを抑制し、半導体素子の品質や製造歩留りの向上を図る。 - 特許庁

To provide a positioning inversion device of a semiconductor device where processing speed is shortened and space of the device is saved with a simple structure, by inverting and correcting a position of the semiconductor device through respective assembly processes of dicing, mounting, bonding and sealing.例文帳に追加

ダイシング、マウンティング、ボンディング、シーリングの各組立工程を経た半導体装置の反転及び位置矯正を、簡単な構成により、処理速度の短縮化と装置の省スペース化を実現した半導体装置の位置決め反転装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for processing a semiconductor wafer, having a small impurity content and excellent chipping-resisting characteristic, and capable of preventing chips from flying.例文帳に追加

半導体ウエハ加工に際して、不純性が少なくかつ耐チッピング特性に優れダイシングの際のチップ飛びを防ぐ半導体ウエハ加工用粘着シートを提供すること。 - 特許庁

According to one embodiment, a semiconductor storage device is provided, which has a memory cell array, a storing part, a selecting part, a start processing part and an operation control part.例文帳に追加

１つの実施形態によれば、メモリセルアレイと記憶部と選択部と起動処理部と動作制御部とを有することを特徴とする半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

To provide a cleaning member or sheet for a substrate processing apparatus vulnerable to foreign matters, such as a manufacturing apparatus or an inspection apparatus of, for example, a semiconductor, and a flat panel display.例文帳に追加

本発明は、例えば、半導体、フラットパネルディスプレイなどの製造装置や検査装置など、異物を嫌う基板処理装置のクリーニング部材又はシートを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor device and a liquid crystal display device which can enhance the uniformity of the processing of the surface to be processed of a substrate.例文帳に追加

基板の被処理面内における処理の均一性を向上させることが可能な半導体装置および液晶表示装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a sharp impurity profile is obtained by suppressing broadening of an in-film impurity profile, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

膜中不純物プロファイルがブロードになることを抑制し、シャープなプロファイルを実現する半導体装置の製造方法、および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To constitute so that static electricity generated in a semiconductor wafer during processing do not accumulate, and to suppress generation of particles caused by the omission of the particles, by making higher mechanical adhesion strength of a conductive layer formed on a placement surface, in a jig for vacuum suction.例文帳に追加

本発明の真空吸着用治具の目的は、加工中に半導体ウエハに発生した静電気がたまらないようにすることである。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured in such a manner that a thin-film transistor is formed on an insulating substrate, and an insulating film is formed on the thin-film transistor and then subjected to an annealing processing.例文帳に追加

絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成し、その薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成し、その後アニール処理することによって、半導体装置を作製する。 - 特許庁

To provide a small size semiconductor device superior in reflow resistance, temperature cycle property and PCT resistance enough to meet the demand for high degree of integration, high density and high speed processing rate constitutions.例文帳に追加

高集積度化、高密度化、処理速度の高速化に対応できる耐リフロー性、温度サイクル性、耐ＰＣＴ性に優れた小型の半導体装置を提供する。 - 特許庁