「semiconductor processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

Shoulder position detectors 9 and 10 each constituted of an infrared laser receiving and emitting element by a semiconductor and a circuit for processing its detected result are provided at a pillow part 4a swelled from a backrest part 4 to correct reference shoulder positions by the detected result of the heights of the shoulders 8a and 8b of the person 8 to be treated, for carrying out treatment operation.例文帳に追加

半導体による赤外線レーザ受発光素子およびその検知結果を処理する回路から成る肩位置検出器９，１０を、背もたれ部４から膨らんでいる枕部４ａに設け、それによる被施療者８の肩部８ａ，８ｂの高さの検出結果によって基準肩位置を補正して、施療動作を行う。 - 特許庁

The processing device 1 is provided in a going in and out manner within a space S for cleaning of the cleaning means 30, and comprises an ultraviolet light irradiating means 40 for irradiating a short wavelength ultraviolet light to the rear side of the semiconductor wafer W held by the holding part 31 of the cleaning means 30.例文帳に追加

この加工装置１は，洗浄手段３０の洗浄用空間Ｓ内に出没自在に設けられ，洗浄手段３０の保持部３１により保持された状態の半導体ウェハＷの裏面に対して，短波長紫外線を照射する紫外線照射手段４０を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a conveyance control system for cassettes in process that suppresses increase of a capacity of a stacker facility in a color filter manufacturing process, a liquid crystal display panel manufacturing process, and a semiconductor manufacturing process, reduces a substrate waiting time of a processing device in each manufacturing process, and cuts down a facility cost and a material cost.例文帳に追加

カラーフィルタ製造工程、液晶表示パネル製造工程、及び半導体製造工程におけるストッカ設備の容積の増大を抑制し、前記各製造工程に置ける処理装置の基板待ち時間を減らし、設備費用や材料費を削減する仕掛りカセット搬送制御システムを提供する。 - 特許庁

This angular velocity sensor 100 comprises a base part 10, formed by processing a semiconductor substrate and formed in a rectangular frame shape, a detecting vibrator 30 connected to the base part 10 via a detecting beam part 31, and a driving vibrator 20 connected to the detecting vibrator 30 via a driving beam part 21.例文帳に追加

角速度センサ１００は半導体基板を加工することにより形成され、矩形枠状の基部１０と、この基部１０と検出用梁部３１を介して連結された検出用振動子３０と、この検出用振動子３０と駆動用梁部２１を介して連結された駆動用振動子２０とを備える。 - 特許庁

The plate-like source electrode 50s and the plate-like gate electrode 50g are provided with a main-surface electrode connection 53 that is comprised of a first connection 54a and a second connection 54b with different thicknesses, thus processing large current for a short time as well as reducing the generation of chip cracks when mounting the semiconductor chip.例文帳に追加

かかる板状ソース電極５０ｓ、板状ゲート電極５０ｇは、その主面電極接続５３の構成を、厚さの異なる第１接続部５４ａ、第２接続部５４ｂから構成し、短時間での大電流の処理と、半導体チップの搭載に際してのチップクラックの発生の低減とを両立した構成とする。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit 10 has an inverter 14 which generates a basic clock, a delay circuit 16 consisting of m stages of gates connected in series, a latching circuit 18 which latches the output of the delay circuit 1 with the basic clock and an integrating circuit 20, which integrates the output of the latching circuit 18 in addition to a signal processing block 12.例文帳に追加

半導体集積回路１０は、信号処理ブロック１２の他に、基本クロックを発生するインバータ１４、ｍ段のゲートを直列接続した遅延回路１６、遅延回路１６の出力を基本クロックでラッチするラッチ回路１８、ラッチ回路１８の出力を積分する積分回路２０を具備する。 - 特許庁

By providing a block body 4 of spring structure which can be contracted and angularly corrected and a heater 2 as a heat source at a pressurizing head 1, a semiconductor element 5 is stably jointed with the circuit board 8, and the batch processing of a plurality of the semiconductors is achieved so s to improve productivity.例文帳に追加

加圧ヘッド１に収縮及び角度補正が可能なばね構造のブロック体４と熱源としてのヒータ２を設けた構成とすることにより、半導体素子５と回路基板８の安定した接合を実現し、また複数のフリップチップ実装の一括処理を可能にし、生産性を向上するようにした。 - 特許庁

This optical information processing device has a constitution where a semiconductor operation circuit chip 17, the light-receiving element array which is formed integrally in one body on the chip and constituted by burying light-receiving elements 19 in penetration holes formed on a substrate, and a glass substrate 16 with a diffraction optical element which is provided with the diffraction optical element are formed in one body.例文帳に追加

光情報処理装置を、半導体演算回路チップ１７と、この半導体演算回路チップ上に一体化され、基板に形成した貫通穴へ受光素子１９を埋め込んで構成する受光素子アレイと、回折型光学素子を備えた回折型光学素子付ガラス基板１６とを一体化した構成とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the stress control film on the field effect transistor, and changing an intrinsic stress of the stress control film by providing a heat treatment, or a plasma processing with ammonia or hydrogen to change the whole or a part of the material of the stress control film.例文帳に追加

電界効果トランジスタの上に応力制御膜を形成し、熱処理又はアンモニア又は水素によるプラズマ処理を施して、応力制御膜の全体又はその一部の材質を変化させることにより応力制御膜の真性応力を変更する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for performing an etching processing by using a resist film when a pattern of an organic film is formed or when a pattern of a thin film, which is formed on the organic resin film, is formed and removing the resist film without swelling the organic resin film in a manufacture of a semiconductor element substrate having the organic resin film.例文帳に追加

有機樹脂膜を有する半導体素子基板の作製において、有機樹脂膜のパターン形成時、または、これらの有機樹脂膜上に形成される薄膜のパターン形成時にレジスト膜を用いたエッチング処理を行った後、有機樹脂膜を膨潤させることなくレジスト膜を除去する方法について提供する。 - 特許庁

The adhesive sheet for processing a semiconductor substrate comprises a resin film substrate material containing 100 pts.wt. of polypropylene and 1-100 pts.wt. of a boron polymer as an antistatic agent and an adhesive layer containing a base polymer, an irradiation-induced polymerizable compound and an irradiation-induced polymerization initiator, and other resin film may also be incorporated.例文帳に追加

ポリプロピレン１００重量部に対して、ボロン系ポリマー帯電防止剤１〜１００重量部添加した樹脂フィルム基材、およびベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シートであり、他の樹脂フィルムが加わってもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a stand-by mode for stopping an oscillation circuit for preventing the generation of any runaway condition even when any erroneous external interrupting signal due to an incoming noise is inputted, and preventing the increase of program codes or the non- efficiency of processing for preventing the runaway condition.例文帳に追加

発振回路を停止するスタンバイモードを備えた半導体装置において、外来ノイズによる誤った外部割込信号が入力されても、暴走状態に陥らず、消費電流を低減でき、暴走状態を回避するためのプログラムコードの増大や処理の非効率化のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor substrate includes the steps of: forming a first SiGe layer with a thickness of 10 to 200nm; applying anneal processing to the substrate at a temperature of 900°C; and forming a second SiGe layer with a thickness of 10 to 300nm on the first SiGe layer.例文帳に追加

シリコン基板上に、第１のＳｉＧｅ層を厚さ１０〜２００ｎｍで形成する工程と、前記基板を９００℃以上でアニール処理する工程と、前記第１のＳｉＧｅ層上に、第２のＳｉＧｅ層を厚さ１０〜３００ｎｍで形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

The semiconductor memory apparatus is provided with a memory cell array in which a plurality of memory cells are arranged and a sense amplifier circuit for reading out data of the memory cell array, exclusive OR operation processing is performed between read-out data of the memory cell array and expected value data supplied from the outside in the sense amplifier circuit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うためのセンスアンプ回路とを備え、前記センスアンプ回路内で、前記メモリセルアレイの読み出しデータと外部から供給された期待値データとの間で排他的論理和演算処理が行われる。 - 特許庁

There is prepared a pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor substrates, which is formed by applying a pressure- sensitive adhesive comprising a base polymer, a radiation-polymerizable compound and a radiation-polymerizable polymerization initiator onto the surface of a film substrate of an ionomer resin, in which molecules of an ethylene- methacrylate copolymer are crosslinked by way of potassium ions, to form a pressure-sensitive adhesive layer.例文帳に追加

エチレン−メタクリル酸共重合体の分子間をカリウムイオンで架橋したアイオノマー樹脂フィルム基材面上に、ベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤を塗布し、粘着剤層を形成してなる半導体基板加工用粘着シート。 - 特許庁

Since such an image processing clock generating means 12 and a control/modulation means 14 for semiconductor lasers LD1, LD2 are incorporated in one IC circuit 1, parts for interfacing an electrical system and an optical system can be collected on the periphery of a write optical part resulting in a small and inexpensive imaging system advantageous for taking measures against EMI.例文帳に追加

このような画像処理クロック生成手段１２と半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２に対する制御・変調手段１４とを１つのＩＣ回路１内に有するので、書込光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめられ、小型・低廉でＥＭＩ対策上も有利となる。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, gas containing oxygen atoms and nitrogen atoms is supplied into a processing chamber, the gas containing the oxygen atoms and the nitrogen atoms is activated by plasma, the silicon substrate is processed by the plasma, and a silicon dioxide film containing nitrogen is formed.例文帳に追加

上記課題を解決するために、酸素原子及び窒素原子を含むガスを処理室内に供給し、酸素原子及び窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、シリコン基板を前記プラズマにより処理を行い窒素が含有された二酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a condenser IC microphone manufactured by using a microphone processing technology making full use of semiconductor manufacturing technology, an oscillation frequency of LC oscillation circuit at an oscillation- modulation circuit 5 is changed according to the change of capacity of a condenser consisting of an oscillation electrode 1 and a back electrode 2 responding to the change of sound pressure.例文帳に追加

半導体製造技術を駆使したマイクロマシン加工技術を利用して作製するコンデンサ型ＩＣマイクロフォンにおいて、音圧の変化に応答して振動電極１と背電極２とから構成されるコンデンサの容量が変化することによって、発振／変調回路５のＬＣ発振回路の発振周波数が変化する。 - 特許庁

This micro general measurement controller is provided with a single CPU module 10 where a CPU and an ROM and RAM for storing data or a program are mounted on a flat circuit board and at least one device module 20 where any semiconductor device other than a central processing unit is mounted on the circuit board whose shape is almost the same as that of the CPU module.例文帳に追加

平板状の回路基板にＣＰＵとデータやプログラムを記憶するためのＲＯＭ及びＲＡＭとを実装した単一のＣＰＵモジュール１０と、ＣＰＵモジュールとほぼ同一形状の回路基板に中央処理装置以外の半導体デバイスを実装した少なくとも１つのデバイスモジュール２０とからなる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a plurality of components IP0-IP7 for performing predetermined processing; a plurality of router circuits R0-R7 connected to the components, respectively; a plurality of wirings connecting the router circuits; and a router management unit SOC_NAVI for monitoring in real time whether the plurality of router circuits are enabled or not.例文帳に追加

例えば、所定の処理を行う複数のコンポーネントＩＰ０〜ＩＰ７と、各コンポーネントにそれぞれ接続された複数のルータ回路Ｒ０〜Ｒ７と、各ルータ回路間を接続する複数の配線と、複数のルータ回路の有効・無効状態をリアルタイムに監視するルータ管理ユニットＳＯＣ＿ＮＡＶＩを備える。 - 特許庁

The data exchange part 4 has a terminal changeover switch 44 for switching the connection between the external information processing device and the semiconductor memories 2, and a terminal changeover switch control part 45 for controlling the terminal changeover switch 44, and switches the terminal changeover switch 44 in dependence on the type of data and the type of data content.例文帳に追加

データ交換部４には、外部の情報処理装置と、半導体メモリ２の接続とを切り換える端子切換スイッチ４４と、端子切換スイッチ４４を制御する端子切換スイッチ制御部４５とが設けられており、データの種類やデータの内容の種類に応じて端子切換スイッチ４４を切り換える。 - 特許庁

Then, a conductive film 14 is formed on the semiconductor substrate 1, on which the capacitance insulating film 12a is formed and by processing the conductive film 14, a second conductor pattern 14b arranged on an upper electrode 14a and the first conductor pattern 11b of the memory cell capacitor is formed.例文帳に追加

そして、当該容量絶縁膜１２ａが形成された半導体基板１上に導電膜１４が形成され、導電膜１４を加工することにより、メモリセルキャパタの上部電極１４ａおよび第１の導電体パターン１１ｂ上に配置された第２の導電体パターン１４ｂが形成される。 - 特許庁

The adhesive sheet for processing a semiconductor substrate is obtained by applying an adhesive consisting of a base polymer, a radiation polymerizable compound and a radiation polymerization initiator on a surface of a resin film base material prepared by adding 1-80 pts.wt. of a polymer-type antistatic agent to 100 pts.wt. of polypropylene to form an adhesive layer.例文帳に追加

ポリプロピレン１００重量部に対して、高分子型帯電防止剤を１〜８０重量部添加した樹脂フィルム基材面上に、ベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤を塗布し、粘着剤層を形成してなる半導体基板加工用粘着シート。 - 特許庁

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable.例文帳に追加

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces the burden on a host device in converting YUV data into RGB data or reduces external hardware, and suppresses an increase in the number of parts and in a circuit scale by performing zoom processing without using a memory of large capacity, and to provide a portable terminal system and a sensor module.例文帳に追加

ＹＵＶデータからＲＧＢデータへの変換におけるホスト装置の負担を軽くする、または外付けハードウェアの削減を図ることができ、また大容量のメモリを使用せずにズーム処理を行い、部品点数や回路規模の増加を抑えることができる半導体装置、携帯端末システム、センサモジュールを提供する。 - 特許庁

To achieve a higher speed for erasure processing without making external control complicated in a nonvolatile semiconductor memory device provided with a plurality of memory blocks where a plurality of electrically writable and erasable nonvolatile memory cells are arranged in an array form to enable batch data erasure, and redundant blocks to replace the memory blocks.例文帳に追加

電気的に書き込み消去可能な不揮発性のメモリセルをアレイ状に複数配列して一括データ消去可能に形成されたメモリブロックの複数と、メモリブロックを置換可能な冗長ブロックを備えてなる不揮発性半導体記憶装置において、外部の制御を煩雑にせず消去処理の高速化を図る。 - 特許庁

In order to remove metal impurities having adhered during cutting in forming this silicon part of a semiconductor processing apparatus, a treatment and a heat treatment are executed to at least a cut surface of a silicon plate with a solution, and the silicon part reduces metal contamination of a wafer when the silicon part is processed in a plasma atmosphere.例文帳に追加

半導体処理装置のシリコン部品を形成する際の切断中に付着した金属不純物を除去するため、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理と熱処理を行い、シリコン部品がプラズマ雰囲気中で処理された際ウェハの金属汚染を減少させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide the input circuit and the output circuit of a semiconductor integrated circuit that is an operation available, in spite of the fact that the drive power of a power supply circuit due to step-down of an external power supply is small, with a re-formation that 5 voltage system on the external power supply forms into 3 or 1.8 voltage system through fine processing.例文帳に追加

外部電源電圧５Ｖ仕様のデバイスを、微細化プロセスで形成される３Ｖ系や１．８Ｖ系の素子を用いて形成可能とし、且つ、外部電源を降圧する電源回路の駆動力が小さくても動作可能な半導体集積回路の入出力回路を提供することにある。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet sufficiently preventing a winding trace from being transferred to an adhesive layer when the adhesive sheet having the adhesive layer formed into a prescribed plane shape by precut processing or the like, and capable of sufficiently preventing the formation of voids by rolled-in air when pasting the adhesive layer on an adherend, to provide a method for producing a semiconductor device by using the adhesive sheet; and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gap formed between the vibrator 202 and the electrode 203 is made to be a gap smaller than a minimum gap manufacturable by the semiconductor manufacturing technology by displacing either of the two after the processing, and the vibrator with a greater electrostatic force is excited, or a greater current caused by the vibration is produced.例文帳に追加

振動体２０２と電極２０３の間に形成されたギャップは、加工後にいずれかを変位させることにより、半導体製造技術で製作可能な最小間隙よりも小さなギャップとすることが可能となり、より大きな静電力での振動体の励振、または振動に伴うより大きな電流の発生が可能となる。 - 特許庁

To provide a rotary pickup mechanism having excellent operational reliability and productivity, and a semiconductor processing apparatus with the same, with which a pickup camera can surely capture an image of a device even if a pickup member extends its rotation angle to a position where the pickup member blocks a light path of the pickup camera and increases its rotation speed.例文帳に追加

ピックアップ部材がピックアップカメラの光路を遮るまでのピックアップ部材の回転角度を拡大して、ピックアップ部材の回転速度を速めても、ピックアップカメラによりデバイスの画像を確実に取り込むことができる、動作信頼性及び生産性に優れたロータリー式ピックアップ機構及びそれを備えた半導体処理装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing device includes a load lock chamber 40 having a lid 31 and a body 32 into which a substrate to be processed is carried, a reaction chamber 40 to which the substrate is carried from the load lock chamber 30 for processing the substrate, and a buffer chamber 1 for connecting the load lock chamber 30 with the reaction chamber 40 permitting the substrate being carried to pass through inside.例文帳に追加

本発明に係る半導体製造装置は、被処理基板が搬入され、蓋３１と本体３２とを有するロードロック室４０と、ロードロック室３０から被処理基板が搬送され、該被処理基板に処理を行う反応室４０と、ロードロック室３０と反応室４０を繋ぎ、搬送中の被処理基板が内部を通るバッファー室１とを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which reduces a demodulation characteristics change which occurs in a master device for the modulated signals transmitted from a slave device, depending on the round-trip distance between the devices, when RF communications are maintained between the master device such as an RFID tag reader/writer etc. and the slave device such as an RFID tag etc. or is suitable for implementing processing of signals in communications.例文帳に追加

ＲＦＩＤタグ・リーダー・ライター等のマスタデバイスとＲＦＩＤタグ等のスレーブデバイスとの間でＲＦ通信を行う際に、両デバイスの間の往復距離に依存するスレーブデバイスからの変調信号のマスタデバイスでの復調特性の変化を軽減すること、およびその信号処理のインプリメンテーションに好適な半導体集積回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for reforming a film-formation surface and a method for manufacturing a semiconductor device using the same by which the base dependency to film formation can be thoroughly eliminated on a film- formation surface, by eliminating an additional energy such as plasma irradiation or high temperature heating, processing in a vacuum, etc., by an extremely simplified method.例文帳に追加

プラズマ照射或いは高温加熱、真空中の処理等の付加的なエネルギを用いることなく、極めて簡単な手法により被成膜面への成膜に対する下地依存性をほぼ完全に消去することができる被成膜面の改質方法及びこの改質方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A data processing apparatus includes: an image data input module (32) capable of separating the Y signal and the C signal from a video signal; a DMA controller capable of performing DMA transfer of the Y signal and C signal to a predetermined semiconductor memory; and a bus capable of exchanging signals between the image data input module and the DMA controller.例文帳に追加

データ処理装置は、ビデオ信号からＹ信号とＣ信号とを分離可能な画像データ入力モジュール（３２）と、上記Ｙ信号とＣ信号とを、所定の半導体メモリにＤＭＡ転送可能なＤＭＡコントローラと、上記画像データ入力モジュールと上記ＤＭＡコントローラとの間で信号のやり取りを可能とするバスとを含む。 - 特許庁

The quartz process tube built in into a vertical heating furnace for processing a semiconductor wafer comprises the body of a process tube, constituted of a cylindrical quartz glass tube provided with a top plate in the upper end part, and a quartz reinforcing member provided on the upper surface of the top plate via a plurality of quartz columns and has a central part bent upward.例文帳に追加

半導体ウェーハを処理するための縦型加熱炉に内蔵される石英プロセスチューブであって、上端部に天板を設けた円筒形石英ガラス管で構成されるプロセスチューブ本体と、該天板の上面に複数本の石英支柱を介して設けられかつ中央部を上方に湾曲させた石英補強部材とを有するようにした。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an electron beam, an X-ray or EUV light simultaneously satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, and good line-edge roughness in solving problems associated with performance improving techniques in micro processing of a semiconductor element using the electron beam, the X-ray or the EUV light, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power supply wiring method for a semiconductor integrated circuit device, which achieves the efficient power supply wiring for reducing the modifying work after the power supply wiring and for facilitating the signal wiring in post processing when carrying out the wiring connection of a power supply line to a power supply ring such as an IP module etc., and to provide a power supply wiring program and a design support system.例文帳に追加

ＩＰモジュール等の電源リングに電源ラインを配線接続する際に、電源配線後の修正作業を低減するとともに、後工程の信号配線を容易にするための効率的な電源配線を実現する半導体集積回路装置の電源配線方法、電源配線プログラム及び設計支援システムを提供すること。 - 特許庁

The adhesive film laminate 10 for semiconductor processing includes a base 2, a circuit member-connecting adhesive layer 6, and a pressure-sensitive adhesive layer 4 disposed between the base 2 and circuit member-connecting adhesive layer 6 to bond them together, wherein a coefficient of linear expansion at 20 to 80°C measured in a tension mode is ≤50×10^-6/°C.例文帳に追加

基材２と、回路部材接続用接着剤層６と、基材２と回路部材接続用接着剤層６との間に配置されてこれらを接着する粘着剤層４とを備えており、引っ張りモードで測定される２０〜８０℃の線膨張係数が、５０×１０^−６／℃以下となるものである、半導体加工用接着フィルム積層体１０。 - 特許庁

In manufacturing the semiconductor device (e.g. TFT), a film applied with polysilazane (-(SiH_2NH)-) used as, for example, an interlayer dielectric is formed on a substrate 100, and thermal processing using a thermal source of flames of a gas burner using a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is performed to bake the polysilazane-applied film and to modify the polysilazane conversion SiO_2.例文帳に追加

半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上に例えば層間絶縁膜となる、ポリシラザン（−（ＳｉＨ_2ＮＨ）−）塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、ポリシラザン塗布膜を焼成するとともに、ポリシラザン転化ＳｉＯ_2の改質を行う。 - 特許庁

The substrate processing device comprises a substrate retaining mechanism 20 for retaining the processed substrate 10 such as a semiconductor wafer, a grinding head 30 capable of moving in a horizontal direction, a grinding tape 40 which is mounted on the grinding head 30 and is prepared for the grinding of the peripheral edge of the processed substrate, and a pure water supply nozzle 50 for supplying pure water onto the processed substrate 10.例文帳に追加

基板処理装置は、半導体ウェハ等の被処理基板１０を保持する基板保持機構２０と、水平方向に移動可能な研磨ヘッド３０と、研磨ヘッド３０に装着され、被処理基板の周縁部の研磨に供される研磨テープ４０と、被処理基板１０上に純水を供給するための純水供給ノズル５０とを備えている。 - 特許庁

To provide a positive type resist processing liquid composition which prevents a contamination source such as polish waste from attaching to a positive type resist surface, by imparting hydrophilicity to the positive type resist surface in a manufacturing process, including applying resist as a surface protective film of a semiconductor wafer or the like and polishing the peripheral part of the substrate (such as, a beveled part, an edge part and a notch part).例文帳に追加

半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first thin film composed of GeCOH or GeCH on a substrate to be processed, a step for removing a part of the first thin film, a processing step for performing a certain process on the substrate through the region formed by removing the first thin film, and a step for removing the first thin film.例文帳に追加

被処理基体上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成すると、この第１の薄膜の一部を除去する工程と、第１の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The method is constituted so that it may include a process of putting the equipment surface in the semiconductor material processing chamber into contact with an atmosphere including a proton donor, and causing it to react with the porogen deposited on the equipment surface, and a process of putting the equipment surface into contact with an atmosphere including a fluorine donor, and causing it to react with a thin film deposited on the equipment surface.例文帳に追加

半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 - 特許庁