「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing a semiconductor device, dimensions or the like relating to a processing step of manufacturing a semiconductor device are measured by both of the CD-SEM (a first measurement means) and the scatterometry (a second measurement means) (S202, S203 or the like).例文帳に追加

本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。 - 特許庁

The base material 10 comprises one end part on the side supported by a lead processing device of the semiconductor device and the other end part on the side contacting to the lead of the semiconductor device, being formed to extend from one end part to the other end part.例文帳に追加

基材１０は半導体装置のリード加工装置に支持される側の一方端部と半導体装置のリードに接触する側の他方端部とを有し、一方端部から他方端部まで延びるように形成されている。 - 特許庁

To provide a device for saving gas in a semiconductor manufacture process, which enables reduction of the quantity of consumed gas by enabling the stop of the supply of processing gas while a semiconductor wafer is carried from a load lock chamber to a reactor chamber.例文帳に追加

半導体ウェハーがロードロックチャンバーからリアクターチャンバーに搬送される間、処理ガスの供給を停止できるようにして処理ガスの消費量削減を可能にした半導体製造プロセスにおける省ガス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a means that prevents reliability of connection from lowering even when a ball grid array (BGA) package type semiconductor device is deformed into a convex or concave shape in a reflow processing and stress is generated between a multi-layer wiring board and a semiconductor chip.例文帳に追加

リフロー処理が行われた際にＢＧＡパッケージ型半導体装置が凸ないし凹の形状に変形し、多層配線基板と半導体チップとの間に応力が発生しても、接続の信頼性が低下しない手段を提供する。 - 特許庁

Preferably, the method may have the expansion step of expanding the tape for wafer working by elevating an upthrust member from the lower surface of the tape for wafer processing, and also dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips.例文帳に追加

その後、前記ウエハ加工用テープの下面より突き上げ部材を上昇させることで、前記ウエハ加工用テープを引き伸ばすとともに、前記半導体ウエハを半導体チップに分断するエキスパンド工程と、を備えることが好ましい。 - 特許庁

After a surface Mo electrode is formed on the surface of the semiconductor wafer, the back Ni-based electrode is formed on the back of the semiconductor wafer, and the formed surface Mo electrode and back Ni-based electrode are simultaneously subjected to sintering processing.例文帳に追加

半導体ウェハの表面に表面Ｍｏ電極を形成した後で、半導体ウェハの裏面に裏面Ｎｉ系電極を形成し、形成した表面Ｍｏ電極および裏面Ｎｉ系電極を同時にシンター処理する。 - 特許庁

This semiconductor device is loaded with a logic chip 12 having a data processing function and a memory chip 13 for storing data processed or to be processed by the logic chip 12 together in one package 11 as the plurality of semiconductor chips.例文帳に追加

この半導体装置は、１つのパッケージ１１内に、複数の半導体チップとして、データの処理機能を有するロジックチップ１２および該ロジックチップ１２が処理した、もしくは処理すべきデータを記憶するメモリチップ１３を混載している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same which suppress delamination of a film deposited on a substrate caused by processing damages or residual stress of the film occurred in a process of dividing semiconductor devices into pieces by die cutting or the like.例文帳に追加

ダイシング等で半導体装置を個片化する際に加工のダメージ又は膜の残留応力などに起因して発生する、基板上の膜の剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processor, a semiconductor integrated circuit, and a processor system which reduce consumption current without reducing the processing capacity of the processor including a plurality of peripheral circuits, the semiconductor integrated circuit device, and the processor system.例文帳に追加

複数の周辺回路を備えたプロセッサ、半導体集積回路装置及びプロセッサシステムの処理能力を低下させることなく、消費電流を低減するプロセッサ、半導体集積回路装置及びプロセッサシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage suited for image processing by reducing time for reading and writing data on resetting in the semiconductor storage with a memory cell array comprising an SDRAM and a register array comprising an SRAM.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭより成るメモリアレイ及びＳＲＡＭより成るレジスタアレイを備える半導体記憶装置におけるリセット時にデータのリード及びライトの時間を短縮し、もって、画像処理に好適な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING ORGANIC POLYMER ELECTRONIC MATERIAL, METHOD OF PRODUCING ORGANIC POLYMER ELECTRONIC MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, ELECTROPHOTOGRAFIC ORGANIC PHOTORECEPTOR, IMAGE FORMING APPARATUS, ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

高分子有機電子材料の処理方法、高分子有機電子材料の製造方法、有機電界発光素子、電子写真用有機感光体、画像形成装置、有機半導体トランジスタ素子およびその製造方法、並びに半導体装置 - 特許庁

When a recording trigger switch 5 is operated, one image outputted from a camera signal processing circuit 17 at the point is written in a semiconductor memory 12, data compression is further performed by a data compression circuit 21 and the compressed data are stored in a semiconductor memory 13.例文帳に追加

記録トリガースイッチ５を操作すると、そのときにカメラ信号処理回路１７から出力される１画像が半導体メモリ１２に書き込まれ、さらに、データ圧縮回路２１でデータ圧縮されて半導体メモリ１３に記憶される。 - 特許庁

To provide a processing method for semiconductor wafers whereby a semiconductor wafer (2) can be treated as required without damaging it even when its rear surface is ground remarkably thin.例文帳に追加

半導体ウエーハ（２）の裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことを可能にする、半導体ウエーハの処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus provided with a wafer holder by which the cooling speed of a heater can be improved and the uniformity of temperature distribution of the heater at the time of cooling can be secured and capable of sharply shortening the processing time of a semiconductor wafer.例文帳に追加

ヒータの冷却速度の向上と共に、冷却時のヒータの温度分布の均一性を確保できるウエハ保持体を備え、半導体ウエハの処理時間を大幅に短縮することができる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Since an affected layer remaining on the surface of the GaN-based semiconductor substrate after the wrapping step is efficiently removed by the CVE step, time required for the surface processing treatment of the GaN-based semiconductor substrate can be sharply shortened.例文帳に追加

ラッピング工程後にＧａＮ系半導体基板表面に残存する加工変質層が、ＣＶＥ工程により効率的に除去されるので、ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理の所要時間を大幅に短縮化できる。 - 特許庁

To provide an adhesive film for a semiconductor wafer processing that actualizes uniform and flat backgrind of a semiconductor wafer, allows a base film to be easily peeled from an adhesive layer, and hardly causes degradation in the performance of the adhesive layer.例文帳に追加

半導体ウェハの均一・平坦なバックグラインドを可能にし、基材フィルムを接着剤層から容易に引き剥がすことができ、接着剤層の性能低下が発生しにくい半導体加工用接着フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is densely and mixedly mounted with a large number of semiconductor elements of different kinds and micronized in size while restrained from increasing in cost due to the fact that it is subjected to system-on-chip processing and that the types of mask are increased in number.例文帳に追加

システム・オン・チップ化によるコスト増大及びマスクタイプの増加によるコスト増大を回避して、種類の相互に異なる多数の半導体素子を高密度で混載し、かつ微細化を実現した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The release-accelerating agent is included in the adhesive agent for fixing of a wafer during processing of the semiconductor wafer, and generates gas when receiving an electromagnetic wave or electron beam such as a visible ray, ultraviolet light or X ray to accelerate the release of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハーの加工時にウエハーを固定するための粘着剤に含有され、可視光線、紫外線、エックス線等の電磁波または電子線によってガスを発生し、半導体ウエハーの剥離を促す剥離促進剤。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device capable of ensuring that the processing condition of Ru film can be maintained by preventing erosion of the Ru film at the time of removing the resist in the semiconductor device using the Ru film as an electrode.例文帳に追加

電極としてＲｕ膜を用いた半導体装置において、レジスト除去を行なうに際して、Ｒｕ膜の侵食を防止してＲｕ膜の加工形状を維持することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, it is heated at temperatures higher than the thermal processing temperatures, and aluminum and boron are diffused in an N-type semiconductor substrate 1 to form first and second P-type semiconductor regions 9, 10 having different impurity concentrations.例文帳に追加

しかる後、この熱処理温度よりも高い温度で熱処理してアルミニウム及びホウ素をＮ形半導体基板１内に拡散させて不純物濃度の異なる第１及び第２のＰ形半導体領域９、１０を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device where semiconductor elements and a relay substrate incorporating a passive element such as a bypass capacitor are packaged without performing a special processing on the base substrate of the relay substrate.例文帳に追加

中継基板のベース基板に特殊な処理を施すことなく、半導体素子とバイパスコンデンサ等の受動素子を内臓した中継基板とをパッケージングした半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a surface processing method of a substrate consisting of groups III-V compound semiconductor which is made into stoichiometry and a manufacturing method of groups III-V compound semiconductor for suppressing minute roughness of the surface after epitaxial growth.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板をストイキオメトリにし、エピタキシャル成長後の表面の微小荒れを抑制する基板の表面処理方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To certainly transfer a semiconductor substrate such as a glass substrate or the like without having position difference and a drop in loading and unloading the semiconductor substrate from a stored cassette to various processing steps.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、ガラス基板等の半導体基板の収納されたカセットから各種処理工程への半導体基板の供給及び排出を位置ズレや落下を起こすことなく確実に搬送すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device and a nonvolatile semiconductor storage device capable of eliminating a step on a gate electrode without providing a planarization processing step using a liner film as a stopper film.例文帳に追加

ライナー膜をストッパ膜とした平坦化処理工程を設けることなくゲート電極上の段差を解消できるようにした不揮発性半導体記憶装置の製造方法および不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The modules 5 are connected with one another via a bus structure, and each module 5 independently performs predetermined processing for the signal output from a semiconductor sensor of each target semiconductor device 4.例文帳に追加

検出器モジュール５同士はバス構造で接続されており、各検出器モジュール５はそれぞれ独立して、それぞれが対象とする半導体素子４の半導体センサから出力される信号に対して所定の処理を施す。 - 特許庁

The method and the apparatus for processing the semiconductor include a step of irradiating the amorphous silicon laminated on the different type substrate with a laser beam oscillated from a semiconductor laser in an inert gas atmosphere while scanning and obtaining of a crystal silicon.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気中において、異種基板上に積層させた非晶質シリコンに、半導体レーザーから発振されたレーザー光を走査しながら照射し、結晶シリコンを得る半導体加工方法および半導体加工装置。 - 特許庁

A cobalt film and a titanium nitride film are formed on the semiconductor substrate to cover the gate electrode, and a CoSi layer is formed by reacting Co of the cobalt film with Si of the semiconductor region through a first anneal processing.例文帳に追加

半導体基板上にゲート電極を覆うようにコバルト膜および窒化チタン膜を形成し、第１のアニール処理を行ってコバルト膜のＣｏとゲート電極および半導体領域のＳｉとを反応させてＣｏＳｉ層を形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid and a cleaning method for removing unnecessary solidified matter produced by antireflection agent applied during the processing process of a semiconductor wafer in manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、半導体素子の製造における半導体ウエハの加工工程で、塗布される反射防止剤によって生じる、不要な固化物を除去するために用いられる、洗浄液および洗浄方法を提供するものである。 - 特許庁

There provided are the method for processing a semiconductor surface by using the etchant, and the new etchant suitable for featuring a defect on the surface of a semiconductor containing silicon germanium on the surface.例文帳に追加

本発明は、本明細書で開示されたようなエッチング液を用いて半導体表面を処理する方法だけでなく、シリコンゲルマニウム表面を含んだ半導体表面の欠陥を特徴付けるのに適した新規なエッチング液に関する。 - 特許庁

A control apparatus 42 opens a switching valve 38 and supplies the processing gas to the processing chamber 12, when the inside of the processing chamber 12 is evacuated with a detection signal of a pressure sensor 44, and the average free path of the processing gas including active seeds sent from the discharge unit 20 becomes longer than the distance from the gas inlet port 22 up to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

制御装置４２は、圧力センサ４４の検出信号から処理室１２の内部が減圧され、放電ユニット２０から送られてくる活性種を含む処理ガスの平均自由行路が、ガス導入口２２から半導体基板１までの距離より大きくなると、開閉弁３８を開放して処理ガスを処理室１２に供給する。 - 特許庁

The photodetector incorporated semiconductor device having a photodetector and a signal processing circuit for the insulated and separated photodetector formed on the same semiconductor is constituted by laminating a 1st semiconductor layer having a 1st photodetector; an insulating layer which varies in reflection factor with the wavelength of light, transmits light, and has a specified film thickness; a 2nd photodetector; and the signal processing circuit in order on the semiconductor substrate.例文帳に追加

受光素子と該受光素子の信号処理回路とが同一半導体基板上に絶縁分離して形成された受光素子内蔵半導体装置において、第１の受光素子を備える第１の半導体層と、光の波長により反射率が変わり、かつ光透過性を有する所定の膜厚の絶縁層と、第２の受光素子及び信号処理回路を備える第２の半導体層とが、順に半導体基板上に積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor laser device and the semiconductor laser device, that is superior in heat discharge properties from a semiconductor laser chip and capable of suppressing the extrusion of a conductive bonding layer to the side of light outgoing-end face of the semiconductor chip without processing the configuration of a heat sink, while allowing conductive bonding layer extruded to the side of the light outgoing end face not to remain.例文帳に追加

本発明は、半導体レーザチップからの排熱性に優れるとともに、ヒートシンクの形状を加工することなく、半導体レーザチップの光出射端面側への導電性接着層のはみ出しを抑制し、光出射端面側にはみ出した導電性接着層を残存させることのない半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

In the substrate processing device 1, a liquid film of the hydrogen peroxide water solution is formed on a surface of a semiconductor wafer W by immersing the semiconductor wafer W in the hydrogen peroxide water solution 143, and a high-temperature SPM immediately after mixing is brought into contact with the semiconductor wafer W by immersing the semiconductor wafer W with the liquid film of the hydrogen peroxide solution formed on the surface in high-temperature sulfuric acid 103.例文帳に追加

基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 - 特許庁

Thus, in manufacturing the semiconductor device in which the non-volatile semiconductor storage device and a lateral type PNP transistor are mixedly mounted on an identical semiconductor substrate, the ultraviolet ray is irradiated after wafer processing, or after the characteristic inspection of the non-volatile semiconductor storage device, and even if hfe is lowered by the irradiation of the ultraviolet ray on the L-PNP transistor, the lowered hfe can be recovered.例文帳に追加

これにより、不揮発性半導体記憶素子とラテラル型ＰＮＰトランジスタとを同一の半導体基板に混載した半導体装置の製造において、ウェハ加工後や不揮発性半導体記憶素子の特性検査後に行う紫外線照射により、Ｌ−ＰＮＰトランジスタに紫外線が照射されることでｈｆｅが低下しても、低下したｈｆｅを回復させることができる。 - 特許庁

The protective layer 6 like this can be manufactured by applying a material 16 comprising the protective layer so as to cover the discretely divided semiconductor substrate 2, and then by press processing the semiconductor substrate 2 between bases 11 so that the semiconductor substrate 2 on the base 11 is entered into a concave part 18 with the use of a press mold 17 having the concave part 18 corresponding to the discretely divided semiconductor substrate 2.例文帳に追加

このような保護層６は、個片化された半導体基板２を覆うように保護層を構成する材料１６を塗布したのち、個片化された半導体基板２に対応した凹部１８を有するプレス型１７を用いて基台１１上の半導体基板２が凹部１８内に入るように基台１１との間でプレス加工することにより製造することができる。 - 特許庁

A processing object is prepared which includes a monocrystal semiconductor substrate, a first film consisting of a material having a heat conductivity lower than that of the semiconductor substrate with a plurality of grooves arranged parallel with each other formed so as to reach the semiconductor substrate, and a second film consisting of an amorphous or microcrystalline semiconductor provided in the grooves and on the first film.例文帳に追加

単結晶半導体基板と、その半導体基板よりも熱伝導率の低い材料からなり、相互に平行に配置されて前記半導体基板まで達する複数の溝が形成されている第１の膜と、アモルファスまたはマイクロクリスタルの半導体からなり、溝内及び第１の膜の上に配置されている第２の膜とを有する加工対象物を準備する。 - 特許庁

Consequently, a processing chamber composed of the semiconductor wafer 11 as its inner bottom surface and the inner circumferential surface of the press frame body 17 as its internal wall is constituted in an etching pot 14, and etching can be carried out by supplying an etchant into the processing chamber.例文帳に追加

これにて、エッチングポット１４には、半導体ウエハ１１を内底面とし押え枠体１７の内周面を内壁とした処理室が構成され、この処理室内にエッチング液を供給してエッチング処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is capable of coping with various processing accompanying the microminiaturization and complex structure of a semiconductor device and controlling the distribution of the electromagnetic field of plasma-exciting high frequencies and the distribution of plasma so as to process a wafer uniformly.例文帳に追加

半導体デバイスの微細化、複雑構造に伴った多様な処理に対応し、プラズマ励起高周波の電磁界分布及びプラズマ発生分布を制御して均一処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming an electrically conductive layer whose main component being Cu in a recess in an improved state of the embedding characteristics according to reflow processing even if the reflow processing at a high temperature ≥400°C is not carried out.例文帳に追加

４００℃以上の高温でのリフロー処理を行わなくても、リフロー処理による埋め込み特性が改善された状態で、凹部内にＣｕを主成分とする導電層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor lead processing method for reliably removing unnecessary leads in one punch action, capable of decreasing defective products and preventing damage to the cutter, and to provide a processing mold for the method.例文帳に追加

１回のパンチ動作で不要リードを確実に切断することができ、かつ、製品不良を低減できるとともに金型切刃の破損を防止することのできる半導体リードの加工方法及び加工金型を提供すること。 - 特許庁

This makes it possible to hold the processing liquid on the substrate, without being affected by the surface condition of the substrate, and manufacturing of a semiconductor device and a liquid crystal display, without using unnecessary processing liquid is achieved.例文帳に追加

これにより基板の表面状態の変化に左右されずに基板上に処理液を保つことが可能であるので、不要な処理液を使用しないで半導体装置や液晶表示装置を製造することが可能になる。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing apparatus comprises pressure adjustment means 19 capable of adjusting a pressure inside a processing chamber 11, and a gas supply source 15b and a mass flow controller 17b flowing an inert gas at an adjusted flow rate into the processing chamber 11.例文帳に追加

処理室１１内の圧力を調整可能な圧力調整手段１９と、処理室１１内に流量が調整された不活性ガスを流入させるガス供給源１５ｂおよびマスフローコントローラ１７ｂとが設けられている。 - 特許庁

To provide an apparatus, a system and a method for processing a semiconductor in which the cause can be investigated and removed easily in a short time upon occurrence of abnormal data in inspection processing.例文帳に追加

検査処理において異常な結果データが発生した場合に、短時間でかつ容易に原因調査および除去をすることができる半導体処理装置、半導体処理システムおよび半導体処理管理方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element, on receiving the biological information and identification information from the authentication device, performs the biometric authentication processing with the arithmetic processing section 103 using the biological registration information registered in the first memory and the received biological information.例文帳に追加

半導体素子は、認証装置から生体情報と識別情報を受信すると、第１のメモリに登録された生体登録情報と受信した生体情報を用いて演算処理部１０３により生体認証処理を行う。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device 1, a first bus B1 used in the processing of the CPU 2 and a third bus B3 used in data transferring processing by a RAM-FIFO unit 3 are connected through bus bridges BB1, BB2.例文帳に追加

半導体集積回路装置１には、ＣＰＵ２の処理に用いられる第１バスＢ１と、ＲＡＭ−ＦＩＦＯユニット３などのデータ転送処理に用いられる第３バスＢ３とは、バスブリッジＢＢ１，ＢＢ２を介して接続されている。 - 特許庁