「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method for a semiconductor and a processing apparatus for a substrate that uniformly film a plurality of substrates in silicon carbide epitaxial film growth carried out under a high-temperature condition.例文帳に追加

高温条件下で行われる炭化珪素エピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる半導体製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the damage of a magnetic element and to prevent oxidation of a conductive member existing in a lower layer without using an ashing process for processing a lower electrode film when a semiconductor device equipped with the magnetic element is manufactured.例文帳に追加

磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape sticking method and an adhesive tape sticking device that precisely stick an adhesive tape for support on a back surface of a semiconductor wafer although being compact and improved in processing speed.例文帳に追加

小型化で処理速度を向上させつつも支持用の粘着テープを半導体ウエハの裏面に精度よく貼り付ける粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vaporizer unit for liquid material vaporization that is unlikely to produce particles by suppressing supply of mingled mist in a delivered material gas, and a gas transport path and a semiconductor processing system including the same.例文帳に追加

送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。 - 特許庁

In a step S1, a laser processing device removes a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer at the circumferential edge of the thin film solar cell panel, using a SHG laser beam and a fundamental wave laser beam.例文帳に追加

ステップＳ１において、レーザ加工装置は、SHGレーザ光および基本波レーザ光を用いて、薄膜太陽電池パネルの周縁の透明電極層、半導体層、裏面電極層を除去する。 - 特許庁

The optical power limiter circuit is so constituted that an optical signal 25 from a signal processing system and a probe beam 26 having a wavelength different from the wavelength of the optical signal 25 from a probe beam generator 23 are inputted to a semiconductor optical amplifier 22.例文帳に追加

半導体光増幅器２２には、信号処理系からの光信号２５とともに、プローブ光発生器２３からの光信号２５の波長とは異なる波長のプローブ光２６が入力される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which has constitution capable of protecting stored data almost completely by being combined with constitution for performing, specially, ciphering processing and its control method.例文帳に追加

特に暗号化処理を行う構成と組み合わせることにより、記憶されたデータをほぼ完全に保護することが可能な構成を有する不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tape carrier for BGA reducing the difference of the thickness of plug plating, in the tape processing area where two or more semiconductor chips mounted parts are gathered, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数の半導体チップ搭載部が集合したテープ加工領域内におけるプラグメッキの厚さの差を小さくすることのできるＢＧＡ用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a layout structure for a semiconductor integrated circuit, which can prevent thinning or disconnection of metal wiring near a cell boundary line without being accompanied by increase in the data volume or processing time for OPC correction.例文帳に追加

ＯＰＣ補正のデータ量や処理時間の増大を伴うことなく、セル境界線に近いメタル配線の細りや断線を防止可能な半導体集積回路のレイアウト構造を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film transistor and a thin film transistor, capable of ensuring threshold voltage irrespective of its conductivity type, even when processing a semiconductor thin film by water vapor annealing.例文帳に追加

水蒸気アニールによる半導体薄膜の処理を行う場合であっても導電型によらずにしきい値電圧を確保できる薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

After iteratively performing such processing, a plurality of thumbnail image information blocks 91 stored in the semiconductor memory are coupled to generate thumbnail image information 90, and stored on the optical disk.例文帳に追加

このような処理を繰り返して行った後、半導体メモリに蓄積された複数のサムネイル画像情報ブロック９１を結合し、サムネイル画像情報９０を生成し、これを光ディスクに保存する。 - 特許庁

To provide a film formation method and a substrate processing apparatus which can increase the number of substrates that can be processed at a time and improve the productivity in the vapor phase growth of a nitride semiconductor film.例文帳に追加

窒化物半導体膜の気相成長において、一度に処理する基板の枚数を増大させ、生産性を向上させることができる膜の形成方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To enhance junction strength for an upper surface of a columnar type electrode of the surface processing layer, for preventing oxidation to be formed on the surface of the column type electrode in a semiconductor device called a CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状電極の上面に対する接合強度を強くする。 - 特許庁

To secure high processing speed in a semiconductor memory constituted so that, when an address corresponding to a defective cell included in a main memory is selected, the defective cell is replaced by a spare memory.例文帳に追加

主メモリの中に含まれている不良セルに対応するアドレスが選択されたときには予備メモリに振り替えるように構成した半導体メモリ装置において、速い処理速度を確保すること。 - 特許庁

To provide a device for designing the layout of a semiconductor integrated circuit in which enhancement in the performance of a logic circuit, high integration of placement and routing, high speed processing, and enhancement of productivity can be realized.例文帳に追加

論理回路の性能向上、配置配線の高集積化、処理の高速化、及び生産性の向上を実現することができる半導体集積回路のレイアウト設計装置を提供する。 - 特許庁

By introducing the layer reformed by processing 13, the radius of curvature of the nitride semiconductor crystal 12 is enlarged and the grating surface direction [hkil] or [hkl] at each point on the surface is parallelized.例文帳に追加

加工変質層１３の導入によって窒化物半導体結晶１２の曲率半径は大きくなり、面内各点での格子面方向［ｈｋｉｌ］若しくは［ｈｋｌ］が平行化される。 - 特許庁

To prevent a substrate from being shaved off and from dimensional variation due to deposits in a reaction chamber in batch processing which performs a plurality of processes successively in an identical reaction chamber of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置の同一の反応室で複数の工程を連続して行う一括加工において、反応室内の堆積物に起因する基板削れや寸法変動を防止する。 - 特許庁

Although the stirring amount of the chemical positioned at rotational center is small when compared to other region, the fitting position of the rotating shaft 12 to the stage 10 can be changed in the semiconductor substrate processing apparatus.例文帳に追加

回転中心に位置する薬液の攪拌量は他の領域と比較して小さいが、この半導体基板処理装置では、ステージ１０に対する回転軸１２の取り付け位置を変更することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that prevents scratches from being generated in CMP processing and short circuit with an adjacent plug from being generated when forming a contact plug in a semiconductor element using a low temperature silicide film.例文帳に追加

低温シリサイド膜を使用する半導体素子において、コンタクトプラグ形成時に、ＣＭＰ処理でスクラッチが発生し、隣接のプラグとの短絡が生じるのを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

A real time device data monitoring device 3 statistically analyzes the trace data, and when the analysis result deviates from model data, decides that a failure has occurred in the processing of the semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

リアルタイム装置データ監視装置３は、トレースデータについて統計解析を行い、この解析結果がモデルデータを逸脱していた場合に半導体製造装置の製造処理に異常が発生したと判定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be easily and rapidly manufactured by reducing the processing time of forming a charge holding part and in which the characteristic of holding charges is improved, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

電荷保持部の形成処理時間を削減することで、容易且つ迅速に製造することができるとともに、電荷保持特性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A digital camera 1 photographs videos by means of a solid-state image pickup element 4 and records video signals from the element 4 in a semiconductor memory after digitizing and enciphering the video signals by means of a video processing section 5.例文帳に追加

デジタルカメラ１は、固体撮像素子４によって映像を撮影し、映像処理部５で固体撮像素子４からの映像信号をデジタル化し、かつ暗号化して半導体メモリ６に記録するものとする。 - 特許庁

A layer reformed by processing 13 is introduced into the concave surface of a curved nitride semiconductor crystal 12 grown epitaxially on a different kind of substrate by grinding with diamond abrasives or the like.例文帳に追加

異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた湾曲した窒化物半導体結晶１２の凹状の面にダイアモンド砥粒などにより研削を行って加工変質層１３を導入する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INTERNAL REFRESH STOP METHOD, COMPETITION PROCESSING METHOD OF EXTERNAL ACCESS AND INTERNAL REFRESH,COUNTER INITIALIZING METHOD, REFRESH ADDRESS DETECTING METHOD OF EXTERNAL REFRESH, AND EXECUTION SELECTING METHOD OF EXTERNAL REFRESH例文帳に追加

半導体記憶装置、内部リフレッシュ停止方法、外部アクセスと内部リフレッシュとの競合処理方法、カウンタ初期化手法、外部リフレッシュのリフレッシュアドレス検出方法、及び外部リフレッシュ実行選択方法 - 特許庁

To provide a gate valve for vacuum capable of simultaneously processing objects to be processed, such as semiconductor substrates, by using the other room even when one room is maintained through bearing a back pressure.例文帳に追加

逆圧に耐えることにより、一部の部屋をメンテナンスしている場合でも他の部屋を用いて半導体基板などの被処理物を同時に処理することができる真空用ゲートバルブを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which clarifies the cause of a failure when the failure occurs in writing processing from a reader/writer to an IC tag and avoids the subsequent meaningless write retry process.例文帳に追加

リーダ・ライタからＩＣタグへの書き込み処理が失敗した場合に、その失敗要因を明確にし、その後に行われる無意味な書き込み処理のリトライを防止できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a P/N-type semiconductor-strontium aluminate inclusion fullerene, in which no restriction of design or form is required and by which the processing cost can be reduced and an energy production system can be povided.例文帳に追加

デザインや形態の制約を必要とせず、加工コストの低減やエネルギー生産システムの提供が可能なＰ・Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring device capable of surely measuring the height of an upper face and thickness of a workpiece, such as a semiconductor wafer held in a chuck table, and to provide a laser processing machine having the measuring device.例文帳に追加

チャックテーブルに保持された半導体ウエーハ等の被加工物の上面高さや厚みを確実に計測することができる計測装置および計測装置を装備したレーザー加工機を提供する。 - 特許庁

To provide a process for preparing a base polymeric compound for a resist material having high transparency and good resist performance for fine processing required for semiconductor production.例文帳に追加

本発明の目的は半導体製造で要求されている微細加工に対して、高い透明性と良好なレジスト性能を持つレジスト材料のベース高分子化合物の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a marking method, apparatus and system which can perform simultaneous marking of a plurality of chips while eliminating the need for alignment of a semiconductor wafer, and can perform high-speed processing.例文帳に追加

かかる半導体ウェハの位置合わせが不要であり、かつ複数チップの同時マーキングを行うことができ、高速処理が可能な半導体チップのマーキング方法、マーキング装置及びマーキングシステムを提供する。 - 特許庁

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing.例文帳に追加

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit 100 includes: a radio communication control circuit 116 for encrypted radio communication; a processing unit 112 for managing an encryption key; and power line communication circuits 114, 120.例文帳に追加

半導体集積回路１００は、暗号化無線通信のための無線通信制御回路１１６と暗号鍵を管理する処理ユニット１１２と電力線通信回路１１４、１２０を具備する。 - 特許庁

To reduce the effect of heat dissipation in a multilayered semiconductor device, by dispersing processing inputs to a plurality of processor cores and operation performing blocks mounted in layers.例文帳に追加

本発明の課題は、積層型半導体装置において積層実装される複数のプロセッサコアや演算実行ブロックへの処理投入を分散させ放熱による影響を低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a moving image encoding device of the H.264 standard which has such a circuit scale that it is mounted on a semiconductor integrated circuit by improving the encoding processing speed and suppressing a deterioration in image quality incurred by encoding.例文帳に追加

符号化処理速度を向上し、符号化に伴う画質劣化を抑え、半導体集積回路に実装可能な回路規模によるＨ．２６４準拠の動画像符号化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-resistant member which has an excellent corrosion resistance to plasma or a corrosive gas and a low dust-emitting property and which is suitable as a member constituting a plasma-processing apparatus, and to provide a method of producing the same and a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

プラズマや腐食性ガスに対する耐食性に優れ、低發塵性で、プラズマ処理装置の構成部材に適する耐プラズマ性部材、その製造方法、及び半導体製造装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor junction state in which even if excess flattening and surface treatment are not performed, processing and bonding process on the front surface of bonding are easy and which obtains good bonding strength and bonding strength distribution.例文帳に追加

過度の平坦化や表面処理をしなくても、接合表面の処理や接合工程が容易で、良好な接合強度及び接合強度分布が得られる半導体接合形態を提供する。 - 特許庁

An adhesive tape 1 is peeled while keeping a semiconductor element 2, which is stuck to an adhesive tape 1 and is subjected to discrete dicing processing, in vacuum suction on a porous adhesive tape 3.例文帳に追加

粘着性テープ１に貼り付けられ個片化された半導体素子２を、支持体１１を介して多孔質粘着性テープ３上に真空吸着した状態で粘着性テープ１を剥離する。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing equipment comprises a plurality of manufacturing devices 2 for receiving and processing wafers in each lot, a plurality of stockers 3 for storing respective lots, a carrying device 4 for carrying each lot, and a host computer 5 for controlling these devices.例文帳に追加

ロット単位でウェハを受け取って処理する複数の製造装置２と、ロットを保管する複数のストッカ３と、ロットを運ぶ搬送装置４と、これらを制御する上位計算機５とを有する。 - 特許庁

A rotatable sceptor 3 for supporting a semiconductor wafer W is set in a procession chamber 2 of an opitaxial growing device 1, and gas inlet ports 8a-8c are formed at the side of the processing chamber 2.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１の処理チャンバ２内には、半導体ウェハＷを支持する回転可能なサセプタ３が設置され、処理チャンバ２の側部にはガス導入口８ａ〜８ｃが設けられている。 - 特許庁

To reduce material cost by eliminating its reinforcement of a tape carrier for semiconductor device in the stage of the carrier being a material state and using both sides, and to reduce manufacturing cost by processing both sides simultaneously.例文帳に追加

半導体装置用テープキャリアのテープ材料の段階における材料の補強フィルムを省略し、両面使用による材料コストの低減と、両面同時加工による製造コストの低減を図る。 - 特許庁

Subsequently, polishing processing is executed on a surface of the semiconductor chip where an opening of the hole is formed to remove scattering materials caused and adhered to the surface due to the drilling work.例文帳に追加

次いで、前記半導体チップの、前記孔部に関する開口が形成された面に対して研磨処理を行い、前記孔あけ加工によって前記面上に生成及び付着した飛散物を除去する。 - 特許庁

To provide a polishing method capable of executing high-performance LSI processing by suppressing dishing with a less usage quantity of polishing slurry in a chemical mechanical polishing of a film to be processed of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の被加工膜等の化学機械研磨において、低い研磨液の使用量でかつディッシングを抑制し、高性能のＬＳＩ加工を行う事ができる研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device provided with a memory circuit which is easy to use and in which erasing control of a memory cell can be performed stably, and an information processing system using it.例文帳に追加

使い勝手を良くしつつ、メモリセルの消去制御を安定的に行うことができるメモリ回路を備えた半導体集積回路装置と、それを用いた情報処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a thermosetting adhesive composition superior in solder crack resistance even by the high temperature solder reflow processing of about 260°C used for lead-free solder, and to provide a semiconductor package using the same.例文帳に追加

鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a composition for a thermosetting silicone resin excellent in handleability, light resistance and heat resistance, and capable of forming the half-setting status which allows encapsulation processing of a photo-semiconductor element.例文帳に追加

取り扱い性に優れ、かつ、耐光性と耐熱性に優れ、光半導体素子の封止加工が可能な半硬化状態を形成できる熱硬化性シリコーン樹脂用組成物を提供すること。 - 特許庁