「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

Using a laser processing system comprising a carrying-in/out chamber for carrying in/out a substrate, a carring chamber including a robot arm, a heating chamber for heating the substrate, and a laser irradiating chamber for irradiating the substrate with a laser beam while heating the substrate, the crystalline semiconductor film is illadiated with the laser beam while moving the laser beam so as to epitaxial grow the crystalline semiconductor film.例文帳に追加

本発明によると、基板を搬入搬出するための搬入搬出室と、ロボットアームを有する搬送室と、前記基板を加熱する加熱室と、前記基板を加熱しながら前記基板にレーザー光を照射するためのレーザー照射室と、を有するレーザー処理システムを用いて、前記レーザー光を前記結晶性半導体膜に対して移動させながら照射することで、前記結晶性珪素膜はエピタキシャル成長することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming a gate insulating film 2 on a semiconductor substrate 1, a step of forming an amorphous silicon film 3 on the gate insulating film 2, a step of implanting impurity ions 4 into the amorphous silicon film 3, and a step of forming a gate electrode 3a on the gate insulating film 2 by processing the amorphous silicon film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板１上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜２上にアモルファスシリコン膜３を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜３に不純物イオン４をイオン注入する工程と、前記アモルファスシリコン膜３を加工することにより、前記ゲート絶縁膜２上にゲート電極３ａを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The circuit has a transistor for controlling an electrical connection between first wiring for supplying a supply potential to the signal processing circuit and second wiring for supplying the supply potential, and a transistor for determining whether or not to ground the first wiring for supplying the supply potential to the signal processing circuit, and at least one of the two transistors is a transistor whose channel is formed in an oxide semiconductor layer.例文帳に追加

信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線と、電源電位を供給する第２の配線との電気的な接続を制御するトランジスタ、及び、信号処理回路に対する電源電位の供給を担う第１の配線を接地させるか否かを制御するトランジスタとを設け、当該２つのトランジスタの少なくとも一方として、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを適用する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provided with an analog circuit for performing analog signal processing, a digital circuit for performing digital signal processing, a power supply pad shared by the analog circuit and the digital circuit, an inductor arranged on a power supply route to the digital circuit, and a power supply line for supplying power supplied through the power supply pad directly to the analog circuit and supplying the power to the digital circuit through the inductor.例文帳に追加

アナログ信号処理を行うアナログ回路と、デジタル信号処理を行うデジタル回路と、前記アナログ回路と前記デジタル回路とで共用される電源パッドと、前記デジタル回路への電力供給路上に配置されたインダクタと、外部から、前記電源パッドを経由して供給された電力を、前記アナログ回路には直接供給するとともに前記デジタル回路には前記インダクタを経由して供給する電源ラインとを備えた。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit of this invention, a digital/analog converter 2 converts a digital signal into an analog signal to provide a differential analog current to a positive signal line and a negative signal line, and a filter 4 applies filtering processing to the differential analog signal received via the positive signal line and the negative signal line.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路は、デジタル／アナログ変換器２がデジタル信号をアナログ信号に変換してポジティブ信号線及びネガティブ信号線に差動アナログ電流を出力し、フィルタ４がポジティブ信号線及びネガティブ信号線を介して入力される差動アナログ信号に対してフィルタリング処理を行う。 - 特許庁

In the method for producing the sapphire substrate which is used for growing a nitride-based compound semiconductor by an epitaxial growth method, after subjecting a sapphire single crystal ingot to grinding processing, the outer peripheral part of the sapphire single crystal ingot is subjected to chemical polishing treatment before the sapphire single crystal ingot is sliced into wafers.例文帳に追加

エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウエハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for electric power by which a stabilized solder layer thickness can be realized without producing cavities such as void, etc., the durability be improved, no plating or solder resist processing is needed so as to reduce the produciton cost, and no cleaning step using an organic solvent, etc., is needed.例文帳に追加

ボイド等の空洞が発生せずに安定したハンダ層厚が得られ、耐久性の向上が図れると共に、メッキ処理やハンダレジスト処理を不要とし、生産コスト低減が図れ、さらには有機溶剤等による洗浄工程も不要とした電力用半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a method for processing the semiconductor wafer, wherein a planarizing step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that the etching step is performed as above and, in the mirror surface polishing step, a back side polishing step is performed after the acid-etching, and then a surface polishing step is performed.例文帳に追加

および平坦化工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程は上記のように行い、鏡面研磨工程は前記酸エッチング後、裏面研磨工程を行ない、その後表面研磨工程を行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

A CPU 31 in an image processing section 3 calculates variation in the brightness of image data, i.e. the device pattern of a semiconductor wafer picked up at an image pickup section 2, finds the distribution width D and the central value M of brightness, and corrects them to have specified distribution width D2 and central value M2, thus correcting variation in the brightness of the image data.例文帳に追加

画像処理部３内のＣＰＵ３１により、画像撮像部２で撮像された半導体ウェハのデバイスパターンである画像データの明るさのばらつきを計算し、明るさの分布幅Ｄと中央値Ｍを求め、所定の分布幅Ｄ２と中央値Ｍ２となるように補正し、画像データの明るさのばらつきを補正する。 - 特許庁

Those optical circuits are composed of a semiconductor waveguide (for example, silicon Si, indium phosphate InP, gallium arsenide GaAs, etc.), and defect increasing processing by impurity doping, low-temperature growth, ion implantation, etc., is performed on the first arm waveguide 103 to increase the absorption coefficient of the first arm waveguide 103.例文帳に追加

これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has processes of: arranging the precursor liquid of silicon on an upper part of the substrate; and forming the silicon film by performing heat processing to the precursor liquid of silicon, wherein the precursor liquid of silicon is a solution of cyclic saturated hydrocarbon compound containing high order silane.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。 - 特許庁

The adhesive tape for semiconductor wafer processing having an adhesive layer formed on a base film is characterized in that the base film has a nonhydrogenated resin layer containing a nonhydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer or nonhydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer.例文帳に追加

基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体ウェハ加工用粘着テープにおいて、前記基材フィルムが、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体未水添物またはスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体未水添物を含有する未水添樹脂層を有することを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープである。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

Once a reproduction control circuit 203 detects that a ride guidance switch 103 is pressed, it makes a voice reproduction processing circuit 207 to reproduce a specific ride guidance voice stored previously in a semiconductor memory after a timer 204 clocks a specific time, and outputs the voice from a speaker 209 through a voice amplifying circuit 208.例文帳に追加

再生制御回路203は、乗車案内スイッチ103が押されたことを検知すると、タイマ204を用いて計測した所定時間後に、音声再生処理回路207に、半導体メモリに予め記憶させておいた所定の乗車案内音声を再生させ、音声増幅回路208を介してスピーカ209から出力させる。 - 特許庁

To provide a simple and inexpensive semiconductor wafer cassette opening and closing device which dispenses with installation space in a clean room and can be used in common with processing units by eliminating a linear mechanism and an installation base for positioning and installing the device in a space of a processor or on an automatically guided vehicle(AGV), etc.例文帳に追加

リニア機構や位置決めを行うための設置台を不要とし、処理装置の一部のスペース若しくは無人搬送車（ＡＧＶ）等に設置することによりクリーンルーム内での無駄な設置スペースを省くと共に、複数の処理装置に対し１台の開閉装置で兼用できる簡易且つ安価な半導体ウエハカセット開閉装置を得る。 - 特許庁

The method of cleaning a semiconductor manufacturing apparatus having a process chamber for processing silicon wafers is characterized in that the process chamber interior is heat treated in a halogenous gas atmosphere, then in a reductive gas atmosphere and finally in an oxidative gas atmosphere.例文帳に追加

シリコンウェハに加工処理を施す加工処理室を具備する半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記加工処理室内を、ハロゲン系ガス雰囲気下で熱処理し、次いで還元性ガス雰囲気下で熱処理した後に、酸化性ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor display device with an inter-layer insulating film which can obtain surface flatness while suppressing a filming time, suppress the time of heat treatment processing for water removal, and prevent water in the inter-layer insulating film from being discharged to an adjacent film or electrode.例文帳に追加

成膜時間を抑えつつ表面の平坦性を得ることができ、水分除去を目的とした加熱処理の処理時間を抑えることができ、なおかつ層間絶縁膜中の水分が隣接する膜または電極に放出されるのを防ぐことができる、層間絶縁膜を有する半導体表示装置の提供を課題とする。 - 特許庁

The insulating layer on the semiconductor wafer is polished in an interlevel insulating material processing by a water composite consisting of 0.001-1 wt% of quaternary ammonium compounds, 0.01-20 wt% of colloidal silica, 0-5 wt% of surfactants, 0-5 wt% of carboxylic acid polymer, and water as a residue.例文帳に追加

第四級アンモニウム化合物０．００１〜１重量％、コロイダルシリカ０．０１〜２０重量％、界面活性剤０〜５重量％、カルボン酸ポリマー０〜５重量％及び残余としての水を含む水性組成物によりインターレベル絶縁材加工において半導体ウェーハ上の絶縁層を研磨する。 - 特許庁

For example, a plurality of seeds SEDs, which become flip-flops from among the whole semiconductor device (TOP), are uniformly set, and as the first tracing processing, the effective ranges (node NDEs) of the SEDs are each extended in parallel so that the values of objective functions (including difficulty levels of timing convergence or the like) for the respective NDEs may become uniform.例文帳に追加

例えば、半導体装置全体（ＴＯＰ）の中からフリップフロップとなる複数のシードＳＥＤを均一的に設定し、１回目のトレース処理として、各ＳＥＤの有効範囲（ノードＮＤＥ）を各ＮＤＥ毎の目的関数（タイミング収束の難易度等を含む）の値が均一となるように並行して拡大させる。 - 特許庁

To provide a high sound-quality resistance film having a small TCR (temperature coefficient of resistance) and capable of obtaining superior sound quality, when used as a resistor for a semiconductor integrated circuit of an output stage of an amplifier by using a laminate film of TaN film and Ta film optimum to an audio signal processing circuit, and to provide a method for manufacturing the film.例文帳に追加

オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve operation characteristics and reliability of a semiconductor device, and to reduce power consumption as well as to achieve reduced manufacturing cost and increase in yield by lessening the number of processing steps by providing appropriate structures of thin film transistors arranged in various circuits in response to functions required by the circuits.例文帳に追加

各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的とする。 - 特許庁

To improve operation characteristics and reliability of a semiconductor device, and to reduce power consumption and to achieve reduction in manufacturing cost and increase in yield by lessening the number of processing steps by providing appropriate structures of thin film transistors to be arranged in various circuits in response to functions required by the circuits.例文帳に追加

各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。 - 特許庁

To improve the accuracy of the generation of an interpolated compare value and the update control of this compare value, while preventing a further increment of burden in CPU, in a semiconductor device for inverter control which reduces the processing task of CPU and thins the interruption into AD conversion so as to achieve PWM control high in frequency.例文帳に追加

ＣＰＵの処理タスクを軽減しかつ周波数の高いＰＷＭ制御を実現するためにＡＤ変換割込みの間引きを行うインバータ制御用半導体装置において、ＣＰＵのさらなる負担増大を招かないようにしながら、補間コンペア値の生成および今回コンペア値の更新制御の精度を改善する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of a semiconductor device includes a chamber 10 for bake processing a substrate 2 to be processed, a plurality of gas supply ports 12 provided on an internal surface of the chamber 10, and a moisture control unit 14 capable of supplying inert gases which differ in humidity, respectively to the plurality of gas supply ports 12.例文帳に追加

被処理基板２をベーク処理するチャンバー１０と、チャンバー１０の内面に設けられた複数のガス供給口１２と、複数のガス供給口１２のそれぞれに、湿度が異なる不活性ガスを供給可能な湿度制御部１４と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that has a high etching resistance and can provide a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, along with a method of manufacturing a semiconductor device that has a high etching resistance and can form a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, and a forming method of a film.例文帳に追加

高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を得ることのできる基板処理装置、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を形成することのできる半導体装置の製造方法、又は膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The inductive coupling type plasma etching apparatus is configured to generate inductive coupling plasma like a donut under a dielectric window 52 in proximity to an RF antenna 54, and distribute the donut-like plasma in a wide processing space to equalize the density of the plasma in the vicinity of a susceptor 12 (i.e. on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for performing video and audio signal processing by receiving data from a recording medium capable of seamless connection, with stream data arranged before a long jump originating point such as a layer boundary as a forward playitem, and with stream data arranged after the long jump originating point as a backward playitem.例文帳に追加

層境界等のロングジャンプ発生点の前に配置されたストリームデータを前方プレイアイテムとし、ロングジャンプ発生点の後に配置されたストリームデータを後方プレイアイテムとしたシームレス接続が可能な記録媒からデータを受信し映像・音声信号処理を行う半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of providing a titanium nitride film that is higher in quality than a titanium nitride film formed by the conventional CVD method at a higher film-forming rate, that is, with higher productivity than a titanium nitride film formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）性能、ＬＷＲ、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

The protective sheet for processing the semiconductor wafer is characterized by being laminated, on one side of a first substrate film, with a peelably-controlled first adhesive layer for adhering the wafer and, on the other side of the first substrate film, having at least one second substrate film peelably laminated.例文帳に追加

第１基材フィルムの片面に、剥離可能に調整されている、ウエハ貼付用の第１粘着剤層が積層されており、かつ第１基材フィルムの他の片面には、剥離可能に積層されている少なくとも１つの第２基材フィルムを有することを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。 - 特許庁

With respect to manufacturing of the variable curvature mirror device, a single crystal silicon wafer and an SOI wafer are available as a starting material of the thin base plate (1), and a manufacturing method comprising manufacturing processes using individual or combination of techniques such as semiconductor processing techniques and MEMS is applicable.例文帳に追加

この可変曲率ミラーデバイスの製造に当たっては、基材薄板（１）の出発原料として単結晶シリコンウェハ、ＳＯＩウェハが使用可能であり、半導体加工技術、ＭＥＭＳなどの技術を個々にまたは組み合わせた製造プロセスからなる可変曲率ミラーデバイスの製造方法が適用可能である。 - 特許庁

When in the formation, after each layer of the work function control layer 5, the intermediate layer 6, and the low resistance layer 7 are laminated on the gate insulating film 4, gate processing is performed, an LDD region 9, a sidewall 8, and a source drain region 10 are formed sequentially, active annealing of impurities introduced in the semiconductor substrate 2 is performed.例文帳に追加

その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。 - 特許庁

In this precise polishing method, a face, having a metal for constituting a semiconductor device in a substrate 1, is pressed with a slight processing pressure with respect to a hard polishing pad 4, and also an etchant 7 is supplied to an abutting face between the face and the polishing pad 4, while a relative movement is given to the face and the polishing pad 4.例文帳に追加

基板１における半導体装置を構成するための金属を有する被研磨面を硬質の研磨パッド４に対して僅かな加工圧をもって押圧すると共に被研磨面と研磨パッド４の当接面にエッチング溶液７を供給しながら被研磨面と研磨パッド４に相対運動を与える。 - 特許庁

On the 1st insulating film 41, a 2nd insulating film 42 is laminated and formed and even if a pinhole is formed in the 1st insulating film 41 during dilute hydrofluoric acid processing, a short circuit can be prevented between a gate electrode 34 of the gate insulating film part 43 and a channel area 35 of a semiconductor layer 31 or in a dielectric part 45.例文帳に追加

第１の絶縁膜41上に、第２の絶縁膜42を積層して成膜していることにより、希フッ酸処理の際に第１の絶縁膜41にピンホールができた場合でも、ゲート絶縁膜部43のゲート電極34と半導体層31のチャネル領域35との間もしくは、誘電体部45でショートを防止できる。 - 特許庁

Since a variation offering target performance and function has only to be selected and utilized from the second design data with respect to several prepared variations for an architecture such as power consumption, an operating speed and a chip area, it is possible to contribute to the facilitation of processing that designs a semiconductor circuit by combining a plurality of circuit modules.例文帳に追加

消費電力、動作速度、チップ面積等のアーキテクチャに対して幾つか用意されたバリエーションに対して、第２の設計データから目的の性能や機能が得られるものを選択して利用すればよいから、複数の回路モジュールを組合わせて半導体集積回路を設計する処理の容易化に寄与することができる。 - 特許庁

A memory card 2 according to an embodiment includes a memory unit 12 with a nonvolatile semiconductor memory cell, an erasure setting unit 20 of which physical state changes irreversibly, and a memory controller 10 that performs erasure processing for erasing all data stored in the memory unit 12 according to the physical state of the erasure setting unit 20.例文帳に追加

実施形態のメモリカード２は、不揮発性半導体メモリセルを有するメモリ部１２と、非可逆的に物理状態が変化する消去設定部２０と、前記消去設定部２０の前記物理状態に応じて、前記メモリ部１２に記憶されている全データを消去する消去処理を行うメモリコントローラ１０と、を具備する。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor wafer includes steps of fixing the wafer with an adhesive agent containing a gas generating agent, dicing the wafer, and generating gas from the gas generating agent to peel off the wafer from the adhesive agent under a force of the gas generated between the wafer and adhesive agent.例文帳に追加

半導体ウエハーの加工方法であって、ガス発生剤を含む粘着剤によってウエハーを固定することと、ウエハーをダイシングすることと、ガス発生剤からガスを発生させ、ウエハーと粘着剤との間に発生したガスによりウエハーを剥離させることを特徴とする半導体ウエハーの加工方法。 - 特許庁

Signal processing circuits other than an amplifier transistor and a reset transistor, and a plurality of common output lines for reading out signals from the pixels are disposed on a second semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、画素構成要素における光電変換部及び、転送トランジスタ、電荷保持部の少なくとも一部が第１の半導体基板に配され、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ以外の信号処理回路及び、複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線が第２の半導体基板に配されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which ARL is used for processing a silicon oxide film in the upper layer of a local interconnection tungsten film and subsequently even if passing through a high temperature film forming process, a defect due to the exfoliation of a boundary face between the local interconnection tungsten film and the silicon oxide film is prevented from occur.例文帳に追加

ローカル配線タングステン膜の上層のシリコン酸化膜の加工にＡＲＬを使用し、その後に高温の成膜プロセスを経ても、ローカル配線タングステン膜とシリコン酸化膜界面の膜剥がれによる欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

Semiconductor ring lasers and electronic circuits in a prescribed pattern are formed on a plurality of crystalline planes crossing each other on a surface of a three-dimensional substrate such as a spherical Si substrate, thus providing a small-sized, three-dimensional ring laser having drive circuits and capable of processing data, and a gyrocompass using the same.例文帳に追加

立体基板、例えば、球状のＳｉ基板の表面で、互いに交差する複数の結晶面において、半導体リングレーザを、また、所定のパターンで、基板上に電子回路を、それぞれ、形成し、小型で、駆動回路およびデータ処理が可能な、３次元リングレーザおよびこれを用いたジャイロ・コンパスを提供する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device is provided with a reaction chamber 5 processing a substrate 22, a gas supply port 9 for supplying gas to the reaction chamber, a susceptor 14 for supporting the substrate in the reaction chamber, an exhaust port 17 installed at the outer periphery of the base of the susceptor and an exhaust port plate 23 fitted to the exhaust port, having a prescribed interval (d) with the susceptor.例文帳に追加

基板２２を処理する反応室５と、該反応室にガスを供給するガス供給口９と、前記反応室で前記基板を支持するサセプタ１４と、該サセプタの基部外周に設けた排気口１７と、前記サセプタと所定の隙間ｄを以て前記排気口に取付けた排気口プレート２３とを有する。 - 特許庁

The Pachinko ball-shooting device is provided with a rotation angle sensor 202 for detecting the rotation angle of an operation handle, a semiconductor distortion gauge 204 for detecting the distortion of the shooting rod 116 when shooting a Pachinko ball 140, a microcomputer 200 for processing or the like of the detected results, and an adjusting plate-driving device 206 for operating a tension-adjusting plate 108.例文帳に追加

操作ハンドルの回転角度を検出する回転角度センサ２０２と、発射棒１１６がパチンコ球１４０を発射する時の歪みを検出する半導体歪みゲージ２０４と、検出結果の処理等を行うマイクロコンピュータ２００と、張力調整板１０８を操作する調整板駆動装置２０６を設ける。 - 特許庁

To obtain a data writing and erasing method with respect to a semiconductor memory and device therefor that can shorten the time required for whole writing and erasing processing can be shortened, that can make writing and erasing levels between memory cells uniform, also that can suppress deterioration of the quality, the life, and the like of a memory cell.例文帳に追加

全体の書き込み消去処理に要する時間を短縮することができるとともに、メモリセル間の書き込み消去レベルを一様に揃えることができ、かつメモリセルの品質および寿命等の低下を抑えることができる半導体メモリへのデータ書き込み消去方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit, a misoperation processing circuit 1237 includes: a specified period operation circuit (1120) repeatedly calculating a data string generated based on kind data, during a specific period; and a first misoperation detection circuit (4110) detecting that a period needed for the calculation of the data string in operation thereof is different from the specified period.例文帳に追加

誤動作処理回路１２３７は、特定周期の間に種データを元に生成されるデータ列を繰り返し演算する特定周期動作回路（１１２０）と、その動作においてデータ列の演算に要する周期が上記の特定周期と異なることを検出する第１誤動作検出回路（４１１０）とを含む。 - 特許庁