「source current」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

A drum type ice making machine 10 supplies a required amount of ice making water to an ice making tank 14 from an external water source by opening a water supply valve KV interposed in a water supply pipe 20, and performs current control of a cutter heater and a case heater based on the temperature of ice making water indirectly detected by a temperature detecting means TH.例文帳に追加

ドラム式製氷機１０は、給水管２０に介挿した給水弁ＫＶを開放することで、外部水源から所要量の製氷水を製氷タンク１４に供給すると共に、温度検知手段ＴＨで間接的に検知した製氷水の温度に基づいてカッタヒータおよびケースヒータの通電制御を行なっている。 - 特許庁

While a pair of carbon electrodes 1, 1 are maintained at a prescribed distance with a pair of position control devices 11, 11 in a gas atmosphere of 5 to 50 Torr in a chamber 13, a direct electric current is supplied from an electric source device 4 for discharge to generate the arc discharge, thereby producing the nanografibers in the deposits on the cathode.例文帳に追加

チャンバ１３内を５〜５０Ｔｏｒｒのガス雰囲気にして、１対の位置制御装置１１、１１によって１対の炭素電極１、１を所定間隔に維持しながら、放電用電源装置４から直流電流を供給することによってアーク放電を発生させ、これにより、陰極堆積物中にナノグラファイバを生成させる。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit is provided with an electrically programmable fuse element 11 arranged between a voltage node for a program and a latch node, a latch circuit 15 for latching the voltage of the latch node and a current source 16 for controlling the scale of the operating currents of the latch circuit, and for deciding whether or not the fuse element has been already programmed.例文帳に追加

半導体集積回路は、プログラム用電圧ノードとラッチノードとの間に設けられた電気的にプログラム可能なヒューズ素子１１と、前記ラッチノードの電圧をラッチするラッチ回路１５と、前記ラッチ回路の動作電流の大きさを制御して、前記ヒューズ素子がプログラム済みか否かを判定する抵抗判別値を制御する電流源１６とを具備する。 - 特許庁

Also, when the screen ID is received from a terminal 30 reading the code symbol 73, data for terminals, which include screen data on the screen indicated by the screen ID and data of current values of the parameters for display on the screen, are transmitted to the terminal 30, namely a transmission source of the screen ID, and a screen based on the data for terminals is displayed.例文帳に追加

また、そのコード記号７３を読み取ったターミナル３０から画面ＩＤを受信した場合に、その画面ＩＤが示す画面の画面データと、その画面で表示を行うパラメータの現在値のデータとを含む端末用データを、画面ＩＤの送信元であるターミナル３０に送信し、その端末用データに基づく画面の表示を行わせるようにした。 - 特許庁

Also, when the screen ID is received from a terminal 30 reading the code symbol 70, data for terminals, which include the screen data of the screen indicated by the screen ID and data of current values of the parameters for display on the screen, are transmitted to the terminal 30, namely a transmission source of the screen ID, and the screen based on the data for terminals is displayed.例文帳に追加

また、そのコード記号７０を読み取ったターミナル３０から画面ＩＤを受信した場合に、その画面ＩＤが示す画面の画面データと、その画面で表示を行うパラメータの現在値のデータとを含む端末用データを、画面ＩＤの送信元であるターミナル３０に送信し、その端末用データに基づく画面の表示を行わせるようにした。 - 特許庁

In either one side of the source side or the drain side of the island-type semiconductor thin film SEMI-l; a branch closed circuit DET is provided by extending a gate electrode GT endlessly along the profile of the island-type semiconductor thin film SEMI-l, to eliminate the current component route at the end of the island-type semiconductor thin film SEMI-l which will become a sub channel.例文帳に追加

島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lのソース側かドレイン側のどちらか片側において、ゲート電極ＧＴを該島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの輪郭に沿って切れ目なく延長させて分岐閉路ＤＥＴを設け、サブチャネルとなる島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの端部の電流成分経路を無くす。 - 特許庁

Then, when the total of the supplied power to the specific load measured by a first DC current detection section 214 and the used power for other loads exceeds the maximum power which can be supplied by a commercial power source 201, the changeover switch 206 is controlled so that power supply to the specific load can be carried out from the capacitor module 203.例文帳に追加

そして、第１のＤＣ電流検知部２１４により測定された特定負荷への供給電力とその他の負荷の使用電力との合計が、商用電源２０１が供給可能な最大電力を越える場合、特定負荷への電力供給をキャパシタモジュール２０３から行うように切換スイッチ２０６を制御する。 - 特許庁

The operational amplifier includes an input connected to the output of the zero-order TIA, a first transistor driven by the input, a second transistor driven by a first bias voltage and connected to the first transistor, a first current source connected to the second transistor, and an output present at a node between the first transistor and the second transistor.例文帳に追加

オペアンプは、０次のＴＩＡの出力に接続する入力と、該入力によって駆動される第１のトランジスタと、第１のバイアス電圧によって駆動され且つ上記第１のトランジスタに接続する第２のトランジスタと、第２のトランジスタに接続する第１の電流源と、第１のトランジスタと第２のトランジスタの間のノードに存在する出力と、を備えている。 - 特許庁

The optical disk drive 1 has a laser diode(LD) 2 which emits laser light for recording data to an information medium or reproducing data already recorded on the information medium and a high-frequency oscillation source 4 and a high frequency amplifying circuit 5 which superpose a high-frequency signal on the driving current driving the LD 2 to reduce noise.例文帳に追加

光ディスク装置１は、情報媒体にデータを記録するか又は、この情報媒体で既に記録されたデータを再生するためのレーザを発するレーザダイオード（ＬＤ）２と、ノイズを低減するために、前記ＬＤ２を駆動する駆動電流に対して高周波信号を重畳する高周波発振源４及び高周波増幅回路５と、を有して構成される。 - 特許庁

The multiple memory elements are first memory elements, each of which stores information through charge injection into a predetermined area of the memory insulating film, and second memory elements, each of which stores information by preventing a current from flowing between a source and a drain.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、半導体基板上のチャネル領域に同一構造のメモリ絶縁膜を備える複数のメモリ素子を有し、メモリ絶縁膜の所定の領域に電荷を注入することで情報を記憶する第１のメモリ素子と、ソースとドレインとの間に電流を流さないことで情報を記憶する第２のメモリ素子とからなる。 - 特許庁

The atomic force microscope (AFM) 102 includes also an electric power source 130 for impressing a potential between the first tip 302 and the second tip 304, at least one mechanism 108 for generating relative motion between a probe and the surface 131, and at least one sensor 132 for detecting a current flowing between the first tip 302 and the second tip 304.例文帳に追加

該原子間力顕微鏡(102)は更に、第１の先端部(302)と第２の先端部(304)との間に電位を印加する電圧源(130)と、表面(131)とプローブ(106)との間の相対的な運動を生じさせる少なくとも１つの機構(108)と、第１の先端部(302)と前記第２の先端部(304)との間に流れる電流を検出する少なくとも１つのセンサ(132)とを含む。 - 特許庁

The grinding stone machining device has a preliminary electrode 24 opposed to a dummy grinding tool Sd, an ammeter 38 for detecting a value of current flowing in the main electrode 22, a switch 36 for switching a conducting state between the preliminary electrode 24 and the high frequency power source 30, and a control device 34 for switching and controlling the switch 36 based on a detection value of the ammeter 38.例文帳に追加

この装置は、ダミー砥石Ｓｄに対向する予備電極２４と、本電極２２に流れる電流の値を検出する電流計３８と、予備電極２４と高周波電源３０との導通状態を切替えるスイッチ３６と、電流計３８の検出値に基づきスイッチ３６を切替え制御する制御装置３４とを有する。 - 特許庁

Therefore, during the standby mode in which the regulator 1 is deactivated and a second power source voltage (VDD2) is shut down, it is enabled to prevent the state of a data output terminal 7 from becoming unstable, so that the malfunction of an external device connected to the data output terminal can be prevented, and a pass-through current in the data output terminal can be prevented.例文帳に追加

これにより、レギュレータ１が非活性化され第２の電源電圧（ＶＤＤ２）が遮断されるスタンバイモード時に、データ出力端子７の状態が不定になることを回避することが可能となり、データ出力端子に接続されている外部装置の誤動作を防ぐことができ、且つデータ出力端子における貫通電流も防ぐことが可能となる。 - 特許庁

A silicon meting device comprises a melting container 11 housing the silicon raw material 2, a cylindrical preliminary heating mechanism 14 surrounding the silicon raw material 2, an induction coil 12 wound around the preliminary heating mechanism 14, a power source circuit 13 supplying alternating current to the induction coil 12, and an attaching and detaching mechanism 15 attaching and detaching a preliminary heating mechanism.例文帳に追加

シリコン原料２を収容する溶解容器１１と、シリコン原料２を取り囲む筒状の予備加熱機構１４と、予備加熱機構１４の周囲に巻回された誘導コイル１２と、誘導コイル１２に交流電流を供給する電源回路１３と、予備加熱機構の着脱を行う着脱機構１５とを備えている。 - 特許庁

A method for reading out data stored in the memory cell includes applying boosted voltage to the node (A) electrically-communicating with the memory cell, this boosted voltage is higher than the power source voltage, further, this method includes detecting a current relating to the memory cell to indicate a binary value relating to data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加

メモリセルに記憶されたデータを読出すための方法は、メモリセルと電気通信するノード（Ａ）に昇圧された電圧を印加することを含み、この昇圧された電圧は電源電圧よりも高く、この方法はさらに、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した２進値を示すためにメモリセルと関連した電流を検知することを含む。 - 特許庁

The fixed electrode 211 is connected to an active layer 213 via a reverse conductivity-type impurity region 212, having a polarity opposite to that of an impurity region corresponding to source and drain, and removes electric charges which have accumulated in an active layer to cause saturation characteristics deterioration, when the TFT 210 for the current programming is in operation.例文帳に追加

固定電極２１１は、ソース及びドレインに相当する不純物領域とは逆の極性を有する逆導電型不純物領域２１２を介して活性層２１３と接続されており、電流プログラム用ＴＦＴ２１０の動作時には、活性層中に蓄積して飽和特性を劣化させる原因となる電荷を除去する。 - 特許庁

Here, a power supply device 60 comprises a single power supply unit, and the power supply unit receives an input of an alternating current AC from a power supply source via a single input path, and outputs direct currents DC0 and DC1 via a first output path to the control unit 70 and a second output path to the load, respectively.例文帳に追加

ここで、電源装置６０は、単一の電源ユニットで構成されており、この電源ユニットは、単一の入力経路を介して電力供給源からの交流電流ＡＣが入力され、制御部７０に至る第１の出力経路と、負荷に至る第２の出力経路とを介して直流電流ＤＣ０，ＤＣ１をそれぞれ出力する。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor resistor element and a semiconductor module with the semiconductor resistor element which can suppress a change in a resistance value of a resistor element layer due to a potential difference between a potential of the resistor element layer and a potential of a semiconductor substrate, power source line, signal line or the like which are disposed around the resistor element layer, without causing useless current and signal distortion or the like.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪み等を発生させることなく、抵抗素子層の電位と、その周辺の半導体基板や電源線、信号線等の電位との電位差によって抵抗素子層の抵抗値が変化してしまうことを抑えることのできる半導体抵抗素子及び半導体抵抗素子を有する半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加

ｐ型の不純物が導入される場合、このｐ＋不純物領域１３とｎ−不純物領域６とによってｐｎ接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極５に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのｐｎ接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れない。 - 特許庁

When he was young, he was a stubborn nationalist, but when the relationship between Japan and US deteriorated due to anti-immigrant movement seen in 'California Alien Land Law' (in 1912), he formed a plan of news service agencies to send Japanese news to the mass media in US, which was not successful, but this became the source of the current Jiji Press and Kyodo News. 例文帳に追加

若い頃は頑迷なナショナリストであったが、「外人土地所有禁止法」（1912年）に見られる日本移民排斥運動などで日米関係が悪化した際には、対日理解促進のためにアメリカの報道機関へ日本のニュースを送る通信社を立案、成功はしなかったが、これが現在の時事通信社と共同通信社の起源となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It has been pointed out that behind the rise is major companies’ shift to borrowing from banks as a fund source amid the deterioration of the environment for fund-raising through corporate bonds (commercial paper). The business condition for SMEs is severe in the current tough economic situation, with the balance of outstanding loans provided by Japanese banks to SMEs continuing to decline year-on-year. As a result, many SMEs are concerned about their fund-raising prospect and the economic condition, as I understand it. 例文帳に追加

国内銀行の中小企業向け貸出残高については、前年比マイナスで推移しているところでありまして、現下の厳しい経済情勢の下、中小企業の業況は厳しい状況にあり、多くの中小企業は資金繰りや景気の先行きに不安を感じていると認識をいたしております。 - 金融庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which is suitable for improvement in the information storing characteristic of a semiconductor device such as DRAM and SRAM or the like through reduction of a junction leak current resulting from a defect, by processing vacant hole defect remaining in the source-drain diffusing layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層に残留する空孔欠陥に対する処理を行うことにより、欠陥起因の接合リーク電流を低減する半導体装置の製造方法を提供し、これによってＤＲＡＭやＳＲＡＭ等の半導体記憶装置の情報保持特性を向上させるために好適な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The current detecting circuit is formed of a p-type output MOS transistor M1 as an element to be protected, a clamping circuit 1 for clamping a gate-source voltage of the output MOS transistor M1, a detecting circuit 2 for detecting operation of the clamping circuit 1, and a comparator circuit 3 for comparing the reference potential Vref and potential of output signal Out.例文帳に追加

本発明の電流検知回路は、被保護素子であるｐ型の出力ＭＯＳトランジスタＭ１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧をクランプするクランプ回路１と、クランプ回路１が動作したことを検出する検出回路２と、基準電位Ｖｒｅｆと出力信号Ｏｕｔの電位を比較するコンパレータ回路３で構成されている。 - 特許庁

The anti-microorganism agent dosing device using an ion phoresis is provided with a donor electrode 100 containing an anti-microorganism agent, a reference electrode 110 opposite the donor electrode and a power source unit 12 for feeding currents between the donor electrode and the reference electrode so as to bring the total amount of energizing current to 1 to 30 mA min/cm^2.例文帳に追加

本抗微生物剤投与装置はイオントフォレーシスを用いるものであり、抗微生物剤を含むドナー電極１００と、ドナー電極の対向電極として設けられるリファレンス電極１１０と、通電の総電流量が１〜３０ｍＡ・ｍｉｎ／ｃｍ^^２となるようにドナー電極とリファレンス電極間に電流を流す電源装置１２０とを備える。 - 特許庁

The device for confining plasma includes a chamber, a magnetic field generator 525 for applying a magnetic field into the chamber 310 substantially along the main axis of the chamber 310, a current coil 320 for inducing an azimuthal electric field into the chamber 310, and a plasma supply source 345 for injecting the plasma including electrons and ions into the chamber.例文帳に追加

プラズマ閉じ込めデバイスであって、以下：チャンバ、このチャンバ３１０の主軸に実質的に沿って、チャンバ３１０内に磁場を適用するための磁場発生器５２５、チャンバ３１０内に方位性電場を誘導するための電流コイル３２０、および電子およびイオンを含むプラズマをこのチャンバに注入するためのプラズマ供給源３４５を備える。 - 特許庁

As stated above, the surface of a part of the source region 12 and the drain region 13 is formed lower than the other regions, whereby a current flowing concentratedly on an upper face of the recess concerned of the gate electrode 10 flows uniformly in the entire trench 8, and an effective gate width of the recess formed so that its depth changes in the gate width direction is widened.例文帳に追加

このように、ソース領域１２とドレイン領域１３の一部の表面を他よりも低くすることにより、ゲート電極１０の当該凹部上面に集中して流れていた電流がトレンチ部８の全体に一様に流れるようになり、ゲート幅方向に深さが変化するように形成された凹部の実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁

Each electric floor heating panel 30 incorporates a temperature fuse 42 with a resistor where a fuse 42 is melted down by electric current flowing in the detection wire 24 when the meltdown layer 23 is melted by abnormal heating and the heater wire 22 and the detection wire 24 are shunted, in the neighborhood of both power source connection ends of the cord-like heater 20.例文帳に追加

各電気式床暖房パネル３０には異常加熱により溶断層２３が溶融してヒータ線２２と検知線２４とが短絡したときに検知線２４を流れる電流に起因してヒューズ４２が溶断するようになっている抵抗器付き温度ヒューズ４２を、コード状ヒータ２０の両電源接続端の近傍に組み込む。 - 特許庁

To solve the problems that relay wiring performed at every measurement requires much labor and sometimes a wattmeter is broken by a wrong operation, in the background that a voltage between both ends of a lamp and a current flowing in the lamp are inputted to the wattmeter through the relay so that a high voltage generated when a power source of an inverter is inputted is not applied to the wattmeter.例文帳に追加

インバータの電源を投入したときに発生する高圧が電力計に印加されないように、リレーを介してランプ両端の電圧およびランプに流れる電流を電力計に入力していたが、測定の度にリレーを配線するために手間がかかり、かつ誤操作して電力計を壊してしまうことがあるという課題を解決する。 - 特許庁

The plasma confinement device includes a chamber, a magnetic field generator for applying a magnetic field in the chamber substantially along the spindle of the chamber, and a current coil for inducing an azimuthal electric field in the chamber, and a plasma supply source for injecting plasma which has electrons and ions into the chamber.例文帳に追加

プラズマ閉じ込めデバイスであって、以下：チャンバ、このチャンバの主軸に実質的に沿って、このチャンバ内に磁場を適用するための磁場発生器、このチャンバ内に方位性電場を誘導するための電流コイル、および電子およびイオンを含むプラズマをこのチャンバに注入するためのプラズマ供給源、を備える、プラズマ閉じ込めデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a switching regulator which can prevent over-current from flowing into a switching element, even when the connection between a control circuit section controlling the switching element and a negative side power source voltage is interrupted, in the switching regulator controlling the switching of a switching element to convert input voltage to a prescribed voltage to output the same.例文帳に追加

スイッチング素子のスイッチングを制御することにより、入力電圧を所定の電圧に変換して出力するスイッチングレギュレータであって、スイッチング素子を制御する制御回路部と負側電源電圧との間の接続が遮断された場合でも、そのスイッチング素子に過電流が流れることを防止することができるスイッチングレギュレータを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first fin FET 100, a second fin FET 200 and a third fin FET 300 are increased in the number of fins according to the value of a drain current, but are equalized in the number of contacts to be connected to a pair of source/drain regions.例文帳に追加

第１のｆｉｎＦＥＴ１００と、第２のｆｉｎＦＥＴ２００と、第３のｆｉｎＦＥＴ３００とについて、ドレイン電流の値に応じてフィンの数を増加させるが、第１のｆｉｎＦＥＴ１００と、第２のｆｉｎＦＥＴ２００と、第３のｆｉｎＦＥＴ３００とのそれぞれにおいて、一対のソース・ドレイン領域に接続させるコンタクトを同一の数にする。 - 特許庁

A more uniform electromagnetic field space with coil surface flux density of 10-40 mTesla and flux density of about 0.5 mTesla at a position 20-40 cm away from the coil can be produced by applying a 50 or 60 Hz AD voltage from a plug 15 and a power source cord 16 to continuously pass 500-2,000 AT electric current through the coil.例文帳に追加

プラグ１５及び電源コード１６より６０Ｈｚ或いは５０Ｈｚの交流電圧を印加し、５００〜２０００ＡＴの電流を連続的にコイルに流すことにより、コイル表面での磁束密度が１０〜４０ミリテスラで、コイルから２０〜４０ｃｍ離れた位置の磁束密度が０.５ミリテスラ程度の、より均一な交番磁場空間をつくることができる。 - 特許庁

The fluid heater comprises a heating bent tube 10 formed in a tubular state of a conductive material and connected at both ends to communicate with piping in which the fluid to be heated flows, a coil 14 arranged at an outside of the bent tube and wound to surround the bent tube, and a power source 16 for supplying a high-frequency current to the coil.例文帳に追加

導電性材料によって管状に形成され、被加熱流体が流される配管に両端部が連通接続された発熱曲管１０と、発熱曲管の外側に配設され発熱曲管を取り囲むように巻装されたコイル１４と、コイルに高周波電流を流す電源装置部１６とを備えて、流体加熱装置を構成する。 - 特許庁

The deflection electromagnet control device comprises a pick-up coil 3 and an integrator 4 which measure the effective length integral value of the magnetic field generating deflection electromagnet, a computing element 5 which calculates the difference of the effective length integral value measured and an effective length integral value to be targeted, and a coil current value controlling power source 6 which controls the magnetic field generating deflection electromagnet according to the result of the difference.例文帳に追加

偏向電磁石が発生する磁場の有効長積分値を計測するピックアップコイル３及び積分器４と、計測した有効長積分値と目標とする有効長積分値との差を求める演算器５と、その差に応じて偏向電磁石が発生する磁場を制御するコイル電流値制御電源６とを備える。 - 特許庁

To measure the chip temperature of a semiconductor laser as a light source for an optical recorder in accordance with the detection of the output of semiconductor laser light, to control the correction of a droop and a thermal cross-talk and the correction of a change in photoreceptor-sensitivity caused by wavelength variation, and to always set a bias current value to be applied to the semiconductor laser to the optimum value.例文帳に追加

光記録装置の光源である半導体レーザのチップ温度の測定を半導体レーザ光出力の検出に従って実施し、ドループ、熱的クロストークの補正制御、波長変化に起因する感光体の感度変化の補正制御を行い、また半導体レーザに加えるバイアス電流値を常時最適値に設定する。 - 特許庁

Regarding the insider trading problem that was mentioned earlier, a sales official at Nomura Securities leaked information again, after a similar case in March. What do you think of the current situation in which the largest Japanese securities company is repeatedly leaking insider information? Also, don't you think that there is a problem with internal control systems? Currently, the source of an information leak is not subject to punishment. Won't you consider an institutional revision so that the source can be punished? 例文帳に追加

先ほどのインサイダーの件なのですけれども、3月に続いて今回も野村証券の営業社員が情報を流したということなのですけれども、最大手の証券会社が、たび重ねてインサイダー情報を流している現状についてどのようにお考えかと、この内部管理体制について問題があるというふうには思われないか。現在、その情報元というのは処分の対象ではないと思うのですが、これを処分が出せるように制度の変更等することは検討しないのかというのを教えてください。 - 金融庁

To provide a pump flow rate estimating system and a pump flow rate estimating method, for estimating a flow rate of a variable speed pump driven by variable voltage and a variable frequency power source controlled by delivery pressure constant control or estimated end pressure constant control, by an electric current and a speed of a driving electric motor and net generation pressure of the pump.例文帳に追加

本発明は、吐出圧力一定制御、あるいは、推定末端圧力一定制御によって制御されている可変電圧、可変周波数電源で駆動される可変速ポンプの流量を、駆動電動機の電流と速度、並びに、ポンプの正味発生圧力によって推定するポンプ流量推定システムおよびポンプ流量推定方法に関するものである。 - 特許庁

By forming the first ohmic contact layers 116 and 117 lower in an impurity concentration than the second ohmic contact layers 118 and 119 between the semiconductor layer 114 and the drain electrode 120 and the source electrode 121, a depletion layer is favorably spread into the first ohmic contact layers 116 and 117, and the leakage current of the thin film transistor 100 is favorably suppressed.例文帳に追加

半導体層１１４と、ドレイン電極１２０及びソース電極１２１との間に、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９の不純物濃度より低い第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７を形成することにより、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７内に空乏層が良好に広がり、薄膜トランジスタ１００のリーク電流を良好に抑制することができる。 - 特許庁

To prevent a conductive member from peeling off from a semiconductor device when using a conductive adhesive for connecting the conductive member to a metal region in the semiconductor device, where metal and non-metal regions are formed on the surface of the semiconductor device; and to maintain large power and large current in a source electrode.例文帳に追加

半導体装置の表面にメタル領域と非メタル領域とが形成されている半導体装置において、導電性接着剤を使用して、導電部材とメタル領域とを接続する場合に、半導体装置から導電部材が剥離することを防止し、ソース電極における大電力、大電流を維持することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A high frequency amplification device comprises a high frequency power amplification transistor 2, a bias supply circuit 51 for supplying a bias current to a base of the high frequency power amplification transistor, and a bias control circuit 52 connected between the base of the high frequency power amplification transistor and the bias supply circuit, wherein the bias control circuit is connected to a power source 32 of the high frequency power amplification transistor.例文帳に追加

高周波電力増幅用トランジスタ２と、高周波電力増幅用トランジスタのベースにバイアス電流を供給するバイアス供給回路５１と、前記高周波電力増幅用トランジスタのベースとバイアス供給回路の間に接続されたバイアス制御回路５２を備えており、前記バイアス制御回路は高周波電力増幅用トランジスタの電源３２に接続されている。 - 特許庁

To provide a directly embedded LED luminaire with a separate power supply device, and a directly embedded thin LED luminaire with a separate power supply device, enabling miniaturization of a lamp heat sink, reduction of thermal influence on a semiconductor, and replacement of a lamp only at the end of the lifetime of an LED by separately placing a LED light source and a power supply device while maintaining compatibility with a current lighting fixture.例文帳に追加

この発明は現行の灯具との互換性を保ちながら、ＬＥＤ光源と電源装置を別置にして、ランプ・ヒートシンクの小型化と半導体への熱影響の低減及びＬＥＤ寿命時期にランプのみの交換を可能にする電源装置別置式ＬＥＤ直下埋め込み型及びＬＥＤ直下埋め込み薄型照明器具を開発・提供する事にある。 - 特許庁

When a timing generator 44 applies driving signals in turn to the driver 31 to turn on one by one, a current is passed between the power source V1 and commonly grounded wiring 45 through the resistance Rx and the resistors 38, and potential vs of the resistance Rx and the resistance value r38 of the resistors 38 to be the potential of the common electrode 39 is input into the detector 43.例文帳に追加

タイミング発生装置４４が順次ドライバ３１に駆動信号を印加して１個毎にオンにすると、電源Ｖ1 と接地共通配線４５との間に抵抗Ｒx とテスト用抵抗体３８を介して電流が流れ、検知器４３にはテスト用共通電極３９の電位となる抵抗Ｒx とテスト用抵抗体３８の抵抗値ｒ38との電位ｖs が入力される。 - 特許庁

For instance, when an electric power station stops power supply for a lightning protection, a calm state and a dark state are made and direct current is not supplied from all the wind power generation part 2, the solar battery part 3 and the ordinary power source part 4 to the elevator box driving part 1, the motor control circuit 12 is operated by power stored in the electric double layer condenser 13.例文帳に追加

そして、例えば、落雷防止のために発電所が電力供給を停止し、更に、凪状態かつ暗闇状態になり、風力発電部２，太陽電池部３，普通電源部４の何れからもエレベータボックス駆動部１に対して直流電流が供給されなくなると、モータ制御回路１２は、電気二重層コンデンサ１３に蓄えられている電力によって動作する。 - 特許庁