「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(364ページ目) - Weblio英語例文検索

A squareness error correcting part 14, using the parameter of the assumed coordinate transfer matrix, performs coordinate-transfer to the sequence of points data for an object to be measured for automatic squareness-error correction between measurement coordinate axes, resulting in precision measurement with no variation in shape measurements for an optical element such as lens and aspherical surface which is caused by operators while no labored and complicated calibration work required.例文帳に追加

直角度誤差補正部１４は推定した座標変換行列のパラメータを利用して被測定物の点列データに座標変換を施して測定座標軸間の直角度誤差補正を自動的に行い、レンズ等の光学素子や非球面の形状測定を作業者によるばらつきがなく、かつ、手間のかかる煩雑な校正作業を行うことなしで精度良く測定する。 - 特許庁

The precipitate for a sputtering target is obtained by providing at least the surface of the particle of an element and/or a compound composing a sputtering target with at least one oxide selected from the group consisting of silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, zinc oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, indium oxide, stannic oxide, lanthanum oxide, tantalum pentoxide and lead monoxide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを構成する元素および／または化合物の少なくとも粒子の表面に、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化ランタン、五酸化タンタルおよび一酸化鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を有することを特徴とするスパッタリングターゲット用沈殿物とする。 - 特許庁

This surge absorber 1 is used by respectively connecting a metallic terminal 3 to the surge voltage generating side and another one metallic terminal 4 to the surge voltage absorbing side, and a surge absorbing element 2 between the metallic terminals 3 and 4 has cloth 21 woven with high insulating fiber and a metallic layer 22 by sticking metal to the surface of the cloth 21 by sputtering.例文帳に追加

サージアブソーバ１は、金属端子３をサージ電圧が発生する側に、もう一方の金属端子４をサージ電圧を吸収する側に、それぞれ接続して使用され、金属端子３，４の間のサージ吸収素子２は、絶縁性の高い繊維で織られた布２１と、布２１の表面にスパッタリングによって金属を付着させてなる金属層２２と、を備えている。 - 特許庁

To provide an electron emitting element and its manufacturing method, capable of realizing satisfactory surface flatness of an anodic oxide insulating layer, of realizing enhanced withstand voltage properties, and of stabilizing the trajectories of emitted electrons, and providing an electron source, a photographing device and an image forming device, each using the same and capable of improving the reproducibility (resolution) of information signals to be handled.例文帳に追加

陽極酸化絶縁層について表面の平面性を良好にできて耐圧性も向上でき、放出電子の軌道を安定化でき、これを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置について、扱う情報信号の再現性（解像度）を向上できる電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A solar battery element is formed by using a good-conductivity metallic belt as a base material, laminating the film of microcrystal silicon or noncrystal silicon, and further laminating a transparent electrode, and the electric connection thereof is made by surface-activating a projection on a straight line formed on the base material and a metallic film formed on the transparent electrode and making an inter-metal connection between the both.例文帳に追加

良導電性金属帯を基材として微結晶シリコン及びまたは非結晶シリコンを積層成膜し、さらに透明電極を成膜積層して太陽電池素子とし、その電気的な接続を基材に形成する直線上の小突起と、透明電極上に形成する金属膜を表面活性化手段によって表面活性化し両者を金属間接合する。 - 特許庁

The temperature detecting member in abutment on the surface of the roller coated with the silicone rubber is constituted by disposing a molding 31 of a heat resistant foamed material on the free end side of a metal plate member 32, arranging a thermistor element in the molding and double coating the entire part thereof with an inner layer polyimide film 33 and outer layer 'Teflon (R)' film 34 adhered to each other.例文帳に追加

シリコーンゴムで被覆されたローラの表面に当接する温度検知部材が、金属製の板部材３２の自由端側に耐熱性発泡材料の形成体３１を配設し、その形成体中にサーミスタ素子を配置し、それらを互いに付着した内層ポリイミドフィルム３３と外層テフロン（登録商標）フィルム３４とで全体的に２重に被覆して構成される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a semiconductor light emitting function layer 4, an alloy layer 5 provided at a part on one major surface of the semiconductor light emitting function layer 4 to make ohmic contact therewith, and a high conductivity reflective film 3 bonded to a part of the residual semiconductor light emitting function layer 4 where the contact alloy layer 5 does not exist and the contact alloy layer 5.例文帳に追加

（イ）半導体発光機能層４と、（ロ）半導体発光機能層４の一方の主表面の一部に、半導体発光機能層４とオーミック接触するように設けられたコンタクト用合金層５と、（ハ）コンタクト用合金層５が存在しない半導体発光機能層４の残余の一部及びコンタクト用合金層５に接合された高導電性反射膜３とを備える。 - 特許庁

Each side arm includes a PZT element 435 disposed in the outer front surface of each side arm positioned opposite to the cavity, a lower part 432 positioned near the bottom support arm, and an upper part 433 positioned in an end opposite to the bottom support arm of the lower part, the lower and upper parts being partially separated from each other with a space.例文帳に追加

そして、各サイドアームは、空洞部とは反対側に位置する各サイドアームの外表面に設けられたＰＺＴ素子４３５をそれぞれ有すると共に、隙間をあけて少なくとも一部分が相互に分離された、ボトム支持アーム付近に位置する下側部４３２と、下側部のボトム支持アームとは反対側の端部側に位置する上側部４３３と、をそれぞれ有する。 - 特許庁

This hybrid integrated circuit device 10 is structured to include: a circuit board 12 where a hybrid integrated circuit comprising a conductive pattern 26 and a first power element 18 is incorporated in its upper surface; a sealing resin 30 sealing the hybrid integrated circuit by covering the circuit board 12; and leads 14 fixed to pads consisting of the conductive pattern 26 and extending to the outside.例文帳に追加

本発明の混成集積回路装置１０は、導電パターン２６および第１パワー素子１８から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１２と、回路基板１２を被覆して混成集積回路を封止する封止樹脂３０と、導電パターン２６から成るパッドに固着されて外部に延在するリード１４とを有する構成となっている。 - 特許庁

The aligning device for aligning a plane optical waveguide element and an optical fiber block is provided with a lower plate, a sliding table arranged on the lower plate so as to be horizontally moved, an upper plate fixed on the sliding table, and an optical fiber block fixing jig fixed on a rotating means arranged on the horizontal surface of the upper plate and fixing the optical fiber block.例文帳に追加

平面光導波路素子と光ファイバブロックを整列するための整列装置は、下部プレートと、下部プレート上で水平移動可能に設置されるスライディングテーブルと、スライディングテーブルに固定設置される上部プレートと、上部プレート上の水平面に設置された回動手段上に固定設置され、光ファイバブロックを固定する光ファイバブロック固定ジグと、を備える。 - 特許庁

To provide a highly transparent sealant for an optical semiconductor element capable of being high in heat resistance, light resistance and adhesiveness, not easily causing the sticking of dust and damages since the surface tucking property of a cured object is sufficiently suppressed, suppressing volume reduction due to the volatilization of acid anhydride, and obtaining a highly reliable optical semiconductor device; and to provide the optical semiconductor device.例文帳に追加

透明性が高く、耐熱性、耐光性、及び、密着性に優れるとともに、硬化物の表面タック性が充分に抑制されているためごみの付着や損傷が生じ難く、酸無水物の揮発による体積減少を抑えられ、信頼性の高い光半導体装置を得ることができる光半導体素子用封止剤、並びに、光半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a method of forming a photovoltaic element, which enables the precipitation of a silicon layer 110 on a substrate 103 by contacting the substrate 103 with a supersaturated solution obtained by dissolving a silicone in a metal solvent 109, before the substrate 103 contacts the supersaturated solution, a silicon thin film 107 is formed on the surface of the substrate 103 using a high-frequency plasma CVD method.例文帳に追加

金属溶媒１０９にシリコンを溶解した過飽和溶液に基板１０３を接触させることにより基板１０３上にシリコン層１１０を析出させる光起電力素子の形成方法において、過飽和溶液に基板１０３と接触させる前に、基板１０３表面にシリコン系薄膜１０７を高周波プラズマＣＶＤ法を用いて形成しておく。 - 特許庁

The display element is constituted by charging a medium which changes in optical anisotropy when applied with an electric field between a couple of transparent substrates, and has a signal electrode 14 and a counter electrode 15 for applying the electric field on a surface of one substrate which faces the medium, the signal electrode 14 and counter electrode 15 being put one over the other across an insulating layer are overlapped.例文帳に追加

透明な一対の基板間に、電界を印加することにより光学的異方性が変化する媒質が封入されている表示素子であって、上記基板の一方の媒質と接する表面に、上記電界を印加するための信号電極１４・対向電極１５を有しており、信号電極１４と対向電極１５とが絶縁層を介して重なっている。 - 特許庁

The solar cell element having the antireflection film 5 on one main surface side of the semiconductor substrate 1 is configured so that an intermediate oxide layer 3 and a density transition region 4 containing the main component of the intermediate oxide layer 3 and the main component of the antireflection film 5 are successively provided from the semiconductor substrate 1 between the semiconductor substrate 1 and the antireflection film 5.例文帳に追加

半導体基板１の一主面側に反射防止膜５を有して構成される太陽電池素子であって、半導体基板１及び反射防止膜５の間に、中間酸化物層３と、該中間酸化物層３の主成分と反射防止膜５の主成分とを含有してなる密度遷移領域４とを、半導体基板１から順次有するように構成する。 - 特許庁

To provide an optical element having a film with which a reflection preventing effect with respect to all rays in a wavelength region extending from ultraviolet region to visible ray region is obtainable and reducing influence of rays reflected on the surface, and to provide an ophthalmic lens reducing the light quantity of ultraviolet rays entering the inside of the eyes and protecting the eyes from ultraviolet rays.例文帳に追加

紫外域から可視域にわたる波長領域のすべての光線に対して反射防止効果が得られる膜を有し、表面で反射される光線による影響を低減させることができる光学素子および眼内に侵入する紫外線の光量を低減することができ、目を紫外線から保護することができる眼鏡用レンズを提供すること。 - 特許庁

The organic EL element 100 is provided with an organic light emitting layer 10 between a hole injection electrode 1 and an electron injection electrode 2, wherein the hole injection electrode 1 is provided with a reforming part 20 containing positive elements or rare gases different from the main component elements to constitute the electrode 1 near the surface on the side of the organic light emitting layer 10.例文帳に追加

上記課題を解決する本発明の有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極１と電子注入電極２との間に有機発光層１０を備え、ホール注入電極１は、上記有機発光層１０側の表面付近に、その電極１を構成する主成分の元素とは異なる陽性元素若しくは希ガスを含む改質部２０を有するものである。 - 特許庁

The film preferably comprises aluminum oxide-deposited film where noncrystalline aluminum oxide is deposited on at least one surface of a plastic film, or a silicon compound-deposited film where a continuous layer composed of a compound comprising at least one kind of chemical element selected from carbon, hydrogen, silicon and oxygen, and silicon oxide is formed.例文帳に追加

前記フィルムは、プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に非結晶の酸化アルミニウムが蒸着された酸化アルミニウム蒸着フィルム、またはプラスチックフィルムの少なくとも一方の面に炭素、水素、珪素および酸素の中から選ばれた少なくとも１種の元素と珪素酸化物とからなる化合物の連続層が形成された珪素化合物蒸着フィルムであることが好ましい。 - 特許庁

The electrode for the electrochemical element reversibly absorbing and releasing lithium ions is equipped with a current collector 11 which has a high first projection 13a and a second low projection 13b on at least one surface, and a columnar body 15 formed aslant on the first projection and the second projection of the current collector 11 and containing an active material.例文帳に追加

リチウムイオンを可逆的に吸蔵および放出する電気化学素子用電極であって、少なくとも片面に高さの高い第１凸部１３ａと低い第２凸部１３ｂが形成された集電体１１と、集電体１１の第１凸部１３ａと第２凸部１３ｂ上に斜立して形成された活物質を含む柱状体１５と、を備えた構成を有する。 - 特許庁

When a gas is introduced into a chamber 1 to react the gas therein, thereby treating a wafer surface (not shown) disposed in the chamber 1, a mass analyzer (QMS) 2 is mounted in the chamber 1 to measure the change of a specified element in the chamber 1 by the analyzer 2, thereby controlling the condition of the process.例文帳に追加

気体をチャンバ１内に導入し、そのチャンバ１内で前記気体を反応させることにより、チャンバ１内に配設される図示しないウェハ表面に処理を施す場合に、チャンバ１に質量分析器（ＱＭＳ）２を取り付け、その質量分析器２によりチャンバ１内の特定元素の変化を測定することにより前記プロセスの状態を管理することを特徴とする。 - 特許庁

By adding the transformation temperature lowering element to the bonding surfaces of the metal stocks, the transformation temperature in a vicinity of the bonding surfaces is locally lowered, and the heating temperature for bonding is lowered in the diffusion bonding step, the deformation during the diffusion bonding is limited to a vicinity of the surface, and excellent bonding can be performed while suppressing the deformation of a base material.例文帳に追加

これにより、金属素材の接合表面に変態点低下元素を添加することで接合表面近傍の変態点が局部的に低下するので、拡散接合工程において接合のための加熱温度を低下させるとともに、拡散接合の際の変形を表面近傍に限定し、母材の変形を抑制しつつ良好な接合を行うことができる。 - 特許庁

The element appropriate for extreme ultraviolet ray lithography is constituted by a titania-containing silica glass, which has a titania content in the range of 5-10 mass%, a viscosity reducing dopant having a content in the range of 0.001 to 1 mass%, a polished and formed surface, and a thermal expansion coefficient of 0±3 ppb/°C in a temperature range of 5-35°C.例文帳に追加

超紫外線リソグラフィーに適した光学素子であって、５〜１０質量％の範囲のチタニア含有量、０．００１から１質量％の範囲の含有量を持つ粘度低減ドーパント、研磨され整形された表面、および５〜３５℃の温度範囲において０±３ｐｐｂ／℃の熱膨張係数を有するチタニア含有シリカガラスから構成された光学素子も提供される。 - 特許庁

The manufacturing method of the solar cell element comprises stages of: forming, on one main surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, an opposite conductivity type layer 3 of the opposite conductivity type; forming a conductive layer 7 on the opposite conductivity type layer 3; and melting the conductive layer 7 with heat to electrically connect the conductive layer 7 to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板１の一主面に、逆導電型を呈する逆導電型層３を形成する工程と、逆導電型層３上に導電層７を形成する工程と、導電層７を加熱溶融させ、該導電層７を半導体基板１に導通接続させる工程と、を有する太陽電池素子の製造方法とする。 - 特許庁

The superconducting element includes a conductive member made of conductive material, a coating layer covering the surface thereof and made of insulating material, and many fine nanowires buried in the coating layer and made of superconductive material, the nanowires each having one end electrically connected to the conductive member and the other end buried in the coating layer.例文帳に追加

本発明の超電導素子は、導電性材料からなる導電部材と、この表面を被覆する絶縁性材料からなる被覆層と、この被覆層中に埋め込まれている超導電性材料からなる多数のナノ細線からなり、前記ナノ細線の一端が前記導電部材に電気的に接続され、他端が前記被覆層中に埋没されてなることを特徴とする。 - 特許庁

A sensor element 101 comprising a surface elastic wave resonator having an interdigital electrode and a reflector formed on a piezoelectric substrate, and a vibration sensor 102 comprising an antenna 120 are installed on a measuring object in a measuring domain, and an interrogator 103 for transmitting by radio a carrier wave signal to the vibration sensor 102 and monitoring a reflected wave from the vibration sensor 102 is installed.例文帳に追加

圧電基板上に形成された櫛歯電極及び反射器を有する表面弾性波共振子からなるセンサ素子１０１とアンテナ１２０からなる振動センサ１０２が測定領域内の被測定物に設置されており、さらに振動センサ１０２に搬送波信号を無線送信して振動センサ１０２からの反射波を監視する質問器１０３が設置されている。 - 特許庁

The polarization switching element has at least a pair of transparent substrates having a transparent electrode on each surface thereof, a liquid crystal material arranged between the pair of transparent substrates, a voltage applying means for applying a voltage to the liquid crystal material via the pair of transparent electrodes, and a polarization state detecting means provided in a light-emitting side of the pair of transparent substrates.例文帳に追加

それぞれの表面上に透明電極を有する、一対の透明基板と；該一対の透明基板間に配置された液晶材料と；前記一対の透明電極を介して前記液晶材料に電圧を印加する電圧印加手段と；前記一対の透明基板の光出射側に設けた偏光状態検出手段とを少なくとも有する偏光スイッチング素子。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 110; a trench 136 formed on the semiconductor substrate; and an element isolation 160 filled in the trench and having a wet etching speed which is slow at the wet etching speed near the upper end of the trench as compared with the near of the lower end of the trench, and which is substantially uniform in a plane parallel to the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１０と、半導体基板に形成されたトレンチ１３６と、トレンチの内部に充填され、ウェットエッチング速度がトレンチの下端部近傍よりもトレンチの上端部近傍において遅く尚且つ半導体基板の表面と平行な面内においてはほぼ均一なウェットエッチング速度を有する素子分離部１６０とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic thin film transistor element comprises steps of forming a gate electrode and a gate insulating film on a surface of a substrate, forming on the gate insulating film a layer comprising a precursor of acenes which has at least one radial that can be separated by protonation, and converting the precursor of acenes to acenes by heating the layer to obtain the organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

In an image forming apparatus forming the latent image of a read manuscript on a photosensitive member and developing the same to form an image, a blank exposure unit 80 having a light emitting element array arranged in opposite to the surface of the photosensitive member is used to process the latent image of the graph region corresponding to solid black to perform the printing output of the residual life data of a principal part.例文帳に追加

読み取られた原稿の潜像を感光体上に形成し、これを現像して画像を形成する画像形成装置において、感光体の表面に対向して配置された発光素子アレイを有するブランク露光ユニット８０を用いて、ベタ黒に対応するグラフ領域の潜像を加工することにより、主要部品の余寿命の情報を印刷出力する。 - 特許庁

The organic EL element has a transparent electrode 12 formed of a transparent electrode material such as ITO or SnO2 on the surface of a transparent substrate 10 such as glass, quartz, or resin, a light emitting layer 16 made of an organic EL material, and back plates 18, 20 made of Al or Li stacked on the light emitting layer 16 and facing the transparent electrode 12.例文帳に追加

ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の表面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１２と、透明電極１２に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層１６と、この発光層１６に積層され、透明電極１２に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ等からなる背面電極１８，２０とを備える。 - 特許庁

A liquid crystal member 24 of an in-finder display element 9 is provided with: display parts 30A to 30C comprising refractive index isotropic region layers 241 and refractive index anisotropic region layers 242 alternately arranged along a substrate surface; and the non-display parts 24A where high molecular monomer having refractive index isotropy and liquid crystal having refractive index anisotropy are mixed in a uncured state.例文帳に追加

ファインダ内表示素子９の液晶部材２４には、基板面に沿う方向に交互に配置された屈折率等方性領域層２４１および屈折率異方性領域層２４２から成る表示部３０Ａ〜３０Ｃと、屈折率等方性を有する高分子モノマーと屈折率異方性を有する液晶とが未硬化の状態で混合された非表示部２４Ａとが設けられている。 - 特許庁

To improve the light emitting efficiency of an upper surface light emission type organic electroluminescent element by adopting an anode of a multi-layer structure composed of a hole injection electrode layer and a reflection film layer, injecting a hole into the organic layer from the hole injection electrode layer, and reflecting light produced by a luminous layer in the direction of a cathode by the reflection film layer having high reflectance.例文帳に追加

ホール注入電極層と反射膜層とからなる多層構造のアノードを上面発光型の有機電界発光素子に採用し，ホール注入電極層が有機層へホールの注入を行うと同時に，高い反射率を有する反射膜層が発光層にて生成された光をカソード方向に反射することにより，有機電界発光素子の発光効率を高める。 - 特許庁

A first optical element OD1 provided on one outer surface of a liquid crystal display panel LPN containing homogeneous aligned liquid crystal molecules includes: a first sheet polarizer 51; a first retardation film RF1 in which nematic liquid crystal molecules are hybrid-aligned along the normal direction in the liquid crystal state and solidified; and a second retardation film RF2 having biaxial refractive index anisotropy.例文帳に追加

ホモジニアス配向した液晶分子を含む液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面に設けられた第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光板５１、ネマティック液晶分子を液晶状態において法線方向に沿ってハイブリッド配向した状態で固定化させた第１位相差板ＲＦ１、２軸の屈折率異方性を有する第２位相差板ＲＦ２を含む。 - 特許庁

The electron emission element being operated by applying voltage between electrodes is provided with an electron gun which is formed at a fixed pitch on the surface of an aluminum substrate as a lower electrode and is made of a columnar body of alumina having a sharp pattern shape as a pointed head shape, an insulation partition formed to surround the electron gun, and a gate electrode formed above the insulation partition.例文帳に追加

下部電極であるアルミニウム基材表面に一定ピッチで形成された、先端形状が尖鋭型形状を有するアルミナの柱状体からなる電子銃と、該電子銃を囲むように形成された絶縁隔壁、および該絶縁隔壁上部に形成されたゲート電極からなり、電極間に電圧を印加することにより作動させることを特徴とする電子放出素子。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a printed circuit board including a conductive pattern formed on at least one surface of the printed circuit board, external connection terminals which include at least one ground terminal and are coupled to the conductive pattern, and an electrostatic discharge protection pattern which is coupled to a first ground terminal of at least one ground terminal and not coupled to the conductive pattern.例文帳に追加

半導体素子は、印刷回路基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンを有する印刷回路基板と、導電性パターンと接続され少なくとも一つの接地端子を含む外部接続端子と、少なくとも一つの接地端子の第１接地端子と接続され導電性パターンとは接続されていない静電気放電保護パターンとを備える。 - 特許庁

In the piezoelectric ceramic for the piezoelectric actuator for finely driving a magnetic recording head supported by an arm by the piezoelectric ceramic, a gas containing CO_2 is contained inside the closed air hole of the piezoelectric ceramic for less than 40 mass ppm to a sintered compact mass by carbon element conversion, and surface roughness is 0.5μm or less by center line average roughness Ra.例文帳に追加

アームにより支持された磁気記録ヘッドを圧電セラミックスにより微少駆動させる圧電アクチュエータ用圧電セラミックスにおいて、前記圧電セラミックスの閉気孔内にＣＯ_２を含む気体が焼結体質量に対して炭素元素換算で４０質量ｐｐｍ未満含有されており、かつ、その表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．５μｍ以下である圧電アクチュエータ用圧電セラミックスとする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element of an upper surface light-emitting type, which has a multilayered anode composed of an hole injection electrode layer and a reflective film layer, in which a luminous efficiency is enhanced by reflecting light generated in a light emission layer by the reflective film layer having a high reflection factor as soon as the hole injection electrode layer injects holes.例文帳に追加

ホール注入電極層と反射膜層とからなる多層構造のアノードを上面発光型の有機電界発光素子に採用し，ホール注入電極層が有機層へホールの注入を行うと同時に，高い反射率を有する反射膜層が発光層にて生成された光をカソード方向に反射することにより，有機電界発光素子の発光効率を高める。 - 特許庁

To avoid a solid electrolyte layer from being formed in the portion of an anode wire 2, when forming the solid electrolyte layer made of manganese dioxide to an anode chip body 1, in a capacitor element comprising the anode chip body 1 made of the sintered powder of a valve action metal and the anode wire 2 protruding from an end surface 1a of the anode chip body.例文帳に追加

弁作用金属の粉末を焼結した陽極チップ体１と、この陽極チップ体における一端面１ａから突出する陽極ワイヤ２とから成るコンデンサ素子において、前記陽極チップ体１に対して二酸化マンガンによる固体電解質層を形成するに際して、前記陽極ワイヤ２の部分に固体電解質層が形成されるのを回避する。 - 特許庁

The element substrate 10 of the electro-optical device 100 uses a semiconductor substrate 11 formed of a single crystal silicon substrate as the main substrate and forms a first gate electrode 11a of a pixel transistor 30 in a back gate structure and the first electrode 11b of a holding capacitor 60 simultaneously, by introducing impurities into the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。 - 特許庁

The light emitting element 1 comprises a silicon substrate 5, a metal compound region 6 formed on a region including the surface of the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 7 formed on the metal compound region 6, a reaction source supply layer 8 formed on the aluminum nitride layer 7 and containing gallium and indium, and a light emitting function layer formed on the reaction source supply layer 8.例文帳に追加

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５の表面を含む領域に形成された金属化合物領域６と、金属化合物領域６上に形成された窒化アルミニウム層７と、窒化アルミニウム層７上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層８と、反応源供給層８上に形成された発光機能層９とを備えている。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、ＡｌＡｓ層と、ＩＩＩ族元素であるＸを含むＸＡｓ層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁

The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3.例文帳に追加

圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting element comprises a first process of preparing a substrate on the surface of which, a first conductive film and a second conductive film are arranged with a certain distance, a second process applying an termination treatment to the first conductive film and the second conductive film by hydrogen through carbon, and a third process removing hydrogen terminating the second conductive film.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法であって、第１導電膜と第２導電膜とが、その表面上に間隔を置いて配置された基板を用意する第１工程と、前記第１導電膜および第２導電膜に、炭素を介した水素による終端処理を行う第２工程と、前記第２の導電膜を終端する水素を除く第３工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the capacitor, which is equipped with the capacitor element 1 having the internal electrode 11 formed in it and the externally connecting electrode electrically connected to the internal electrode 11, includes a laser beam radiation process for radiating a laser beam on a surface of the internal electrode 11 and an electrode connecting process for connecting the internal electrode 11 and the externally connecting electrode.例文帳に追加

内部電極１１が形成されたコンデンサ素子１と、内部電極１１に導通接続された外部接続用電極と、を備えたコンデンサを製造する方法において、内部電極１１の表面にレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、内部電極１１と外部接続用電極との間を接続する電極接続工程と、を含めた。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar battery element having a diffusion layer 2 and an anti-reflection layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 removes a damage layer 11 by performing chemical treatment after forming on the semiconductor layer 1 the damage layer 11 penetrating the anti-reflection layer 3 by performing physical processing above the anti-reflection film 3.例文帳に追加

半導体基板１の表面に、拡散層２と反射防止膜３を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜３上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板１に前記反射防止膜３を貫通したダメージ層１１を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層１１を除去することを特徴とする。 - 特許庁

If used in a harsh environment such as in a higher temperature state than usual, the lead section 63 on the surface of the detection element 3 adheres to the second packing 27 to constrain exfoliation, thus preventing damage on conduction of the lead section 63.例文帳に追加

つまり、酸素センサ１では、検出素子３の鍔部２９に当接する第２パッキン２７として、その当接面にＣｒからなる金属層６９を備えているので、従来より高温の状態などの過酷な環境で使用した場合でも、検出素子３の表面のリード部６３が第２パッキン２７側に固着して剥離することを抑制でき、よって、リード部６３における導通が損なわれることを抑制できる。 - 特許庁