「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(364ページ目) - Weblio英語例文検索

The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3.例文帳に追加

圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。 - 特許庁

The polyester film for antireflection film has a coating layer provided by applying a coating agent including an organic compound having metal element and an aqueous urethane resin at least on one surface of polyester film which is stretched at least in uniaxial direction and drying the applied coating agent, wherein the absolute reflectivity with respect to an arbitrary wavelength of wavelength 400 to 800 nm is 4.0% or more.例文帳に追加

少なくとも一軸方向に延伸されたポリエステルフィルムの少なくとも片面に、金属元素を有する有機化合物と水性ウレタン樹脂とを含有する塗布剤を塗布し、乾燥させることにより設けられた塗布層を有し、波長４００〜８００ｎｍの任意の波長に対して絶対反射率が４．０％以上であることを特徴とする反射防止フィルム用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

This ceramic substrate for semiconductor production and inspection device is provided with a resistance heating element comprising one or more than two circuits having terminals on both ends of the circuit in the inside or the surface of the ceramic substrate, and the line width adjacent to the terminals on both ends of at least one circuit is larger than those of the other circuits.例文帳に追加

セラミック基板の内部または表面に、その両端に端子部を有する１または２以上の回路からなる抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、少なくとも１の回路両端の端子部近傍の線幅は、それ以外の部分の回路の線幅より太いことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。 - 特許庁

In a substrate for a solar battery, the square average value Ra of roughness height on a surface coming into contact with a photoelectric conversion layer is ≤70 nm, especially an active layer of at least one photoelectric conversion element consists of non-monocrystal silicon or non-monocrystal silicon alloy and the photoelectric conversion layer is formed by laminating a plurality of unit cells.例文帳に追加

光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下である太陽電池用基板、特にそのうち、少なくとも１つの光電変換素子における活性層が非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金であるとか、光電変換層が単位セルを複数個積層して形成された太陽電池用基板などを提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element has a semiconductor film, containing a composite semiconductor obtained by coating a shell having a thickness of less than 1 nm and made on a surface of a core formed of a crystalline n-type semiconductor with any of an insulator and the n-type semiconductor, having a conduction band level higher than that of the n-type semiconductor for forming the core on a conductive support.例文帳に追加

結晶性ｎ型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するｎ型半導体より高い伝導帯準位を有するｎ型半導体のいずれかからなる厚さ１ｎｍ未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。 - 特許庁

This circuit has at least one electric constitutional element, in particular a strain-sensitive resistance, and conductor tracks, the tracks are provided in a metal-made carrier having an intermediate position of at least one insulation layer, and at least the one conductor track connected to at least the one another conductor track in the circuit is provided in a surface of the metal-made carrier.例文帳に追加

電気回路は、少なくとも１つの電気構成要素、殊に歪感応抵抗、及び、導体トラックを有しており、該導体トラックは、少なくとも１つの絶縁層の中間位置を有する金属製坦体に設けられており、回路の少なくとも１つの導体トラックに接続されている、少なくとも１つの別の導電トラックが、金属製坦体の表面に設けられている。 - 特許庁

Alternatively, the element 5 is provided with a semiconductor multilayer structure including a light emitting layer 18 for emitting a light, and a nitride aluminum layer 12 provided on the surface of the semiconductor multilayer structure, wherein an unevenness consisting of a plurality of convex portions including the layer 12 and a plurality of concave portions entering into the inside of the semiconductor multilayer structure is formed.例文帳に追加

または、光を放出する発光層１８を含む半導体多層構造と、前記半導体多層構造の表面に設けられた窒化アルミニウム層１２と、を備え、前記窒化アルミニウム層１２を含む複数の凸部と、前記半導体多層構造の内部に侵入した複数の凹部と、からなる凹凸が形成されたことを特徴とする半導体発光素子５を提供する。 - 特許庁

Furthermore, inlets 31 and 31 of the valve element refrigerant passage 30 oppose each other separated by a space on the wall surface of a valve chamber 11 in a housing 10.例文帳に追加

さらに、弁体冷媒通路３０の入口３１，３１がハウジング１０の弁室１１の壁面に空間を空けて対向し、かつ、弁体冷媒通路３０の出口３２がハウジング１０の出口１３に対向しているため、ハウジング１０の入口１２、出口１３と、弁体２０の弁体冷媒通路３０の入口３１，３１、出口３２との間の圧損が殆どなくて、冷媒流動音等の騒音の発生を防止できる。 - 特許庁

There is provided a thermoelectric element module 1 in which an n-type semiconductor 2 and a p-type semiconductor 3 are alternately connected by electrodes 4, 5 at ends of the semiconductors 2, 3 so as to be electrically in series, characterized in that the electrode 4 at the elevated temperature side contacts with the semiconductors 2, 3 through a plurality of contact projections 6 provided on a front surface of the electrode 4.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型の半導体２，３がそれら端部で電極４，５によって電気的に直列となるよう交互に接続された熱電素子モジュール１において、高温となる側の電極４が、電極４の表面に設けられた複数の接触突起部６を介してこれら半導体２，３と接触していることを特徴とする熱電素子モジュール１を提供する。 - 特許庁

In this liquid crystal optical measuring device wherein a camera objective lens, a front side relay lens, the LCTF, a rear side relay lens, and a CCD detection element are arranged in the passing order of incident light, the one surface end of the LCTF is mounted on the end of a mounting cylinder, and a means for transferring motor drive to the LCTF through the mounting cylinder is provided.例文帳に追加

本発明の液晶光学計測装置は、カメラ対物レンズ、前側リレーレンズ、ＬＣＴＦ、後側リレーレンズおよびＣＣＤ検出素子を入射光の通過順に配置してなるものにおいて、前記ＬＣＴＦの片面端部を装着用円筒の端部に取り付けると共に、該装着用円筒を介してモータ駆動を前記ＬＣＴＦに伝達する手段を備えるようにした。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a printed circuit board including a conductive pattern formed on at least one surface of the printed circuit board, external connection terminals which include at least one ground terminal and are coupled to the conductive pattern, and an electrostatic discharge protection pattern which is coupled to a first ground terminal of at least one ground terminal and not coupled to the conductive pattern.例文帳に追加

半導体素子は、印刷回路基板の少なくとも一面に形成された導電性パターンを有する印刷回路基板と、導電性パターンと接続され少なくとも一つの接地端子を含む外部接続端子と、少なくとも一つの接地端子の第１接地端子と接続され導電性パターンとは接続されていない静電気放電保護パターンとを備える。 - 特許庁

In the piezoelectric ceramic for the piezoelectric actuator for finely driving a magnetic recording head supported by an arm by the piezoelectric ceramic, a gas containing CO_2 is contained inside the closed air hole of the piezoelectric ceramic for less than 40 mass ppm to a sintered compact mass by carbon element conversion, and surface roughness is 0.5μm or less by center line average roughness Ra.例文帳に追加

アームにより支持された磁気記録ヘッドを圧電セラミックスにより微少駆動させる圧電アクチュエータ用圧電セラミックスにおいて、前記圧電セラミックスの閉気孔内にＣＯ_２を含む気体が焼結体質量に対して炭素元素換算で４０質量ｐｐｍ未満含有されており、かつ、その表面粗さが中心線平均粗さＲａで０．５μｍ以下である圧電アクチュエータ用圧電セラミックスとする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element of an upper surface light-emitting type, which has a multilayered anode composed of an hole injection electrode layer and a reflective film layer, in which a luminous efficiency is enhanced by reflecting light generated in a light emission layer by the reflective film layer having a high reflection factor as soon as the hole injection electrode layer injects holes.例文帳に追加

ホール注入電極層と反射膜層とからなる多層構造のアノードを上面発光型の有機電界発光素子に採用し，ホール注入電極層が有機層へホールの注入を行うと同時に，高い反射率を有する反射膜層が発光層にて生成された光をカソード方向に反射することにより，有機電界発光素子の発光効率を高める。 - 特許庁

To avoid a solid electrolyte layer from being formed in the portion of an anode wire 2, when forming the solid electrolyte layer made of manganese dioxide to an anode chip body 1, in a capacitor element comprising the anode chip body 1 made of the sintered powder of a valve action metal and the anode wire 2 protruding from an end surface 1a of the anode chip body.例文帳に追加

弁作用金属の粉末を焼結した陽極チップ体１と、この陽極チップ体における一端面１ａから突出する陽極ワイヤ２とから成るコンデンサ素子において、前記陽極チップ体１に対して二酸化マンガンによる固体電解質層を形成するに際して、前記陽極ワイヤ２の部分に固体電解質層が形成されるのを回避する。 - 特許庁

The element substrate 10 of the electro-optical device 100 uses a semiconductor substrate 11 formed of a single crystal silicon substrate as the main substrate and forms a first gate electrode 11a of a pixel transistor 30 in a back gate structure and the first electrode 11b of a holding capacitor 60 simultaneously, by introducing impurities into the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。 - 特許庁

The light emitting element 1 comprises a silicon substrate 5, a metal compound region 6 formed on a region including the surface of the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 7 formed on the metal compound region 6, a reaction source supply layer 8 formed on the aluminum nitride layer 7 and containing gallium and indium, and a light emitting function layer formed on the reaction source supply layer 8.例文帳に追加

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５の表面を含む領域に形成された金属化合物領域６と、金属化合物領域６上に形成された窒化アルミニウム層７と、窒化アルミニウム層７上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層８と、反応源供給層８上に形成された発光機能層９とを備えている。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加

選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、ＡｌＡｓ層と、ＩＩＩ族元素であるＸを含むＸＡｓ層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting element comprises a first process of preparing a substrate on the surface of which, a first conductive film and a second conductive film are arranged with a certain distance, a second process applying an termination treatment to the first conductive film and the second conductive film by hydrogen through carbon, and a third process removing hydrogen terminating the second conductive film.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法であって、第１導電膜と第２導電膜とが、その表面上に間隔を置いて配置された基板を用意する第１工程と、前記第１導電膜および第２導電膜に、炭素を介した水素による終端処理を行う第２工程と、前記第２の導電膜を終端する水素を除く第３工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the capacitor, which is equipped with the capacitor element 1 having the internal electrode 11 formed in it and the externally connecting electrode electrically connected to the internal electrode 11, includes a laser beam radiation process for radiating a laser beam on a surface of the internal electrode 11 and an electrode connecting process for connecting the internal electrode 11 and the externally connecting electrode.例文帳に追加

内部電極１１が形成されたコンデンサ素子１と、内部電極１１に導通接続された外部接続用電極と、を備えたコンデンサを製造する方法において、内部電極１１の表面にレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、内部電極１１と外部接続用電極との間を接続する電極接続工程と、を含めた。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar battery element having a diffusion layer 2 and an anti-reflection layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 removes a damage layer 11 by performing chemical treatment after forming on the semiconductor layer 1 the damage layer 11 penetrating the anti-reflection layer 3 by performing physical processing above the anti-reflection film 3.例文帳に追加

半導体基板１の表面に、拡散層２と反射防止膜３を有する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜３上から物理的処理を施すことによって、前記半導体基板１に前記反射防止膜３を貫通したダメージ層１１を形成した後に、化学的処理を施すことによって前記ダメージ層１１を除去することを特徴とする。 - 特許庁

If used in a harsh environment such as in a higher temperature state than usual, the lead section 63 on the surface of the detection element 3 adheres to the second packing 27 to constrain exfoliation, thus preventing damage on conduction of the lead section 63.例文帳に追加

つまり、酸素センサ１では、検出素子３の鍔部２９に当接する第２パッキン２７として、その当接面にＣｒからなる金属層６９を備えているので、従来より高温の状態などの過酷な環境で使用した場合でも、検出素子３の表面のリード部６３が第２パッキン２７側に固着して剥離することを抑制でき、よって、リード部６３における導通が損なわれることを抑制できる。 - 特許庁

The diffractive optical element 1 is provided with an index 3 linearly extended along the grating direction of the diffraction grating and consisting of a deformed part selected from a projected or recessed shape of which a cross section vertical to the grating direction is different from the surface shape of a diffraction grating forming face 1b, a plane shape and a shape having a level difference part.例文帳に追加

本発明の回折光学素子１は、回折格子の格子方向に沿って線状に延在するとともに、格子方向に垂直な断面が回折格子形成面１ｂに対してその面形状とは異形な突出若しくは陥入した形状、平面形状、又は段差部を有する形状から選ばれる異形部分からなる指標３を備えたことを特徴とするものである。 - 特許庁

After a poly-Si layer 4 is located on a silicon substrate 1 including an upper surface of a field-oxide film 3, the poly-Si layer 4 is patterned, thereby, the poly-Si layer 4a remains in a region constituting a gate electrode in a MOSFET-formed region and a poly-Si layer 4b also remains in a poly-Si resistive-element-formed region.例文帳に追加

フィールド酸化膜３の上を含むシリコン基板１の上にＰｏｌｙ−Ｓｉ層４を配置したのち、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４をパターニングすることで、ＭＯＳＦＥＴ形成領域のうちゲート電極を構成する領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａを残すと共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗体形成領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂを残す。 - 特許庁

A design matrix for the set of a plurality of light sources is formed, the image histogram of image element color coordinates related to color coordinates distribution under a light source being a candidate is created, a plurality of match scores are determined for a plurality of candidate light sources, and a point corresponding to data for indicating the probability of a light source on an image is determined on a surface for presuming the light source.例文帳に追加

複数の光源の集合についてのデザインマトリックスを形成し、候補となる光源下での色座標分布に関連づけられた画像要素色座標の画像ヒストグラムを作成し、複数の候補となる光源についての複数のマッチスコアを決定し、画像上の光源である可能性を示すデータに対応する点を面上に決定して光源を推定する。 - 特許庁

This organic EL element is provided with: transparent electrodes 18 formed on the surface of a transparent substrate 10 of glass, quartz or resin with a transparent electrode material such as ITO or SnO2; a luminescent layer 20 laminated on the transparent electrodes 18 and formed of an EL material; and back electrodes 22 laminated on the luminescent layer 20, and formed oppositely to the transparent electrodes 18 with Al, Li, Cs, etc.例文帳に追加

ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の表面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１８と、透明電極１８に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電極１８に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ等からなる背面電極２２とを備える。 - 特許庁

This element is provided with a core body made of nonconductive material, an internal conductor obtained by winding a conductor on this core body with intervals provided between adjacent lines, a magnetic body surrounding the outside of the internal conductor and consisting of a composite material including ferromagnetic metallic fine powder and insulation resin, a dielectric surrounding the outside of the magnetic body and an external conductor formed on the surface of the dielectric.例文帳に追加

非導電性材料による芯体と、この芯体に隣接線間に間隔を設けて導線を巻き付けてなる内部導体と、内部導体の外側を囲んでおり、強磁性金属微細粉及び絶縁樹脂を含む複合材料からなる磁性体と、磁性体の外側を囲む誘電体と、誘電体の表面に形成された外部導体とを備えている。 - 特許庁

An element comprising the substrate-protein complex for capturing the target substance is obtained by combining a first domain which has a binding site to the target substance and a second domain which has a binding site to an inhibitor of non-specific adsorption, so as to form a binding protein molecule, and then binding the molecule to the inhibitor of non-specific adsorption arranged on a surface of a substrate through the second domain.例文帳に追加

標的物質に対する結合部位を有する第１のドメインと、非特異吸着抑制剤に対する結合部位を有する第２のドメインを組み合わせて結合性タンパク分子を形成し、基体表面に配置した非特異吸着抑制剤に対して第２のドメインを介してこれを結合することで、標的物質捕捉用の基体−タンパク質複合体からなる素子を得る。 - 特許庁

Since the lower portion of the tubular pressurization chamber 2 is made planar by the surface of a base plate 1, a plurality of tubular pressurization chambers 2 can be made collectively with high density by forming a columnar shape on the base plate 1 by photolithography technology, forming a metal layer 4 and an underlying layer 5 thereon, and forming the piezoelectric element layer 7 further thereon by vacuum deposition.例文帳に追加

筒状加圧室２の下部は、ベースプレート１の表面による平面部となっているため、ベースプレート１上にフォトリソグラフィー技術によって柱状型を形成し、その上に金属層４や下地層５を積層し、さらに圧電素子層７を真空成膜等によって積層することによって、複数の筒状加圧室２を高密度に一括して製作することができる。 - 特許庁

The semiconductor chip 31 includes a semiconductor substrate 2, on which a function device 3 is formed, polymer 32 arranged so as to embed inside of a through hole 4 having an opening on a surface of the semiconductor substrate 2, and bump electrode 14 formed on the polymer 32 and provided at a portion of wiring layers 35 and 34 electrically connected with the function element 3 thereon.例文帳に追加

この半導体チップ３１は、機能素子３が形成された半導体基板２と、半導体基板２の一方表面に開口を有する貫通孔４の内部を埋めるように配置されたポリマー３２と、ポリマー３２上に形成され、機能素子３に電気接続された配線層３５と、配線層３４のうちポリマー３２上にある部分に設けられた突起電極１４とを含む。 - 特許庁

A wash element 18 for washing one or more reusable fluid manipulators comprises: at least one nozzle for connection to a fluid pump to generate a fluid jet; and at least one deflector surface positioned to deflect the fluid jet toward a washing zone 33 for receiving at least a portion of a fluid manipulator 3.例文帳に追加

流体噴流を生成する流体ポンプに接続するための少なくとも１つのノズルと、流体マニピュレータ３の少なくとも一部が入る洗浄域３３に向かって流体噴流を偏向するよう位置付けられた少なくとも１つの偏向板表面を含む１または２以上の再利用可能な流体マニピュレータを洗浄するための洗浄要素１８とする。 - 特許庁

A hybrid integrated circuit device 10 includes a circuit board 12 in which a hybrid integrated circuit made of a semiconductor element 28A and the like and bonded to a heat spreader 30A is built in an upper surface, a sealing resin 44 for sealing the hybrid integrated circuit by covering the circuit board 12, and a lead 14 which is bonded to a pad of a conductive pattern 20 and extended outside.例文帳に追加

本発明の混成集積回路装置１０は、ヒートスプレッダー３０Ａに固着された半導体素子２８Ａ等から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１２と、回路基板１２を被覆して混成集積回路を封止する封止樹脂４４と、導電パターン２０から成るパッドに固着されて外部に延在するリード１４とを有する構成となっている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

On the ceramic substrate for semiconductor manufacturing/ inspecting devices where a resistance electric heating element consisting of one or at least two circuits is buried inside the ceramic substrate, a cushioning material is provided on the bottom surface of the ceramic substrate for connecting to the conductive wire, and at the same time the conductive wire is electrically connected to the circuit.例文帳に追加

セラミック基板の内部に、１または２以上の回路からなる抵抗発熱体が埋設されてなる半導体製造・検査装置用セラミック基板において、前記セラミック基板の底面に緩衝材が配設されて、前記緩衝材に導電線が接続され、かつ、前記導電線は、前記回路と電気的に接続されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。 - 特許庁

In a laminated piezoelectric element which laminates a plurality of unit laminates 11, formed by alternately laminating ceramic layers 12 and internal electrode layers 21 and 22 and has a ceramic laminate 10 formed, by adhering unit laminates 11 to each other by adhesive layers 3, a surface roughness of the ceramic layers holding the adhesive layer 3 is Rz of 1.5 μm or larger.例文帳に追加

セラミック層１２と内部電極層２１，２２とを交互に積層してなるユニット積層体１１を複数積み重ねると共にユニット積層体間１１を接着剤層３により接着してなるセラミック積層体１０を有する積層型圧電体素子において，接着剤層３を挟む上記セラミック層の表面の面粗さは，Ｒｚが１．５μｍ以上である。 - 特許庁

An ore powder layer 12 formed of one or both of tourmaline ore powder and natural radioactive ore powder is made to appear on the surface of the charcoal formed body 11 to manufacture a compound formed body 10, and then the compound formed body 10 is integrated with a heating means 40 composed of a ceramic formed body 41 and an electric resistance heating element 42.例文帳に追加

前記炭成型体１１の表面にトルマリン鉱石粉末又は天然放射性鉱石粉末のいずれか一方もしくは両方からなる鉱石粉末層１２を現出させることにより複合成型体１０を製造した後、前記複合成型体１０をセラミック成型体４１と電気抵抗発熱体４２からなる発熱手段４０に一体化する。 - 特許庁

To provide a water borne dispersing element for chemical mechanical polishing that prevents scratches even on an object to be polished having an insulation film of small mechanical strength, can polish with high efficiency both a copper film and a barrier metal film, and can sufficiently flatten an insulation film without excessively polishing the film to provide a highly precise finished surface, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

機械的強度が小さい絶縁膜を有する被研磨物に対してもスクラッチが抑制され、銅膜とバリアメタル膜の両方を高い効率で研磨することができ、絶縁膜が過度に研磨されず、十分に平坦化されて精度の高い仕上げ面が得られる化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device 1a includes a support substrate 10, a plurality of wiring lines 12 disposed selectively on the principal surface of the support substrate 10, semiconductor elements 20a and 20b mounted on the support substrate 10, a semiconductor element 21 which controls at least one of those semiconductor elements 20a and 20b, and a wiring support base 30 where a plurality of conductive patterns 40 are selectively disposed.例文帳に追加

半導体装置１ａは、支持基板１０と、支持基板１０の主面に選択的に配置された複数の配線１２と、支持基板１０上に搭載された半導体素子２０ａ，２０ｂと、これらの半導体素子２０ａ，２０ｂの少なくとも一つを制御する半導体素子２１と、複数の導電性パターン４０を選択的に配置した配線支持基材３０と、を有している。 - 特許庁

The film for an EL element has a film existing on a surface of a polymer film, and the film is formed of an inorganic polymer containing silicon, nitride, hydrogen, and oxide, and a film superimposed on the inorganic polymer film includes an organic and inorganic hybrid chemical structure of an organic skeleton at least containing a fluorine group, a siloxane group, and an organic polymer chain, and an inorganic skeleton.例文帳に追加

高分子フィルムの表面に存在する被膜を有するＥＬ素子用フィルムであって、前記被膜がシリコン、窒素、水素、酸素からなる無機ポリマーからなり、この無機ポリマー被膜の上に重ねられる被膜は、少なくともフッ素基、シロキサン基、有機高分子鎖からなる有機骨格部と無機骨格部の有機無機ハイブリッド化学構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

The electroluminescent element is equipped with a first electrode and a second electrode arranged to face each other at a regular interval, an inorganic light-emitting layer formed between the first electrode and the second electrode, a dielectric layer formed on an inside face of the second electrode, and a field emission layer consisting of a nano-rod and formed at least on one surface of the inorganic light-emitting layer.例文帳に追加

一定の間隔で互いに対向するように配置された第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された無機発光層と、前記第２電極の内面に形成された誘電体層と、前記無機発光層の少なくとも一方の面に形成された、ナノロッドからなる電界放出層と、を具備する電界発光素子である。 - 特許庁

To provide electronic parts with a high reliability which prevent plating liquid from passing through an external electrode and from penetrating into a ceramic element and prevent humidity in an outside environment from inwardly penetrating, and which don't produce any solder sticking failure and any solder splitting failure resulting from the fact that a glass component deposits on a front surface of the external electrode, and to provide a method of manufacturing the electronic parts.例文帳に追加

めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したり、外部環境の湿気が内部に浸入したりすることを防止するとともに、ガラス成分が外部電極の表面に析出して、はんだ付き性不良やはんだ爆ぜ不良を生じたりすることがなく、信頼性の高い電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

A well 10 is formed in an element region by doping impurity ion to a silicon wafer 1 having the surface orientation (100) in the doping depth of 0.5 to 1 μm from the direction inclined by 7° from the vertical axis for the silicon wafer 1, and rotated by 27° from the center of notch or orientation flat when the center of the silicon wafer 1 is set as the rotating axis.例文帳に追加

面方位が（１００）であるシリコンウェハ１に対して、シリコンウェハ１に対して垂直な軸から７°傾けた方向であり、かつシリコンウェハ１の中心を回転軸とした場合にノッチ又はオリフラの中心から２７°回転させた方向から、注入深さが０．５〜１μｍとなるように不純物イオンを注入することにより、素子領域にウェル１０を形成する。 - 特許庁

To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.例文帳に追加

水晶振動子表面にＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをＡｕバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたＮｉ膜、Ａｇ膜とＮｉ膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁

The detection element comprises a silicon membrane 1 provided with a cantilever beam 11; the superconducting closed circuit 3 formed in a surface or the inside of the cantilever beam 11; a Josephson junction 4 inserted in the closed circuit 3; and a property change detection means for detecting deformation of the cantilever beam 11 on the basis of changes in a maximum superconducting current which can be made to flow through the superconducting closed circuit 3.例文帳に追加

検出素子は、片持ち梁１１を備えたシリコン薄膜１と、片持ち梁１１の表面あるいは内部に形成された超伝導体閉回路３と、閉回路３に挿入されたジョセフソン接合４と、片持ち梁１１の変形を、超伝導体閉回路３に流すことができる最大超伝導電流の変化を通じて検出する物性変化検出手段とを有する。 - 特許庁

On one wide-width surface 4a between top and reverse surfaces of the belt-like flexible wiring material 4, an output electrode for connection with the electric load 32 is formed, in a region opposed to the electric load and a connection electrode for mounting the circuit element 50 is formed in a region of the flexible wiring material 4, where a conductor is led out of the electric load 32.例文帳に追加

帯状のフレキシブル配線材４の表裏のうちの一方の広幅面４ａでは、電気的負荷と対向する領域に、電気的負荷３２と接続するための出力用電極が形成されるとともに、フレキシブル配線材４における電気的負荷３２から導線が引き出されている領域に、回路素子５０を実装するための接続用電極が形成されている。 - 特許庁