「step-growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes measuring the thickness A of the semiconductor wafer before the epitaxial growth step, polishing the epitaxial layer formed on the surface of the semiconductor wafer after the epitaxial growth step, measuring the thickness B of the epitaxial wafer obtained after polishing, and computing the thickness of the epitaxial layer as a difference (B-A) between the thickness B and the thickness A.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みＡを測定すること、エピタキシャル成長工程後に半導体ウェーハの表面に形成したエピタキシャル層を研磨すること、研磨後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みＢを測定すること、前記厚みＢと厚みＡとの差分（Ｂ−Ａ）として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。 - 特許庁

This production method comprises a growth step for supplying a prescribed raw material to a growth section controlled so as to be maintained under prescribed conditions, to grow a compound semiconductor single crystal having a prescribed outer diameter, and a strain removal step for heating the grown compound semiconductor signal crystal having the prescribed out diameter to a prescribed heat treatment (annealing) temperature, to remove strain inside the single crystal.例文帳に追加

所定の成長条件で制御された成長部へ、所定の原料を供給して所定の外径の化合物半導体単結晶を成長させる成長ステップと、所定の外径の化合物半導体単結晶を所定の熱処理（アニール）温度まで加熱して内部の歪を除去する歪除去ステップとを含むものとする。 - 特許庁

This method of forming a cell pattern comprises a step for prepatterning by attaching a cell growth-promoting molecule and/or a cell growth-inhibiting molecule on the surface on which the cell pattern may be formed, and a step for forming the cell pattern on the surface by culturing the cells on the surface having the prepattern.例文帳に追加

細胞パターンを形成しようとする表面に細胞成長促進分子及び／又は細胞成長阻害分子を当該表面にパターン被着させることによって予備パターンする工程と、上記予備パターンされた表面上に細胞を培養することによって上記表面上に細胞パターンを形成する工程とを有し、上記細胞が全体組織である。 - 特許庁

This method comprises: a bismuth-substituted rare earth iron garnet includes a crystal growth step of growing a crystal on a single crystal substrate by a liquid phase epitaxial growth method in an oxygen concentration of 0 to 16% (excluding 0); and a heat treatment step of heat treating the grown magneto-optical garnet thick film single crystal in a N_2 or Ar gas atmosphere containing H_2.例文帳に追加

ビスマス置換希土類鉄系ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法であって、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によって酸素濃度０〜１６％（０は含まず）で結晶育成させる結晶育成工程と、育成された磁気光学ガーネット厚膜単結晶を、Ｈ_２を含有する、Ｎ_２もしくはＡｒガス雰囲気において熱処理する熱処理工程とを備えている。 - 特許庁

In a step of using an LT crystal to manufacture the LT substrate, the LT crystal is thermally treated longer than four hours in a holding temperature of 1200 to 1650°C under a low oxygen concentration atmosphere in any one of a cooling step after crystal growth, a thermal treatment step for thermal distortion removal and a polling treatment step.例文帳に追加

タンタル酸リチウム（ＬＴ）結晶を用いてＬＴ基板を製造する工程において、結晶育成後の冷却過程、熱歪み除去のための熱処理工程およびポーリング処理工程のいずれかで、ＬＴ結晶を低酸素濃度雰囲気下で、１２００〜１６５０℃の保持温度で、４時間以上、熱処理する。 - 特許庁

The manufacturing method includes an embedding step to form a buried layer 14 by achieving the growth of semiconductor crystal containing In or Ga as a group III element while supplying oxygen in a step region M1 present on the (100) surface of group III-V compound semiconductor crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor crystal includes a step (S10) of preparing a substrate made of a nitride semiconductor having a surface including a region to be used and a step (S20) of growing a nitride semiconductor crystal on the substrate surface by a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加

窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。 - 特許庁

This method for treating the plant includes a step for bringing the plant into contact with at least one composition (i) containing at least one cyclopropene and a step for bringing the plant into contact with at least one composition (ii) containing at least one plant growth regulator which does not comprise the cyclopropene.例文帳に追加

本発明の方法は、植物を、少なくとも１つのシクロプロペンを含む少なくとも１つの組成物（ｉ）と接触させるステップ、および植物を、シクロプロペンではない少なくとも１つの植物成長調節剤を含む少なくとも１つの組成物（ｉｉ）と接触させるステップを含む。 - 特許庁

A silicon substrate is conveyed to an epitaxial growth device (step S13a) without performing a crystal recovery heat treatment after ion implantation ( step S12a) for implanting ions in the silicon substrate by a dosage of 1×10^13 to 5×10^15 atoms/cm^2.例文帳に追加

シリコン基板に対し、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入（ステップＳ１２ａ）した後、結晶回復熱処理を行うことなく、シリコン基板をエピタキシャル成長装置に搬送する（ステップＳ１３ａ）。 - 特許庁

The first seed 2 whose C-axis is oriented to the direction of an arrow head C is prepared (step 1), and then by using a pulling-down method, a parallel plane with the C-axis at the first seed 2 and a leakage part of the raw material melt are contacted and growth of a crystal is started from the contact part (step 2).例文帳に追加

Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。 - 特許庁

The treatment method of the salt-containing powder brings the slurry having water mixed with the salt-containing powder into contact with the combustion tail gas containing carbon dioxide to deposit calcium dioxide at the first step in the salt-containing powder, and therefore, can control the generation and the growth of scale of calcium in the facility in the subsequent step.例文帳に追加

塩含有粉体の処理における最初の工程で、塩含有粉体に水を混合したスラリーに炭酸ガスを含む燃焼排ガスを接触させ、炭酸カルシウムを析出させるため、その後の工程で、設備内でカルシウムのスケールが発生して成長するのを抑制することができる。 - 特許庁

Any of the steps of forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric material film includes a step of irradiating the surface to be formed with the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric material film with an ion beam, and a step of forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric material film by epitaxial growth.例文帳に追加

前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程の何れかは、それぞれ中間膜、下部電極又は圧電体膜の被形成面にイオンビームを照射する工程と、その上に中間膜、下部電極又は圧電体膜をエピタキシャル成長により形成工程と、を備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a step of forming a silicon polycrystalline film 14 in advance on at least the chamfer 13 of a silicon single crystal substrate 10, and a step of then forming a thin film 11 of a silicon single crystal by epitaxial growth on a surface 11 of the substrate 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体基板の製造方法においては、シリコン単結晶基板１０の少なくとも面取り部１３に予めシリコン多結晶膜１４を形成した上で、基板１０の表面１１にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶の薄膜１１を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a step for selecting the GaN crystal substrate 10 as a substrate and a step for growing at least one layer of a group III nitride crystal layer 20 on the side of the crystal growth plane 10c of the GaN crystal substrate 10.例文帳に追加

また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 - 特許庁

The composition to be used in the method for treating nerve damage is provided, wherein the method comprises the step of transporting a gene encoding an acidic fibroblast growth factor(aFGF) to nerve-affected site(s) or neurocytes and the step of expressing the gene in the nerve-damaged site(s) or the neurocytes.例文帳に追加

酸性繊維芽細胞成長因子（aFGF）をコードする遺伝子を神経損傷部位または神経細胞に輸送する工程；および該遺伝子を神経損傷部位または神経細胞において発現させる工程を含む、神経損傷を処理するための組成物。 - 特許庁

In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。 - 特許庁

Even if an epitaxial layer 30 is laminated throughout an alignment mark region A because the silicon-based film 22 was formed in the side wall of the step 21, growth of the epitaxial layer 30 can be suppressed in the side wall, enabling the step 21 to keep a forward tapered shape.例文帳に追加

段差２１の側壁に珪素系膜２２が形成されることにより、エピタキシャル層３０がアライメントマーク領域Ａ全体に積層された場合であっても、側壁においてエピタキシャル層３０の成長を抑制させることができ、段差２１は順テーパー形状を維持することが可能となる。 - 特許庁

Only a conventional insulation film is used to create temperature gradient without using any metals and insulation films with high pyrogenic electrical conductance for the ground, a step of a ground insulation film is provided at a desired position, and temperature distribution inside a semiconductor being generated corresponding to the step shape is utilized, thus controlling location and direction where lateral growth is generated.例文帳に追加

下地にメタルや高熱伝導度絶縁膜を用いずに、従来の絶縁膜のみを使用して温度勾配を作り、所望の位置に下地絶縁膜の段差を設け段差形状に対応して発生する半導体内部の温度分布を利用してラテラル成長の発生場所、方向を制御する。 - 特許庁

After an aqueous precipitate solution formed by a chemical reaction is aged, a step for making a raw material to become the source of particle growth, which is a particle having the same composition and smaller particle diameter, coexist and be subjected to aging again, and the step is repeated to grow the particle constituting the precipitate to have the desired particle size.例文帳に追加

化学反応によって生成した沈殿物の水性沈殿液を熟成した後、この中に粒子成長の元となる原料、すなわち同一組成でかつより小さな粒径を持つ粒子を共存させ再び熟成することを繰り返し、所望する大きさの粒径まで沈殿物構成粒子を成長させる。 - 特許庁

To ensure to form a buried layer with superior flatness having sufficient thickness even in a region at more than a given distance away from a step region, while suppressing photographic fog growth in the step region, thereby facilitating subsequent processes and achieving improved yield.例文帳に追加

段差領域における被り成長を抑制しながら、段差領域から一定の距離以上離れた領域でも十分な厚さを有する平坦性の良い埋込層が形成されるようにして、その後のプロセスを容易にし、歩留まりを良くすることができるようにする。 - 特許庁

The processing method includes a basic shape forming step of forming a recess pattern smaller in depth than a recess shape on a surface of a workpiece; and a shape growth step of irradiating the recess pattern with laser light which has a beam diameter larger than a width of the recess pattern so as to process the recess shape.例文帳に追加

被加工物表面に前記凹形状よりも深さが浅い凹形パターンを形成する基本形状形成工程と、前記凹形パターンの幅よりも大きいビーム径のレーザ光を、前記凹形パターンに照射して、凹形状を加工する形状成長工程とを有する。 - 特許庁

A growth method of a group III nitride crystal 11 includes a step of cleaning the interior of a reaction chamber 110 by introducing a HCl gas 1 into the reaction chamber 110 and a step of vapor-depositing the group III nitride crystal 11 while doping a Si atom in the cleaned reaction chamber 110.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 - 特許庁

To address such employment situations appropriately, the government is steadily working on “Step 2” of New Growth Strategy in line with the “2011 Employment Strategy: Basic Policy” drafted by the government, and is also pushing ahead with full-fledged “Employment and Human Resources Strategies” as “Step 3.” 例文帳に追加

このような雇用情勢に適切に対応するため、政府で策定した｢雇用戦略・基本方針2011｣を踏まえ、新成長戦略の｢ステップ２｣を着実に実施し、加えて｢ステップ３｣として、本格的な｢雇用・人材戦略｣の推進を図っている。 - 経済産業省

Explanations are given below in a step-by-step manner, suggesting that seeking diversified markets with high growth potentiality, instead of being merely dependent upon markets of certain countries and regions or markets of certain goods, is a key issue for abating the negative effects caused by a rapid decline in exports, and that stimulating domestic demand further is important.例文帳に追加

このような輸出の急減による影響を回避するには、特定の国・地域や特定の品目の市場に依存するのではなく、成長性の高い様々な市場に進出することが重要な課題となること、また改めて内需を拡大していくことの重要性を順次示していく。 - 経済産業省

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁

In order to respond to this situation, we will promote three-step economic and fiscal policies under the severe fiscal conditions: in the near-term, the emphasis will be placed on reviving business activity; in the medium-term, rebuilding government finances; and in the medium- to long-term, economic growth through reforms. 例文帳に追加

こうした情勢に対し、厳しい財政状況の下、「当面は景気対策」、「中期的には財政再建」、「中長期的には改革による経済成長」の三段階で経済財政政策を進めることとしております。 - 金融庁

In order to ensure that the fruit of economic growth could contribute to reducing poverty and income level gaps, it is indispensable that each government take a strong leadership and a steady step towards reforming the current system. 例文帳に追加

経済成長の果実が貧困削減や所得格差の是正へと着実に繋がるよう、各国政府が強いリーダーシップを発揮し、制度改革を着実に進めることが不可欠です。 - 財務省

I believe that these efforts for fiscal consolidation will be a significant step toward maintaining public confidence in the government’s fiscal policy, thereby supporting our country’s medium- and long-term economic growth. 例文帳に追加

このような財政健全化への取組は、財政の信認の維持を通じて、中長期の経済成長を支える重要な一歩だと考えています。 - 財務省

Increasing global growth on a sustainable basis is the most important step we can take in improving the lives of all of our citizens, including those in the poorest countries. 例文帳に追加

持続的な世界経済の成長増進は，最貧国の人々を含む，万人の生活を改善するために，我々がとり得る最も重要な措置である。 - 財務省

Moreover, increasing global growth on a sustainable basis is the most important step we can take in improving the lives of all, including those in the poorest countries. 例文帳に追加

さらに，持続的な世界経済の成長を増進することは，最貧国の人々を含む，万人の生活を改善するために，我々がとり得る最も重要な措置である。 - 財務省

The method for producing carbonate comprises at the least a seed crystal growth step of growing a seed crystal in a reaction solution containing urea at least.例文帳に追加

少なくとも尿素を含む反応溶液中で種結晶を成長させる種結晶成長工程を少なくとも含む炭酸塩の製造方法である。 - 特許庁

In the first step, a first carbon nanofiber produced by a vapor growth method is subjected to oxidation treatment to obtain a second carbon nanofiber having an oxidized surface.例文帳に追加

第１の工程は、気相成長法によって製造された第１のカーボンナノファイバーを酸化処理して表面が酸化された第２のカーボンナノファイバーを得る工程である。 - 特許庁

The gel-like feed contains salmon growth hormone extracted from the hypophysis of the head disposed of in a salmon processing step and alginic acid and is thrown to young shellfish of shellfish such as abalone.例文帳に追加

サケの加工工程で廃棄されている頭部の脳下垂体から抽出されたサケ成長ホルモンとアルギン酸とを含むゲル形態の飼料を、アワビ等の貝類の稚貝に投餌させる。 - 特許庁

The manufacturing method of the carbon nanofiber comprises a step of subjecting an untreated carbon nanofiber, which is manufactured by a vapor growth method, to a pulverization treatment.例文帳に追加

本発明のカーボンナノファイバーの製造方法は、気相成長法によって製造された未処理カーボンナノファイバーを、粉砕処理する工程を有する。 - 特許庁

The process preferably further includes a step of identifying phenotype characteristics (such as growth, yield and resistance to abiotic stress of the plants) at intervals during the growing period.例文帳に追加

本発明に従うプロセスは、好ましくは、表現型特徴（例えば、生育、収穫高および植物の非生物的なストレスに対する抵抗性）を生育周期中に間隔をおいて同定する工程を、さらに包含する。 - 特許庁

When a nitride semiconductor layer is grown on the n-GaN off substrate 1 comprising the off surface, the crystal growth of the nitride semiconductor layer takes place mainly in step flow mode.例文帳に追加

このようなオフ面を有するｎ−ＧａＮオフ基板１上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。 - 特許庁

Due to the step, no excessive cobalt film (cobalt atom) is required to be supplied at the part, and abnormal growth of a cobalt silicide film 11B is suppressed under the side wall insulating film 8.例文帳に追加

そして、この段差部の存在によりこの部分での必要以上のコバルト膜（コバルト原子）の供給が無くなり、側壁絶縁膜８下でのコバルトシリサイド膜１１Ｂの異常成長が抑止される。 - 特許庁

In the first step, a first carbon nanofiber produced by a vapor growth method is oxidized to produce a second carbon nanofiber 40 having an oxidized surface.例文帳に追加

第１の工程は、気相成長法によって製造された第１のカーボンナノファイバーを酸化処理して表面が酸化された第２のカーボンナノファイバー４０を得る。 - 特許庁

In this second sintering step, particle growth (making dense) of the non-oxide ceramic particle is accelerated by action of the boron compd. as sintering auxiliary.例文帳に追加

この二次焼結工程では、ホウ素化合物が焼結助剤として作用することにより非酸化物セラミックス粒子の粒成長（緻密化）が促進される。 - 特許庁

In this case, a concentration gradient is given to a first conductive semiconductor substrate considering concentration gradient of impurity generated in a step of epitaxial growth of a second conductive semiconductor layer within the trench 44.例文帳に追加

この際、トレンチ４４内に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第１導電型半導体基板に濃度勾配を与える。 - 特許庁

Meanwhile, in the step of epitaxial growth of the second conductive semiconductor layer within the trench 44, a concentration gradient to give higher concentration to the aperture side in comparison with the bottom side is also generated, even in the second conductive semiconductor layer 46.例文帳に追加

一方、トレンチ４４内に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させる過程で、第２導電型半導体層４６にも、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるような濃度勾配が生じる。 - 特許庁

The epitaxial growth includes a step for preparing, in the chamber, a precursor gas mixture having a comparatively high ratio of the partial pressure of a nitride precursor and the partial pressure of one or a plurality of group III precursors in the chamber.例文帳に追加

エピタキシャル成長は、チャンバー中の窒素前駆体の分圧と１つ又は複数のＩＩＩ族前駆体の分圧との比較的に高い比を含む前駆体ガス混合物をチャンバー内に準備するステップを含む。 - 特許庁

In another embodiment, the bottom of the trench is grown amosphous and the walls of the trench are left as singly-crystal silicon so that the oxide may be grown much faster and thicker on the bottom than on the walls during an oxide growth step.例文帳に追加

または、酸化物成長ステップの間、酸化物が、トレンチ壁よりもトレンチ底部で早く、かつ、薄く成長できるように、トレンチ底部がアモルファス化され、トレンチ壁が単結晶シリコンとして残される。 - 特許庁

This method for manufacturing the fuel cell is provided with the first process (step S110) for preparing an antifreezing protein containing paste containing an antifreezing protein for restraining a growth of a crystal of ice from the aqueous liquid, and a photocuring resin.例文帳に追加

燃料電池の製造方法は、液水からの氷の結晶の成長を抑制する不凍タンパク質と、光硬化性樹脂とを含有する不凍タンパク質含有ペーストを作製する第１の工程（ステップＳ１１０）を備える。 - 特許庁

In the growth step, a group III nitride crystal 12 is grown by a liquid phase method on the base substrate 11 to obtain a grown substrate 10 comprising the base substrate 11 and the group III nitride crystal 12.例文帳に追加

成長工程では、下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物結晶１２を液相法により成長させて、下地基板１１とＩＩＩ族窒化物結晶１２とを有する被成長基板１０を得る。 - 特許庁