「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

The plate-like source electrode 50s and the plate-like gate electrode 50g are provided with a main-surface electrode connection 53 that is comprised of a first connection 54a and a second connection 54b with different thicknesses, thus processing large current for a short time as well as reducing the generation of chip cracks when mounting the semiconductor chip.例文帳に追加

かかる板状ソース電極５０ｓ、板状ゲート電極５０ｇは、その主面電極接続５３の構成を、厚さの異なる第１接続部５４ａ、第２接続部５４ｂから構成し、短時間での大電流の処理と、半導体チップの搭載に際してのチップクラックの発生の低減とを両立した構成とする。 - 特許庁

By providing a block body 4 of spring structure which can be contracted and angularly corrected and a heater 2 as a heat source at a pressurizing head 1, a semiconductor element 5 is stably jointed with the circuit board 8, and the batch processing of a plurality of the semiconductors is achieved so s to improve productivity.例文帳に追加

加圧ヘッド１に収縮及び角度補正が可能なばね構造のブロック体４と熱源としてのヒータ２を設けた構成とすることにより、半導体素子５と回路基板８の安定した接合を実現し、また複数のフリップチップ実装の一括処理を可能にし、生産性を向上するようにした。 - 特許庁

This optical information processing device has a constitution where a semiconductor operation circuit chip 17, the light-receiving element array which is formed integrally in one body on the chip and constituted by burying light-receiving elements 19 in penetration holes formed on a substrate, and a glass substrate 16 with a diffraction optical element which is provided with the diffraction optical element are formed in one body.例文帳に追加

光情報処理装置を、半導体演算回路チップ１７と、この半導体演算回路チップ上に一体化され、基板に形成した貫通穴へ受光素子１９を埋め込んで構成する受光素子アレイと、回折型光学素子を備えた回折型光学素子付ガラス基板１６とを一体化した構成とする。 - 特許庁

In the method for producing the sapphire substrate which is used for growing a nitride-based compound semiconductor by an epitaxial growth method, after subjecting a sapphire single crystal ingot to grinding processing, the outer peripheral part of the sapphire single crystal ingot is subjected to chemical polishing treatment before the sapphire single crystal ingot is sliced into wafers.例文帳に追加

エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウエハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for electric power by which a stabilized solder layer thickness can be realized without producing cavities such as void, etc., the durability be improved, no plating or solder resist processing is needed so as to reduce the produciton cost, and no cleaning step using an organic solvent, etc., is needed.例文帳に追加

ボイド等の空洞が発生せずに安定したハンダ層厚が得られ、耐久性の向上が図れると共に、メッキ処理やハンダレジスト処理を不要とし、生産コスト低減が図れ、さらには有機溶剤等による洗浄工程も不要とした電力用半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device is provided with a reaction chamber 5 processing a substrate 22, a gas supply port 9 for supplying gas to the reaction chamber, a susceptor 14 for supporting the substrate in the reaction chamber, an exhaust port 17 installed at the outer periphery of the base of the susceptor and an exhaust port plate 23 fitted to the exhaust port, having a prescribed interval (d) with the susceptor.例文帳に追加

基板２２を処理する反応室５と、該反応室にガスを供給するガス供給口９と、前記反応室で前記基板を支持するサセプタ１４と、該サセプタの基部外周に設けた排気口１７と、前記サセプタと所定の隙間ｄを以て前記排気口に取付けた排気口プレート２３とを有する。 - 特許庁

The Pachinko ball-shooting device is provided with a rotation angle sensor 202 for detecting the rotation angle of an operation handle, a semiconductor distortion gauge 204 for detecting the distortion of the shooting rod 116 when shooting a Pachinko ball 140, a microcomputer 200 for processing or the like of the detected results, and an adjusting plate-driving device 206 for operating a tension-adjusting plate 108.例文帳に追加

操作ハンドルの回転角度を検出する回転角度センサ２０２と、発射棒１１６がパチンコ球１４０を発射する時の歪みを検出する半導体歪みゲージ２０４と、検出結果の処理等を行うマイクロコンピュータ２００と、張力調整板１０８を操作する調整板駆動装置２０６を設ける。 - 特許庁

A CPU 31 in an image processing section 3 calculates variation in the brightness of image data, i.e. the device pattern of a semiconductor wafer picked up at an image pickup section 2, finds the distribution width D and the central value M of brightness, and corrects them to have specified distribution width D2 and central value M2, thus correcting variation in the brightness of the image data.例文帳に追加

画像処理部３内のＣＰＵ３１により、画像撮像部２で撮像された半導体ウェハのデバイスパターンである画像データの明るさのばらつきを計算し、明るさの分布幅Ｄと中央値Ｍを求め、所定の分布幅Ｄ２と中央値Ｍ２となるように補正し、画像データの明るさのばらつきを補正する。 - 特許庁

With respect to manufacturing of the variable curvature mirror device, a single crystal silicon wafer and an SOI wafer are available as a starting material of the thin base plate (1), and a manufacturing method comprising manufacturing processes using individual or combination of techniques such as semiconductor processing techniques and MEMS is applicable.例文帳に追加

この可変曲率ミラーデバイスの製造に当たっては、基材薄板（１）の出発原料として単結晶シリコンウェハ、ＳＯＩウェハが使用可能であり、半導体加工技術、ＭＥＭＳなどの技術を個々にまたは組み合わせた製造プロセスからなる可変曲率ミラーデバイスの製造方法が適用可能である。 - 特許庁

On the 1st insulating film 41, a 2nd insulating film 42 is laminated and formed and even if a pinhole is formed in the 1st insulating film 41 during dilute hydrofluoric acid processing, a short circuit can be prevented between a gate electrode 34 of the gate insulating film part 43 and a channel area 35 of a semiconductor layer 31 or in a dielectric part 45.例文帳に追加

第１の絶縁膜41上に、第２の絶縁膜42を積層して成膜していることにより、希フッ酸処理の際に第１の絶縁膜41にピンホールができた場合でも、ゲート絶縁膜部43のゲート電極34と半導体層31のチャネル領域35との間もしくは、誘電体部45でショートを防止できる。 - 特許庁

Since a variation offering target performance and function has only to be selected and utilized from the second design data with respect to several prepared variations for an architecture such as power consumption, an operating speed and a chip area, it is possible to contribute to the facilitation of processing that designs a semiconductor circuit by combining a plurality of circuit modules.例文帳に追加

消費電力、動作速度、チップ面積等のアーキテクチャに対して幾つか用意されたバリエーションに対して、第２の設計データから目的の性能や機能が得られるものを選択して利用すればよいから、複数の回路モジュールを組合わせて半導体集積回路を設計する処理の容易化に寄与することができる。 - 特許庁

A memory card 2 according to an embodiment includes a memory unit 12 with a nonvolatile semiconductor memory cell, an erasure setting unit 20 of which physical state changes irreversibly, and a memory controller 10 that performs erasure processing for erasing all data stored in the memory unit 12 according to the physical state of the erasure setting unit 20.例文帳に追加

実施形態のメモリカード２は、不揮発性半導体メモリセルを有するメモリ部１２と、非可逆的に物理状態が変化する消去設定部２０と、前記消去設定部２０の前記物理状態に応じて、前記メモリ部１２に記憶されている全データを消去する消去処理を行うメモリコントローラ１０と、を具備する。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor wafer includes steps of fixing the wafer with an adhesive agent containing a gas generating agent, dicing the wafer, and generating gas from the gas generating agent to peel off the wafer from the adhesive agent under a force of the gas generated between the wafer and adhesive agent.例文帳に追加

半導体ウエハーの加工方法であって、ガス発生剤を含む粘着剤によってウエハーを固定することと、ウエハーをダイシングすることと、ガス発生剤からガスを発生させ、ウエハーと粘着剤との間に発生したガスによりウエハーを剥離させることを特徴とする半導体ウエハーの加工方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which ARL is used for processing a silicon oxide film in the upper layer of a local interconnection tungsten film and subsequently even if passing through a high temperature film forming process, a defect due to the exfoliation of a boundary face between the local interconnection tungsten film and the silicon oxide film is prevented from occur.例文帳に追加

ローカル配線タングステン膜の上層のシリコン酸化膜の加工にＡＲＬを使用し、その後に高温の成膜プロセスを経ても、ローカル配線タングステン膜とシリコン酸化膜界面の膜剥がれによる欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

Semiconductor ring lasers and electronic circuits in a prescribed pattern are formed on a plurality of crystalline planes crossing each other on a surface of a three-dimensional substrate such as a spherical Si substrate, thus providing a small-sized, three-dimensional ring laser having drive circuits and capable of processing data, and a gyrocompass using the same.例文帳に追加

立体基板、例えば、球状のＳｉ基板の表面で、互いに交差する複数の結晶面において、半導体リングレーザを、また、所定のパターンで、基板上に電子回路を、それぞれ、形成し、小型で、駆動回路およびデータ処理が可能な、３次元リングレーザおよびこれを用いたジャイロ・コンパスを提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, gas containing oxygen atoms and nitrogen atoms is supplied into a processing chamber, the gas containing the oxygen atoms and the nitrogen atoms is activated by plasma, the silicon substrate is processed by the plasma, and a silicon dioxide film containing nitrogen is formed.例文帳に追加

上記課題を解決するために、酸素原子及び窒素原子を含むガスを処理室内に供給し、酸素原子及び窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、シリコン基板を前記プラズマにより処理を行い窒素が含有された二酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a condenser IC microphone manufactured by using a microphone processing technology making full use of semiconductor manufacturing technology, an oscillation frequency of LC oscillation circuit at an oscillation- modulation circuit 5 is changed according to the change of capacity of a condenser consisting of an oscillation electrode 1 and a back electrode 2 responding to the change of sound pressure.例文帳に追加

半導体製造技術を駆使したマイクロマシン加工技術を利用して作製するコンデンサ型ＩＣマイクロフォンにおいて、音圧の変化に応答して振動電極１と背電極２とから構成されるコンデンサの容量が変化することによって、発振／変調回路５のＬＣ発振回路の発振周波数が変化する。 - 特許庁

This micro general measurement controller is provided with a single CPU module 10 where a CPU and an ROM and RAM for storing data or a program are mounted on a flat circuit board and at least one device module 20 where any semiconductor device other than a central processing unit is mounted on the circuit board whose shape is almost the same as that of the CPU module.例文帳に追加

平板状の回路基板にＣＰＵとデータやプログラムを記憶するためのＲＯＭ及びＲＡＭとを実装した単一のＣＰＵモジュール１０と、ＣＰＵモジュールとほぼ同一形状の回路基板に中央処理装置以外の半導体デバイスを実装した少なくとも１つのデバイスモジュール２０とからなる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a plurality of components IP0-IP7 for performing predetermined processing; a plurality of router circuits R0-R7 connected to the components, respectively; a plurality of wirings connecting the router circuits; and a router management unit SOC_NAVI for monitoring in real time whether the plurality of router circuits are enabled or not.例文帳に追加

例えば、所定の処理を行う複数のコンポーネントＩＰ０〜ＩＰ７と、各コンポーネントにそれぞれ接続された複数のルータ回路Ｒ０〜Ｒ７と、各ルータ回路間を接続する複数の配線と、複数のルータ回路の有効・無効状態をリアルタイムに監視するルータ管理ユニットＳＯＣ＿ＮＡＶＩを備える。 - 特許庁

The data exchange part 4 has a terminal changeover switch 44 for switching the connection between the external information processing device and the semiconductor memories 2, and a terminal changeover switch control part 45 for controlling the terminal changeover switch 44, and switches the terminal changeover switch 44 in dependence on the type of data and the type of data content.例文帳に追加

データ交換部４には、外部の情報処理装置と、半導体メモリ２の接続とを切り換える端子切換スイッチ４４と、端子切換スイッチ４４を制御する端子切換スイッチ制御部４５とが設けられており、データの種類やデータの内容の種類に応じて端子切換スイッチ４４を切り換える。 - 特許庁

Then, a conductive film 14 is formed on the semiconductor substrate 1, on which the capacitance insulating film 12a is formed and by processing the conductive film 14, a second conductor pattern 14b arranged on an upper electrode 14a and the first conductor pattern 11b of the memory cell capacitor is formed.例文帳に追加

そして、当該容量絶縁膜１２ａが形成された半導体基板１上に導電膜１４が形成され、導電膜１４を加工することにより、メモリセルキャパタの上部電極１４ａおよび第１の導電体パターン１１ｂ上に配置された第２の導電体パターン１４ｂが形成される。 - 特許庁

The adhesive sheet for processing a semiconductor substrate is obtained by applying an adhesive consisting of a base polymer, a radiation polymerizable compound and a radiation polymerization initiator on a surface of a resin film base material prepared by adding 1-80 pts.wt. of a polymer-type antistatic agent to 100 pts.wt. of polypropylene to form an adhesive layer.例文帳に追加

ポリプロピレン１００重量部に対して、高分子型帯電防止剤を１〜８０重量部添加した樹脂フィルム基材面上に、ベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤を塗布し、粘着剤層を形成してなる半導体基板加工用粘着シート。 - 特許庁

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable.例文帳に追加

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces the burden on a host device in converting YUV data into RGB data or reduces external hardware, and suppresses an increase in the number of parts and in a circuit scale by performing zoom processing without using a memory of large capacity, and to provide a portable terminal system and a sensor module.例文帳に追加

ＹＵＶデータからＲＧＢデータへの変換におけるホスト装置の負担を軽くする、または外付けハードウェアの削減を図ることができ、また大容量のメモリを使用せずにズーム処理を行い、部品点数や回路規模の増加を抑えることができる半導体装置、携帯端末システム、センサモジュールを提供する。 - 特許庁

To achieve a higher speed for erasure processing without making external control complicated in a nonvolatile semiconductor memory device provided with a plurality of memory blocks where a plurality of electrically writable and erasable nonvolatile memory cells are arranged in an array form to enable batch data erasure, and redundant blocks to replace the memory blocks.例文帳に追加

電気的に書き込み消去可能な不揮発性のメモリセルをアレイ状に複数配列して一括データ消去可能に形成されたメモリブロックの複数と、メモリブロックを置換可能な冗長ブロックを備えてなる不揮発性半導体記憶装置において、外部の制御を煩雑にせず消去処理の高速化を図る。 - 特許庁

In order to remove metal impurities having adhered during cutting in forming this silicon part of a semiconductor processing apparatus, a treatment and a heat treatment are executed to at least a cut surface of a silicon plate with a solution, and the silicon part reduces metal contamination of a wafer when the silicon part is processed in a plasma atmosphere.例文帳に追加

半導体処理装置のシリコン部品を形成する際の切断中に付着した金属不純物を除去するため、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理と熱処理を行い、シリコン部品がプラズマ雰囲気中で処理された際ウェハの金属汚染を減少させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide the input circuit and the output circuit of a semiconductor integrated circuit that is an operation available, in spite of the fact that the drive power of a power supply circuit due to step-down of an external power supply is small, with a re-formation that 5 voltage system on the external power supply forms into 3 or 1.8 voltage system through fine processing.例文帳に追加

外部電源電圧５Ｖ仕様のデバイスを、微細化プロセスで形成される３Ｖ系や１．８Ｖ系の素子を用いて形成可能とし、且つ、外部電源を降圧する電源回路の駆動力が小さくても動作可能な半導体集積回路の入出力回路を提供することにある。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet sufficiently preventing a winding trace from being transferred to an adhesive layer when the adhesive sheet having the adhesive layer formed into a prescribed plane shape by precut processing or the like, and capable of sufficiently preventing the formation of voids by rolled-in air when pasting the adhesive layer on an adherend, to provide a method for producing a semiconductor device by using the adhesive sheet; and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor system comprises a shared memory, the plurality of process circuits respectively specifying storage capacity, using the shared memory and simultaneously operating a specific combination according to the operation mode, and an address circuit allocating the address ranges of the storage capacity specified by the processing circuits usably to the process circuits.例文帳に追加

本発明の半導体システムは、共有メモリと、それぞれ記憶容量を指定して前記共有メモリを用い、動作モードに応じた特定の組み合わせが同時に動作する複数の処理回路と、前記処理回路によって指定された前記記憶容量分のアドレス範囲を前記処理回路に使用可能に割り当てるアドレス回路とを備えたものとして構成される。 - 特許庁

The image display device forms a plurality of light sensors PSE for detecting light whose detection wavelength region is different comprising a thin film transistor (TFT) on the same semiconductor film as the TFT composing pixels on an insulation substrate SUB1 composing the pixels, and a signal processing circuit PSP for generating signals controlling brightness of the pixels based on output of the light sensors PSE.例文帳に追加

画素を構成する絶縁基板ＳＵＢ１上に、該画素を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と同一の半導体膜で、ＴＦＴからなる検出波長域が異なる光を検出する複数の光センサＰＳＥと、光センサＰＳＥの出力に基いて画素の明るさを制御する信号を生成する信号処理回路ＰＳＰを形成する。 - 特許庁

The adhesive tape for processing a semiconductor wafer is such that an intermediate resin layer and an adhesive layer are laminated on a base film, in this order, the intermediate resin layer is formed by curing an intermediate resin layer composition containing an adhesive component and a curing component, and the curing component contains an isocyanurate-type isocyanate curing agent.例文帳に追加

基材フィルム上に中間樹脂層および粘着剤層がこの順に積層されており、前記中間樹脂層が、粘着成分と硬化成分とを含む中間樹脂層組成物が硬化して形成されており、前記硬化成分が、イソシアヌレート型イソシアネート硬化剤を含むことを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。 - 特許庁

A first metal layer 51 formed on one main surface of a compound semiconductor crystal layer 2 and a second metal layer 53 formed on one main surface of a conductive substrate 6 are junctioned through a silver-based junction layer 52 obtained by reduction processing of silver oxide particle dispersed in a liquid-like or paste-like substance.例文帳に追加

化合物半導体結晶層２の一方の主表面に形成された第１金属層５１と、導電性基板６の一方の主表面に形成された第２金属層５３とを、液状またはペースト状の物質中に分散された酸化銀粒子を還元処理することにより得られる銀系接合層５２を介して接合する。 - 特許庁

To provide an information recording device which is adapted to efficiently facilitate high-speed information processing by selecting a memory to which information requested can be written at the highest speed from a plurality of semiconductor memories provided as caches to a disk-like storage medium, and a control method therefor.例文帳に追加

この発明は、ディスク状記録媒体に対するキャッシュとして備えられた複数の半導体メモリの中から、書き込み要求を受けた情報を最も速く書き込むことが可能なメモリを選択して、情報処理速度の高速化を効果的に促進させるようにした情報記録装置及びその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

An adhesive layer is formed on a substrate and then a layer coated with adhesive, an intermediate layer, and an expand ring contact layer are formed sequentially thereon to produce a semiconductor wafer processing tape wherein the layer coated with adhesive is composed of resin composition containing 10-25 mass% of styrene-butadiene copolymer added with hydrogen.例文帳に追加

基材上に粘着剤層が形成され、該粘着剤被塗布層と、中間層と、エキスパンドリング接触層とがこの順に積層された半導体ウエハ加工用テープであって、前記粘着剤被塗布層が水素添加したスチレン−ブタジエン共重合体を１０〜２５質量％以上含む樹脂組成物からなることを特徴とする半導体ウエハ加工用テープ。 - 特許庁

The gap formed between the vibrator 202 and the electrode 203 is made to be a gap smaller than a minimum gap manufacturable by the semiconductor manufacturing technology by displacing either of the two after the processing, and the vibrator with a greater electrostatic force is excited, or a greater current caused by the vibration is produced.例文帳に追加

振動体２０２と電極２０３の間に形成されたギャップは、加工後にいずれかを変位させることにより、半導体製造技術で製作可能な最小間隙よりも小さなギャップとすることが可能となり、より大きな静電力での振動体の励振、または振動に伴うより大きな電流の発生が可能となる。 - 特許庁

To provide a rotary pickup mechanism having excellent operational reliability and productivity, and a semiconductor processing apparatus with the same, with which a pickup camera can surely capture an image of a device even if a pickup member extends its rotation angle to a position where the pickup member blocks a light path of the pickup camera and increases its rotation speed.例文帳に追加

ピックアップ部材がピックアップカメラの光路を遮るまでのピックアップ部材の回転角度を拡大して、ピックアップ部材の回転速度を速めても、ピックアップカメラによりデバイスの画像を確実に取り込むことができる、動作信頼性及び生産性に優れたロータリー式ピックアップ機構及びそれを備えた半導体処理装置を提供する。 - 特許庁

The matching circuit 30 is used in a semiconductor plasma processing system for feeding high frequency electric power to an electrode in a chamber through a power feeding path.例文帳に追加

整合器３０は、チャンバ内に設けられた電極に給電線路を介して高周波電力を供給する半導体プラズマ処理装置に用いられるものであって、２つの可変容量コンデンサ２２，２３と、コンデンサ２３の電極と給電線路の内部導体１６の端部との間に接続された銅板３１〜３３などで構成された分布定数回路とを備えたものである。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing device includes a load lock chamber 40 having a lid 31 and a body 32 into which a substrate to be processed is carried, a reaction chamber 40 to which the substrate is carried from the load lock chamber 30 for processing the substrate, and a buffer chamber 1 for connecting the load lock chamber 30 with the reaction chamber 40 permitting the substrate being carried to pass through inside.例文帳に追加

本発明に係る半導体製造装置は、被処理基板が搬入され、蓋３１と本体３２とを有するロードロック室４０と、ロードロック室３０から被処理基板が搬送され、該被処理基板に処理を行う反応室４０と、ロードロック室３０と反応室４０を繋ぎ、搬送中の被処理基板が内部を通るバッファー室１とを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which reduces a demodulation characteristics change which occurs in a master device for the modulated signals transmitted from a slave device, depending on the round-trip distance between the devices, when RF communications are maintained between the master device such as an RFID tag reader/writer etc. and the slave device such as an RFID tag etc. or is suitable for implementing processing of signals in communications.例文帳に追加

ＲＦＩＤタグ・リーダー・ライター等のマスタデバイスとＲＦＩＤタグ等のスレーブデバイスとの間でＲＦ通信を行う際に、両デバイスの間の往復距離に依存するスレーブデバイスからの変調信号のマスタデバイスでの復調特性の変化を軽減すること、およびその信号処理のインプリメンテーションに好適な半導体集積回路を提供すること。 - 特許庁

While a semiconductor wafer W in which a carbon thin film 12 is formed on a surface of a silicon substrate 11 implanted with impurities is preheated, its surface is supplied with an oxygen gas more at a peripheral edge portion than at a center portion to perform processing such that a film thickness of the carbon thin film 12 decreases from the center portion to the peripheral edge portion.例文帳に追加

不純物が注入されたシリコン基板１１の表面に炭素の薄膜１２を形成してなる半導体ウェハーＷを予備加熱しつつ、その表面に中心部よりも周縁部に多量の酸素ガスを供給することによって、炭素の薄膜１２の膜厚が中心部から周縁部に向けて薄くなるような加工を行う。 - 特許庁

The wafer sensing unit is installed in the semiconductor manufacturing apparatus including a processing device which performs a heating process, and includes a module of remotely measuring a temperature of a wafer being transferred by an infrared temperature sensor and a determination module of determining that the wafer is mounted on a transfer mechanism when a measurement result indicates that the temperature is equal to or higher than a first constant temperature.例文帳に追加

ウェハセンシング装置は、加熱処理を行う処理装置を備えた半導体製造装置に装備され、搬送されるウェハの温度を赤外線温度センサーにより遠隔計測する手段と、計測結果が第１の一定温度以上の場合は、ウェハが搬送手段に搭載されていると判定する判定手段とを備える。 - 特許庁

This tape for processing a semiconductor wafer includes an adhesive film composed of a base material film and a pressure sensitive adhesive layer formed on the base material film, and an adhesive layer formed on the pressure sensitive adhesive layer, wherein weight reduction in the pressure sensitive adhesive layer at the reflow temperature measured by differential thermal analysis is ≤1.5%.例文帳に追加

また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、示差熱分析により測定した、リフロー温度における前記粘着剤層の重量減少が１．５％以下である。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 - 特許庁