「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor integrated circuit includes a plurality of first interfaces (11-14), a second interface (21), a bus (22) and a plurality of image processing modules (15-18).例文帳に追加

この半導体集積回路は、複数の第１インタフェース（１１〜１４）と、第２インタフェース（２１）と、バス（２２）と、複数の画像処理モジュール（１５〜１８）を含む。 - 特許庁

Then, a solid phase growing process for executing a solid phase growing processing, by heating the semiconductor thin film 5 and converting the amorphous silicon to the polycrystalline silicon is performed.例文帳に追加

次に、半導体薄膜５を加熱して固相成長処理を施し、非晶質シリコンを多結晶シリコンに転換する固相成長工程を行なう。 - 特許庁

At the time of irradiation with flash light from a flash lamp, a semiconductor wafer W to be a processing object is held in a horizontal posture only by a susceptor 721.例文帳に追加

フラッシュランプからフラッシュ光を照射するときには、処理対象となる半導体ウェハーＷはサセプタ７２１のみによって水平姿勢に保持されている。 - 特許庁

Fixing portions 21, the oscillating arms 22, 23, and 24, and the first stopper member 25 are integrally formed by processing a semiconductor material such as silicon.例文帳に追加

固定部２１、振動腕２２，２３，２４および第１のストッパ部材２５は、シリコンのような半導体材料を加工することにより一体的に形成される。 - 特許庁

A layer conversion processing part 12 converts a cell layer in association with a design layer representing each layer of the semiconductor integrated circuit based on the cell arrangement information.例文帳に追加

レイヤー変換処理部１２はセル配置情報に基づいてセルレイヤーを半導体集積回路の各層を示すデザインレイヤーに対応させて変換する。 - 特許庁

To provide a semiconductor data processing device for achieving thoroughgoing security even against any illegal attack to be performed without being accompanied by physical breaking.例文帳に追加

物理的な破壊を伴わずに行われる不正なアタックに対しても万全のセキュリティを実現することができる半導体データ処理デバイスを提供する。 - 特許庁

The removal processing of a Cu oxidized film is executed to the Cu electrode pad 12 of the semiconductor chip 11 and the Cu inner lead 14 of a TAB tape 13.例文帳に追加

半導体チップ１１のＣｕ電極パッド１２とＴＡＢテープ１３のＣｕインナーリード１４に対してＣｕ酸化膜の除去処理を施す。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which the degree of freedom of setting storage capacity is enhanced in a bank performing parallel processing of data and its control method.例文帳に追加

データの並列処理を行うバンクについて記憶容量の設定の自由度が高められた半導体記憶装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of the substrate, there is formed a third semiconductor layer doped with the first dopant in a medium concentration and subjected to a small convex and concave processing.例文帳に追加

上記基板の表面上には、第１ドーパントで中濃度にドープされ、さらに微小凹凸加工されている第３半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for flexibly and intentionally changing monitor object bits by debugging software processing accompanied with status change.例文帳に追加

状態変化に伴うソフトウェア処理のデバッグにおいて、フレキシブルに監視対象ビットを意図的に変化させることができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To achieve a verification device for easily determining whether or not the change of a netlist satisfies timing constraints and design constraints in the layout processing of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のレイアウト処理において、ネットリストの変更が、タイミング制約及びデザイン制約を満たすか容易に判定できる検証装置の実現。 - 特許庁

In one embodiment, an apparatus for delivering gases to a semiconductor processing system includes a plurality of gas input and output lines each having an inlet or outlet port.例文帳に追加

一実施形態において、ガスを半導体処理システムに分配する装置は、入口及び出口ポートを有する複数のガス入力及び出力ラインを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with MOS transistors capable of being minutely manufactured without the need for using a highly accurate processing apparatus and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高精度の加工装置を使わなくても微細に作成できるＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve high-frequency characteristics by reducing the number of inductors of a semiconductor device for processing a high-frequency signal, and prevent the reduction of the number of external terminals.例文帳に追加

高周波信号を処理する半導体装置のインダクタを低減して高周波特性を向上させ、併せて外部端子の数の減少を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor, by which the processing dimensional accuracy is improved, and also to provide a method for forming a mask pattern, and a Levenson type phase shift mask.例文帳に追加

加工寸法精度の向上を図ることが可能な半導体製造方法、マスクパターンの形成方法及びレベンソン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

Further, a carrier device 12 is controlled by a controller 50 based on the "positional deviation information" to make a positional correction of the semiconductor wafer W in the processing unit 1.例文帳に追加

そして、この「位置ずれ情報」に基づいてコントローラ５０により搬送装置１２を制御して処理ユニット１での半導体ウエハＷの位置補正を行う。 - 特許庁

To provide a substrate support unit for supporting semiconductor substrates in a single wafer processing system, and to provide a substrate polishing apparatus using the substrate support unit to polish and clean substrates.例文帳に追加

半導体基板を枚葉処理方式に支持する基板支持ユニットと、これを利用して基板を研磨、及び洗浄する基板研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a selective means that is standardized and easily read for its code expression of a loading unit of a processing apparatus installed in an on-site floor of manufacturing semiconductor products.例文帳に追加

半導体製品製作現場内の製造デバイスの積載デバイスの符号表示のための、標準化可能な、容易に読み出し可能な選択肢を提示する - 特許庁

To provide a reference signal generating circuit minimizing effects of the change of a processing condition and noise, and to provide the synchronous semiconductor memory having the same.例文帳に追加

工程条件の変化やノイズの影響を最小化する基準信号発生回路とこれを備える同期式半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of blowing a fluid on a surface of a processing-target substrate including a semiconductor substrate; forming a protective layer on the surface of the processing-target substrate, after the fluid blowing step; and performing removing and processing operation with respect to a region of the substrate with the protective film being selectively removed.例文帳に追加

半導体基板を含む被処理基板の表面に流体を吹き付ける工程と、前記流体を吹き付ける工程の後、前記被処理基板の表面に保護層を形成する工程と、前記保護層をエネルギービームにより選択的に除去する工程と、前記被処理基板における、前記保護膜が選択的に除去された領域に対して、除去加工を行う工程と、を具備する。 - 特許庁

To provide a display method in a semiconductor manufacturing apparatus, with which not only processing/non-processing of each wafer but also whether the processing is normally finished is displayed to clearly distinguish between a normal wafer and a defective wafer, so that the normal wafer and the defective wafer can be prevented from being mixed and the presence/absence of a wafer cassette is displayed to enable an operator to surely mount the wafer cassette, and the semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

各ウエハの処理／未処理だけでなく、処理が正常に終了したかどうかを表示して、正常ウエハと不良ウエハの区別を明確にし、正常ウエハと不良ウエハの混同を防ぐことができ、また、ウエハカセットの有無を表示してオペレータがウエハカセットを確実に搭載することができる半導体製造装置における表示方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for leveling a mounting table easily and inexpensively when a semiconductor substrate is mounted on the mounting table and the mounting table is leveled so that the substrate becomes horizontal without opening the processing furnace of a semiconductor substrate processing apparatus and without installing a device for leveling the mounting table in the processing furnace.例文帳に追加

基板載置台に半導体基板を載置したときに、該基板が水平となるように基板載置台を整準する際、半導体基板処理装置の処理炉を開放せず、さらに処理炉内に基板載置台を整準するための装置を設置することなく、簡単且つ安価で基板載置台を整準することができる載置台整準方法及び載置台整準装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which can get stable processing speed being is easily applicable to processing of a highly micronized semiconductor device, too, by attenuating microwaves or charged particles, and avoiding electric damage to, especially, the semiconductor device, without providing it with a meshy metallic plate for screening microwaves between a microwave transmitting window and a work.例文帳に追加

マイクロ波透過窓と被加工物の間にマイクロ波を遮蔽するメッシュ状の金属板を設けることなく、マイクロ波及びまたは荷電粒子を減衰させ、被加工物、特に半導体デバイスに対する電気的ダメージを回避し、安定した処理速度を得ることができ、微細化の進んだ半導体デバイスの処理にも適応容易なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a wobble signal processing device for solving the problem that usual processing of analog system is easily influenced by uneven processes in a semiconductor process, reduces the scale of a circuit, saves electric power and improves the quality of the processing signals.例文帳に追加

本発明は、半導体プロセスのにおいて、プロセスのばらつきによる影響を受けやすい従来のアナログ方式処理に鑑みてなされたものであり、回路規模の縮小、低電力化を図るとともに、信号処理品質を向上することができるウォブル信号処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a design support device and the like for a semiconductor device capable of carrying out processing at high speed with few resources by including global power supply wiring composed of mesh, in a conventional bump cell to considerably reduce processing steps required in construction processing of a power supply wiring pattern.例文帳に追加

メッシュで構成されるグローバル電源配線を従来のバンプセル内に含ませることにより、電源配線パタンの構築処理において必要だった処理ステップを大幅に削減し、高速且つ少ないリソースにて処理を行うことができる半導体装置の設計支援装置等を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed in a stacked structure which includes a substrate on whose surface a ground area is formed, an analogue radio signal processing chip which is connected on the ground area of the substrate, and a digital signal processing chip which is electrically insulated and laminated on the analogue radio signal processing chip.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、表面にグランド領域が形成される基板と、基板のグランド領域上に接続されるアナログ系無線信号処理チップと、アナログ系無線信号処理チップ上に、電気的に絶縁されて積層されるデジタル系信号処理チップとを備えるスタック構成を取る。 - 特許庁

To provide a laser processing method which carries out an accurate and fine wiring connection processing by a non-thermal processing method using ultraviolet laser light of a wave length shorter than 400μm for an accurate wiring connection of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の正確な配線接続として、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光を用いることにより、非熱的加工方法による高精度および微細な配線接続加工を行うレ−ザ加工方法及びレ−ザ加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a brittle component processing method which can stably hold a brittle component when carries out the transfer of a brittle component, such as semiconductor wafer and processing of its back grinding, and besides, can peel off the brittle component without giving a damage it after finishing a required processing, and has high accuracy in thickness.例文帳に追加

半導体ウエハなどの脆質部材の搬送や裏面研削等の加工を施す際に、脆質部材を安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、脆質部材を破損することなく剥離することができ、厚み精度の高い脆質部材の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning gas supply device which uses a cleaning gas produced by thermally dissolving dichloroethylene or allowing dichloroethylene and oxygen to be reacted with each other and cleans metallic contamination in the inside of a processing pipe of a semiconductor processing apparatus so that carbon or water may not be introduced into the processing pipe.例文帳に追加

ジクロロエチレンを熱分解させて、又はジクロロエチレンと酸素とを反応させて得られたクリーニングガスを使用して、カーボンや水が処理管の中に導入されないように、半導体処理装置の処理管内部の金属汚染をクリーニングできるクリーニングガス供給装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a security circuit 30 controlling access of a debugger 100 having the emulation function of a central processing unit and performing access to a memory instead of the central processing unit or the access of the central processing unit to the memory 20, and a debug enable signal input terminal 12.例文帳に追加

中央演算処理装置のエミュレーション機能を有し中央演算処理装置に代行してメモリへのアクセスを行うデバッガ１００又は中央演算処理装置のメモリ２０へのアクセスを制限するセキュリティ回路３０と、デバッグイネーブル信号入力端子１２とを含む。 - 特許庁

In this way, fluctuation in characteristics of the elements such as transistors Tr1 and Tr2 formed in the processing circuit part 70 can be reduced even if the processing circuit part 70 processing a value detected by gauges 51-54 is arranged in the semiconductor chip 30 having the gauges 51-54.例文帳に追加

よって、ゲージ５１〜５４が設けられた半導体チップ３０にゲージ５１〜５４が検出した値を処理する処理回路部７０を設けたとしても、処理回路部７０に形成されたトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２等の素子の特性が変動してしまうのを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method and the device capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure condition in a peeling process in a semiconductor manufacturing process, and performing ashing by using a simple device and a discharge plasma processing capable of a processing with the small amount of processing gas.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができる方法及びその装置を提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate processing device and a semiconductor device for stably and accurately measuring a temperature of a heated rotating supporter in the substrate processing device having a mechanism rotating the supporter supporting the substrate for uniformity of processing of the substrate such as an Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウェハ等の基板の処理の均一性のために、基板を支持する支持体を回転させる機構をもつ基板処理装置において、加熱された回転する支持体の温度を安定的に正確に測定することができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To speedily change processing conditions, even in the case of changing the processing conditions of all the lots or changing the processing conditions for each or by each several lots in a production system for producing a semiconductor device to manage the advancement of processes for the unit of a lot.例文帳に追加

ロット単位で工程の進捗が管理される半導体装置の製造用生産システムにおいて、全ロットの処理条件を変更する場合又は１又は数ロット毎に処理条件を変更する場合のいずれにおいても処理条件を迅速に変更できるようにする。 - 特許庁

To provide a device for removing processing strain of a compact constitution, which can remove processing strain by polishing a treated surface having processing strain of a workpiece such as a ground rear of a semiconductor wafer by means of a polishing tool, with high efficiency and at high quality.例文帳に追加

被加工物の、加工歪を有する被処理面、例えば半導体ウエーハの研削された裏面、を研磨工具によって高効率で且つ高品質に研磨して加工歪を除去することができる、コンパクトに構成された加工歪除去装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a wafer support and an electrostatic wafer support in which reproducibility of processing characteristics is sustained while enhancing uniformity in the temperature distribution on the surface of a semiconductor wafer in processing by enhancing the cooling effect thereof and production efficiency is enhanced by reducing the processing time.例文帳に追加

処理中の半導体ウエハの冷却効果を高めることにより、半導体ウエハ表面上の温度分布の均一性を高めて処理特性の再現性を維持し、処理時間が減少して生産効率が高くなるウエハ支持装置及びウエハ静電支持装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heating and cooling apparatus for manufacturing semiconductors for carrying out heating processing and cooling processing in the manufacturing process of prescribed semiconductor substrates, and capable of applying efficient processing to baking and cooling in a single chamber so as to reduce the whole facility.例文帳に追加

本発明は所定の半導体基板の製造工程における加熱処理および冷却処理を行う半導体製造用加熱冷却装置に関し、単一のチャンバ内でベーキングと冷却において効率的な処理を可能として設備全体の縮小化を図ることを目的とする。 - 特許庁

Related tendency of the first distribution and the second distribution is determined by first processing at a third statistic processing step, decision is made by second processing whether each individual semiconductor device is consistent with the related tendency, and those not consistent with the related tendency are extracted.例文帳に追加

第３統計処理ステップの第１処理により上記第１分布と第２分布との関連傾向を統計的に求め、第２処理により個々の半導体装置について、上記関連傾向に合致するか否かを判定し、上記関連傾向から外れたものを摘出する。 - 特許庁

The sensor circuit 10 controls consumption electric power heat-consumed by a part with a signal processing circuit 23 so as to maintain the temperature of a sensor 21 or a semiconductor substrate 16 at a substantially constant value, based on the semiconductor substrate 16 processed by the sensor 21 or a signal processing circuit 23.例文帳に追加

本実施形態に係るセンサ回路１０によると、センサ２１または信号処理回路２３される半導体基板１６に基づいて、当該センサ２１または半導体基板１６の温度がほぼ一定値を維持するように、信号処理回路２３により一部が熱消費される消費電力を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of reducing a step structure in film formation obtained on the surface of a semiconductor substrate, reducing the thickness of the film formation required for planalization processing after the film formation, shortening a time required for a planalization processing process, and improving the productivity.例文帳に追加

半導体基板の表面に形成される成膜の段差を減少させ、成膜後の平坦化処理に必要な成膜の厚さを減少させ、平坦化処理工程にかかる時間を短縮し生産性を向上させることができる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Before a data processing circuit 202 terminates occupation of the semiconductor storage circuit 201 stops output of a clock enable signal and a chip-select signal, the data processing circuit 202 to start occupation of the semiconductor storage circuit 201 starts output of the clock-enabled signal and the chip-select signal in the same state.例文帳に追加

半導体記憶回路２０１の占有を終了するデータ処理回路２０２がクロックイネーブル信号およびチップセレクト信号の出力を停止させる以前に、半導体記憶回路２０１の占有を開始するデータ処理回路２０２がクロックイネーブル信号およびチップセレクト信号の出力を同一状態で各々開始する。 - 特許庁

To provide a method for planarizing the insulation film of a semiconductor apparatus in which loss is reduced at the part other than the insulation film of the semiconductor apparatus by controlling the temperature of processing atmosphere and the atmospheric concentration in the insulation film thereby enhancing fluidity of the insulation film and lowering the planarization processing temperature.例文帳に追加

本発明は、処理雰囲気の温度及び絶縁膜中の雰囲気濃度を制御することにより、絶縁膜の流動性を高め平坦化処理温度の低温化を図り、半導体装置の絶縁膜以外の部分への損失を低減させる半導体装置の絶縁膜の平坦化方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment, a semiconductor manufacturing system and a substrate processing method, in which only a required amount of a substance, such as gas, liquid, or solid, which is directly or indirectly used for substrate processing, can be supplied, when required, and thereby reduction in size of supply equipment or transport equipment is realized.例文帳に追加

基板処理に直接的に又は間接的に使用される液体、気体又は固体等の物質を、必要な時に必要な量だけ供給可能にし、供給設備や輸送設備の小型化を実現することができる半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a radiation curable semiconductor which exhibits good antistatic properties in semiconductor processing, can significantly reduce generation of fibrous cut waste in a dicing process, allows little slack of the tape by irradiation and hardly allows an adhesive to remain on an adherend in pickup.例文帳に追加

半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁