「step-growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for effectively differentiating and proliferating endothelial cells, particularly arterial ones, comprises a step of: in vascular endothelial growth factor receptor Flk-1 positive cells differentiated from embryonic stem cells, the intracellular cAMP (cyclic adenosine 3'-5'-monophosphate) concentration is raised using a cAMP analogue, a phosphodiesterase inhibitory agent and a prostanoic acid derivative, etc.例文帳に追加

胚性幹細胞より分化させた血管内皮増殖因子受容体Flk-1陽性細胞において、cAMPアナログ、ホスホジエステラーゼ阻害薬、およびプロスタン酸誘導体等を用いて細胞内cAMP濃度を上昇させることで、内皮細胞、とくに動脈系内皮細胞の分化増殖を効果的に行う方法。 - 特許庁

The nozzle 31 is moved along in the growth direction of the spring from the intermediate position P2 toward a cutting end position P3 while jetting out the water jet from the nozzle 31 after restarting the driving of the wire feeding motor 109 at a step S7.例文帳に追加

ステップＳ７では、ワイヤ送りモータ１０９の駆動を再開し、且つノズル３１からウォータジェットを噴射させながら、ノズル３１を中間位置Ｐ２から切断終了位置Ｐ３に向けてスプリング成長方向に沿って移動する。 - 特許庁

A layered nearly spherical body is formed because the energy transfer of each material occurs by heat of firing in foaming step occurs and then the clay useful for the growth of plant gathers to the outside, the glass gathers in the middle and the woody charcoal gathers in the center to form layer distribution.例文帳に追加

焼成熱によって発泡時に各物質のエネルギー移動が起こるため、外側に植物の栽培に有用な粘土質が集中し、中間にガラス質が集中し、中心に木質炭が集中して層分布が生じた層状のほぼ球状体となる。 - 特許庁

To reduce the scattering of flatness or the in-plane dispersion of epitaxial thickness to a specified level or lower when the epitaxially grown layer turns out to be thick, and to completely remove foreign matters produced during the epitaxial growth step without an increase in man-hours or costs.例文帳に追加

エピタキシャル成長層の厚さが厚くなった場合であっても、平坦度、エピ厚の面内バラツキの低減を一定レベル以下にし、しかもエピタキシャル成長の段階で生成される異物を、製造の工数、コストを増大させることなく完全に除去する。 - 特許庁

To provide a chassis frame and body construction capable of restraining growth of a step difference due to a floor side member on a floor surface of a car room without using a spacer even in extending the floor side member on the vehicle cabin side of a floor panel and arranging a member to reinforce the floor side member at an effective position.例文帳に追加

フロアパネルの車室側にフロアサイドメンバを延設しても、スペイサを用いることなく車室の床面にフロアサイドメンバによる段差が生じることを抑制することができ、かつフロアサイドメンバを補強する部材を効果的な位置に配置することが可能な車体構造を提供する。 - 特許庁

In the case that the surface (hetero epitaxial growth surface) of a sapphire M-plane off-substrate has a tilt (tilt angle that is, off angle is equal to rotation angle) rotated from 8° to 20° around the c-axis of the sapphire substrate, a step of the crystal is formed on the substrate in the tilted direction of substrate.例文帳に追加

サファイアＭ面オフ基板の表面（ヘテロエピタキシャル成長面）が、サファイア基板のｃ軸を回転軸として８°から２０°回転された傾斜（傾斜角すなわちオフ角度は回転角に等しい）を有する場合、基板の傾斜した方向に基板上に結晶のステップが形成されている。 - 特許庁

The hatching egg inspection apparatus includes: a carry-in section; an inspection section for determining life/death, or whether hatching eggs are unfertilized eggs or growth arrested eggs; an excluding section for excluding the hatching eggs that are determined as the unfertilized egg and the like; and a conveying section for conveying the hatching eggs to a next step.例文帳に追加

種卵検査装置は、搬入部と、種卵が未受精卵や発育中止卵であるか否かの生死等を判定する検査部と、未受精卵等であると判定された種卵を排除する排除部と、種卵を次の工程へ向けて送り出す搬出部とを備えている。 - 特許庁

In the production of the compound oxide, its oxygen storage and release capacity can be enhanced by forming the pyrochlore phase by controlling grain growth under high-temperature conditions by reduced agglomeration and surface treatment in the step of drying the CeO_2-ZrO_2 precursor and firing it in a reducing atmosphere.例文帳に追加

前記複合酸化物の製造においては、ＣｅＯ_２−ＺｒＯ_２前駆体の乾燥過程での凝集の緩和と表面処理により高温条件での粒成長を抑制し、また還元性雰囲気にて焼成することによりパイロクロア相を生成させることで、酸素吸蔵放出能を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal phthalocyanine, by which the inhibition in the crystal growth of the metal phthalocyanine at a synthesis step, the production of the uniformly fine metal phthalocyanine at a lower temperature than those by conventional methods, and the large reduction in the load of a graphitising process after the synthesis process can be achieved.例文帳に追加

合成段階で金属フタロシアニンの結晶成長を抑制し、均一で微細な金属フタロシアニンを従来法に比べて低い温度で製造し、合成工程後の顔料化工程の負荷を大幅に低減する金属フタロシアニンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser that can be manufactured by a step including one-time crystal growth, and has an inexpensive structure to constrict current as well as to shut out light by a dielectric film and can reduce the concentration of stress in a ridge part during assembly to improve mass- productivity.例文帳に追加

一回の結晶成長を含む工程で製造可能で、誘電体膜により電流狭窄と光の閉じ込めを行う低コストな構造を有し、しかも組立時のリッジ部への応力集中を低減して量産性を高めた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The nozzle 31 is moved parallel along the face substantially perpendicular to the growth direction of the spring from the cutting start position P1 toward the intermediate position P2 while jetting out the water jet from the nozzle 31 and while stopping the wire feeding motor 109 at a step S6.例文帳に追加

ステップＳ６では、ワイヤ送りモータ１０９を停止させたままで、ノズル３１からウォータジェットを噴射させながら、切断開始位置Ｐ１から中間位置Ｐ２に向けてスプリング成長方向に実質的に垂直な面に沿って平行に移動させる。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a second conductivity type semiconductor region 12 in a part of the surface layer of a first conductivity type semiconductor 11 and growing an epitaxial growth layer 13 of a first conductivity type, second conductivity type or intrinsic semiconductor thereon.例文帳に追加

第１導電型半導体１１の表層の一部に第２導電型の半導体領域１２を形成し、それらの上に、第１，第２導電型または真性の半導体からなる結晶成長層１３を結晶成長させる工程を含む。 - 特許庁

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

Theobromine which is a kind of xanthine derivative inhibits the suppression of GJIC (gap junctional intercellular communication) known as a pathological phenomenon developing in the promotion step of various cancers including hepatic cancer and has an effect for inhibiting the growth of cancer cells by the inhibition of the DNA synthesis of the cancer cells.例文帳に追加

一種のキサンチン誘導体であるテオブロミンは、肝癌を含む種々の癌の促進段階で発生する病理的現象であるＧＪＩＣ(gap junctional intercellular communication)の抑制を阻害し、また、癌細胞のＤＮＡ合成を阻害することにより癌細胞増殖阻害効能を有するテオブロミンを提供する。 - 特許庁

In accordance with "Three-Step Economic Measures for the Realization of the New Growth Strategy," as decided by the cabinet in September 2010, the eco point program for highly energy-saving 5-Star products was extended until March 31, 2011 (the program is applicable to products with single energy-saving label 4-Star or higher).例文帳に追加

2010年9月に閣議決定した「新成長戦略実現に向けた３段構えの経済対策」では、従来統一省エネラベル４☆相当以上であった対象製品を、より省エネルギー性能の高い５☆の製品に限定した上で、適用期限を2011年3月31日まで延長。 - 経済産業省

This method for producing the vapor growth carbon fibers by bringing a gas containing carbon into contact with a catalyst, uses a catalyst obtained by co-precipitating a carrier, an active metal species and a co-catalyst by using oxalic acid, and drying without passing through a burning step and reduction pretreatment step.例文帳に追加

炭素を含むガスを触媒と接触させて気相成長炭素繊維を製造する方法において、触媒として、担体、活性金属種および助触媒とを、シュウ酸を用いて共沈させた後に、焼成工程および還元前処理工程を経ることなく、乾燥させて得られるものを用いる気相成長炭素繊維の製造方法である。 - 特許庁

The method is a method for treating or preventing the congestive heart failure in a mammal including a step of administering a polypeptide containing an epidermal growth factor-like (EGF-like) domain to the mammal, wherein the EGF-like domain is encoded by a neuregulin gene, and wherein the administration step includes administering an effective amount for treating or preventing the heart failure in the mammal.例文帳に追加

この方法は、哺乳動物におけるうっ血性心不全を処置または予防するための方法であって、該哺乳動物に対して、上皮増殖因子様（ＥＧＦ様）ドメインを含むポリペプトイドを投与する工程を包含し、ここで、該ＥＧＦ様ドメインが、ニューレグリン遺伝子によってコードされ、ここで、該投与工程が、該哺乳動物における心不全を処置または予防するのに有効量である。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of growing a nitride semiconductor includes a step of forming, through vapor-phase growth, a first concave-convex structure 30 made of nitride semiconductor crystals on a substrate 10; and a step of forming a second concave-convex structure 32, made of nitride semiconductor crystals on the first concave-convex structure 30, by making a nitride semiconductor grow selectively from the tops of the convex portions of the first concave-convex structure 30.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of melt recrystallizing a semiconductor layer 32 of a thickness formed on a substrate 30 in a lateral growth by emitting an energy beam to the layer 32, and a step of forming an insulating oxide film 33 on the layer 32 by oxidizing the layer 32 at a high pressure and thinning the layer 32.例文帳に追加

基板３０上に形成した厚膜の半導体層３２にエネルギービームを照射し、横方向成長を伴う熔融再結晶化をさせる工程と、当該半導体層３２を高圧力下において酸化することにより、当該半導体層３２上に絶縁酸化膜３３を形成するとともに、半導体層３２を薄膜化させる工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the spin injection source device performs a step for forming a CaF_2 film 2 by epitaxial growth while the clean surface of the Si substrate 1 is being heated, and a step for forming an Fe_3Si film 5 by a molecular beam epitaxy method for simultaneously applying Si 3 and Fe 4 onto the CaF_2 film 2 at 400°C.例文帳に追加

スピン注入源デバイスの製造方法において、Ｓｉ基板１の清浄表面を加熱した状態で、ＣａＦ_2 膜２をエピタキシャル成長により形成する工程と、次に、前記ＣａＦ_2 膜２上に４００℃でＳｉ３とＦｅ４を同時に照射する分子線エピタキシー法によりＦｅ_3 Ｓｉ膜５を形成する工程とを施す。 - 特許庁

In the epitaxial crystal growth layer 2, a part of a region where a gate electrode 7 is arranged, becomes a smooth first region where a bunching step is not formed on the surface, and the entire region where the gate electrode 7 is not arranged, becomes a second region where the bunching step is formed on the surface.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長層２において、ゲート電極７が配置されている領域の一部は、表面にバンチングステップが形成されない平滑な第１領域となっており、ゲート電極７が配置されていない領域の全部は、表面にバンチングステップが形成された第２領域となっている。 - 特許庁

In the simulation method of simulating a machining shape of a material surface, the step when the material surface traverses a material interface is calculated by determining a time interval Δt of the step by using a distance from the material surface to the material interface, and a surface growth rate.例文帳に追加

物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、前記物質表面が物質界面を横切るステップを計算する際に、前記物質表面から前記物質界面への距離と、表面成長速度と、を用いて、前記ステップの時間間隔Δｔを決定することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。 - 特許庁

The method for producing the cubic phosphor powder includes: a phosphor growth step of growing a monocrystalline phosphor which emits a wavelength conversion light when excited with a predetermined excitation light; and a division step of mechanically dividing the grown monocrystalline phosphor into the cubic phosphor powder.例文帳に追加

蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

A method includes a step of depositing a layer of a semiconductor material on a substrate 56 by using vapor deposition in a first vapor deposition chamber 24, and a subsequent step of evacuating the first deposition chamber 24 to reduce vapor deposition source gases remaining in the first deposition chamber after the deposition growth and prior to opening the chamber 24.例文帳に追加

第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板５６上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。 - 特許庁

The method for transferring an exogenous DNA into a plant tissue by using agrobacterium containing a transforming vector having the exogenous DNA comprises an immersion treatment step of immersing the leaf (leaf stem and leaf blade) of a plant leaf in a suspension of the agrobacterium, and a growth step of growing the plant under a condition to enable water-absorption through the leaf stem of the leaf.例文帳に追加

外来性ＤＮＡを有する形質転換用ベクターを含むアグロバクテリウムを用いて、前記外来性ＤＮＡを植物組織に導入する方法において、前記アグロバクテリウムの懸濁液に、植物の葉（葉柄及び葉身）を浸漬させる浸漬処理工程と、前記葉の葉柄から吸水できる条件で生育させる生育工程を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride compound semiconductor element includes a growth step for epitaxially growing a nitride compound semiconductor layer consisting at least of group III atoms including gallium atoms and nitrogen atoms on a substrate, and a decomposition step for decomposing a complex of group III holes and hydrogen atoms in the nitride compound semiconductor layer by irradiating the nitride compound semiconductor layer with laser light or the ionization radiation before an element structure is formed.例文帳に追加

基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 - 特許庁

Alternatively, this growth method includes a step of cleaning the interior of the reaction chamber 110 by introducing the HCl gas 1 into the reaction chamber 110 and a step of vapor-depositing the group III nitride crystal 11 while trapping an ammonia chloride powder generated as a by-product in a trap device 116 mounted on the cleaned reaction chamber 110.例文帳に追加

または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 - 特許庁

The growth method is to grow a GaN crystal 20 on a GaN seed crystal substrate 10 and involves a step to prepare a GaN seed crystal substrate 10 containing a first dopant which makes the coefficient of thermal expansion of the GaN seed crystal substrate 10 greater than that of the GaN crystal 20 and a step to grow a ≥1 mm thick GaN crystal 20 on the GaN seed crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる方法であって、ＧａＮ種結晶基板１０の熱膨張係数がＧａＮ結晶２０に比べて大きくなるような第１のドーパントを含むＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上に厚さ１ｍｍ以上のＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含む。 - 特許庁

The method for increasing the production of latex includes: an A step of making a plant growth retardant act on a latex production plant to produce a latex production plant in which tree height is suppressed; and a B step of making one or more kinds of compounds, selected from the group consisting of jasmonic acid and its derivatives, act on the latex production plant.例文帳に追加

ラテックス産生植物に植物矮化剤を作用させて樹高を抑えたラテックス産生植物を作製するＡ工程と、ラテックス産生植物にジャスモン酸及びその誘導体からなる群から選択される１種以上の化合物を作用させるＢ工程とを有することを特徴とするラテックス増産方法。 - 特許庁

To provide a structural member made of a cemented carbide and manufactured by a powder metallurgy process, in which at least one additive for controlling growth of crystals of V, Cr, Ti, Ta and Nb, shows a concentration transition in a step-by-step manner at least partially, and thereby the mechanical characteristics show the gradual change, and to provide a method for manufacturing the structural member.例文帳に追加

Ｖ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ及びＮｂの結晶の成長を抑制する少なくとも１つの添加物が、少なくとも局部的に段階を辿る濃度推移を示し、それによりその機械的特徴も漸進的な推移を示す、粉末冶金法により製造される超硬合金から成る構造部材とこの構造部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The invention further provides a method for testing an agent for its ability to inhibit the binding between a fibroblast growth factor (FGF) and a heparanase substrate comprising a step to interact the FGF immobilized on a solid support with the agent in a solution and a step to detect the presence or absence of the label in the solution remote from the solid support.例文帳に追加

線維芽細胞成長因子（FGF）とへパラナーゼ基質との結合を阻害する能力に関して物質を試験する方法であって、固体支持体上に固定化したFGFを物質および標識ヘパラナーゼ基質と溶液中で相互作用させる段階、および固体支持体から離れた溶液中の標識の有無を検出する段階を含む方法も提供する。 - 特許庁

In a process of manufacturing the optical semiconductor device, a diffraction grating is formed in an active layer, a wafer is placed in a growth device (steps S1 and S2), a thermal deformation prevention layer is formed on the surface of the diffraction grating at a first temperature (step S3), and then a temperature is raised to a second temperature for forming a buried layer of the diffraction grating (step S4).例文帳に追加

光半導体装置の製造過程において、活性層に回折格子を形成してウェハを成長装置内に配置し（ステップＳ１，Ｓ２）、この成長装置内で、第１の温度で回折格子表面に熱変形防止層を形成した後（ステップＳ３）、回折格子の埋め込み層を形成する第２の温度まで昇温する（ステップＳ４）。 - 特許庁

The method for breeding the yeast having the recovered thermotolerance or growth activity comprises a step for controlling the proofreading function of DNA polymerase in a loss-of-function mutant of the yeast (for example, a step for including mutant pol3 gene or mutant cdc6-gene in a gene-disruptant), and to the method for producing the yeast for producing the beta-glucan in high efficiency.例文帳に追加

酵母の遺伝子破壊株におけるＤＮＡポリメラーゼの校正機能を制御する工程（例えば、変異型ｐｏｌ３遺伝子や変異型ｃｄｃ６−遺伝子を遺伝子破壊株に導入する工程）を含む、高温耐性又は増殖性を回復した酵母の製造方法、及びβ−グルカンを高効率に産生する酵母の製造方法。 - 特許庁

A method for forming a WSi film includes a step (1) of forming a deposit film 6, containing Si and W as main components and having a hexagonal crystal phase chemical vapor growth using a gaseous start material containing WF6 and Si2H2Cl2 and a step (2) forming a WSi film annealing a substrate 2, on which the deposit film 6 is formed in an ammonia atmosphere.例文帳に追加

ＷＳｉ膜を形成する方法は、(1)ＷＦ_6およびＳｉ_2Ｈ_2Ｃｌ_2を含む原料ガスを用いる化学的気相成長法によってＳｉおよびＷを主要構成元素としヘキサゴナル結晶相を有する堆積膜6を形成し、(2)堆積膜6が形成された基板2をアンモニア雰囲気中においてアニールを行いＷＳｉ膜を形成する、各ステップを備える。 - 特許庁

In addition, this manufacturing method includes a step to form a semiconductor thin film 15 on the substrate 11 having steps for determining the crystal orientation on one plane, through the catalyst epitaxial growth, and a step to form the photosensor PS and semiconductor switching element 20 constituting the pixels on the semiconductor thin film 15.例文帳に追加

また、一面上に結晶方位を決定する段差を有する光透過性の基板１１上に、触媒エピタキシャル成長により半導体薄膜１５を形成する工程と、半導体薄膜１５に画素を構成するフォトセンサＰＳ及び半導体スイッチング素子２０を形成する工程とを有して固体撮像素子１０を製造する。 - 特許庁

By the manufacturing method of the gallium nitride single crystal substrate, the occurrence of cracks due to lattice mismatching and a difference between coefficients of thermal expansion is made minimum, and the good quality GaN-based single crystal substrate even having a size of ≥2 in can be manufactured by forming the grooves and patterning the substrate so that the growth substrate can be divided, before the laser irradiation step for separating the growth substrate.例文帳に追加

本発明の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法によると、成長用基板の分離のためのレーザー照射段階前に前記成長用基板が分割されるよう溝を形成してパターニングすることにより、２インチ以上の大きい窒化ガリウム単結晶基板を製造する場合にも格子不整合と熱膨張係数によるクラックを最少化し良質のＧａＮ系の単結晶基板を製造することができる。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer at least includes a step of epitaxially growing a p-type layer by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a substrate of a compound semiconductor, wherein nitrogen gas is passed in an HVPE furnace when the temperature of the substrate is raised before starting the epitaxial growth of the p-type layer.例文帳に追加

少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing novel fish-and-shellfish seasoning including the step for acting splitting enzyme derived from a raw material, protease, and yeast at an amount effective on aging, on raw-material fish and shellfish at a salt concentration effective on prevention from corruption and not inhibiting growth of the yeast for a period effective on the decomposition of the raw material to obtain decomposed substance, and obtaining liquid from the decomposed substance.例文帳に追加

原料魚介類に、原料由来の分解酵素、タンパ質分解酵素、及び熟成上有効量の酵母を、腐敗防止上有効でありかつ酵母生育を抑制しない塩分濃度で、原料分解上有効な期間作用させて分解処理物を得て、そして分解物から液汁を得る工程を含む、調味料組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for the extended culture of a cytotoxic T cell having antigen-specific cytotoxic activity contains a step to incubate a cytotoxic T cell in the presence of at least one substance selected from (A) hyaluronic acid or an anti-CD44 antibody, (B) an anti-growth factor antibody and (C) fibronectin, its fragment or their mixture.例文帳に追加

抗原特異的な細胞傷害活性を有する細胞傷害性Ｔ細胞を拡大培養する方法であって、（Ａ）ヒアルロン酸、又は抗ＣＤ４４抗体、（Ｂ）抗成長因子抗体、並びに（Ｃ）フィブロネクチン、そのフラグメント又はそれらの混合物、からなる群より選択される少なくとも１種の物質の存在下に、細胞傷害性Ｔ細胞をインキュベートする工程を含む方法。 - 特許庁

A large size KNbO_3 single crystal without cracks is produced by specifying a phase transition stage, a necessary condition at the phase transition stage and a required time in the phase transition stage at a step to cool the crystal after growing to room temperature when the KNbO_3 single crystal is produced by a TSSG (top-sealded solution growth) method.例文帳に追加

ＴＳＳＧ法によりＫＮｂＯ_３単結晶を製造する方法において、結晶成長に引き続き室温へ冷却する過程で、相転移の過程、相転移過程における必要条件を規定し、さらに相転移過程に要する時間を規定することにより、クラックの無い大型ＫＮｂＯ_３単結晶を作成することを特徴とする大型ＫＮｂＯ_３単結晶の製造方法である。 - 特許庁

At a growing step of the group III nitride crystal, the inner pressure of the reaction vessel and the inner pressure of the pressure vessel are controlled by the nitrogen-containing gas by supplying the nitrogen-containing gas of the amount consumed by growth of the group III nitride crystal by using a pressure controlling vessel 116p and a flow rate controlling vessel 122f.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の成長工程においては、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長により消費された量の窒素含有ガスを供給し、窒素含有ガスにより、圧力調整器１１６ｐとガス流量調整器１２２ｆとを用いて、反応容器の内圧および耐圧容器の内圧を制御する。 - 特許庁

The method for preparation of the silver halide emulsion which contains silver halide particles and a dispersion medium and is prepared by undergoing respective steps of nucleation, maturation and growth is characterized in that the total silver concentration in the silver halide emulsion in starting the maturation step is from 0.0015 to 0.015mass%.例文帳に追加

ハロゲン化銀粒子と分散媒を含み、核形成、熟成および成長の各工程を経て製造されるハロゲン化銀乳剤の製造方法において、熟成工程に入るときのハロゲン化銀乳剤中の全銀濃度が０．００１５質量％から０．０１５質量％であるハロゲン化銀乳剤の製造方法。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁