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surface elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18429件
A contact face of the protruding part 24a protruding from a specified switch 22a of which the distance from the semiconductor element 30 in a surface direction of the substrate 20 is within a prescribed range and a key mat 40 has a smaller area compared with the contact face of the protruding part 24b protruded from an unspecified switch 22b except the specified switch 22a with the key mat 40.例文帳に追加
基板20の面方向における半導体素子30からの距離が所定範囲内にある特定スイッチ22aから突出する突起部24aとキーマット40との接触面は、特定スイッチ22a以外の非特定スイッチ22bから突出する突起部24bとキーマット40との接触面に比べて面積が小さい。 - 特許庁
When jumping the focusing from a spot 41 on a signal recording layer L1 to a spot 43 on a signal recording layer L0, this pickup device always sets up the power of the liquid crystal element 25 producing discrete power aberration so as to set the spot like a spot 42 outside a ±5 μm margin from a desired location L0 on a light incident disk surface side 45.例文帳に追加
信号記録層L1上のスポット41を、信号記録層L0上のスポット43にフォーカスジャンプさせるとき、離散的なパワー収差を発生させる液晶素子25のパワー発生量を、スポット42のようにジャンプ先であるL0の位置から±5μmのマージン外、光が入射するディスク表面側45の領域に常に位置するよう設定する。 - 特許庁
The center absorption element 10 is in a structure that a center absorption sheet 11 is covered with a center surface sheet 12, a plurality of projected line raised parts 25 are formed on the center absorption sheet 11, and a size in the lateral direction of the bottom part of a longitudinal guide groove 31 is larger than the size in a longitudinal direction of the bottom part of a lateral guide groove 32.例文帳に追加
中央吸収要素10は、中央吸収シート11が中央表面シート12で覆われた構造であり、前記中央吸収シート11には、複数の凸条の隆起部25が形成され、縦案内溝31の底部の横方向への大きさが、横案内溝32の底部の縦方向への大きさに比べて大きい。 - 特許庁
In the semiconductor light emitting element having a plurality of semiconductor layers including an active layer 6 and a light take-out layer 4, and a reflective metal film layer 11, the light take-out layer 4 is composed of a plurality of layers 23 and 24 having different composition ratios and protrusions and recesses 22 for roughening a major surface S are formed only on the outermost layer 23 of the plurality of layers.例文帳に追加
活性層6と光取り出し層4とを含む複数の半導体層を有し、反射金属膜層11を有する半導体発光素子において、上記光取り出し層4が組成比の異なる複数の層23,24からなり、これら複数の層の最も外側の層23のみに主面Sを粗面とするための凹凸22が形成された。 - 特許庁
This diaphragm 20 for the pressure sensor loaded with a piezoelectric vibration chip 30 as the pressure-sensitive element has pairing support parts 24 for fixing the piezoelectric vibration chip 30 on one surface of a thin-walled part 22 which is a flexible part, and has a characteristic wherein a projection part 26 for thickening the thin-walled part 22 is constituted between the pairing support parts 24.例文帳に追加
感圧素子として圧電振動片30を搭載する圧力センサ用のダイヤフラム20であって、可撓部となる薄肉部22の一方の面に、前記圧電振動片30を固定するための対を成す支持部24を有し、対を成す前記支持部24間に、前記薄肉部22を厚肉化するための突出部26を構成したことを特徴とする。 - 特許庁
In an insulating gate type semiconductor device 1 having a current density of ≥1,600 A/cm^2, a metal plate 8 is used as a means for connecting an electrode 2 covering the surface of an element region er with leads 13, 14, 15 and a fixing area of the electrode and the metal plate is 25% or larger in an area of an overlapping part 2o of the electrode.例文帳に追加
1600A/cm^2以上の電流密度を有する絶縁ゲート型半導体装置1において、素子領域erの表面を覆う電極2とリード13、14、15との接続手段接続手段として金属プレート8を用い、電極と金属プレートとの固着面積を電極の重畳部2oの面積の25%以上とする。 - 特許庁
The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing phosphorus (P).例文帳に追加
正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム(Li)と、ニッケル(Ni)およびマンガン(Mn)のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、リン(P)を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁
In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species.例文帳に追加
基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。 - 特許庁
To improve a method for manufacturing a solar cell for attaining an improved surface passivation and volume passivation, besides excellent optical properties of a substrate in manufacturing a semiconductor element, with respect to the process for forming a layer containing a hydrogen-containing silicon on a substrate formed of silicon or a substrate containing silicon such as a wafer or a film substrate.例文帳に追加
本発明はシリコンからなる基板はシリコンを含む基板、例えばウエハ又はフィルムの基板上に水素含有シリコンを含む層を形成して半導体素子を製造する方法に関し、良好な光学的性質のほかに基板の良好な表面不動態化も体積不動態化も可能なように太陽電池の製造方法を改良することを課題とする。 - 特許庁
This ion generation device includes an ion generating element 9 including a discharge electrode 17 installed at a surface of a dielectric part 21, and an induction electrode 14 opposedly installed inside the dielectric part 21, and a boost transformer 8 having a primary winding 8a and a secondary winding 8b which are electromagnetically bonded mutually in reversed polarity.例文帳に追加
このイオン発生装置は、誘電体部21の表面に設けられた放電電極17とそれに対向して誘電体部21の内部に設けられた誘導電極14とを含むイオン発生素子9と、互いに逆極性に電磁結合された1次巻線8aおよび2次巻線8bを有する昇圧トランス8とを備える。 - 特許庁
The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing boron (B).例文帳に追加
正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム(Li)と、ニッケル(Ni)およびマンガン(Mn)のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、ホウ素(B)を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁
This manufacturing method of semiconductor parts includes a process that starts the work of a semiconductor wafer, where the new element materials are subjected to film formation by using a conventional manufacturing device, and a process that cleans the region of the surface of the wafer which is in contact with the conventional manufacturing apparatus.例文帳に追加
課題を解決する半導体部品の製造方法は、新規な素子材料を成膜された半導体ウェハを、従来の製造装置を用いて着工する工程と、当該ウェハの表面であって、前記の従来の製造装置と接触する領域を洗浄する工程(以下、本発明にかかる洗浄工程という)とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide an optical element which is capable of suppressing a production cost, has a satisfactory heat resistance, is capable of uniformly maintaining orientation of liquid crystalline polymer fixed in a wide range of temperature and, without deteriorating a birefringent characteristic due to physical factors from an outer surface, can reliably exhibit low haze and can reliably maintain a desired birefringent characteristic.例文帳に追加
生産コストを抑制できると共に、耐熱性が良好であり広い温度範囲において固定化された液晶性高分子の配向が均一に維持され、外面からの物理的要因によって複屈折特性を低下させることなく、確実に低いヘイズを示し所望の複屈折特性を確実に維持することができる光学素子を提供する。 - 特許庁
A ferrite-magnet element comprises: a single ferrite 32; a plurality kind of center electrodes that are each formed at least two regions in the long-side direction of the ferrite 32 and are corresponding to a plurality of frequency bands (for example, the 836 MHz band and the 1.95 GHz band); and a permanent magnet 41 that is fixed on a primary surface of the ferrite 32.例文帳に追加
単一のフェライト32と、フェライト32の長辺方向の少なくとも二つの領域にそれぞれ形成されて複数の周波数帯(例えば、836MHz帯、1.95GHz帯)にそれぞれ対応する複数種類の中心電極と、フェライト32の主面に固着された永久磁石41とを備えたフェライト・磁石素子。 - 特許庁
The camera module is so configured that both of a main substrate 4 and a sub-substrate 5 are joined by a resin adhesive 15 to connote a solder 23. and a plurality of mounting bumps 24 adhered to the main substrate 4 are joined to a mounting area 14a corresponding to an area where an imaging element 14 of a surface of the sub-substrate 5 is stored.例文帳に追加
半田23を内包するように樹脂接着剤15でメイン基板4及びサブ基板5の双方を接合するとともに、サブ基板5表面の撮像素子14が収容される領域と対応する実装領域14aに、メイン基板4に接合した複数の実装バンプ24が接合されていることを特徴とするカメラモジュールである。 - 特許庁
The motion of pre-delivering consists of allowing the delivering port 22 of the element 21 to approach the periphery of the roller 33 to such an extent that the surface tension can be cancelled so as to allow the fluid L2 to adhere to the periphery of the roller 33; fetching the fluid L2 by the rotation of the roller 33; and washing the fluid L2 off.例文帳に追加
この予備吐出動作では、塗布エレメント21の吐出口22をローラ33の周面に表面張力がキャンセルされる程度まで近接させて、吐出口22からの塗布液L2を前記ローラ33の周面に付着させ、ローラ33が回転することにより塗布液L2を引き出し、この塗布液L2を洗浄して除去する。 - 特許庁
The element mounting board has a board 1 having silicon oxidation film 2 flipping a molten solder on a surface, the electric wiring 3 formed on the board 1, an electrode 6 covering part of the electric wiring 3 and having soldering wettability, and a soldering film 7 covering the whole of the electrode 6 and covering part of the silicon oxidation film 2 without directly coming into contact with the electric wiring 3.例文帳に追加
溶融半田を弾くシリコン酸化膜2を表面に有する基板1と、基板1上に形成した電気配線3と、電気配線3の一部を覆い、半田濡れ性を有する電極6と、電気配線3とは直接接触することなく、電極6の全部およびシリコン酸化膜2の一部を覆う半田膜7とを有する。 - 特許庁
The support substrate 10 comprises: a first part 10a located near the walls of the gas passages 11, and consisting of a catalyst component and an electrically insulative component; and second parts 10b located near the principal surface of the support substrate 10 in contact with the fuel electrodes of the power generation element parts A, and consisting of only an electrically insulative component.例文帳に追加
支持基板10は、ガス流路11の壁面に近い部分に存在し且つ触媒成分と電気的絶縁成分とから構成される第1部分10aと、発電素子部Aの燃料極と接触する支持基板10の主面に近い部分に存在し且つ電気的絶縁成分のみから構成される第2部分10bと、からなる。 - 特許庁
The light emitting element array chip comprises a large number of light emitting elements 3 arranged on the upper surface of a rectangular semiconductor substrate 1 along the longitudinal direction thereof wherein a light shielding member 4 having a large number of through holes 5 for leading out light from respective light emitting elements 2 is fixed to the arranging region of the large number of light emitting elements 2.例文帳に追加
矩形状をなす半導体基板1の上面に、その長手方向に沿って多数の発光素子3を配列してなる発光素子アレイチップにおいて、前記半導体基板1の上面で、かつ多数の発光素子2の配列領域に、各発光素子2の光を外部に導出する多数の貫通孔5が穿設された遮光部材4を取着させる。 - 特許庁
This invention provides the member for the capacitor embedded in the substrate in which a heat-curing adhesive film 4 and a plastic carrier film 5 of a B-stage condition are laminated on one surface of a capacitor element in which a dielectric layer 2 is provided between facing electrodes 1 and 3, and provides the substrate with the embedded capacitor using it and the method for manufacturing the substrate.例文帳に追加
対向する電極1と電極3の間に誘電体層2を備えるコンデンサ素子の一方の面上に、Bステージ状態の熱硬化性接着フィルム4およびプラスチックキャリアフィルム5が積層されていることを特徴とする基板内蔵コンデンサ用部材、およびおよびこれを用いたコンデンサ内蔵基板とその製造方法。 - 特許庁
To provide an image scanner capable of securely imaging light including image data of a medium for an original on a photoelectric converting element even when the medium for the original has its image formation surface at a position separate from a platen glass as the image scanner having the small depth of field of a read optical system for obtaining image data.例文帳に追加
画像データを取得するための読取光学系の被写界深度が小さいイメージスキャナ等の画像読取装置で、画像形成面がプラテンガラスから離隔した位置となる原稿媒体であっても、その画像データを含む光が光電変換素子に確実に結像させることができるようにした画像読取装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for manufacturing a lightweight foamed concrete capable of preventing bulging out of a mortar to a front surface of a mortar block when a foamed semi-cured mortar block is cut by a rotating bar-like element and preventing loss at a rear end of the block.例文帳に追加
本発明に係る軽量気泡コンクリートの製造方法及びその装置は、発泡された半硬化状のモルタルブロックを回転する棒状体で切断する際に、モルタルブロックの表面にモルタルがはみ出して来ることを防止すると共に、モルタルブロックの後端部に欠損が生ずることを防止し得る軽量気泡コンクリートの製造方法及びその装置を目的とする。 - 特許庁
In the flip-chip type light-emitting element, an n-type contact electrode 14 is formed on an n-layer 11 that is exposed like comb-tooth, a light transmitting electrode 15 formed of ITO is formed on the entire surface of a p-layer 13, and 20 pad electrodes 16 are formed keeping the predetermined interval on the light transmitting electrode 15.例文帳に追加
本発明のフリップチップ型発光素子は、櫛歯状に露出したn層11上にn型コンタクト電極14が形成され、p層13上面の全面にわたってITOからなる透光性電極15が形成され、透光性電極15上には所定の間隔で20個のパッド電極16が形成されている。 - 特許庁
The element forming layer 22 creates electrons and positive holes responding to irradiation of light and in accordance with the control of the voltages applied to the surface electrode 25 and control electrode 26, operates to select the state of storing electrons in the electron holding region 32 and holding positive holes in the positive-hole holding region 33 and the state of recombining the electrons and positive holes.例文帳に追加
素子形成層22は光の照射により電子および正孔を生成し、表面電極25および制御電極26に印加する電圧の制御により、電子保持領域32に電子を集積し正孔保持領域33に正孔を保持する状態と、電子と正孔とを再結合させる状態とが選択される。 - 特許庁
The optical module is provided with a receptacle 12 having a guiding path 15 in which a bendable optical waveguide 11 can be inserted and bent into a prescribed direction and the waveguide 11 can be positioned at a prescribed position after the insertion and a substrate 14 to which the receptacle 12 can freely be connected and a surface light emitting element 13 is mounted at a prescribed position.例文帳に追加
この発明は、可とう性の光導波路11を所定方向に曲げて挿入するとともに、挿入後に、その光導波路11を所定位置に位置決めできる案内路15を有するレセプタクル12と、そのレセプタクル12と接続自在であり面型発光素子13が所定位置に搭載される基板14とを備えている。 - 特許庁
Disclosed is the display element characterized in that two conductive substrates at least one of which is made of a transparent conductive substrate are arranged at an interval having conductive surface sides opposite each other, at least an electrochromic composition which colors and decolorizes by an oxidizing reaction or reducing reaction and an electrolyte are included inside the substrates, and a nanostructure is added in the electrolyte.例文帳に追加
少なくとも一方が透明導電基板からなる2つの導電基板を互いに導電面側を対峙して間隔をおいて配置し、基板の内側に少なくとも酸化反応または還元反応によって発色および消色するエレクトロクロミック組成物、電解質を含み、さらに前記電解質中にナノ構造体を添加した、表示素子。 - 特許庁
A laser beam emitted from a semiconductor laser 10 is made incident on a polygon mirror 13 through a collimating lens 11 and a cylindrical lens 12, reflected, deflected and transmitted through a diffraction element 20 and is transmitted through an f-θ lens 30 being an image formation optical system and converged so as to form a spot to scan in the main scanning direction on a surface to be scanned 40.例文帳に追加
半導体レーザー10から発したレーザー光は、コリメートレンズ11、シリンドリカルレンズ12を介してポリゴンミラー13に入射し、反射、偏向されて回折素子20を透過し、結像光学系であるfθレンズ30を透過することにより収束され、被走査面40に主走査方向に走査するスポットを形成する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a first wafer where the inductor containing a via hole plug through a first semiconductor substrate is formed; and a second wafer where a logical element is formed on a second semiconductor substrate, an inductor connecting wiring is formed on its top surface, and where the via contact plug and the inductor connecting wiring are electrically connected by joining the first wafer on the second wafer.例文帳に追加
第1半導体基板に貫通するビアホールプラグを含むインダクタが形成された第1ウェーハと、第2半導体基板に論理素子が形成され、上面にインダクタ連結配線が形成された第2ウェーハとを含んでなり、第1ウェーハを第2ウェーハ上に接合させてビアコンタクトプラグとインダクタ連結配線とが電気的に連結された構成を有する。 - 特許庁
To provide a planar heating element in which an exothermic metal thin wire can be simply and positively fixed without using a special material for the envelope of a sheet-like base material and the exothermic metal thin wire, and comfort is not impeded by a concavo-convex feeling by exposure of the exothermic metal thin wire on the sheet surface.例文帳に追加
シート状基材や発熱金属細線の外被に特殊な材質のものを用いることなく簡単確実に発熱金属細線を固定するとともに、発熱金属細線がシート面に露出することによる凹凸感によって快適性が阻害されることを防止する面状発熱体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The micro movable element manufacturing method includes a step of forming the movable part 10, the frame 20 and the connecting part 40 on a material substrate, and a step of sticking a film material to the surface of the material substrate during the forming step and patterning the film material to form the support structure member 71 for bridging the movable part 10 and the frame 20.例文帳に追加
本発明は、材料基板に可動部10、フレーム20、および連結部40を作り込む成形工程と、成形工程の途中において、材料基板の表面にフィルム材料を貼り合せ、当該フィルム材料をパターニングすることにより、可動部10およびフレーム20を架橋するためのサポート構造体71を形成する工程とを含む。 - 特許庁
Therefore, when the 1st and 2nd flexible substrate element pieces 10 and 20 are heated and pressed for connection, the corrugated part reduces the stress operating on the border between the laminated part 36 and exposed part 37 and the obtained multi-layered flexible wiring board 1 has neither a curved nor a striped deformed part on its top surface.例文帳に追加
従って、第一、第二のフレキシブル基板素片10、20を加熱押圧によって接続する際に、第一のフレキシブル基板素片10表面の積層部分36と露出部分37の境界に働く応力が、波状の部分で緩和され、得られる多層フレキシブル配線板1の表面に、反りや筋状の変形部分が生じない。 - 特許庁
An electric power conversion apparatus 1 includes: multiple semiconductor modules 2, each of which incorporates a semiconductor element; a cooler 3 having a module coolant passage 30 in which a coolant cooling the semiconductor modules 2 circulates; an electronic component (reactor) 4 other than the semiconductor modules 2; and a placement part 5 having a placement surface 51 on which the electronic component 4 is placed.例文帳に追加
電力変換装置1は、半導体素子を内蔵してなる複数の半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却する冷媒を流通させるモジュール冷媒流路30を有する冷却器3と、半導体モジュール2以外の電子部品(リアクトル)4と、電子部品4を載置する載置面51を有する載置部5とを備えている。 - 特許庁
The desired optical spot is obtained on an image carrier by disposing a diaphragm shape corresponding to a screen angle for forming CMLK colors on a rotatable circular board 12 as a means for sequentially changing the shape to an output image pattern, rotating the shape when the respective color images are exposed, and disposing the diaphragm on the front surface of a light emitting element.例文帳に追加
絞り形状を出力画像パターンに対して逐次変化させる手段として、回転可能な円形基盤12にCMLK各色を形成するスクリーン角に対応した絞り形状を配置させ、これを各色の像露光時に回転させ、絞りを発光素子の前面に配置することにより所望の光学スポットを像担持体上で得る。 - 特許庁
This is a ceramic heater in which a heating element is formed on the surface or inside the disc shape ceramic substrate and support pins for holding the heated object are provided on the substrate in a state of protrusion from the ceramic substrate.例文帳に追加
円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体が形成され、前記セラミック基板には、被加熱物を保持するための支持ピンが上記セラミック基板の表面から突出した状態で設けられたセラミックヒータであって、前記支持ピンの数nと、前記セラミック基板の半径r(mm)とは、下記の(1)式の関係を満たすことを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor element comprises sequentially the steps of forming a gate electrode having a metal silicide layer on a semiconductor wafer, decreasing crystal grain region on the surface of the metal silicide layer exposing at least its part, forming a spacer consisting of an oxide film on the side wall of the gate electrode.例文帳に追加
半導体基板上に金属シリサイド層を有するゲート電極を形成する工程と、少なくとも一部が露出する前記金属シリサイド層表面の結晶粒界を減少させる工程と、前記ゲート電極の側壁に酸化膜からなるスペーサを形成する工程と、を順次含むことを特徴とする半導体素子の製造方法である。 - 特許庁
To mold an optical element having a rotary non-symmetric optical surface which can contribute to the reduction of the number of production processes and the improvement of a yield by obtaining an eccentric prism having a light shielding function which prevents the generation of flare light and ghost light by one molding process and omitting work of black coating, deep color tape sticking, etc.例文帳に追加
フレアー光、ゴースト光を発生させることのない遮光機能を併せ持った偏心プリズムを成形一工程で得え、成形以降の工程において墨塗りや濃色テープの貼り付けなどの作業を省き、製造工数の削減や歩留まりの向上に繋げることができる回転非対称光学面を有する光学素子を成形する。 - 特許庁
The manufacturing method of the laminated piezoelectric element comprises the steps of preparing a sheet having an electrode paste layer containing powdered zirconium oxide whose metal and BET specific surface area is ≤10 m^2/g on a piezoelectric material green sheet, obtaining a lamination by laminating a plurality of sheets, and baking this lamination.例文帳に追加
本発明の積層型圧電素子の製造方法は、圧電体グリーンシート上に、金属及びBET比表面積が10m^2/g以下である粉末状のジルコニウム酸化物を含む電極ペースト層を備えるシートを準備する工程と、このシートを複数積層して積層体を得る工程と、この積層体を焼成する工程とを含む。 - 特許庁
This insert member is provided with a main body composed of metallic element producing a basic oxide and adhesive grains composed of an acidic oxide burnt to the surface of the main body by reacting with this basic oxide and improves the adhesibility between the main body and a cast material when this main body is cast into the cast material through the adhesive grains.例文帳に追加
塩基性酸化物を生じる金属元素からなる本体と、該塩基性酸化物と反応して該本体の表面に焼着する酸性酸化物からなる付着粒子とを有し、該本体を鋳造材中に鋳込んだときに該本体と該鋳造材との間の密着性を該付着粒子を介して高められることを特徴とする鋳ぐるみ部材。 - 特許庁
The circuit part energizes the electromechanical sensing element part 4 to bring about mechanical displacement, generates fractional force between the outer shell of the leg part 5 and the surface of the guiding shaft 1 by further energizing the leg part 5 in accordance with the mechanical displacement to change the viscosity of the electroviscous fluid and thereby drives the lens frame 2 along the guiding shafts 1.例文帳に追加
回路部は、電気機械変換素子部4に通電して機械的変位を起し、さらに機械的変位に対応して脚部5に通電し電気粘性流体の粘性を変化させることで脚部5の外皮殻と案内軸1の表面との間に摩擦力を発生させ、もってレンズ枠2を案内軸1に沿って駆動する。 - 特許庁
In the waste treatment apparatus for decomposing a waste in the treatment tank chemically with microorganisms, the distance between the rows of the heating element of a heating means for heating the tank is made smaller in the bottom part of the tank and larger toward the upper surface of the thank so that the temperature distribution in the tank is uniform.例文帳に追加
処理槽内の廃棄物を微生物により化学的に分解処理する廃棄物処理装置において、前記処理槽内を加熱する加熱手段の発熱体の距離を、該処理槽の底部において密になり、該廃棄物処理槽の上面に向かって発熱体の距離を疎になるようにして、該処理槽内の温度分布が均一となるように構成する。 - 特許庁
A substrate is isolated by a trench 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed at the surface part of the substrate in the isolated element forming region, a gate oxide film is formed on a channel region between the source region 3 and the drain region 4 of the substrate, and a gate electrode 6 is formed on the gate oxide film.例文帳に追加
基板がトレンチ2により絶縁分離され、この絶縁分離された素子形成領域において基板の表層部にソース領域3とドレイン領域4が形成され、基板におけるソース領域3とドレイン領域4の間をチャネル領域として、チャネル領域上にゲート酸化膜が形成され、ゲート酸化膜上にゲート電極6が形成されている。 - 特許庁
This sliding member with a hard carbon film used in a lubricating oil is prepared by forming a hard carbon film 12 on a backing 11, wherein at least the surface layer of the film 12 contains 5-70 atm.% of at least one metal element selected from the group consisting of group IIb, III, IV, Va, VIa, VIIa and VIII elements in the periodic table.例文帳に追加
基材11の上に硬質炭素皮膜12を形成しかつ潤滑油中で使用される硬質炭素皮膜摺動部材において、少なくとも表面層に元素周期律表の第IIb,III,IV,Va,VIa,VIIaおよびVIII族のうちから選ばれる少なくとも1種の金属元素を5〜70at%含むものとした硬質炭素皮膜摺動部材。 - 特許庁
In the optical recording medium wherein recording and reproduction are performed by energy beam irradiation, the film deposited on the optical recording medium is formed so as to have fine divisions and a low melting point thin film 2 and a thin film 3 consisting principally of a semimetal element are film-deposited in this order on the surface of a light transmissive information substrate 1 when the films are film-deposited.例文帳に追加
エネルギービームの照射により記録・再生を行う光記録媒体に関し、該光記録媒体上に製膜された膜の形態を微小な区画を形成させるようにし、その製膜に際しては、透光性の情報基板1表面に低融点薄膜2、主に半金属元素からなる薄膜3の順に製膜する。 - 特許庁
When a pair of electrodes 2, 4 disposed on a base substance 1 and an electron emitting element having a carbon film 7 disposed on the electrodes as well as on the base substance between the electrodes, an ion beam of a carbon compound is irradiated on the base substance between the electrodes and/or the surface of the electrodes, the voltage is applied to the electrodes 2, 4 so that the carbon film 7 is deposited.例文帳に追加
基体1上に配置した一対の電極2,4と、電極上及び電極間の基体上に配置されたカーボン膜7を有する電子放出素子を製造する際、電極間の基体表面及び/または電極表面に、炭素化合物のイオンビームを照射すると共に、電極2,4に電圧を印加してカーボン膜7を堆積させる。 - 特許庁
A data process quantity (sectional area of a column at operation and specification level or a quadrangular prism at RT level) per unit time of a bus is set, a core having a desirable function is extracted from a database and selected as an element, and connection parts from a connection surface of a bus and the bus to the bus are set to determine the connection relation between the bus and respective elements.例文帳に追加
バスの単位時間当たりのデータ処理量(動作・仕様レベルでは円柱の断面積,RTレベルでは四角柱の断面積)を設定し、データベースから所望の機能を有するコアを抜き出してこれを要素として選択し、バスの接続面やバスから要素への接続部の設定などを行なって、バスと各要素との接続関係を決定する。 - 特許庁
The surface of a powdered hydrogen-absorbing alloy containing at least one element selected from the group consisting of rare-earth metal elements and Ti is coated with nickel oxide or nickel hydroxide (e.g. by ballmill mixing with fine powder of nickel oxide or nickel hydroxide or by deposition of nickel hydroxide from an aqueous solution of an acidic nickel salt) and then heat-treated at 400-1,000°C.例文帳に追加
希土類金属元素およびTiから選ばれた少なくとも1種の元素を含む粉末状の水素吸蔵合金の表面に、酸化ニッケルまたは水酸化ニッケルを被覆し (例、酸化ニッケルまたは水酸化ニッケル微粉末とのボールミル混合、または酸性ニッケル塩水溶液からの水酸化ニッケルの析出により) 、次いで 400〜1000℃で熱処理する。 - 特許庁
The semiconductor acceleration sensor comprises the sensor chip 1 consisting of a thin beam 12 having a piezoresistive element 15 projecting inward of a frame consisting of a semiconductor substrate and a plummet 14 supported by hanging with the beam 12, and an upper and a lower stoppers 2 and 3 fixed to the frame 11 with a specific gap to the surface of the sensor chip 1 by way of a support 4.例文帳に追加
半導体基板からなるフレーム11の内方に突設してピエゾ抵抗素子15を有する薄肉状の梁部12と、梁部12により吊り下げ支持された錘部14とからなるセンサチップ1と、支持部4を介してセンサチップ1の表面と所定の間隔を有してフレーム11に固着された上下ストッパ2,3とを備えた半導体加速度センサ。 - 特許庁
On the circumferential surface of a disk element 2 with a rotary shaft hole 2a, a diamond tool 3 has a plurality of grinding chips 1, where abrasive grains of diamond are fixed, so interspaced as to have an overlap 4 of a width T of 0.5 mm or greater between one and the next when viewed in the rotary shaft direction.例文帳に追加
回転軸孔2aを有する円板状体2の外周面に、ダイヤモンド砥粒を固着した複数の研削用チップ1を、回転軸方向から投影した時に、隣接する研削用チップ1間に重なり部4を有するように、所定の間隔を隔てて配設するとともに、重なり部4の幅Tを0.5mm以上としてダイヤモンド工具3を構成する。 - 特許庁
The field electron emitting element is manufactured by forming a cathode electrode 5, an insulation layer 6 and a gate electrode 7 on a substrate 4, forming the carbon film 8 on whole surface, forming a resist film 24, exposing and developing the resist film 24 in a prescribed pattern by using a mask, etching the carbon film 8 by using the resist film 24, and by removing the resist film 24.例文帳に追加
基板4上にカソード電極5、絶縁層6およびゲート電極7を形成し、炭素膜8を全面に形成し、レジスト膜24を形成し、マスク25を用いてレジスト膜24を所定のパターンに露光、現像し、現像後のレジスト膜24をマスクとして炭素膜8をエッチングし、レジスト膜24を除去して電界電子放出素子を製造している。 - 特許庁
A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of each organic EL element of a specific color; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as a minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加
特定色の有機EL素子の透明電極61の下側には、半透過膜69が配置されており、この半透過膜69の上面から反射層として機能する対向電極66の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁
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