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source currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7159件
Current consumption is reduced by making a step-down circuit itself a standby state by a transistor N3 at the time of standby state of an internal circuit, while a transistor P4 being a switch element supplying reference voltage Vref as power source voltage Vint for internal circuit is provided additionally and separately, at the time of standby state of the step-down circuit.例文帳に追加
内部回路が待機状態の時に、トランジスタN3により降圧回路そのものも待機状態として消費電流の削減を図ると同時に、降圧回路の待機状態の時には、基準電圧Vref を内部回路用電源電圧Vint として供給するスイッチ素子であるトランジスタP4を別に追加して設けている。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit having a power source control function for switching on-off of power supply for each circuit module, which is capable of fundamentally eliminating an influence by an inrush current generated when on-off operations of power supply to a circuit module are switched while increases in a circuit scale and a wiring scale are being suppressed as much as possible.例文帳に追加
回路モジュール毎に電力供給のオン/オフを切り換える電源制御機能を有する半導体集積回路であって、回路規模及び配線規模の増加を極力抑えながら、ある回路モジュールへの電力供給のオン/オフを切り換える際に発生するインラッシュ電流による影響を根本的に除去する。 - 特許庁
A voltage limiting circuit 44, a variable power source 41-2, resistances 42-4 to 42-6, amplifiers 43-2 to 43-4 constitute a voltage control circuit, and the voltage control circuit conducts control to restrict an output voltage VO of the constant-current circuit by reflecting an ON-resistance of a switch 22 in a switch circuit 20.例文帳に追加
また、電圧制限回路44、可変電源41−2、抵抗42−4〜42−6、増幅器43−2〜43−4は、電圧制御回路を構成し、前記電圧制御回路は、スイッチ回路20のスイッチ22のオン抵抗を反映させて前記定電流回路の出力電圧VOを制限するように制御する。 - 特許庁
The voltage applied from a power source 20 to a flame rod 1 is set so that the flame current flowing through flame 3 may come close to saturation, and the flame resistance is raised to be larger than the resistance value of the insulator adhering to the flame rod and the burner, whereby the influence of the insulator has on the output of the flame rod is reduced.例文帳に追加
電源部20からフレームロッド1に印加する電圧を、炎3を通して流れる炎電流が飽和に近づくように設定し、これにより炎抵抗を高くしてフレームロッドやバーナーに付着する絶縁体の抵抗値より大きくすることにより、絶縁体がフレームロッド出力に与える影響を少なくする。 - 特許庁
A positioning device 1 as one embodiment of the impact driving device is provided with a direct current voltage power source 51, a charge switch 52 for charging the piezoelectric element 13, a discharge switch 53 for discharging the piezoelectric element 13, and a signal generator 54 for transmitting the ON/OFF signal to the charge switch 52 and the discharge switch 53.例文帳に追加
インパクト駆動装置の一実施形態である位置決め装置1は、直流電圧電源51と、圧電素子13を充電する充電スイッチ52と、圧電素子13を放電する放電スイッチ53と、充電スイッチ52と放電スイッチ53にオン/オフ信号を送信する信号発生器54を具備する。 - 特許庁
In such a case, VTP is threshold voltage of the P channel MOS transistor 1, αp is operating voltage of the P channel MOS transistor 1, and βp is drain voltage needed to saturate drain current Idp when bias voltage (VTP+αp) is applied between the gate Gp and the source Sp of the P channel MOS transistor 1.例文帳に追加
ここで、VTPは、PチャンネルMOSトランジスタ1の閾値電圧、αpは、PチャンネルMOSトランジスタ1の動作電圧、βpはPチャンネルMOSトランジスタ1のゲートGp・ソースSp間にバイアス電圧(VTP+αp)が印加されているときにドレン電流Idpが飽和するのに必要なドレン電圧である。 - 特許庁
The plate-like source electrode 50s and the plate-like gate electrode 50g are provided with a main-surface electrode connection 53 that is comprised of a first connection 54a and a second connection 54b with different thicknesses, thus processing large current for a short time as well as reducing the generation of chip cracks when mounting the semiconductor chip.例文帳に追加
かかる板状ソース電極50s、板状ゲート電極50gは、その主面電極接続53の構成を、厚さの異なる第1接続部54a、第2接続部54bから構成し、短時間での大電流の処理と、半導体チップの搭載に際してのチップクラックの発生の低減とを両立した構成とする。 - 特許庁
When the coaxial cable 5 of the antennas unit 2 is connected to a connector 12 with a power source supplied, the main body unit 3 detects an antenna connection on the basis of current detection by a CPU 14, reads antenna gain information from the memory 7 of the antenna unit 2, and sets an attenuation amount of the variable attenuator 16.例文帳に追加
本体部3は、電源が供給されている状態で、アンテナ部2の同軸ケーブル5がコネクタ12に接続されると、CPU14により電流検知に基づいてアンテナ接続を検知し、アンテナ部2のメモリ7からアンテナ利得情報を読み出して可変アッテネータ16の減衰量を設定する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an image sensor which is improved in fill-ratio and free of a charge sharing phenomenon, and the manufacturing method of the image sensor capable of minimizing a dark current source to prevent saturation and a decrease in sensitivity by providing a smooth movement path for photocharges between a photodiode and a readout circuitry.例文帳に追加
充てん比を高め、且つ電荷共有現象が発生しないイメージセンサーの製造方法と、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁
This light source is characterized by comprising: a laser element 11 which has the plurality of light emitting parts 12 emitting light, and wherein cut parts 22 electrically cutting an electrode supplying current to at least the plurality of light emitting parts 12 are formed between at least partial light emitting parts 12; and a support board 20 with the laser element 11 mounted thereon.例文帳に追加
光を射出する複数の発光部12を有し、少なくとも一部の発光部12間に、少なくとも複数の発光部12に電流を供給する電極を電気的に切断する切断部22が形成されたレーザ素子11と、該レーザ素子11が実装された支持基板20とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
A serial circuit of a cutout 13 with a tripolar interlocking release function with an expulsion fuse 13a incorporated in free detachment, and a cylindrical cutout 14 with a current-limiting fuse 14a having an interruption function incorporated in free detachment is arranged the power source side of a reactor 12 branch connected to a distribution wire 11.例文帳に追加
配電線11に分岐接続されたリアクトル12の電源側に、放出形ヒューズ13aが着脱可能に内装された三極連動開放機能付カットアウト13と、遮断機能を有する限流ヒューズ14aが着脱可能に内装された円筒形カットアウト14との直列回路を配置するようにした。 - 特許庁
To obtain an electrostatic chuck that can increase the plasma- resistance property of an electrostatic chuck base, without damaging attraction force by the Johnson-Rahbek effect, can suppress generation of impurity elements that become the contamination source for a body to be attracted and generation leakage current accompanying reduction of resistivity, and can be used over a wide temperature range.例文帳に追加
ジョンソンラーベック力による吸着力を損なうことなく、静電チャック基材の耐プラズマ性を高め、被吸着体に対して汚染源となる不純物元素の発生、及び、抵抗率の低下に伴うリーク電流の発生を抑制でき、幅広い温度範囲で使用できる静電チャックを提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an electron emitting element that is capable of stabilizing the electron emission characteristics of the electron emitting element by reducing the preparatory drive current If-pre flowing in the electron emitting element at the time of carrying out the preparatory drive process for stabilizing the electron emission characteristics, and a manufacturing method of an electron source.例文帳に追加
電子放出特性を安定させるための予備駆動工程を行う際の電子放出素子に流れる予備駆動電流If−preを低減して電子放出素子の電子放出特性を安定させることが可能な電子放出素子の製造方法及び電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁
Also, in the seam welding method, using this seam welding power source, a prescribed welding current is made to flow, from the welding condition setting section as the welding condition, in such a state that the movement of the roller electrode is stopped for a predetermined time during the starting and completing of the welding.例文帳に追加
また、本発明になるシーム溶接方法は、このシーム溶接電源を用いて、溶接条件設定部から溶接条件として溶接開始時と溶接終了時に予め決められた時間前記ローラ電極の移動を停止させた状態で所定の溶接電流を流すことを特徴とするものである。 - 特許庁
On the other hand, the control board 22a performing feed control of recording sheet or ink ribbon requiring a small current is disposed closely to the generating source, i.e., the actuator of feeding operation (including a recording sheet feed/ribbon feed mechanism 17, and the like), while mounting the components collectively on one control board 22a.例文帳に追加
一方、小電流しか要さない記録紙送り制御あるいはインクリボン送り制御を行う制御用基板22aを、その発生源、つまりその送り動作するためのアクチュエータ(記録紙送り/リボン送り機構17等を含む)近くに配置し且つ1枚の制御用基板22aに集中実装させている。 - 特許庁
To disclose a technique of forming a domed gate oxide film to relieve stress, which results from different thermal expansive rates between an oxide film and silicon during a subsequent thermal process and preventing a leakage current between source/drain regions by controlling the thickness of the gate oxide film to improve the refresh characteristics.例文帳に追加
本発明は半導体素子の製造方法に関し、半球形のゲート酸化膜を形成して後続の熱工程時に酸化膜とシリコンの熱膨張率の差によるストレスを緩和させ、ゲート酸化膜の高さ調節を介しソース/ドレイン領域間の漏れ電流を防止し、リフレッシュ特性を向上させる技術を開示する。 - 特許庁
This constant-current generation circuit is provided with a transistor 12 for bias whose drain and gate are mutually connected and a transistor 13 for an output, which is given source potential and gate potential being the same as those of the transistor 12 for bias and has a threshold VT13 being smaller than the threshold VT12 of the transistor 12 for bias.例文帳に追加
ドレインとゲートとが互いに接続されたバイアス用トランジスタ12と、バイアス用トランジスタ12と同一のソース電位および同一のゲート電位が与えられ、バイアス用トランジスタ12の閾値VT12より小さい閾値VT13を有する出力用トランジスタ13とを備えて定電流発生回路を構成した。 - 特許庁
To provide a voltage detector capable of detecting trouble in a switch without increasing costs, without requiring an additional component or the like, and without impairing a measuring time in a usual time, in the voltage detector for executing detection by a capacitor having the switch for connecting a direct current power source in series.例文帳に追加
直流電源を直列に接続するためのスイッチを有したコンデンサで検出する電圧検出装置において、コストアップや部品の追加等が必要無く、さらに正常時の計測時間を損なうことがないようにスイッチの故障検出処理が可能となる電圧検出装置を提供する。 - 特許庁
A control circuit 4 has a series circuit consisting of resistance connected between the output of the analog regulator 3 and ground and a constant current source, compares a voltage lower than the output of the reference power VREF by the potential difference of resistance with the output of power VDD and controls a transistor T3 connected to the base of the transistor T2.例文帳に追加
制御回路4は、前記アナログレギュレータ3の出力と接地間に接続された抵抗と定電流源の直列回路を有し、前記基準電源V_REF 出力より前記抵抗の電位差だけ低い電圧と前記電源V_DD出力とを比較し、トランジスタT_2 のベースに接続されたトランジスタT_3 を制御する。 - 特許庁
During the control signal is outputted and a current from the battery power source 1 is fed to the back up capacitor 11 through the by-passing energization passage 12, the capacitor of the back up capacitor 11 is calculated based on the detection voltage of an input voltage detection means 17 and a capacitor voltage detection means 18.例文帳に追加
この制御信号が出力されてバッテリ電源1からの電流がバイパス電通路12を介してバックアップコンデンサ11に供給されている間に、入力電圧検出手段17及びコンデンサ電圧検出手段18の検出電圧に基づいてバックアップコンデンサ11の容量を算出する。 - 特許庁
To provide a highly reliable and high-speed semiconductor device by preventing the reduction of the source/drain current of a p-channel type transistor even in the case of forming a silicon nitride film for self-aligned contact by using the single wafer type heat CVD system of a cold wall type so as to cope with the micronization of a transistor.例文帳に追加
トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱CVD装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、pチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。 - 特許庁
In the chip region TAR, there are formed a trimmed circuit 11, a fuse element Fm(m=1 to 2M), and a constant current source IPm(m=1 to 2M) and an invertor INm(m=1 to 2M) which play a role of a detection circuit for detecting whether or not the fuse element Fm(m=1 to 2M) is disconnected.例文帳に追加
チップ領域TARには、トリミング対象回路11と、ヒューズ素子Fm(m=1〜2M)と、ヒューズ素子Fm(m=1〜2M)が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源IPm(m=1〜2M)及びインバータINm(m=1〜2M)とが形成されている。 - 特許庁
The electric device for treating the cooling water is provided with a copper electrode (7) and an electrode made of an electric conducting material (8) in the cooling water of a bottom part water storage tank (2) of a cooling tower (1) and connects the anode of the direct current power source (10) separately placed with a copper electrode and the cathode with the electrode made of the electric conducting material.例文帳に追加
本発明は、冷却塔(1)の底部貯水槽(2)の冷却水中に銅電極(7)および導電材製電極(8)を配置し、別に置いた直流電源(10)のプラス極を銅電極に、マイナス極を導電材製電極に接続した冷却水処理用電気装置である。 - 特許庁
To provide an optical communication system which can reduce power consumption at a low-cost on the whole by using a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., as a light emitting source and using a circuit formed of a CMOS for a semiconductor laser drive IC.例文帳に追加
動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、半導体レーザ駆動ICがCMOSからなる回路を用いる事により、システム全体の消費電力の低減及び低コスト化を可能とする光通信システムを提案することにある。 - 特許庁
A rush current is prevented from flowing from the power unit 11 for the peripheral equipment to the peripheral equipment 10 at the start of power supply to eliminate overcurrent detection of the power unit 11 and an output voltage drop of the power source and malfunction of the image forming apparatus 1 are thus prevented to realize stable operations.例文帳に追加
したがって、電源供給開始時の周辺機用の電源装置11から周辺機10に突入電源が流れることを防止して、電源装置11の過電流検知が働かないようにし、電源の出力電圧ドロップや画像形成装置1の誤動作を防止して、安定して動作させることができる。 - 特許庁
When an imaging system 6 performs photographing, a correcting part 38 acquires a correction amount for correcting an image acquired by photographing from the elapsed time since the power source of the digital camera 1 is turned on until photographing with reference to the relation between the elapsed time and the correction amount of dark current noise and corrects the image with the correction amount.例文帳に追加
撮像系6が撮影を行うと、補正部38が、デジタルカメラ1の電源をオンとしてから撮影までの経過時間から、経過時間と暗電流ノイズの補正量との関係を参照して撮影により取得した画像を補正するための補正量を取得し、補正量により画像を補正する。 - 特許庁
The apparatus further includes a SD voltage detection circuit 18 which supplies a prescribed current between the source electrode and the drain electrode to detect an SD voltage V1 between them, a gate voltage applying circuit 19 which applies a variable gate electrode V2 to the gate electrode, and a magnetic field generating device 20 which applies a variable magnetic field B to the two-dimensional graphene.例文帳に追加
さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電流を流し、その間のSD電圧V1を検出するSD電圧検出回路18と、ゲート電極に可変ゲート電圧V2を印加するゲート電圧印加回路19と、2次元グラフェンに可変磁場Bを印加する磁場発生装置20とを備える。 - 特許庁
This weak current is detected by a first control device 18 installed in the outside of a vapor-deposition chamber, electric power which is applied to the heater 13 of the evaporation source is controlled by a second control device 12 using signals from the first control device 18, and the thickness of a vapor deposited film is thereby controlled.例文帳に追加
この微弱電流を蒸着室の外部に設置された第1の制御装置18によって検出し、第1の制御装置18からの信号を用いる第2の制御装置12によって蒸発源のヒーター13に加える電力を制御することによって蒸着膜厚を制御する。 - 特許庁
It is canceled by controlling a source voltage in an MOS amplifying transistor 10 in a column amplifying circuit 9 that an elevation of a temperature, of a thermoelectric transducing picture element 1, caused by Joule heat generated by a bias current for reading out temperature information inside the picture element is contained in an output signal as a self-heating voltage component.例文帳に追加
画素内部の温度情報を読み出すためのバイアス電流により発生するジュール熱に起因する、熱電変換画素1の温度の上昇が自己加熱電圧成分として出力信号中に含まれるのを、カラム増幅回路9のMOS増幅トランジスタ10におけるソース電圧を制御することで、キャンセルする。 - 特許庁
The apparatus has an A/D inverter, into which a voltage for the measurement of current or voltage is inputted to be converted to a digital data and a control part for stopping the switching power source, or keeping the switching frequency outside a measuring band pass in the conversion into the digital data with the A/D converter.例文帳に追加
本装置は、電流測定または電圧測定の電圧を入力し、デジタルデータに変換するA/D変換器と、このA/D変換器で、デジタルデータに変換する時に、スイッチング電源の停止またはスイッチング周波数を測定帯域外にする制御部とを有することを特徴とする装置である。 - 特許庁
The difference voltage between the output voltage of a battery voltage memory circuit 41 for storing the voltage of a secondary battery 12 and the output voltage of a direct current voltage source 42 is added to the voltage between an anode input/output terminal 16 and a cathode input/output terminal 17, which is input to a control circuit 13 as a test voltage.例文帳に追加
二次電池12の電圧を記憶する電池電圧記憶回路41の出力電圧と直流電圧源42の出力電圧との差電圧を正極入出力端子16と負極入出力端子17との間の電圧に加算して制御回路13に検査電圧として入力する。 - 特許庁
To provide an electron source, wherein each electron emission element has a uniform electron emission characteristic by forming uniform electron emission parts throughout almost all the electron emission elements, when current-carrying forming is performed to a conductive film of each of the electron emission elements in forming the multiple electron emission elements on a substrate having a large area.例文帳に追加
大面積の基板上に多数の電子放出素子を形成するに際して、各電子放出素子の導電性膜に通電フォーミングを行なうときに、ほぼ全ての電子放出素子にわたって均一な電子放出部を形成し、各電子放出素子が均一な電子放出特性を有する電子源を実現する。 - 特許庁
The assembly comprises at least one electrically conductive slip ring 12; at least one electrically conductive brush 14 for supplying a current to the at least one slip ring; and an electric or pressure actuator 22, driven by a vibration source 13.例文帳に追加
組立体は、少なくとも1つのの導電性スリップリング(12)、前記少なくとも1つののスリップリングに電流を供給するための少なくとも1つのの導電性ブラシ(14)、および、前記スリップリングに対する前記ブラシ位置変更するための、振動源(13)で駆動される電気式もしくは圧力式作動装置(22)を有する。 - 特許庁
This temperature measuring instrument is equipped with a sequence controller 21 for controlling devices, the organic EL element 25 being a measuring object, a thermostat 24 for keeping the temperature of the element 25 at a prescribed value, a power source measuring instrument 22 for measuring a current flowing through the element 25, and a temperature controller 23 for controlling the temperature of the thermostat 24.例文帳に追加
本温度測定装置は、装置を制御するシーケンス制御器21と、測定対象となる有機EL素子25と、この素子25の温度を所定値に保つ恒温器24と、この素子25に流れる電流を測定する電源測定器22と、恒温器24の温度を制御する温度制御器23とを備える。 - 特許庁
For each of the case where an output of the semiconductor chip transits from "L" to "H" and the case where it transits from "H" to "L", a model showing the semiconductor chip by an internal impedance, a p/n MOS circuit, and a current source is generated, while analysis in a frequency area is carried out by using the model of the semiconductor chip.例文帳に追加
半導体チップの出力が“L”から“H”に遷移する場合と“H”から“L”に遷移する場合のそれぞれについて内部インピーダンスとp/nMOS回路と電流源とで半導体チップを示してなるモデルを作成すると共に、その半導体チップのモデルを用いて周波数領域における解析を行う。 - 特許庁
A transistor switch composed of a main control transistor 4 is provided for supplying or cutting off a current between a power source input line 1 and a power supply terminal IN of a triple terminal regulator 3, and the output of the triple terminal regulator 3 is supplied through a feedback resistor 61 to an input A of an output short-circuit detecting IC 6.例文帳に追加
電源入力ライン1と三端子レギュレータ3の電源供給端子INとの間に電流を供給または遮断するための、主制御トランジスタ4によるトランジスタスイッチを設け、三端子レギュレータ3の出力を帰還抵抗61を介して出力短絡検出IC6のA入力に供給する。 - 特許庁
A signal in a connection point of a serial circuit composed of a current source IS0 and a charging capacitor C0 is inputted to an inverter INV0 which outputs a power-on reset signal via a transistor P0 that is a delay switching element, and there is included a gate potential control means 1 for controlling the gate potential of the transistor P0.例文帳に追加
電流源IS0と充電用コンデンサC0からなる直列回路の接続点の信号が、遅延用スイッチング素子であるトランジスタP0を経由して、パワーオンリセット信号を出力するインバータINV0に入力されており、トランジスタP0のゲート電位を制御するゲート電位制御手段1を有する。 - 特許庁
This light source device is provided with the illumination device 1 which is provided with a light emitting material 12 to emit light and exotherm by injecting an electric current and a substrate 23 in which the illumination device 1 is arranged on the face of one side, and the substrate 23 has a through hole 23a to which the illumination device 1 is exposed.例文帳に追加
電流が注入されることによって発光・発熱する発光体12を備える照明装置1と、該照明装置1が一方側の面に配置される基板23とを備える光源装置10であって、上記基板23は、上記照明装置1が露出する貫通孔23aを有する。 - 特許庁
Therefore, when the inputted voltage of the commercial AC power source is higher than Vc×(1-n2/n1), inputted power flows in, a power-factor improvement effect is obtained and the voltage to be generated in the input capacitor C1 is made to be constant without being affected by the load current of a DC/DC converter 1.例文帳に追加
したがって、商用交流電源の入力電圧がVc×(1−n2/n1)より高ければ入力電流が流入することとなり、力率改善効果が得られるとともに、DC/DCコンバータ1の負荷電流に影響されず、入力コンデンサC1に発生する電圧を一定にすることができる。 - 特許庁
Thyristors of the switch mode power control circuit 4 and rush current preventing circuit 2 are turned off when the service interruption or voltage drop of an AC power source is continued for about 20 msec or longer, whereby a state that a discharge lamp has been lighted is retained for about 20 msec from the service interruption or voltage drop, and the discharge lamp is then extinguished.例文帳に追加
AC電源の停電または電圧降下が20msec程度以上継続したときにスイッチモード電力制御回路4および突入電流防止回路2のサイリスタをオフにすることで、停電または電圧降下から20msec程度は放電灯のついた状態を維持し、その後消灯する。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit 2 includes an internal circuit 3, a power source terminal 4, a ground terminal 5, the input/output terminal 6 and a protection diode 8, and also includes a test terminal 10 to which a current or a voltage is applied at an inspection time, and an inspection diode 9 connected between the test terminal 10 and the input/output terminal 6.例文帳に追加
半導体集積回路2は、内部回路3、電源端子4、グランド端子5、入出力端子6、および保護ダイオード8の他、検査時に電流または電圧が印加されるテスト端子10と、テスト端子10と入出力端子6との間に接続された検査用ダイオード9とを備える。 - 特許庁
This superconductive liquid level gage has a liquid level detecting part 13 with at least one part arranged in the cryogenic fluid, an electric power source part 7 for supplying a current to the liquid level detecting part 13, and a resistance measuring part 9 for measuring an electric resistance of the liquid level detecting part 13, and the liquid level detecting part 13 is formed of magnesium diboride.例文帳に追加
少なくともその一部が極低温流体中に配置される液面検知部13と、液面検知部13に電流を供給する電源部7と、液面検知部13の電気抵抗を測定する抵抗測定部9と、を有し、液面検知部13が二ホウ化マグネシウムから形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
In the method for determining a drive current value for a laser light source, first, light for data erasing having a light intensity, which is larger than a power level of a first light intensity and smaller than a power level of a third light intensity, is continuously projected onto a region where trial writing for determining an optimum value of the third light intensity is performed.例文帳に追加
本発明のレーザ光源駆動電流値決定方法では、先ず第3の光量の最適値を決定するための試し書きを行う領域に対して第1の光量のパワーレベルよりは大きく、第3の光量のパワーレベルよりは小さい情報消去用の光量を連続的に照射する。 - 特許庁
This power unit is provided with a current detecting resistance R1 for converting output currents Io into a micro-voltage Vi, an arithmetic amplifier IC1 being a single power source for amplifying the micro-voltage Vi, and a display processing part for operating the digital display of output currents Io by using an output voltage Vo of the arithmetic amplifier IC1.例文帳に追加
電源装置は、出力電流Ioを微小電圧Viに変換する電流検出抵抗R1と、微小電圧Viを増幅する単電源の演算増幅器IC1と、演算増幅器IC1の出力電圧Voを用いて出力電流Ioのディジタル表示を行う表示処理部とを備えている。 - 特許庁
Meanwhile, when the low frequency driving current is supplied to the coil L, each group of the switching elements Q4, Q5 and the switching elements Q2, Q6 is alternately turned on/off, and since an impedance of the coil L is low and a voltage between both ends is low in this case, the power consumption is reduced by lowering the power source voltage.例文帳に追加
一方、低い周波数の駆動電流をコイルLに供給する場合には、スイッチング素子Q4、Q5およびスイッチング素子Q2、Q6の各組を交互にオン/オフさせ、そして、この場合、コイルLのインピーダンスが低く両端の電圧は低いので、電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁
Thus, the potential at the end in the moving direction of the printing plate is prevented from rising in the spike shape when exposure is performed by moving the plotting surface plane relatively to an electrifier while controlling the current of a high voltage power source for discharge, and all the surface of the printing plate is electrified so that its potential may be uniform.例文帳に追加
これにより、放電用高圧電源の電流を制御しながら描画定盤を帯電器に対して相対移動させて露光するときに、印刷版の移動方向に沿った端部の電位がスパイク状に上昇するのが防止でき、印刷版の全面を均一な電位となるように帯電することができる。 - 特許庁
In a bus bar wiring structure in box, bus bars 22 and 23, the circuits of which are constituted of conductive plates, are integrally insert- molded with the bottom wall 27 of a case 24 constituting a power source box 21, and at the same time, only the connections of the bus bars 22 and 23 with a mounted current limiting fuse 25 are exposed.例文帳に追加
箱体におけるバスバーの配索構造は、電源ボックス21を構成するケース24の底壁27内に、導電板で回路構成したバスバー22、23を、一体にインサート成形するとともに、搭載される限流ヒューズ25との接続部30のみを底壁27から露出させて配索したことを特徴とする。 - 特許庁
The display element included in the display device comprises a TFT circuit part 14, a pixel opening part 15 on which an organic EL element material is painted, emitting light in accordance with an amount of current from the TFT circuit part 14, a scanning signal line electrode 11, a data signal line 12, and a power source line electrode 13.例文帳に追加
本表示装置に含まれる表示素子は、TFT回路部14と、有機EL素子材料が塗布されてTFT回路部14からの電流量に応じて発光する画素開口部15とを備えており、走査信号線電極11とデータ信号線12と電源線電極13とが配置される。 - 特許庁
In addition, according to the light shielding films 174a and 174b, the coupling capacity generated between a source electrode 172a and a drain electrode 172 which may cause horizontal cross-talk can be reduced and a display error, such as the horizontal cross-talk, can be more reduced as compared to the case only the optical leak current is reduced.例文帳に追加
加えて、遮光膜174a及び174bによれば、横クロストークの一因と考えられるソース電極172s及びドレイン電極172d間に生じる結合容量を低減でき、光リーク電流のみを低減する場合に比べて、より一層横クロストーク等の表示不良の発生を低減できる。 - 特許庁
A control circuit CTL makes at least one of the plurality of switches turned on according to an input address in a test mode, in order to make a current flow across the 2nd and 3rd power source lines via a bit line, corresponding to the memory cell indicated by the input address, a latch circuit and the transfer transistors in the memory cell.例文帳に追加
制御回路CTLは、テストモード時に、入力アドレスが示すメモリセルに対応するビット線とそのメモリセル内のラッチ回路および転送トランジスタとを介して第2および第3電源線間に電流を流すために、入力アドレスに応じて複数のスイッチの少なくともいずれかをオンさせる。 - 特許庁
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