「source current」に関連した英語例文の一覧と使い方(138ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of an image sensor which is improved in fill-ratio and free of a charge sharing phenomenon, and the manufacturing method of the image sensor capable of minimizing a dark current source to prevent saturation and a decrease in sensitivity by providing a smooth movement path for photocharges between a photodiode and a readout circuitry.例文帳に追加

充てん比を高め、且つ電荷共有現象が発生しないイメージセンサーの製造方法と、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a case, VTP is threshold voltage of the P channel MOS transistor 1, αp is operating voltage of the P channel MOS transistor 1, and βp is drain voltage needed to saturate drain current Idp when bias voltage (VTP+αp) is applied between the gate Gp and the source Sp of the P channel MOS transistor 1.例文帳に追加

ここで、ＶＴＰは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧、αｐは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の動作電圧、βｐはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のゲートＧｐ・ソースＳｐ間にバイアス電圧（ＶＴＰ＋αｐ）が印加されているときにドレン電流Ｉｄｐが飽和するのに必要なドレン電圧である。 - 特許庁

The plate-like source electrode 50s and the plate-like gate electrode 50g are provided with a main-surface electrode connection 53 that is comprised of a first connection 54a and a second connection 54b with different thicknesses, thus processing large current for a short time as well as reducing the generation of chip cracks when mounting the semiconductor chip.例文帳に追加

かかる板状ソース電極５０ｓ、板状ゲート電極５０ｇは、その主面電極接続５３の構成を、厚さの異なる第１接続部５４ａ、第２接続部５４ｂから構成し、短時間での大電流の処理と、半導体チップの搭載に際してのチップクラックの発生の低減とを両立した構成とする。 - 特許庁

When the coaxial cable 5 of the antennas unit 2 is connected to a connector 12 with a power source supplied, the main body unit 3 detects an antenna connection on the basis of current detection by a CPU 14, reads antenna gain information from the memory 7 of the antenna unit 2, and sets an attenuation amount of the variable attenuator 16.例文帳に追加

本体部３は、電源が供給されている状態で、アンテナ部２の同軸ケーブル５がコネクタ１２に接続されると、ＣＰＵ１４により電流検知に基づいてアンテナ接続を検知し、アンテナ部２のメモリ７からアンテナ利得情報を読み出して可変アッテネータ１６の減衰量を設定する。 - 特許庁

This light source is characterized by comprising: a laser element 11 which has the plurality of light emitting parts 12 emitting light, and wherein cut parts 22 electrically cutting an electrode supplying current to at least the plurality of light emitting parts 12 are formed between at least partial light emitting parts 12; and a support board 20 with the laser element 11 mounted thereon.例文帳に追加

光を射出する複数の発光部１２を有し、少なくとも一部の発光部１２間に、少なくとも複数の発光部１２に電流を供給する電極を電気的に切断する切断部２２が形成されたレーザ素子１１と、該レーザ素子１１が実装された支持基板２０とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A serial circuit of a cutout 13 with a tripolar interlocking release function with an expulsion fuse 13a incorporated in free detachment, and a cylindrical cutout 14 with a current-limiting fuse 14a having an interruption function incorporated in free detachment is arranged the power source side of a reactor 12 branch connected to a distribution wire 11.例文帳に追加

配電線１１に分岐接続されたリアクトル１２の電源側に、放出形ヒューズ１３ａが着脱可能に内装された三極連動開放機能付カットアウト１３と、遮断機能を有する限流ヒューズ１４ａが着脱可能に内装された円筒形カットアウト１４との直列回路を配置するようにした。 - 特許庁

To obtain an electrostatic chuck that can increase the plasma- resistance property of an electrostatic chuck base, without damaging attraction force by the Johnson-Rahbek effect, can suppress generation of impurity elements that become the contamination source for a body to be attracted and generation leakage current accompanying reduction of resistivity, and can be used over a wide temperature range.例文帳に追加

ジョンソンラーベック力による吸着力を損なうことなく、静電チャック基材の耐プラズマ性を高め、被吸着体に対して汚染源となる不純物元素の発生、及び、抵抗率の低下に伴うリーク電流の発生を抑制でき、幅広い温度範囲で使用できる静電チャックを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron emitting element that is capable of stabilizing the electron emission characteristics of the electron emitting element by reducing the preparatory drive current If-pre flowing in the electron emitting element at the time of carrying out the preparatory drive process for stabilizing the electron emission characteristics, and a manufacturing method of an electron source.例文帳に追加

電子放出特性を安定させるための予備駆動工程を行う際の電子放出素子に流れる予備駆動電流Ｉｆ−ｐｒｅを低減して電子放出素子の電子放出特性を安定させることが可能な電子放出素子の製造方法及び電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, in the seam welding method, using this seam welding power source, a prescribed welding current is made to flow, from the welding condition setting section as the welding condition, in such a state that the movement of the roller electrode is stopped for a predetermined time during the starting and completing of the welding.例文帳に追加

また、本発明になるシーム溶接方法は、このシーム溶接電源を用いて、溶接条件設定部から溶接条件として溶接開始時と溶接終了時に予め決められた時間前記ローラ電極の移動を停止させた状態で所定の溶接電流を流すことを特徴とするものである。 - 特許庁

On the other hand, the control board 22a performing feed control of recording sheet or ink ribbon requiring a small current is disposed closely to the generating source, i.e., the actuator of feeding operation (including a recording sheet feed/ribbon feed mechanism 17, and the like), while mounting the components collectively on one control board 22a.例文帳に追加

一方、小電流しか要さない記録紙送り制御あるいはインクリボン送り制御を行う制御用基板２２ａを、その発生源、つまりその送り動作するためのアクチュエータ（記録紙送り／リボン送り機構１７等を含む）近くに配置し且つ１枚の制御用基板２２ａに集中実装させている。 - 特許庁

To disclose a technique of forming a domed gate oxide film to relieve stress, which results from different thermal expansive rates between an oxide film and silicon during a subsequent thermal process and preventing a leakage current between source/drain regions by controlling the thickness of the gate oxide film to improve the refresh characteristics.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、半球形のゲート酸化膜を形成して後続の熱工程時に酸化膜とシリコンの熱膨張率の差によるストレスを緩和させ、ゲート酸化膜の高さ調節を介しソース/ドレイン領域間の漏れ電流を防止し、リフレッシュ特性を向上させる技術を開示する。 - 特許庁

This constant-current generation circuit is provided with a transistor 12 for bias whose drain and gate are mutually connected and a transistor 13 for an output, which is given source potential and gate potential being the same as those of the transistor 12 for bias and has a threshold VT13 being smaller than the threshold VT12 of the transistor 12 for bias.例文帳に追加

ドレインとゲートとが互いに接続されたバイアス用トランジスタ１２と、バイアス用トランジスタ１２と同一のソース電位および同一のゲート電位が与えられ、バイアス用トランジスタ１２の閾値ＶＴ１２より小さい閾値ＶＴ１３を有する出力用トランジスタ１３とを備えて定電流発生回路を構成した。 - 特許庁

To provide a voltage detector capable of detecting trouble in a switch without increasing costs, without requiring an additional component or the like, and without impairing a measuring time in a usual time, in the voltage detector for executing detection by a capacitor having the switch for connecting a direct current power source in series.例文帳に追加

直流電源を直列に接続するためのスイッチを有したコンデンサで検出する電圧検出装置において、コストアップや部品の追加等が必要無く、さらに正常時の計測時間を損なうことがないようにスイッチの故障検出処理が可能となる電圧検出装置を提供する。 - 特許庁

A control circuit 4 has a series circuit consisting of resistance connected between the output of the analog regulator 3 and ground and a constant current source, compares a voltage lower than the output of the reference power VREF by the potential difference of resistance with the output of power VDD and controls a transistor T3 connected to the base of the transistor T2.例文帳に追加

制御回路４は、前記アナログレギュレータ３の出力と接地間に接続された抵抗と定電流源の直列回路を有し、前記基準電源Ｖ_REF 出力より前記抵抗の電位差だけ低い電圧と前記電源Ｖ_DD出力とを比較し、トランジスタＴ_2 のベースに接続されたトランジスタＴ_3 を制御する。 - 特許庁

During the control signal is outputted and a current from the battery power source 1 is fed to the back up capacitor 11 through the by-passing energization passage 12, the capacitor of the back up capacitor 11 is calculated based on the detection voltage of an input voltage detection means 17 and a capacitor voltage detection means 18.例文帳に追加

この制御信号が出力されてバッテリ電源１からの電流がバイパス電通路１２を介してバックアップコンデンサ１１に供給されている間に、入力電圧検出手段１７及びコンデンサ電圧検出手段１８の検出電圧に基づいてバックアップコンデンサ１１の容量を算出する。 - 特許庁

To provide a highly reliable and high-speed semiconductor device by preventing the reduction of the source/drain current of a p-channel type transistor even in the case of forming a silicon nitride film for self-aligned contact by using the single wafer type heat CVD system of a cold wall type so as to cope with the micronization of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱ＣＶＤ装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、ｐチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

In the chip region TAR, there are formed a trimmed circuit 11, a fuse element Fm(m=1 to 2M), and a constant current source IPm(m=1 to 2M) and an invertor INm(m=1 to 2M) which play a role of a detection circuit for detecting whether or not the fuse element Fm(m=1 to 2M) is disconnected.例文帳に追加

チップ領域ＴＡＲには、トリミング対象回路１１と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源ＩＰｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）及びインバータＩＮｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）とが形成されている。 - 特許庁

The electric device for treating the cooling water is provided with a copper electrode (7) and an electrode made of an electric conducting material (8) in the cooling water of a bottom part water storage tank (2) of a cooling tower (1) and connects the anode of the direct current power source (10) separately placed with a copper electrode and the cathode with the electrode made of the electric conducting material.例文帳に追加

本発明は、冷却塔（１）の底部貯水槽（２）の冷却水中に銅電極（７）および導電材製電極（８）を配置し、別に置いた直流電源（１０）のプラス極を銅電極に、マイナス極を導電材製電極に接続した冷却水処理用電気装置である。 - 特許庁

When an imaging system 6 performs photographing, a correcting part 38 acquires a correction amount for correcting an image acquired by photographing from the elapsed time since the power source of the digital camera 1 is turned on until photographing with reference to the relation between the elapsed time and the correction amount of dark current noise and corrects the image with the correction amount.例文帳に追加

撮像系６が撮影を行うと、補正部３８が、デジタルカメラ１の電源をオンとしてから撮影までの経過時間から、経過時間と暗電流ノイズの補正量との関係を参照して撮影により取得した画像を補正するための補正量を取得し、補正量により画像を補正する。 - 特許庁

The apparatus further includes a SD voltage detection circuit 18 which supplies a prescribed current between the source electrode and the drain electrode to detect an SD voltage V1 between them, a gate voltage applying circuit 19 which applies a variable gate electrode V2 to the gate electrode, and a magnetic field generating device 20 which applies a variable magnetic field B to the two-dimensional graphene.例文帳に追加

さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電流を流し、その間のＳＤ電圧Ｖ１を検出するＳＤ電圧検出回路１８と、ゲート電極に可変ゲート電圧Ｖ２を印加するゲート電圧印加回路１９と、２次元グラフェンに可変磁場Ｂを印加する磁場発生装置２０とを備える。 - 特許庁

This weak current is detected by a first control device 18 installed in the outside of a vapor-deposition chamber, electric power which is applied to the heater 13 of the evaporation source is controlled by a second control device 12 using signals from the first control device 18, and the thickness of a vapor deposited film is thereby controlled.例文帳に追加

この微弱電流を蒸着室の外部に設置された第１の制御装置１８によって検出し、第１の制御装置１８からの信号を用いる第２の制御装置１２によって蒸発源のヒーター１３に加える電力を制御することによって蒸着膜厚を制御する。 - 特許庁

It is canceled by controlling a source voltage in an MOS amplifying transistor 10 in a column amplifying circuit 9 that an elevation of a temperature, of a thermoelectric transducing picture element 1, caused by Joule heat generated by a bias current for reading out temperature information inside the picture element is contained in an output signal as a self-heating voltage component.例文帳に追加

画素内部の温度情報を読み出すためのバイアス電流により発生するジュール熱に起因する、熱電変換画素１の温度の上昇が自己加熱電圧成分として出力信号中に含まれるのを、カラム増幅回路９のＭＯＳ増幅トランジスタ１０におけるソース電圧を制御することで、キャンセルする。 - 特許庁

The apparatus has an A/D inverter, into which a voltage for the measurement of current or voltage is inputted to be converted to a digital data and a control part for stopping the switching power source, or keeping the switching frequency outside a measuring band pass in the conversion into the digital data with the A/D converter.例文帳に追加

本装置は、電流測定または電圧測定の電圧を入力し、デジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換器と、このＡ／Ｄ変換器で、デジタルデータに変換する時に、スイッチング電源の停止またはスイッチング周波数を測定帯域外にする制御部とを有することを特徴とする装置である。 - 特許庁

The difference voltage between the output voltage of a battery voltage memory circuit 41 for storing the voltage of a secondary battery 12 and the output voltage of a direct current voltage source 42 is added to the voltage between an anode input/output terminal 16 and a cathode input/output terminal 17, which is input to a control circuit 13 as a test voltage.例文帳に追加

二次電池１２の電圧を記憶する電池電圧記憶回路４１の出力電圧と直流電圧源４２の出力電圧との差電圧を正極入出力端子１６と負極入出力端子１７との間の電圧に加算して制御回路１３に検査電圧として入力する。 - 特許庁

To provide an electron source, wherein each electron emission element has a uniform electron emission characteristic by forming uniform electron emission parts throughout almost all the electron emission elements, when current-carrying forming is performed to a conductive film of each of the electron emission elements in forming the multiple electron emission elements on a substrate having a large area.例文帳に追加

大面積の基板上に多数の電子放出素子を形成するに際して、各電子放出素子の導電性膜に通電フォーミングを行なうときに、ほぼ全ての電子放出素子にわたって均一な電子放出部を形成し、各電子放出素子が均一な電子放出特性を有する電子源を実現する。 - 特許庁

The assembly comprises at least one electrically conductive slip ring 12; at least one electrically conductive brush 14 for supplying a current to the at least one slip ring; and an electric or pressure actuator 22, driven by a vibration source 13.例文帳に追加

組立体は、少なくとも１つのの導電性スリップリング（１２）、前記少なくとも１つののスリップリングに電流を供給するための少なくとも１つのの導電性ブラシ（１４）、および、前記スリップリングに対する前記ブラシ位置変更するための、振動源（１３）で駆動される電気式もしくは圧力式作動装置（２２）を有する。 - 特許庁

This temperature measuring instrument is equipped with a sequence controller 21 for controlling devices, the organic EL element 25 being a measuring object, a thermostat 24 for keeping the temperature of the element 25 at a prescribed value, a power source measuring instrument 22 for measuring a current flowing through the element 25, and a temperature controller 23 for controlling the temperature of the thermostat 24.例文帳に追加

本温度測定装置は、装置を制御するシーケンス制御器２１と、測定対象となる有機ＥＬ素子２５と、この素子２５の温度を所定値に保つ恒温器２４と、この素子２５に流れる電流を測定する電源測定器２２と、恒温器２４の温度を制御する温度制御器２３とを備える。 - 特許庁

For each of the case where an output of the semiconductor chip transits from "L" to "H" and the case where it transits from "H" to "L", a model showing the semiconductor chip by an internal impedance, a p/n MOS circuit, and a current source is generated, while analysis in a frequency area is carried out by using the model of the semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップの出力が“Ｌ”から“Ｈ”に遷移する場合と“Ｈ”から“Ｌ”に遷移する場合のそれぞれについて内部インピーダンスとｐ／ｎＭＯＳ回路と電流源とで半導体チップを示してなるモデルを作成すると共に、その半導体チップのモデルを用いて周波数領域における解析を行う。 - 特許庁

The laser light source device has: a semiconductor laser emitting laser beams; and a semiconductor laser drive circuit applying a pulsive drive voltage having a wave height value not less than a laser oscillation start voltage corresponding to a laser oscillation start current of the semiconductor laser to the semiconductor laser to drive the semiconductor laser.例文帳に追加

本発明のレーザ光源装置は、レーザ光を発する半導体レーザと、半導体レーザのレーザ発振開始電流に対応するレーザ発振開始電圧以上の波高値を有するパルス状の駆動電圧を、半導体レーザに印加することにより、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路と、を備える。 - 特許庁

To solve the problem that when a thin film transistor on the TFT substrate side of a liquid crystal display device is irradiated with back light, the light is repeatedly reflected between the source-drain electrode and gate electrode of a TFT while transmitted through an amorphous silicon semiconductor area to impinge on a front channel, thereby generating a light off-leak current in the TFT.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ基板側の薄膜トランジスタにバックライト光が照射されると、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極との間で、アモルファスシリコン半導体領域を透過しながら多重反射し、フロントチャネルに光が入射され、ＴＦＴに光オフリーク電流が発生する。 - 特許庁

For the period in which the nondisplay part of the image display part is driven at display mode switching in two screen display, the vertical stripe suppression circuit controls the image display signal control circuit and the timing signal generating circuit, suppresses the current output capacity of the source driver, and always suspends supply of the scanning selection voltage from the gate driver.例文帳に追加

二画面表示での表示モード切換時に非表示部分の画像表示部の期間を駆動するときに、縦スジ抑制回路により画像表示信号制御回路とタイミング信号発生回路を制御し、ソースドライバの出力電流能力を抑制し、ゲートドライバからの走査選択電圧の供給を常時停止する。 - 特許庁

Especially, this substrate 1 is more provided with a plurality of inspection electrode PT which are connected to the second power source terminal Vtest by being capacitively coupled respectively with the plurality of the electrodes PX of the organic EL elements on the substrate 1 so as to hold electric charges for inspection which are controlled by the thin film transistors for current drive 5.例文帳に追加

特に、この表示装置基板はこれら電流駆動用薄膜トランジスタ５により制御される検査用電荷を保持するように絶縁基板１上で複数の有機ＥＬ素子電極ＰＸにそれぞれ容量結合して第２電源端子Ｖtestに接続される複数の検査電極ＰＴをさらに備える。 - 特許庁

Furthermore, a high voltage power source 22 is controlled by the control device 20 so that current (this can also be applied voltage) fed to the photoreceptor 1 from a discharge electrode 11 is adjusted so that discharge electric field of the discharge electrode 11 is strengthened each time discharge time measured by a timer 23 reaches a value that is set before hand.例文帳に追加

また、制御装置２０は、タイマ２３が計測した放電時間が予め設定した値になる度に放電電極１１の放電電界を強めるように、その放電電極１１から感光体１に流す電流（印加電圧でもよい）を調整するように高圧電源２２を制御する。 - 特許庁

The work machine comprises a solar battery, a fan driven by the generated power of the solar battery for ventilating the operating room, and a battery for a power source for electrical components of a machine body, which is connected between the solar battery and the fan through a reverse current preventing diode, and in which generated power of the solar battery is stored.例文帳に追加

作業機械が、太陽電池と、この太陽電池の発電電力によって駆動され運転室を換気するファンと、この太陽電池とファンとの間に逆流防止ダイオードを介して接続され、太陽電池の発電電力が蓄電される、機体の電装品用電源のバッテリーを備えている。 - 特許庁

A signal processing part 104 generates the high-frequency signal, superposes the generated high-frequency signal on the driving current for a light source LD, detects the frequency for the generated high-frequency signal and controls the high-frequency signal generated as above so that it can be in a designated frequency based on the detected frequency.例文帳に追加

信号処理部１０４は、高周波信号を発生し、その発生した高周波信号を光源ＬＤの駆動電流に重畳し、上記発生した高周波信号の周波数を検出し、その検出した周波数に基づいて上記発生する高周波信号が所定の周波数となるように制御する。 - 特許庁

A controller is constituted so as to make the switch openable in the case that accumulated energy agrees with or exceeds I^2t rating set in advance, the accumulated energy is based on a current sensed from an electrical point between either one of (i) the load and the switch or (ii) a voltage source and the switch.例文帳に追加

コントローラが、累算されたエネルギが事前にセットされたI^2t定格と一致するかこれを超える場合にスイッチが開かれることを可能にするように構成され、累算されたエネルギは、(i)負荷とスイッチとまたは(ii)電圧源とスイッチとのうちの1つの間の電気的点から感知された電流に基づく。 - 特許庁

This image display device has electron sources ELS supplied with current from scanning signal wires (s) (s1, s2, S3,..., sm) through power feed electrodes ELC, and barrier ribs SPC arranged on the scanning signal wires and along the scanning signal wires; and each barrier rib SPC is arranged adjacently to the electron source ELS selected in the next scanning.例文帳に追加

走査信号配線ｓ（ｓ１，ｓ２，ｓ３，・・・ｓｍ）から給電電極ＥＬＣを介して電流が供給される電子源ＥＬＳを有するとともに、走査信号配線の上で且つこの走査信号配線に沿って設置した隔壁ＳＰＣを有し、この隔壁ＳＰＣを次の走査で選択される電子源ＥＬＳに近接して配置した。 - 特許庁

The electron beam generator has a light guide (41), a light source (42) connected to one end of the light guide, a film (43) connected to the other end of the light guide for generating electrons and a field generator for lowering the electron work function of the film to make the light discharge current generated.例文帳に追加

電子線発生装置は、光導波路(41)と、光導波路の一端に接続された光源(42)と、光導波路の他端に装着され電子を発生するための皮膜(43)と、光放出電流が発生することができるように皮膜の電子仕事関数を低下するための場発生装置と、を有する。 - 特許庁

In this arrangement, an energizing circuit also serving as an ignition checking circuit for a spark plug 3 is changed over from an igniter 5 into a flame ion current detecting means 7 after discharge for ignition, and accordingly, a relatively low voltage is applied to the spark plug 3 from a low voltage power source 8 so as to check whether pilot combustion occurs or not.例文帳に追加

図示例では、着火確認装置を兼ねる点火栓３の付勢回路を、点火のための放電に続いてイグナイタ５から火炎イオン電流検出手段７へ切り換えて、低圧電源８から比較的低い電圧を点火栓３に印加し、まず、パイロット燃焼の着火確認を行う。 - 特許庁

In an information processing apparatus 10 which handles power information, an effective voltage value applied from a system power source is measured and, by multiplying the effective current value and the power factor received from each of the home electric appliances 7, 8, 9 and the measured effective voltage value, power consumption of each of the home electric appliances 7, 8, 9 is calculated.例文帳に追加

電力情報を扱う情報処理装置１０では、系統電源から印加される実効電圧値を測定し、各家電機器７，８，９から受信した実効電流値と力率、および前記測定した実効電圧値を乗算することで、各家電機器７，８，９の消費電力を算出する。 - 特許庁

A device for iontophoresis is provide with a power source device 7 having a plurality of output terminals 5A, 5B respectively outputting currents adjusted to prescribed values by a plurality of current control circuits, and a plurality of connecting cords 9 one ends of which are connected to each terminals 5A and 5B and the other ends of which are connected to an electrode structure body.例文帳に追加

イオントフォレーシス用デバイスは、複数の電流制御回路により所定値に調整された電流をそれぞれ出力する複数の出力端子５Ａ、５Ｂを有する電源装置７と、各出力端子５Ａ、５Ｂに一端が接続され他端が電極構造体に接続される複数の接続コード９とを備える。 - 特許庁

To solve the problem that, in an inverter amplifier constituted of field effect transistors, since an amplification factor is made worse by gate voltage variation in a field effect transistor that is a constant current source and voltage variation is mixed via a DC bias electric wire in multi-stage connection, adverse influences are exerted each other and desired performance can not be obtained.例文帳に追加

電界効果型トランジスタで構成されるインバータアンプは、定電流源である電界効果型トランジスタのゲート電圧変動により増幅率が悪化し、多段接続時には直流バイアス電線を介して電圧変動が混合するため互いに悪影響を及ぼし合い、所定の性能が得られない。 - 特許庁

Moreover, an organic EL (electroluminescence) display device which is capable of performing more correct display and whose aperture ratio is large, is obtained by arranging the polarity relation of the source electrode and the drain electrode of the asymmetric structure thin film transistor driving directly a pixel in the circuit of a display panel so that the current of the transistor becomes larger, in an organic EL display device.例文帳に追加

また有機ＥＬ表示装置において、画素を直接駆動する非対称構造薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極の極性関係を、より電流が大きくなるように回路配置することによってより正確な表示ができて開口率が大きい有機ＥＬ表示装置が得られる。 - 特許庁

A light source control device controls a driving current for driving a white LED composed of a blue LED and a yellow phosphor such that a rise transition time and a fall transition time are nearly equal respectively to a response time when the yellow phosphor is in an on state and that when the yellow phosphor is in an off state.例文帳に追加

青色ＬＥＤと黄色蛍光体とから構成される白色ＬＥＤを駆動する駆動電流に対し、立ち上がり遷移時間および立ち下がり時の遷移時間が、それぞれ黄色蛍光体の点灯時の応答時間および消灯時の応答時間と略等しくなるように制御する。 - 特許庁

Since a pump-up switch use MOS transistor(TR) 4 is conductive for the scanning period Tt', a current flows through a path of a diode D3 connected between a source and a drain of a drive MOS TR 12, a pump-up capacitor C3, the TR 4, and a ground line to absorb the counter electromotive force Va at a power supply side.例文帳に追加

走査期間Ｔｔ’中、ポンプアップスイッチ用ＭＯＳトランジスタＴＲ４はオンしているために、駆動用ＭＯＳトランジスタＴＲ１のソースドレイン間に接続されたダイオードＤ３→ポンプアップ用コンデンサＣ３→ＴＲ４→接地線、という経路で電流が流れ、電源側の逆起電圧Ｖaが吸収される。 - 特許庁