「source current」に関連した英語例文の一覧と使い方(140ページ目) - Weblio英語例文検索

Multiple unit display devices 101 constituting the multiple screen display device 100 include: temperature sensors 13 for measuring temperatures of respective LEDs 12 in light source parts 1R, 1G, 1B; and current control circuits 11 for controlling electric currents to flow in the respective LEDs 12, based on a common setting value shared by the multiple unit display devices 101.例文帳に追加

マルチ画面表示装置１００を構成する複数の単位表示装置１０１は、光源部１Ｒ，１Ｇ，１Ｂの各ＬＥＤ１２の温度を測定する温度センサ１３、及び、複数の単位表示装置１０１で共有される共通設定値に基づき各ＬＥＤ１２に流す電流を制御する電流制御回路１１を備える。 - 特許庁

The LED flash device includes: an LED as a light source; the lithium ion capacitor for driving the LED; a nonaqueous-system secondary battery for charging the lithium ion capacitor; a controller that controls the light emitting state of the LED including flash pulse width; and a first switching element that turns on/off current flowing in the LED according to control by the controller.例文帳に追加

このＬＥＤフラッシュ装置は、光源としてのＬＥＤと、そのＬＥＤ駆動用のリチウムイオンキャパシタと、そのリチウムイオンキャパシタ充電用の非水系二次電池と、フラッシュパルス幅を含む前記ＬＥＤの発光状態を制御するコントローラと、前記コントローラの制御に応じて前記ＬＥＤに流れる電流をオン／オフする第一のスイッチング素子を有している。 - 特許庁

A light intensity control part 109 controls the light intensity of the optical beam outputted by the light source 108 by adjusting the superimposed amount of the high frequency signal onto the driving current according to a specific recording layer wherein a yield strength against reproduction is the lowest in the optical disc 101, taking the opportunity of the detection of servo deviation while the data is reproduced.例文帳に追加

光強度制御部１０９は、データが再生されている間にサーボ外れが検出されたことを契機に、光ディスク１０１における再生耐力が最も低い特定の記録層に応じて、駆動電流における高周波信号の重畳量を調整し、光源１０８が出力する光ビームの光強度を制御する。 - 特許庁

Each of a third metal oxide semiconductor (MOS) transistor and a forth MOS transistor is connected, in series, to each source of a first MOS transistor and a second MOS transistor which are cross-coupled for an amplification effect, and current supply capability of the third and fourth MOS transistors are controlled by a control voltage provided to a control electrode of the third and fourth MOS transistors.例文帳に追加

増幅作用をする交差結合された第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのソースに直列に第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタを接続し、第３及び第４のＭＯＳトランジスタの電流供給能力を第３及び第４のＭＯＳトランジスタの制御電極に与える制御電圧で制御する。 - 特許庁

In the electronic control device, when supplying a driving voltage with an actuator driving circuit 15 in a state that the voltage applied to both the ends of a coil of alternating current relay is equal to or higher than the open-circuit voltage and lower than the operation voltage, a control device 3 outputs a relay driving signal 5 the prescribed time period before the control device 3 outputs an actuator driving circuit power source energizing signal 11.例文帳に追加

交流リレーのコイル両端に印加されている電圧が開放電圧以上感動電圧未満の状態でアクチュエータ駆動回路１５に駆動電圧を供給する時には、制御器３からアクチュエータ駆動回路電源通電信号１１が出力する所定時間前に制御器３からリレー駆動信号５を出力させる。 - 特許庁

The beacon light includes a heater 108 which is electrically connected to a light emitting diode 107 in a serial relation, receives power from a constant current power source device 9 to melt the snow obstructing the illuminating light through the projection window 52; and a temperature detecting means 109 which detects temperature of the heater 108 and forms, when the detected temperature is a predetermined value or higher, an electric circuit bypassing the heater.例文帳に追加

発光ダイオード１０７と電気的に直列関係に接続されて定電流電源装置９から給電され、投光窓５２からの照射光を阻害する雪を溶かすヒータ１０８と、ヒータ１０８の温度を検知し、検知温度が所定値以上の場合にはヒータをバイパスする電気回路を形成する温度検知手段１０９とを有する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.例文帳に追加

被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁

Power is supplied from a power source 700 on the side of the Pachinko game machine to the side of the card treatment machine to input a direct current rectified by a rectifier on the side of the card treatment machine to the side of the Pachinko game machine, whereby a card balance display 50. a ball lending acceptance display 48d, and switching circuits 710, 712 are operated.例文帳に追加

パチンコ遊技機側の電源７００からカード処理機側へ電力を供給し、カード処理機側の整流器によって整流された直流電流がパチンコ遊技機側に入力され、その入力された直流電流によって、カード残高表示器５０、玉貸可表示器４８ｄ、スイッチ回路７１０，７１２が動作する。 - 特許庁

The pulse width control circuit 13 feed-back-controls DC power while controlling pulse width modulation, based on a function table in variable value control which lets a current flow gradually according to a specified envelop pattern and a function table in fixed value control after variable value control, based on the conduction pattern corresponding to the AC power voltage from a three-phase commercial AC power source 5.例文帳に追加

パルス幅制御回路１３は、三相商用交流電源５からの交流電源電圧に対応した導通パターンに基づいて、所定の包絡線パターンに従って徐々に電流を流す追値制御の関数テーブルと追値制御後の定値制御の関数テーブルとに基づいてパルス幅変調制御しつつ、直流電力をフィードバック制御する。 - 特許庁

After separating into respective sensor chips 1 through dicing, a terminal connected with a power source such as a probe or the like abuts against a pad for applying voltage 16 of the sensor chip, then the current is passed through the bridge 28 so as to fuse the bridge 28 by applying the voltage between the both pads 16 for applying voltage, and the cantilever 4 is made operatable.例文帳に追加

ダイシングを行って、個々のセンサチップ１に分割した後に、センサチップ１の電圧印加用パッド１６、１６に、電源と接続されたプローブ等の端子を当接して両電圧印加用パッド１６，１６間に電圧を印加することによりアルミワイヤのブリッジ２８に電流を流して該ブリッジ２８を溶断し、カンチレバー４を可動とする。 - 特許庁

The opamp includes an input that communicates with the output of the zero-order TIA, a first transistor driven by the input, a second transistor that is driven by a first bias voltage and communicates with the first transistor, a first current source that communicates with the second transistor, and an output at a node between the first transistor and the second transistor.例文帳に追加

オペアンプは、０次のＴＩＡの出力に接続する入力と、該入力によって駆動される第１のトランジスタと、第１のバイアス電圧によって駆動され且つ上記第１のトランジスタに接続する第２のトランジスタと、第２のトランジスタに接続する第１の電流源と、第１のトランジスタと第２のトランジスタの間のノードに存在する出力と、を備える。 - 特許庁

To provide a switching power source apparatus in which a plurality of switching power supply units for supplying power of different voltages are included and all of them stop power supply at the same time when at least one of the switching power supply units supplies a voltage and/or a current beyond a predetermined range.例文帳に追加

相異なる電圧の電気を供給する複数のスイッチング電源部が備えてなるスイッチング電源装置において、前記複数のスイッチング電源部の少なくとも一つが予め設定した範囲を超えた電圧又は／及び電流の電気を供給すると、前記複数のスイッチング電源部の全てが電気の供給を同時に停止することを目的とする。 - 特許庁

When a second output transistor 12 is turned on after turning a first output transistor 11 from ON to OFF, first, a current flows from the source terminal of a second output transistor 12 to the drain terminal by the energy accumulated in an inductance element 13.例文帳に追加

第１の出力トランジスタ１１が導通から遮断に転じた後、第２の出力トランジスタ１２が導通すると、先ず、インダクタンス素子１３に蓄積されたエネルギーにより、第２の出力トランジスタ１２のソース端子からドレイン端子に向けて電流が流れ、次いで、出力コンデンサ１４の放電により、ドレイン端子からソース端子に向けて電流が流れる。 - 特許庁

When he was young, he was a stubborn nationalist, but when the relationship between Japan and US deteriorated due to anti-immigrant movement seen in 'California Alien Land Law' (in 1912), he formed a plan of news service agencies to send Japanese news to the mass media in US, which was not successful, but this became the source of the current Jiji Press and Kyodo News. 例文帳に追加

若い頃は頑迷なナショナリストであったが、「外人土地所有禁止法」（1912年）に見られる日本移民排斥運動などで日米関係が悪化した際には、対日理解促進のためにアメリカの報道機関へ日本のニュースを送る通信社を立案、成功はしなかったが、これが現在の時事通信社と共同通信社の起源となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It has been pointed out that behind the rise is major companies’ shift to borrowing from banks as a fund source amid the deterioration of the environment for fund-raising through corporate bonds (commercial paper). The business condition for SMEs is severe in the current tough economic situation, with the balance of outstanding loans provided by Japanese banks to SMEs continuing to decline year-on-year. As a result, many SMEs are concerned about their fund-raising prospect and the economic condition, as I understand it. 例文帳に追加

国内銀行の中小企業向け貸出残高については、前年比マイナスで推移しているところでありまして、現下の厳しい経済情勢の下、中小企業の業況は厳しい状況にあり、多くの中小企業は資金繰りや景気の先行きに不安を感じていると認識をいたしております。 - 金融庁

A silicon meting device comprises a melting container 11 housing the silicon raw material 2, a cylindrical preliminary heating mechanism 14 surrounding the silicon raw material 2, an induction coil 12 wound around the preliminary heating mechanism 14, a power source circuit 13 supplying alternating current to the induction coil 12, and an attaching and detaching mechanism 15 attaching and detaching a preliminary heating mechanism.例文帳に追加

シリコン原料２を収容する溶解容器１１と、シリコン原料２を取り囲む筒状の予備加熱機構１４と、予備加熱機構１４の周囲に巻回された誘導コイル１２と、誘導コイル１２に交流電流を供給する電源回路１３と、予備加熱機構の着脱を行う着脱機構１５とを備えている。 - 特許庁

A method for reading out data stored in the memory cell includes applying boosted voltage to the node (A) electrically-communicating with the memory cell, this boosted voltage is higher than the power source voltage, further, this method includes detecting a current relating to the memory cell to indicate a binary value relating to data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加

メモリセルに記憶されたデータを読出すための方法は、メモリセルと電気通信するノード（Ａ）に昇圧された電圧を印加することを含み、この昇圧された電圧は電源電圧よりも高く、この方法はさらに、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した２進値を示すためにメモリセルと関連した電流を検知することを含む。 - 特許庁

The fixed electrode 211 is connected to an active layer 213 via a reverse conductivity-type impurity region 212, having a polarity opposite to that of an impurity region corresponding to source and drain, and removes electric charges which have accumulated in an active layer to cause saturation characteristics deterioration, when the TFT 210 for the current programming is in operation.例文帳に追加

固定電極２１１は、ソース及びドレインに相当する不純物領域とは逆の極性を有する逆導電型不純物領域２１２を介して活性層２１３と接続されており、電流プログラム用ＴＦＴ２１０の動作時には、活性層中に蓄積して飽和特性を劣化させる原因となる電荷を除去する。 - 特許庁

Here, a power supply device 60 comprises a single power supply unit, and the power supply unit receives an input of an alternating current AC from a power supply source via a single input path, and outputs direct currents DC0 and DC1 via a first output path to the control unit 70 and a second output path to the load, respectively.例文帳に追加

ここで、電源装置６０は、単一の電源ユニットで構成されており、この電源ユニットは、単一の入力経路を介して電力供給源からの交流電流ＡＣが入力され、制御部７０に至る第１の出力経路と、負荷に至る第２の出力経路とを介して直流電流ＤＣ０，ＤＣ１をそれぞれ出力する。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor resistor element and a semiconductor module with the semiconductor resistor element which can suppress a change in a resistance value of a resistor element layer due to a potential difference between a potential of the resistor element layer and a potential of a semiconductor substrate, power source line, signal line or the like which are disposed around the resistor element layer, without causing useless current and signal distortion or the like.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪み等を発生させることなく、抵抗素子層の電位と、その周辺の半導体基板や電源線、信号線等の電位との電位差によって抵抗素子層の抵抗値が変化してしまうことを抑えることのできる半導体抵抗素子及び半導体抵抗素子を有する半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加

ｐ型の不純物が導入される場合、このｐ＋不純物領域１３とｎ−不純物領域６とによってｐｎ接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極５に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのｐｎ接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れない。 - 特許庁

The device 1 comprises a reference voltage source, a constant current circuit, a low-voltage detector for detecting a low voltage of the cell, an overvoltage detector for detecting overvoltage of the cell, a delay circuit for setting a delay time when overvoltaging is detected and when reset, and an oscillator for pulse charging up to a low-voltage recovery.例文帳に追加

二次電池充電器制御用半導体装置１は、基準電圧源、定電流回路、セルの低電圧を検出する低電圧検出回路、セルの過電圧を検出する過電圧検出回路、過電圧検出時および復帰時のディレイ時間を設定するディレイ回路、低電圧復帰電圧までパルス充電するための発振器から構成されている。 - 特許庁

A CMOS image sensor includes a photodiode, and a plurality of transistors for transferring charges accumulated at the photodiode to one column line, wherein at least one transistor among the plurality of transistors has a source region wider than a drain region, for increasing a driving current.例文帳に追加

本発明は、フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、駆動電流を増大させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのソース領域がドレイン領域よりも大きい幅を有するように形成されたＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit brings an operation for the CMOS transistor of a NAND circuit 4 into an off-state by changing a logic of a node A using a state setting signal inputted into a state setting terminal ST and a NAND circuit 3a, and makes an electric power source current flow in the CMOS transistor.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路は、状態設定端子ＳＴに入力される状態設定信号とＮＡＮＤ回路３ａとを用いて、ノードＡの論理を変化させてＮＡＮＤ回路４のＣＭＯＳトランジスタの動作をオフ状態とするとともに、上記ＣＭＯＳトランジスタに電源電流が流れるように設定する。 - 特許庁

The charge/discharge means successively selects a plurality of capacitors every time a rising edge occurs to a PMW signal to be inputted, stores charges corresponding to the pulse width of the PMW signal for one cycle to a selected capacitor, and when a rising edge occurs next, connects a constant current source to the capacitor which stores charges corresponding to the pulse width.例文帳に追加

充放電手段は、入力されるパルス幅変調信号に立ち上がりエッジが生じる毎に、複数のキャパシタを順次選択し、１周期分のパルス幅変調信号のパルス幅に応じた電荷を選択したキャパシタに蓄積させ、その次に立ち上がりエッジが生じたときに、パルス幅に応じた電荷が蓄積されたキャパシタに定電流源を接続する。 - 特許庁

Since the semiconductor device 10 is provided with the protection film 15 formed so as to cover at least the upper surface of the insulating film 13, the semiconductor device 10 suppresses the reaction of aluminium contained in the source electrode 21 and the drain electrode 22 to the insulating film 13, also suppresses increase in the resistance of the electrodes and increase in current collapse, and thereby provides the fine electric characteristics.例文帳に追加

半導体装置１０は絶縁膜１３の少なくとも上面を覆うように形成された保護膜１５を備えることによって、ソース電極２１とドレイン電極２２とに含まれるアルミニウムと絶縁膜１３とが反応することを抑制することができ、電極の抵抗増加、電流コラプスの増加を抑え、良好な電気的特性を備える。 - 特許庁

An operational amplifier circuit 31 calculates a difference between output voltages of 1st and 2nd constant voltage circuits 12, 40, provides an output of a voltage Vref2 corresponding to the difference, and a comparator circuit 34 compares the output voltage Vref2 from the operational amplifier circuit 31 with a terminal voltage Vs of a sensing resistor Rs connected to a source of a current mirror MOS TR 13.例文帳に追加

演算増幅回路３１において、第１及び第２の定電圧回路１２，４０の出力電圧の差を演算し、その差に応じた電圧Vref2を出力し、比較回路３４でこの演算増幅回路の出力電圧Vref2とカレントミラーＭＯＳトランジスタ１３のソースに接続されたセンス抵抗Rsの端子電圧Vsとを比較する。 - 特許庁

A path for controlling the gate voltage of an FET is composed of one system by adopting negative feedback circuit configuration where the output of a buzzer 11 is controlled by controlling a drain current of an FET4 whose gate voltage is controlled by an operational amplifier 3 receiving the source output of the FET 4 as an inverted input, and the stability of the buzzer output is improved.例文帳に追加

ＦＥＴ４のドレイン電流を制御することでブザー11の出力を制御し、そのＦＥＴ４のソース出力を反転入力とするオペアンプ３でそのＦＥＴのゲート電圧を制御する負帰還回路構成とすることで、ブザー出力を制御するパスを１系統とし、かつブザー出力の安定性を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a field effect transistor using the interface of a ferroelectric film 3 and a semiconductor film 4 as a channel and having a gate electrode 2 to which a voltage for controlling the polarization state of the ferroelectric film 3 is applied, and source and drain electrodes 5 and 6 provided at both ends of the channel and detecting a current flowing on the channel depending on the polarization state.例文帳に追加

強誘電体膜３と半導体膜４との界面をチャネルとする電界効果トランジスタで構成され、強誘電体膜３の分極状態を制御する電圧が印加されるゲート電極２と、チャネルの両端に設けられ、分極状態に応じてチャネルを流れる電流を検出するソース、ドレイン電極５、６とを備えている。 - 特許庁

A method and a circuit for normalizing a noise source providing an initial bit flow conditions the state of an output bit to the respective states of the bits of the initial flow examined by words of identical lengths and further conditions the state of a current output bit to the state of at least one previous output bit upon occurrence of a word of bits of identical states.例文帳に追加

初期ビットフローを提供するノイズ源を正規化する方法及び回路は、出力ビットの状態を、同じ長さのワードにより検査される初期フローのビットの対応する状態に条件づけ、同じ状態のビットのワードが発生すると、現在の出力ビットの状態を少なくとも１先行出力ビットの状態に条件づける。 - 特許庁

A current cut-off device 7 is provided between the power conversion device 4 in which the DC power is supplied from a main power source 1 to control a traveling motor 5 (a motor for driving a vehicle), and an electric double layer capacitor 8 for temporarily storing the generative power generated by the power conversion device 4 when a vehicle affects a regenerative brake.例文帳に追加

主たる電源１から直流電力が供給されて走行用電動機（車両駆動用電動機）５を制御する電力変換装置４と、車両が回生ブレーキを作用させたときに、電力変換装置４が発生する回生電力を一時的に貯蔵する電気二重層キャパシタ８と間に電流遮断装置７を設置する。 - 特許庁

The X-ray thickness measuring instrument, which has the first grid and a second grid and irradiates a sheet member with X-rays emitted from the X-ray tubes in which a tube current is controlled by the first grid voltage to measure a thickness of the sheet member based on the volume of transmission attenuation thereof, includes a variable voltage source connected to the second grid.例文帳に追加

第１グリッド及び第２グリッドを有し、前記第１グリッド電圧により管電流が制御されるＸ線管から放出されるＸ線をシート部材に照射し、その透過減衰量に基づき前記シート部材の厚さを測定するＸ線式厚さ測定装置において、 前記第２グリッドに接続される可変電圧源を備える。 - 特許庁

On the other hand, in an erasing operation, holes induced by a tunnel current between band-band are generated in a source/drain region 22 which functions as a drain when electrons are injected into the first part (A part), and injected into the A part to electrically compensate a part of electrons injected into the A part (third charge injection step).例文帳に追加

一方、消去においては、第１局部（Ａ部）に対する電子の注入時にドレインとして機能するソース・ドレイン領域２２側で、バンド−バンド間トンネル電流に起因したホールを発生させ、これをＡ部に注入し、注入したホールによって、Ａ部に注入されている電子の少なくとも一部を電気的に相殺する（第３の電荷注入ステップ）。 - 特許庁

The start of the drive transistor threshold detection operation for boostrap is determined by off of the first detecting transistor T1 and the end of the threshold detection operation is determined by off of the switching transistor T3 connecting the drain of the drive transistor and a power source potential, thereby averting the sharpness defect caused by the current that the drive transistor flows after the threshold detection operation.例文帳に追加

そしてブートストラップ用ドライブトランジスタ閾値検出動作の開始を、第１の検知トランジスタＴ１のオフで決定し、また閾値検出動作の終了をドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチトランジスタＴ３のオフで決定することにより、閾値検出動作後にドライブトランジスタが流す電流によって生じる画質不良を回避する。 - 特許庁

To realize high image quality display by arranging a liquid crystal driver on one side of a liquid crystal panel, reducing a mounting area and inverting at a row and to contract circuit scale of a power source circuit by incorporating an alternating current circuit of a reference voltage of liquid crystal drive to the liquid crystal driver in a liquid crystal display apparatus.例文帳に追加

液晶表示装置において、液晶ドライバを液晶パネルの片側に配置し実装面積を縮小しかつ列毎反転駆動を行うことにより高画質表示を可能とすることを目的とし、また、液晶駆動の基準電圧の交流化回路を液晶ドライバに内蔵することで電源回路の回路規模を縮小するを目的とする。 - 特許庁

The crushing device electrode 1 containing a conductive body acting as an electrode includes the electrode section 2 generating discharge, a flexible joint section 5 connected to the electrode section 2 and a connector section 6 connecting a power source cable 7 for supplying an electric current to the electrode section 2 through the flexible joint section 5 and the flexible joint section 5 in a detachable manner.例文帳に追加

破砕装置用電極１は、電極として作用する導電体を含み、放電を発生させる電極部２と、電極部２に接続された可撓性ジョイント部５と、電極部２に可撓性ジョイント部５を介して電流を供給するための電源ケーブル７と可撓性ジョイント部５とを着脱可能に接続するコネクタ部６とを備える。 - 特許庁

The optical transmitter OTx where LD (laser diode) 1 is set to be a light source includes: an optical output control part 3 controlling LD current supplied to LD1 and controlling optical output; a wavelength control part 4 controlling a temperature of LD1 and controlling the wavelength; and a DSP (processor) 5 for controlling the optical output control part 3 and the wavelength control part 4.例文帳に追加

ＬＤ（レーザダイオード）１を光源とする光送信器ＯＴｘであって、ＬＤ１に供給するＬＤ電流を制御して光出力を制御する光出力制御部３と、ＬＤ１の温度を制御して波長を制御する波長制御部４と、光出力制御部３と波長制御部４を制御するためのＤＳＰ（プロセッサ）５を備える。 - 特許庁

The device is provided with: a measurement electrode 20 installed in the vicinity of the holder 6 and at a position where electrons in plasma 16 emitted from the generation device 14 reach; a D.C. bias power source 24 for applying a positive bias voltage Vb to the measurement electrode 20; and an ammeter 26 for measuring a current flowing through the measurement electrode 20.例文帳に追加

更に、ホルダ６の近傍であってプラズマ発生装置１４から放出されたプラズマ１６中の電子が到達する位置に設けられた測定電極２０と、測定電極２０に正のバイアス電圧Ｖ_Ｂを印加する直流のバイアス電源２４と、測定電極２０に流れる電流を計測する電流計２６とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The heating belt 10 in use has the conductive layer 12 formed of a metal material of ≤2.7×10-8 Ωm in resistivity with a thickness of 2 to 10 μm and an AC current applied from an AC power source 45 to an exciting coil 41 is set within a range of 20 to 40 kHz in frequency.例文帳に追加

加熱用ベルト１０として、２．７×１０^-8Ωｍ以下の抵抗率を有する金属材料からなる厚さ２〜１０μｍの導電層１２を形成したものを使用し、かつ、交流電源４５から励磁コイル４１に印加する交流電流として周波数２０〜４０ｋＨｚの範囲内に設定された交流電流を印加するように構成した。 - 特許庁

The photodetector comprises a photosensor array, having a plurality of photosensors 1 arranged in a two-dimensional matrix form, and a detection circuit board arranged with signal detection circuits, corresponding to the photosensors in two-dimensional matrix where the dark currents of respective photosensors 1 are canceled using two constant-current source transistors 6 and 16.例文帳に追加

複数の光センサ１を二次元マトリクス状に配列した光センサアレイと、前記光センサ個々に対応して信号検出する信号検出回路を二次元マトリクス状に配列した検出回路基板とを有する光検出器において、前記光センサ１毎の暗電流を二つの定電流源トランジスタ６、１６を用いて相殺する。 - 特許庁

The apparatus for removing the microbe 10A comprises a removing part 11 for adsorbing the microbe to remove it, a regenerant tank 13 (regenerant supply means) for storing a cationic surfactant to be supplied to the removing part 11 and an electric source 12 (electric power supply means) for supplying an electric current to each electrode accommodated in the removing part 11.例文帳に追加

本形態の微生物除去装置１０Ａは、微生物を吸着して除去する除去部１１と、前記除去部１１に供給されるカチオン界面活性剤が貯留される再生剤槽１３（再生剤供給手段）と、除去部１１に内蔵された各電極に電流を供給する電源１２（電力供給手段）とを備える。 - 特許庁

To provide a high frequency power amplifier capable of ensuring high operational reliability by stably maintaining high performance operations by means of normal unit cells without causing a baked amplifier, a baked power supply path, and operating current variations even when a short-circuit takes place between a gate and a source or between a base and an emitter in one of the unit cells.例文帳に追加

単位セルの１つで、ゲート−ソース間あるいはベース−エミッタ間に短絡があった場合でも、増幅器の焼損、電源供給経路の焼損、動作電流変動が発生することなく、正常な単位セルにより、安定に高性能動作を維持しながら、動作的に高い信頼性を確保することができる高周波電力増幅器を提供する。 - 特許庁

The splitter circuit 10 includes a plurality of transistors 11 to 13 to connect each collector to a direct-current power source 14 and to supply a common RF signal to each base and a plurality of first resistances 16 to 18 to ground one ends each and to connect each of other ends to emitters of each of the transistors 11 to 13 corresponding to each of other ends.例文帳に追加

このスプリッタ回路１０は、それぞれのコレクタが直流電源１４に接続され、それぞれのベースに共通のＲＦ信号が供給される複数のトランジスタ１１〜１３と、一端がそれぞれ接地され他端が各々対応する前記各トランジスタ１１〜１３のエミッタに接続された複数の第一の抵抗１６〜１８とを備える。 - 特許庁